発光装置、発光モジュール、発光装置の製造方法
【課題】小型且つ安価な発光装置、発光モジュール、発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、発光装置は、半導体層と、ｐ側電極と、ｎ側電極と、第１の絶縁層と、ｐ側配線層と、ｎ側配線層と、第２の絶縁層とを備えている。ｐ側配線層は、第１の絶縁層における半導体層に対する反対側に形成された配線面、および第１の面及び第２の面と異なる面方位の第３の面に沿う形状に設けられ断面がＬ字状の部分を有する第２のｐ側配線層を有する。第２のｐ側配線層は、第３の面で第１の絶縁層及び第２の絶縁層から露出されたｐ側外部端子を有する。ｎ側配線層は、第１の絶縁層の配線面および第３の面に沿う形状に設けられ断面がＬ字状の部分を有する第２のｎ側配線層を有する。第２のｎ側配線層は、第３の面で第１の絶縁層及び第２の絶縁層から露出されたｎ側外部端子を有する。
【解決手段】実施形態によれば、発光装置は、半導体層と、ｐ側電極と、ｎ側電極と、第１の絶縁層と、ｐ側配線層と、ｎ側配線層と、第２の絶縁層とを備えている。ｐ側配線層は、第１の絶縁層における半導体層に対する反対側に形成された配線面、および第１の面及び第２の面と異なる面方位の第３の面に沿う形状に設けられ断面がＬ字状の部分を有する第２のｐ側配線層を有する。第２のｐ側配線層は、第３の面で第１の絶縁層及び第２の絶縁層から露出されたｐ側外部端子を有する。ｎ側配線層は、第１の絶縁層の配線面および第３の面に沿う形状に設けられ断面がＬ字状の部分を有する第２のｎ側配線層を有する。第２のｎ側配線層は、第３の面で第１の絶縁層及び第２の絶縁層から露出されたｎ側外部端子を有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、発光装置、発光モジュール、発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
可視光や白色光を放出可能な半導体発光装置の用途は、照明装置、液晶表示装置のバックライト光源、表示装置などに拡大している。これらの用途では小型化の要求がますます強まっており、さらに半導体発光装置の量産性を高め価格を低減することが要求されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許出願公開第２０１０／０１４８１９８号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
小型且つ安価な発光装置、発光モジュール、発光装置の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態によれば、発光装置は、半導体層と、ｐ側電極と、ｎ側電極と、第１の絶縁層と、ｐ側配線層と、ｎ側配線層と、第２の絶縁層と、を備えている。前記半導体層は、第１の面と、その反対側に形成された第２の面と、発光層とを含む。前記ｐ側電極は、前記第２の面における前記発光層を有する領域に設けられている。前記ｎ側電極は、前記第２の面における前記発光層を含まない領域に設けられている。前記第１の絶縁層は、前記第２の面側に設けられ、前記第ｐ側電極に通じる第１のビアと、前記ｎ側電極に通じる第２のビアとを有する。前記ｐ側配線層は、前記第１のビアを通じて前記ｐ側電極と電気的に接続される第１のｐ側配線層と、前記第１のｐ側配線層に電気的に接続され、前記第１の絶縁層における前記半導体層に対する反対側に形成された配線面、および前記第１の面及び前記第２の面と異なる面方位の第３の面に沿う形状に設けられ断面がＬ字状の部分を有する第２のｐ側配線層と、を有する。前記第２のｐ側配線層の断面がＬ字状の部分は、前記第３の面で前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層から露出されたｐ側外部端子を有する。前記ｎ側配線層は、前記第２のビアを通じて前記ｎ側電極と電気的に接続される第１のｎ側配線層と、前記第１のｎ側配線層に電気的に接続され、前記ｐ側配線層に対して離間して、前記配線面および前記第３の面に沿う形状に設けられ断面がＬ字状の部分を有する第２のｎ側配線層と、を有する。前記第２のｎ側配線層の断面がＬ字状の部分は、前記第３の面で前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層から露出されたｎ側外部端子を有する。前記第２の絶縁層は、前記ｐ側配線層と前記ｎ側配線層との間に設けられている。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】第１実施形態の発光装置の模式図。
