【課題】III 族窒化物半導体発光素子において、駆動電圧を上昇させることなく、発光効率を向上させること
【解決手段】各層はIII 族窒化物半導体から成り、ｎ型層側クラッド層１０３、Ａｌ_x Ｇａ_1-x Ｎ（０＜ｘ＜１）層を障壁層１４１とする多重量子構造を有した発光層１０４、ｐ型層側クラッド層１０６を少なくとも有するIII 族窒化物半導体発光素子である。発光層１０４は、ｎ型層側クラッド層１０３からｐ型層側クラッド層１０６の方向の厚さ方向に沿って、３区分の第１区分、第２区分、第３区分に分ける時、第１区分と第３区分における障壁層１４１の層数を等しくし、第１区分における障壁層１４１のＡｌ組成比をｘ、第２区分における障壁層１４１のＡｌ組成比をｙ、第３区分における障壁層１４１のＡｌ組成比をｚとする時、ｘ＋ｚ＝２ｙ、且つ、ｚ＜ｘを満たすように、それぞれの障壁層１４１のＡｌ組成比を設定した。 （もっと読む）

【課題】アモルファス状態の透明導電膜の光透過率を増加させ、シート抵抗を低下させ、ｐ型半導体層とのオーミックコンタクトを形成する技術を提供する。
【解決手段】
真空排気された真空槽３１内に、アモルファス状態の透明導電膜が表面に露出する処理対象物１が配置された状態で、真空槽３１内に不活性ガスと酸素ガスとを、不活性ガスに対する酸素ガスの流量比が１／２０以上３／７以下になるように導入して圧力を上昇させ、圧力が上昇した状態で処理対象物１を３００℃以上８００℃以下に加熱する（第一のアニール工程）。次いで、酸素ガスの導入を停止して、真空槽３１内の酸素ガスの分圧が第一のアニール工程での酸素ガスの分圧よりも低下した状態で、処理対象物１を３００℃以上８００℃以下に加熱する（第二のアニール工程）。 （もっと読む）

【課題】 電極の断線等を抑制するとともに、発光部の上面からの電極の引き出し方向の制約を低減することができる発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 導電性基板と、半導体素子部と、導電性基板の一方主面の少なくとも一部を覆う第１絶縁膜と、第１絶縁膜上に配置されたパッド電極と、パッド電極の上面に接合したボンディングボールを備えるボンディングワイヤとを有する半導体装置であって、パッド電極の周辺領域で第１絶縁膜を被覆する第２絶縁膜をさらに備え、第２絶縁膜は、第１絶縁膜の周辺領域からパッド電極の側面のうち第１絶縁膜側の一部領域にかけて連続して被覆している被覆部分と、被覆部分に連なってパッド電極の側面から内部に入り込んで延在している延在部分とを備え、延在部分の少なくとも一部が、ボンディングボールの下方に位置していることを特徴とする半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体発光機能層の一方の面に２つの電極を形成した構成の発光素子において、高い発光効率かつ面内で均一な発光強度を得る。
【解決手段】発光素子１０においては、（１）ｎ側コンタクト開口（第１の開口部）４２とｐ側コンタクト開口（第２の開口部）４１がそれぞれ、矩形における対向する２辺（上辺、下辺）に平行に延伸した２つの直線に沿って形成されたこと、（２）この２つの直線の間において、この２つの直線と垂直の方向に延伸する透明電極３０間の空隙（透明電極開口部３１）が、複数形成されたこと、によって、遮光面積を増やすことなしに電流の均一化を行い、発光の均一化を実現している。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能であり容易に作製できる多波長の光半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子１Ａは、主面１０ａが第１の面方位を有するＧａＮ基板１０と、主面１０ａの第１の領域上に成長しており、活性層２４を含むレーザ構造部２０と、主面１０ａの第１の領域とは異なる第２の領域に対し接合層４１を介して接合されており、表面４０ａが第１の面方位とは異なる第２の面方位を有するＧａＮ薄膜４０と、ＧａＮ薄膜４０の表面４０ａ上に成長しており、活性層３４を含むレーザ構造部３０とを備える。活性層２４，３４は、Ｉｎを含む井戸層をそれぞれ有し、これらの井戸層の発光波長は互いに異なる。 （もっと読む）