【図２】第１実施形態の発光モジュールの模式断面図。
【図３】第１実施形態の発光装置の製造方法を示す模式図。
【図４】第１実施形態の発光装置の製造方法を示す模式図。
【図５】第１実施形態の発光装置の製造方法を示す模式図。
【図６】第１実施形態の発光装置の製造方法を示す模式図。
【図７】第１実施形態の発光装置の製造方法を示す模式図。
【図８】第１実施形態の発光装置の製造方法を示す模式図。
【図９】第１実施形態の発光装置の製造方法を示す模式図。
【図１０】第１実施形態の発光装置の製造方法を示す模式図。
【図１１】第１実施形態の発光装置の製造方法を示す模式図。
【図１２】第１実施形態の発光装置の製造方法を示す模式図。
【図１３】第１実施形態の発光装置の製造方法を示す模式図。
【図１４】第１実施形態の発光装置の製造方法を示す模式図。
【図１５】第１実施形態の発光装置の製造方法を示す模式図。
【図１６】第１実施形態の発光装置の製造方法を示す模式図。
【図１７】第１実施形態の発光モジュールの変形例の模式断面図。
【図１８】第２実施形態の発光装置の模式斜視図。
【図１９】第２実施形態の発光装置の模式断面図。
【図２０】第２実施形態の発光モジュールの模式断面図。
【図２１】第２実施形態の発光装置の製造方法を示す模式図。
【図２２】第２実施形態の発光装置の製造方法を示す模式図。
【図２３】第２実施形態の発光装置の製造方法を示す模式図。
【図２４】第３実施形態の発光装置の模式図。
【図２５】第３実施形態の発光モジュールの模式断面図。
【図２６】第４実施形態の発光装置の模式図。
【図２７】第４実施形態の発光モジュールの模式断面図。
【図２８】第４実施形態の発光装置の製造方法を示す模式図。
【図２９】第４実施形態の発光装置の製造方法を示す模式図。
【図３０】（ａ）は比較例の発光モジュールを用いた照明装置の模式図であり、（ｂ）は実施形態の発光モジュールを用いた照明装置の模式図。
【図３１】第１のｐ側配線層及び第１のｎ側配線層の平面レイアウトの他の具体例を表す図。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、図面を参照し、実施形態について説明する。各図面中、同じ要素には同じ符号を付している。なお、製造工程を表す図面においては、複数の半導体層１５（チップ）を含むウェーハの一部の領域を表している。
【０００８】
（第１実施形態）
図１（ａ）は、第１実施形態の発光装置１０ａの模式斜視図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）におけるＡ−Ａ断面図である。図１（ｃ）は、図１（ａ）におけるＢ−Ｂ断面図である。
【０００９】
発光装置１０ａは半導体層１５を有する。半導体層１５は、第１の面１５ａと、その反対側に形成された第２の面を有する。第２の面側に後述する電極及び配線層が設けられ、その反対側の第１の面１５ａから主として光が外部に放出される。
【００１０】
半導体層１５は、第１の半導体層１１と第２の半導体層１２を有する。第１の半導体層１１及び第２の半導体層１２は、いずれも例えば窒化物半導体を含む。第１の半導体層１１は、例えば下地バッファ層、ｎ型層などを含み、ｎ型層は電流の横方向経路として機能する。第２の半導体層１２は、発光層（活性層）１３を、ｎ型層とｐ型層とで挟んだ積層構造を有する。
【００１１】
半導体層１５の第２の面側は凹凸形状に加工されている。その第２の面側に形成された凸部は発光層１３を含む。その凸部の表面である第２の半導体層１２の表面には、ｐ側電極１６が設けられている。ｐ側電極１６は、発光層１３を有する領域に設けられている。
【００１２】
半導体層１５の第２の面側において凸部の横には、第２の半導体層１２がない領域が設けられ、その領域の第１の半導体層１１の表面に、ｎ側電極１７が設けられている。すなわち、ｎ側電極１７は、発光層１３を含まない領域に設けられている。
【００１３】
図５（ｂ）に示すように、半導体層１５の第２の面側において、発光層１３を含む第２の半導体層１２の面積は、発光層１３を含まない第１の半導体層１１の面積よりも広い。
【００１４】
また、図６（ｂ）に示すように、ひとつの半導体層１５において、発光層１３を含む領域に設けられたｐ側電極１６の方が、発光層１３を含まないｎ側電極１７よりも面積が広い。これにより、広い発光領域が得られる。なお、図６（ｂ）に示すｐ側電極１６及びｎ側電極１７のレイアウトは一例であって、これに限らない。
【００１５】
半導体層１５の第２の面側には、第１の絶縁層（以下、単に絶縁層と言う）１８が設けられている。絶縁層１８は、半導体層１５、ｐ側電極１６及びｎ側電極１７を覆っている。また、絶縁層１８と半導体層１５との間に別の絶縁膜（例えばシリコン酸化膜）が設けられることもある。絶縁層１８は、例えば、微細開口のパターニング性に優れたポリイミド等の樹脂である。あるいは、絶縁層１８としてシリコン酸化物やシリコン窒化物等の無機物を用いてもよい。
【００１６】
絶縁層１８は、半導体層１５に対する反対側に配線面１８ｃを有する。その配線面１８ｃには、第１のｐ側配線層（内側ｐ側配線層）２１と、第１のｎ側配線層（内側ｎ側配線層）２２とが互いに離間して設けられている。
【００１７】
第１のｐ側配線層２１は、ｐ側電極１６に達して絶縁層１８に形成された第１のビア１８ａ内にも設けられ、ｐ側電極１６と電気的に接続されている。なお、第１のｐ側配線層２１は必ずしも絶縁層１８の下面上に形成されなくてもよい。例えば、ｐ側電極１６上にだけ第１のｐ側配線層２１が設けられ、絶縁層１８の第１のビア１８ａの外には第１のｐ側配線層２１が設けられていない構造であってもよい。
【００１８】
第１のｎ側配線層２２は、ｎ側電極１７に達して絶縁層１８に形成された第２のビア１８ｂ内にも設けられ、ｎ側電極１７と電気的に接続されている。
【００１９】
第１のｐ側配線層２１においてｐ側電極１６に対する反対側の面には、第２のｐ側配線層２３が設けられている。第１のｐ側配線層２１及び第２のｐ側配線層２３は、本実施形態におけるｐ側配線層を構成する。
【００２０】
そのｐ側配線層は、絶縁層１８の配線面１８ｃに沿う形状に設けられた部分と、第１の面１５ａ及び第２の面と異なる面方位の第３の面３０に沿う形状に設けられた部分とを有する。ｐ側配線層において、配線面１８ｃに沿って設けられた部分から第３の面３０に沿って設けられた部分は、図１（ｃ）に示すように、例えば断面がＬ字状に形成されている。
【００２１】
第１のｐ側配線層２１は、配線面１８ｃ上に配線面１８ｃに沿って設けられている。第２のｐ側配線層２３は、ｐ側接続部２３ｂとｐ側外部端子２３ａとを有する。
【００２２】
ｐ側接続部２３ｂは、第１のｐ側配線層２１上に配線面１８ｃに沿って設けられている。図１（ｃ）に示すように、ｐ側接続部２３ｂとｐ側外部端子２３ａとにより、断面がＬ字状の部分が形成される。すなわち、第２のｐ側配線層２３は、断面がＬ字状の部分を有し、その一部（ｐ側外部端子２３ａ）が、外部端子となる。
【００２３】
そして、第２のｐ側配線層２３は、ｐ側接続部２３ｂを底部とした凹形状に形成されている。ｐ側外部端子２３ａは、その凹形状（Ｕ字状）の側壁の一部を構成する。つまり、図１（ｃ）に示すように、第２のｐ側配線層２３はＵ字状の断面形状を有し、そのＵ字状の一部がＬ字状となっている。
【００２４】
図１（ｃ）に示すような、第３の面３０に対して垂直な面かつ配線面１８ｃと交差する面における断面において、第２のｐ側配線層２３はＵ字状の断面形状を有している。また、図１（ｂ）に示すように、第３の面３０に対して平行な面における断面においても、第２のｐ側配線層２３はＵ字状の断面を有している。後述するように、第２のｐ側配線層２３は、カップ状であるので、図１（ｂ）及び（ｃ）に示す断面図では、Ｕ字状の断面形状を有する。
【００２５】
第１のｎ側配線層２２においてｎ側電極１７に対する反対側の面には、第２のｎ側配線層２４が設けられている。第１のｎ側配線層２２及び第２のｎ側配線層２４は、本実施形態におけるｎ側配線層を構成する。
【００２６】
そのｎ側配線層は、絶縁層１８の配線面１８ｃに沿う形状に設けられた部分と、第１の面１５ａ及び第２の面と異なる面方位の第３の面３０に沿う形状に設けられた部分とを有する。ｎ側配線層において、配線面１８ｃに沿って設けられた部分から第３の面３０に沿って設けられた部分は、例えばＬ字状に形成されている。
【００２７】
第１のｎ側配線層２２は、配線面１８ｃ上に配線面１８ｃに沿って設けられている。第２のｎ側配線層２４は、ｎ側接続部２４ｂとｎ側外部端子２４ａとを有する。
【００２８】
ｎ側接続部２４ｂは、第１のｎ側配線層２２上に配線面１８ｃに沿って設けられている。図１（ｃ）に示す断面と平行な断面図では、ｎ側接続部２４ｂとｎ側外部端子２４ａとにより、断面がＬ字状の部分が形成される。すなわち、第２のｎ側配線層２４は、断面がＬ字状の部分を有し、その一部（ｎ側外部端子２４ａ）が、外部端子となる。
【００２９】
そして、第２のｎ側配線層２４は、ｎ側接続部２４ｂを底部とした凹形状に形成されている。ｎ側外部端子２４ａは、その凹形状（Ｕ字状）の側壁の一部を構成する。つまり、第２のｎ側配線層２４は、Ｕ字状の断面形状を有し、そのＵ字状の一部がＬ字状となっている。