【課題】チップサイズを変えること無く、出力を下げることもなく、順方向電圧のみを下げることが可能な半導体発光素子およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】１つの発光素子に１つのピーク波長を発する２つの発光層を具え、第１導電型の半導体層に接続する電極に対し、２つの第２導電型の半導体層に接続する２つの電極による並列回路を形成し、２つの発光層を並列で発光させることで、擬似的に発光層の面積を増やし、順方向電圧を下げることができる。 （もっと読む）

【課題】ゲート層全体が発光層として機能する場合に比べて、温度変動によって生じる出射光の光量変動が少ない発光サイリスタ、光源ヘッド、及び画像形成装置を提供する。
【解決手段】本実施の形態のＲＣ構造を有する発光サイリスタ１００では、アノード層として機能するｐ型ＡｌＧａＡｓ系のＤＢＲ層１０６とカソード層として機能するｎ型ＡｌＧａＡｓ系のＤＢＲ層１１２との間に積層されたゲート層１０８のうち、発光層をバンドギャップの小さいｐ型ＡｌＧａＡｓ系の発光層１０８Ｂとし、一方、残りのゲート層１０８を発光層１０８Ｂよりもバンドギャップ（ＤＢＲ各層のバンドギャップの平均値）が大きいｎ型ＡｌＧａＡｓ系のＤＢＲゲート層１０８Ａとしている。 （もっと読む）

【課題】小型且つ安価な発光装置、発光モジュール、発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、発光装置は、半導体層と、ｐ側電極と、ｎ側電極と、第１の絶縁層と、ｐ側配線層と、ｎ側配線層と、第２の絶縁層とを備えている。ｐ側配線層は、第１の絶縁層における半導体層に対する反対側に形成された配線面、および第１の面及び第２の面と異なる面方位の第３の面に沿う形状に設けられ断面がＬ字状の部分を有する第２のｐ側配線層を有する。第２のｐ側配線層は、第３の面で第１の絶縁層及び第２の絶縁層から露出されたｐ側外部端子を有する。ｎ側配線層は、第１の絶縁層の配線面および第３の面に沿う形状に設けられ断面がＬ字状の部分を有する第２のｎ側配線層を有する。第２のｎ側配線層は、第３の面で第１の絶縁層及び第２の絶縁層から露出されたｎ側外部端子を有する。 （もっと読む）

【課題】単一基板上に複数の発光素子が設けられた半導体発光素子において、本構成を用いない場合に比べて光取出効率を向上する半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１は、基板１０上に第１導電型層と第２導電型層とに挟まれた発光層を含む半導体積層構造２１を有する発光部１Ａと、基板１０上に発光部１Ｂと離間して異なる領域に設けられ、第１導電型層と第２導電型層とに挟まれた発光層を有する半導体積層構造２１を有する発光部１Ｂと、発光部１Ａの第１導電型層と、発光部１Ｂの第２の導電型層とを電気的に接続する内部配線層８３と、発光部１Ａの発光層及び発光部１Ｂの発光層の少なくともいずれかの発光層と、内部配線層８３との間に設けられ、発光部１Ａの発光層及び発光部１Ｂの発光層の少なくともいずれかの発光層から発光した光の少なくとも一部を反射する反射層９３とを有する。 （もっと読む）