【００３０】
図１（ｃ）に示す断面図と平行な断面図であり、第３の面３０に対して垂直な面であり、かつ配線面１８ｃと交差する面における断面図において、第２のｎ側配線層２４は、Ｕ字状の断面形状を有している。また、図１（ｂ）に示すように、第３の面３０に平行な面における断面図でも、第２のｎ側配線層２４は、Ｕ字状の断面を有している。後述するように、第２のｎ側配線層２４は、カップ状であるので、図１（ｂ）に示す断面図および図１（ｃ）に示す断面図に平行な断面での断面図では、Ｕ字状の断面形状を有する。
【００３１】
絶縁層１８の配線面１８ｃ上には、第２の絶縁層として樹脂層２５が設けられている。樹脂層２５は、第１のｐ側配線層２１及び第１のｎ側配線層２２を覆っている。ただし、図１（ａ）に示すように、第１のｐ側配線層２１の一部の側面２１ａと、第１のｎ側配線層２２の一部の側面２２ａは、樹脂層２５及び絶縁層１８で覆われずに、それらから露出している。
【００３２】
樹脂層２５は、第２のｐ側配線層２３と第２のｎ側配線層２４との間に充填されている。第２のｐ側配線層２３におけるｐ側外部端子２３ａ以外の側壁は樹脂層２５で覆われている。第２のｎ側配線層２４におけるｎ側外部端子２４ａ以外の側壁は樹脂層２５で覆われている。
【００３３】
また、第２のｐ側配線層２３における第１のｐ側配線層２１に対する反対側の端部も樹脂層２５で覆われている。同様に、第２のｎ側配線層２４における第１のｎ側配線層２２に対する反対側の端部も樹脂層２５で覆われている。
【００３４】
凹形状（Ｕ字状）の第２のｐ側配線層２３の内側及び同じく凹形状（Ｕ字状）の第２のｎ側配線層２４の内側には、第３の絶縁層として樹脂層３５が埋め込まれている。
【００３５】
樹脂層３５における第１のｐ側配線層２１に対する反対側の端部は樹脂層２５で覆われている。したがって、第２のｐ側配線層２３の内側に設けられた樹脂層３５は、第２のｐ側配線層２３及び樹脂層２５に囲まれている。同様に、第２のｎ側配線層２４の内側に設けられた樹脂層３５は、第２のｎ側配線層２４及び樹脂層２５に囲まれている。第２のｐ側配線層２３及び第２のｎ側配線層２４は、樹脂層２５及び樹脂層３５に覆われている。
【００３６】
図１（ａ）〜（ｃ）に示す発光装置１０ａは、図２に示すように、第３の面３０が実装面（実装する基板と対向する面）となるように、実装される。その際、ｐ側外部端子２３ａ、第１のｐ側配線層２１の露出面２１ａおよびそれらの間の金属膜２０が、ｐ側の外部端子となる。
【００３７】
金属膜２０の膜厚は数ｎｍ程度であり、金属膜２０が第３の面３０で露出する面積は第１のｐ側配線層２１の露出面２１ａに比べて小さい。また、第１のｐ側配線層２１の露出面２１ａは、ｐ側外部端子２３ａに比べて、図１（ｂ）及び（ｃ）における高さ方向の厚みが小さい。このため、第１のｐ側配線層２１の露出面２１ａが第３の面３０で露出する面積は、ｐ側外部端子２３ａに比べて小さい。
【００３８】
ｎ側も同様であり、金属膜２０、第１のｎ側配線層２２の露出面２２ａ、ｎ側外部端子２４ａの順に、第３の面３０で露出する面積は大きい。
【００３９】
図１（ａ）及び（ｃ）に示すように、第２のｐ側配線層２３の一部の側面は、半導体層１５の第１の面１５ａ及び第２の面と異なる面方位の第３の面３０で、絶縁層１８及び樹脂層２５から露出している。その露出された面は、外部の実装基板に実装するためのｐ側外部端子２３ａとして機能する。ｐ側外部端子２３ａは、ｐ側接続部２３ｂの一端部から第３の面３０に沿って広がって形成されている。
【００４０】
ここで、第３の面３０は、第１の面１５ａ及び第２の面に対して略垂直な面である。樹脂層２５は、例えば矩形状の４つの側面を有し、そのうちの相対的に長辺を有する側面のひとつが第３の面３０となっている。
【００４１】
その同じ第３の面３０で、第２のｎ側配線層２４の一部の側面が絶縁層１８及び樹脂層２５から露出している。その露出された面は、外部の実装基板に実装するためのｎ側外部端子２４ａとして機能する。ｎ側外部端子２４ａは、ｎ側接続部２４ｂの一端部から第３の面３０に沿って広がって形成されている。
【００４２】
また、図１（ａ）に示すように、第１のｐ側配線層２１の一部の側面２１ａも、第３の面３０で絶縁層１８及び樹脂層２５から露出され、ｐ側外部端子として機能する。同様に、第１のｎ側配線層２２の一部の側面２２ａも、第３の面３０で絶縁層１８及び樹脂層２５から露出され、ｎ側外部端子として機能する。
【００４３】