【課題】高性能の窒化物半導体発光素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】基板上にｎ型窒化物半導体層を形成する工程と、ｎ型窒化物半導体層上に発光層を形成する工程と、発光層上にｐ型窒化物半導体層を形成する工程と、ｐ型窒化物半導体層を、酸素を含む雰囲気において、第１温度で熱処理する工程と、第１温度で熱処理したｐ型窒化物半導体層を、真空雰囲気において、第１温度よりも低い第２温度で熱処理する工程と、を含む窒化物半導体発光素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】光度を改善させることができる発光素子、発光素子の製造方法、発光素子パッケージ、及び照明システムを提供すること。
【解決手段】本発明は、発光素子、発光素子の製造方法、発光素子パッケージ、及び照明システムに関するものである。本発明の一実施例による発光素子は、第１導電型半導体層、上記第１導電型半導体層の上に井戸層及び障壁層を有する活性層、及び上記活性層の上に第２導電型半導体層を備え、上記井戸層は、上記第１導電型半導体層に最も隣接し、第１エネルギーバンドギャップを有する第１井戸層、上記第２導電型半導体層に最も隣接し、第３エネルギーバンドギャップを有する第３井戸層、及び上記第１井戸層と上記第３井戸層との間に位置し、第２エネルギーバンドギャップを有する第２井戸層を備え、上記第３井戸層の上記第３エネルギーバンドギャップは上記第２井戸層の上記第２エネルギーバンドギャップより大きくすることができる。 （もっと読む）

【課題】ゲート層をピーク波長が単一の発光層で構成する場合に比べて、温度変動によって生じる出射光の光量変動が少ない発光サイリスタ、光源ヘッド、及び画像形成装置を提供する。
【解決手段】本実施の形態のＲＣ構造を有する発光サイリスタ１００では、アノード層として機能するｐ型ＡｌＧａＡｓ系のＤＢＲ層１０６とカソード層として機能するｎ型ＡｌＧａＡｓ系のＤＢＲ層１１２との間に積層されたゲート層１０８を、Ａｌの組成が０．１２、ピーク波長λ＝７８８．０ｎｍのｎ型ＡｌＧａＡｓ系の発光層１０８Ａ、及びＡｌの組成が０．１４、ピーク波長λ＝７７５．７ｎｍのｐ型ＡｌＧａＡｓ系の発光層１０８Ｂの、ピーク波長が異なる２つの発光層で構成している。 （もっと読む）

【課題】色度ずれを抑制することができる半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】発光部２０は、第１の主面と、前記第１の主面の反対面を形成する第２の主面と、前記第２の主面上に形成された第１の電極部５０および第２の電極部８０と、を有する。透光部３０は、前記第１の主面側に設けられ、凹状の面を有する。波長変換部４０は、前記透光部を覆うように設けられ、蛍光体４１を含有する。封止部１３０は、前記第２の主面側に設けられ、第１の導電部の端部および第２の導電部の端部を露出させつつ前記第１の導電部および前記第２の導電部を封止している。前記蛍光体は、前記透光部の側方に充填された第１の蛍光体と、前記第１の蛍光体の粒子径よりも大きく前記凹状の面の開口部よりも小さい粒子径を有し前記開口部に充填された第２の蛍光体と、を含む。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、発光素子チップの裏面側からの発光光を前面に取り出すことができ、更にはコストの低減も可能な光源回路ユニット、およびこの光源回路ユニットを備えた照明装置並びに表示装置を提供する。
【解決手段】回路基板１１上にドーム状の封止レンズ１２により覆われた発光素子チップ（ＬＥＤチップ１３）を備える。回路基板１１の配線パターン１４は光反射性を有する材料、例えばアルミニウム（Ａｌ）により構成されている。配線パターン１４には、ＬＥＤチップ１３に対して駆動電流を供給するための配線層１４Ａ，配線層１４Ｂと共にチップ搭載層１４Ｃが含まれている。ＬＥＤチップ１３はこのチップ搭載層１４Ｃ上に、直接にダイボンディングすることにより搭載されている。 （もっと読む）

【課題】 歩留まりを向上させることができる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体素子の製造方法は、（ａ）成長基板を準備する工程と、（ｂ）前記成長基板上に半導体層を形成する工程と、（ｃ）前記半導体層を複数の素子部に分割するとともに、各素子部間の半導体層の少なくとも一部を犠牲層として残す工程と、（ｄ）前記半導体層上に金属層を形成する工程と、（ｅ）前記半導体層に、前記金属層を介して支持基板を設ける工程と、（ｆ）前記成長基板に、前記素子部の全部を覆い、かつ前記犠牲層の外縁内に収まるようにレーザーを照射することにより、前記成長基板を前記半導体層から剥離する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】従来にない新規な多波長発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】多波長発光素子１０は、発光波長が異なる第１及び第２発光領域Ａ１，Ａ２が構成されている。第１発光領域Ａ１では、第１半導体下地層１４１と、その上に積層された第１半導体発光層１５１とが設けられている。第２発光領域Ａ２では、第１半導体下地層１４１の上に配置された第１半導体下地層１４１と同一の構成元素で且つ元素組成比が異なる半導体で形成された第２半導体下地層１４２と、その上に積層された第２半導体発光層１５２とが設けられている。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、発光色を厳密に制御することが可能な半導体発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光装置の製造方法は、基板の上に形成された第１導電形の第１の半導体層と、発光層と、第２導電形の第２の半導体層と、を含む積層体と、前記積層体の第１の主面側に形成され前記第１の半導体層に電気的に接続された第１の電極と、前記第２の半導体層と電気的に接続された第２の電極と、を有する構造体を準備する工程と、前記積層体の前記第１の主面側において、前記第１の電極と、前記第２の電極と、前記積層体と、を覆う樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層の表面を平坦化する工程と、前記基板を除去する工程と、前記基板が除去された前記積層体の第２の主面の上に、蛍光体を含む層を形成する工程と、前記第１の樹脂層の平坦化された前記表面を基準として、前記積層体を含む前記樹脂層と、前記蛍光体を含む層と、を合わせた厚さが所定の厚さになるように、前記蛍光体を含む層を加工する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を改善した半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、積層構造体と、第１電極と、第２電極と、を備える。積層構造体は、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、発光層と、を含む。積層構造体は、第１半導体層側の第１主面と、第２半導体層側の第２主面と、を有する。第１電極は、第２主面の側で第１半導体層と接する第１接触部を有する。第２電極は、第２主面で第２半導体層と接する部分を有する。第１半導体層の第１主面の側の表面は、第１部分と、第２部分と、を有する。第１部分は、積層方向にみたときに、第１接触部における第１半導体層との接触面と重なる部分を有する。第２部分は、積層方向にみたときに、第２半導体層と重なる部分を有する。第２部分は、発光層から放射される発光光のピーク波長よりも長いピッチの凹凸を有する。第１部分は、第２部分の凹凸よりも平坦である。 （もっと読む）

【課題】色度のばらつきを抑制することができる半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法を提供することである。
【解決手段】本発明の実施態様によれば、複数の半導体発光装置が一括形成された半導体発光装置ウェーハであって、発光部と、波長変換部と、を備えた半導体発光装置ウェーハが提供される。前記発光部は、第１の主面と、前記第１の主面とは反対側の第２の主面と、を有する。前記波長変換部は、前記第１の主面側に設けられ、蛍光体を含有する。前記波長変換部の厚さは、前記発光部から出射する光の前記ウェーハの面内における波長及び強度の少なくともいずれかの分布に基づいて変化してなる。 （もっと読む）

【課題】色度のばらつきを抑制することができる半導体発光装置及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光装置は、光を出射する発光部と、前記発光部の一方の主面側に設けられ、蛍光体を含有する波長変換部と、を備えている。そして、前記波長変換部は、前記発光部から出射する光の波長に基づいた前記蛍光体の量の分布を有している。 （もっと読む）