第１のｐ側配線層２１と第２のｐ側配線層２３とを含むｐ側配線層において、第３の面３０で露出している部分２１ａ、２３ａ以外の部分は、絶縁層１８または樹脂層２５で覆われている。第１のｎ側配線層２２と第２のｎ側配線層２４とを含むｎ側配線層において、第３の面３０で露出している部分２２ａ、２４ａ以外の部分は、絶縁層１８または樹脂層２５で覆われている。なお、本実施形態の構造は一例であって、ｐ側配線層とｎ側配線層を、第３の面３０以外においても一部露出させてもかまわない。
【００４４】
図８（ｂ）に示すように、第１のｐ側配線層２１における第３の面３０で露出する側面２１ａと、第１のｎ側配線層２２における第３の面３０で露出する側面２２ａとの間の距離は、絶縁層１８の配線面１８ｃ上での第１のｐ側配線層２１と第１のｎ側配線層２２との間の距離よりも大きい。
【００４５】
絶縁層１８の配線面１８ｃ上で樹脂層２５に覆われた第１のｐ側配線層２１と第１のｎ側配線層２２との間の距離を小さくすることで、第１のｐ側配線層２１の面積の拡大を図れる。第１のｐ側配線層２１の平面サイズは、第２のｐ側配線層２３におけるｐ側接続部２３ｂの平面サイズよりも大きい。第１のｐ側配線層２１は、例えば銅などの低抵抗金属を用いて形成することができる。このため、第１のｐ側配線層２１の面積が広いほど発光層１３を含む第２の半導体層１２に対して、より均一な分布で電流を供給することが可能となる。さらに、第１のｐ側配線層２１の熱伝導率も高くすることができ、第２の半導体層１２で発生した熱を効率的に逃がすことも可能となる。
【００４６】
ｐ側電極１６は、発光層１３を含む領域に広がっている。したがって、複数の第１のビア１８ａを介して第１のｐ側配線層２１とｐ側電極１６とを接続することで、発光層１３への電流分布が向上し、且つ発光層１３で発生した熱の放熱性も向上できる。
【００４７】
第１のｐ側配線層２１における第３の面３０で露出する側面２１ａと、第１のｎ側配線層２２における第３の面３０で露出する側面２２ａとは、実装基板への実装時にはんだ等の接合剤によって相互に短絡しない距離を隔てて離れている。
【００４８】
第１のｎ側配線層２２と第２のｎ側配線層２４のｎ側接続部２４ｂとが接触する面積は、第１のｎ側配線層２２とｎ側電極１７とが接触する面積より大きい。また、第１のｎ側配線層２２の一部は、絶縁層１８の配線面１８ｃ上を、発光層１３の下に重なる位置まで延在している。
【００４９】
これにより、広い領域にわたって形成された発光層１３によって高い光出力を得つつ、発光層１３を含まない狭い領域に設けられたｎ側電極１７から、第１のｎ側配線層２２を介して、より広い引き出し電極を形成できる。
【００５０】
第１のｐ側配線層２１と第２のｐ側配線層２３のｐ側接続部２３ｂとが接触する面積は、第１のｐ側配線層２１とｐ側電極１６とが接触する面積より大きい場合もあるし、小さい場合もある。
【００５１】
第１の半導体層１１は、ｎ側電極１７及び第１のｎ側配線層２２を介して、ｎ側外部端子２４ａを有する第２のｎ側配線層２４と電気的に接続されている。発光層１３を含む第２の半導体層１２は、ｐ側電極１６及び第１のｐ側配線層２１を介して、ｐ側外部端子２３ａを有する第２のｐ側配線層２３と電気的に接続されている。
【００５２】
樹脂層２５は、第１のｐ側配線層２１、第２のｐ側配線層２３およびその内側に設けられた樹脂層３５を含むｐ側配線構造部の厚み（高さ）よりも厚い。同様に、樹脂層２５は、第１のｎ側配線層２２、第２のｎ側配線層２４およびその内側に設けられた樹脂層３５を含むｎ側配線構造部の厚み（高さ）よりも厚い。また、ｐ側配線構造部及びｎ側配線構造部は、半導体層１５よりも厚い。このため、半導体層１５を支持する基板がなくても、ｐ側配線構造部、ｎ側配線構造部および樹脂層２５によって、発光装置１０ａの機械的強度を高めることができる。
【００５３】
第１のｐ側配線層２１、第１のｎ側配線層２２、第２のｐ側配線層２３、および第２のｎ側配線層２４の材料としては、銅、金、ニッケル、銀などを用いることができる。これらのうち、銅を用いると、良好な熱伝導性、高いマイグレーション耐性及び絶縁材料との優れた密着性が得られる。
【００５４】
樹脂層２５は、前述したｐ側配線構造部及びｎ側配線構造部を補強する。樹脂層２５は、実装基板と熱膨張率が同じもしくは近いものを用いるのが好ましい。そのような樹脂層２５として、例えばエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂などを一例として挙げることができる。また、樹脂層３５も実装基板と熱膨張率が同じもしくは近いものを用いるのが好ましく、樹脂層２５と同じ材料を用いることができる。
【００５５】
半導体層１５の第１の面１５ａ上には、発光層１３からの放出光に対して透明な透明体として、レンズ２６及び蛍光体層２７が設けられている。レンズ２６は第１の面１５ａ上に設けられ、そのレンズ２６を覆うように蛍光体層２７が設けられている。
【００５６】
半導体層１５の第２の面側に設けられた前述した各要素を含む積層体の平面サイズと、蛍光体層２７の平面サイズとは略同じである。レンズ２６及び蛍光体層２７は、第３の面３０側に出っ張っていないため、図２に示す発光装置１０ａの実装基板１００上への実装を阻害しない。
【００５７】
蛍光体層２７は、透明樹脂と、透明樹脂に分散された蛍光体とを含む。蛍光体層２７は、発光層１３からの放出光を吸収し波長変換光を放出可能である。このため、発光装置１０ａは、発光層１３からの光と、蛍光体層２７における波長変換光との混合光を放出可能である。
【００５８】
例えば、発光層１３が窒化物半導体、蛍光体が黄色光を発光する黄色蛍光体とすると、発光層１３からの青色光と、蛍光体層２７における波長変換光である黄色光との混合色として、白色または電球色などを得ることができる。なお、蛍光体層２７は、複数種の蛍光体（例えば、赤色光を発光する赤色蛍光体と、緑色光を発光する緑色蛍光体）を含む構成であってもよい。
【００５９】
発光層１３から発光された光は、主に、第１の半導体層１１、第１の面１５ａ、レンズ２６および蛍光体層２７を進んで、外部に放出される。なお、蛍光体層２７の上にレンズ２６を設けてもよい。
【００６０】
図２は、前述した発光装置１０ａを実装基板１００上に実装した構成を有する発光モジュールの模式断面図である。
【００６１】
実装基板１００上に実装される発光装置１０ａの数は任意であり、単数でも複数でもよい。また、複数の発光装置１０ａが、ある一方向に沿って配列されて線状光源を構成してもよい。
【００６２】
発光装置１０ａは、第３の面３０を実装基板１００の実装面１０３に向けた姿勢で実装される。第３の面３０で露出しているｐ側外部端子２３ａ及びｎ側外部端子２４ａは、それぞれ、実装面１０３に形成されたパッド１０１に対してはんだ１０２を介して接合されている。実装基板１００の実装面１０３には配線パターンも形成されており、パッド１０１はその配線パターンに接続されている。なお、はんだ１０２の代わりとして、はんだ以外の他の金属あるいは導電性材料を用いてもよい。
【００６３】
第３の面３０は、光の主な放出面である第１の面１５ａに対して略垂直である。したがって、第３の面３０を下方の実装面１０３側に向けた姿勢で、第１の面１５ａは実装面１０３の上方ではなく、横方向を向く。すなわち、実装面１０３を水平面とした場合に横方向に光が放出される、いわゆるサイドビュータイプの発光装置１０ａ及び発光モジュールが得られる。
【００６４】
本実施形態では、発光装置１０ａを実装基板１００に実装した状態で、はんだ１０２を介して半導体層１５に加わる応力を、第２のｐ側配線層２３の内側および第２のｎ側配線層２４の内側に充填された樹脂層３５が吸収することで緩和することができる。樹脂層３５は、金属に比べて柔軟性があり、高い応力緩和効果が得られる。
【００６５】
なお、第２のｐ側配線層２３の内側及び第２のｎ側配線層２４の内側には、樹脂に限らず、第２のｐ側配線層２３及び第２のｎ側配線層２４と異なる材料の絶縁体または金属を埋め込んでも良い。第２のｐ側配線層２３の内側及び第２のｎ側配線層２４の内側に埋め込まれる材料は、それらに比べて柔軟性がある材料であればよい。
第２のｐ側配線層２３の内側及び第２のｎ側配線層２４の内側に埋め込む材料として、例えば、それらに比べて柔軟性がある金属を選択すれば、前述した応力緩和効果は得られる。第２のｐ側配線層２３及び第２のｎ側配線層２４として、コンフォーマル（conformal）な膜を成膜しやすい金属膜を選択し、樹脂層３５の代わりに、埋め込みやすい金属を形成することも可能である。
応力緩和、生産性、コストの観点からは、第２のｐ側配線層２３の内側及び第２のｎ側配線層２４の内側に、樹脂を埋め込むことが望ましい。
【００６６】
実施形態の発光装置１０ａは、第１の面１５ａに対して垂直な方向から見て長方形状の平面形状を有し、第３の面３０は、その長方形状の長辺を含む面である。
【００６７】
次に、図３（ａ）〜図１６（ｂ）を参照して、本実施形態の発光装置１０ａの製造方法について説明する。工程を表す図面においては、ウェーハ状態における一部の領域を表す。
【００６８】
図３（ａ）は、基板５の主面上に、第１の半導体層１１及び第２の半導体層１２を形成した積層体を示す。図３（ｂ）は、図３（ａ）における下面図に対応する。
【００６９】
基板５の主面上に第１の半導体層１１が形成され、その上に発光層１３を含む第２の半導体層１２が形成される。第１の半導体層１１及び第２の半導体層１２が例えば窒化物系半導体の場合、それらは例えばサファイア基板上にＭＯＣＶＤ（metal organic chemical vapor deposition）法で結晶成長させることができる。
【００７０】
例えば、第１の半導体層１１は、下地バッファ層、ｎ型ＧａＮ層を含む。第２の半導体層１２は、発光層（活性層）１３、ｐ型ＧａＮ層を含む。発光層１３は、青、紫、青紫、紫外光などを発光するものを用いることができる。
【００７１】
第１の半導体層１１における基板５に接する面が、半導体層１５の第１の面１５ａであり、第２の半導体層１２の表面が半導体層１５の第２の面１５ｂである。
【００７２】
次に、図示しないレジストを用いた例えばＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法で、図４（ａ）及びその下面図である図４（ｂ）に示すように、ダイシング領域ｄ１、ｄ２に、半導体層１５を貫通して基板５に達する溝を形成する。ダイシング領域ｄ１、ｄ２は、ウェーハ状態の基板５上で例えば格子状に形成される。ダイシング領域ｄ１、ｄ２に形成された溝も格子状に形成され、半導体層１５を複数のチップに分離する。
【００７３】
なお、半導体層１５を複数に分離する工程は、後述する第２の半導体層１２の選択的除去後、あるいは電極の形成後に行ってもよい。
【００７４】
次に、図示しないレジストを用いた例えばＲＩＥ法で、図５（ａ）及びその下面図である図５（ｂ）に示すように、第２の半導体層１２の一部を除去して、第１の半導体層１１の一部を露出させる。第１の半導体層１１が露出された領域は、発光層１３を含まない。
分割された１つの第１の半導体層１１、第２の半導体層１２および発光層（活性層）１３からなる半導体層１５を、１つの発光素子とすると、図５（ｂ）には、左右方向にダイシング領域ｄ１で分割された４つの発光素子が、上下方向にダイシング領域ｄ２で分割された２つの発光素子が並んでいる。
【００７５】
次に、図６（ａ）及びその下面図である図６（ｂ）に示すように、第２の面にｐ側電極１６とｎ側電極１７を形成する。ｐ側電極１６は、第２の半導体層１２の表面に形成される。ｎ側電極１７は、第１の半導体層１１の露出面に形成される。
【００７６】
ｐ側電極１６及びｎ側電極１７は、例えば、スパッタ法、蒸着法等で形成される。ｐ側電極１６とｎ側電極１７は、どちらを先に形成してもよいし、同じ材料で同時に形成してもよい。
【００７７】
ｐ側電極１６は、発光層１３からの放出光に対して反射性を有する、例えば、銀、銀合金、アルミニウム、アルミニウム合金等を含む。また、ｐ側電極１６の硫化、酸化防止のため、金属保護膜を含む構成であってもよい。
【００７８】
また、ｐ側電極１６とｎ側電極１７との間や、発光層１３の端面（側面）にパッシベーション膜として、例えばシリコン窒化膜やシリコン酸化膜をＣＶＤ（chemical vapor deposition）法で形成してもよい。また、各電極と半導体層とのオーミックコンタクトをとるための活性化アニールなどは必要に応じて実施される。
【００７９】
次に、図７（ａ）に示すように、基板５の主面上の露出している部分すべてを絶縁層１８で覆った後、例えばウェットエッチングにより絶縁層１８をパターニングし、絶縁層１８に選択的に第１のビア１８ａと第２のビア１８ｂを形成する。第１のビア１８ａは、ｐ側電極１６に達する。第２のビア１８ｂは、ｎ側電極１７に達する。
【００８０】
絶縁層１８としては、例えば、感光性ポリイミド、ベンゾシクロブテン（Benzocyclobutene）などの有機材料を用いることができる。この場合、レジストを使わずに、絶縁層１８に対して直接露光及び現像が可能である。あるいは、シリコン窒化膜やシリコン酸化膜などの無機膜を絶縁層１８として使用してもよい。無機膜の場合、レジストをパターニングした後のエッチングによって第１のビア１８ａ及び第２のビア１８ｂが形成される。
【００８１】
次に、絶縁層１８における半導体層１５に対する反対側の面である配線面１８ｃ（図７（ａ）において下面）に、図７（ｂ）に示すように、後述するメッキ時のシードメタルとして機能する金属膜１９を形成する。金属膜１９は、第１のビア１８ａの内壁及び底部と、第２のビア１８ｂの内壁及び底部にも形成される。
【００８２】
金属膜１９は、例えばスパッタ法で形成される。金属膜１９は、例えば、絶縁層１８側から順に積層されたチタン（Ｔｉ）と銅（Ｃｕ）との積層膜を含む。
【００８３】
次に、図７（ｃ）に示すように、金属膜１９上に選択的にレジスト４１を形成した後、金属膜１９を電流経路としたＣｕ電解メッキを行う。
【００８４】
これにより、図８（ａ）及びその下面図である図８（ｂ）に示すように、絶縁層１８の配線面１８ｃ上に、選択的に第１のｐ側配線層２１と第１のｎ側配線層２２が形成される。第１のｐ側配線層２１及び第１のｎ側配線層２２はメッキ法により同時に形成される例えば銅材料からなる。
【００８５】
第１のｐ側配線層２１は、第１のビア１８ａ内にも形成され、金属膜１９を介してｐ側電極１６と電気的に接続される。第１のｎ側配線層２２は、第２のビア１８ｂ内にも形成され、金属膜１９を介してｎ側電極１７と電気的に接続される。
【００８６】
第１のｐ側配線層２１及び第１のｎ側配線層２２のメッキに使ったレジスト４１は、溶剤もしくは酸素プラズマを使って、除去される（図９（ａ））。
【００８７】
次に、図９（ｂ）に示すように、絶縁層１８の配線面１８ｃ側にレジスト４２を形成する。レジスト４２は、前述のレジスト４１よりも厚い。なお、前の工程でレジスト４１は除去せずに残し、そのレジスト４１にレジスト４２を重ねて形成してもよい。レジスト４２には、凹部４２ａと凹部４２ｂが形成されている。
【００８８】
次に、レジスト４２の表面、凹部４２ａに露出する第１のｐ側配線層２１の表面および凹部４２ｂに露出する第１のｎ側配線層２２の表面を含む凹部４２ａ、４２ｂの内壁に、メッキ時のシードメタルとして機能する金属膜２０を形成する。金属膜２０は、例えば銅を含む。
【００８９】
そして、その金属膜２０を電流経路としたＣｕ電解メッキを行う。これにより、図１０（ａ）及びその下面図である図１０（ｂ）に示すように、金属膜２０上に金属膜５０が形成される。
図１０（ｂ）において破線は、レジスト４２に形成された凹部４２ａ、４２ｂの縁を表す。凹部４２ａには平面視で一部のコーナー部に切欠きが形成され、その切欠きの下の絶縁層１８上には金属膜２０及び金属膜５０は形成されない。このため、図１２（ｂ）を参照して後述するように、第２のｐ側配線層２３の一部のコーナー部に切欠き９０が形成される。
【００９０】
このメッキは、下地であるレジスト４２及び金属膜２０の凹凸形状に沿ってほぼ均一な速度でＣｕが析出するコンフォーマルメッキである。したがって、金属膜５０は下地の凹凸形状に沿って形成され、凹部４２ａ及び凹部４２ｂは金属膜５０で埋まらない。したがって、凹部４２ａ及び凹部４２ｂを金属で埋める場合に比べて、メッキ時間の短縮およびコスト低減を図れる。
【００９１】
金属膜５０は、第１のｐ側配線層２１上（凹部４２ａの底部）、第１のｎ側配線層２２上（凹部４２ｂの底部）、凹部４２ａの側壁、および凹部４２ｂの側壁の各部分で、ほぼ同じ膜厚で形成される。
【００９２】
また、図１０（ｂ）に示すように、金属膜５０は凹部４２ａの側壁に沿って形成され、凹部４２ａの中心側を閉じたパターンで囲む。同様に、金属膜５０は凹部４２ｂの側壁に沿って形成され、凹部４２ｂの中心側を閉じたパターンで囲む。
【００９３】
次に、図１１（ａ）及びその下面図である図１１（ｂ）に示すように、凹部４２ａ内、凹部４２ｂ内およびレジスト４２上に、例えば印刷法、モールド法などで、樹脂層３５を形成する。凹部４２ａ内及び凹部４２ｂ内は、樹脂層３５で埋まる。
【００９４】
樹脂層３５は、絶縁性を有する。また、樹脂層３５に、例えばカーボンブラックを含有させて、発光層からの放出光に対して遮光性を付与させてもよい。また、樹脂層３５に、発光層からの放出光に対する反射性を有する粉末を含有させてもよい。
【００９５】
次に、樹脂層３５の表面側（図１１（ａ）における下面側）を研削して、凹部４２ａ及び凹部４２ｂの側壁に形成された金属膜５０の端部を露出させる。その状態を、図１２（ａ）及びその下面図である図１２（ｂ）に示す。
【００９６】
これにより、金属膜５０において凹部４２ａ内の部分と凹部４２ｂ内の部分とが分断される。凹部４２ａ内に残された金属膜５０は第２のｐ側配線層２３となる。凹部４２ｂ内に残された金属膜５０は第２のｎ側配線層２４となる。
【００９７】
第２のｐ側配線層２３は、金属膜２０を介して第１のｐ側配線層２１と接続されている。あるいは、金属膜２０も含めて、本実施形態における「第２のｐ側配線層」が構成される。
【００９８】
第２のｎ側配線層２４は、金属膜２０を介して第１のｎ側配線層２２と接続されている。あるいは、金属膜２０も含めて、本実施形態における「第２のｎ側配線層」が構成される。
【００９９】
第２のｐ側配線層２３の一部の側壁は、ダイシング後に第３の面３０に露出されるｐ側外部端子２３ａとなる。第２のｎ側配線層２４の一部の側壁は、ダイシング後に第３の面３０に露出されるｎ側外部端子２４ａとなる。
【０１００】
本実施形態では、図１２（ｂ）に示すように、ｐ側外部端子２３ａ及びｎ側外部端子２４ａを、前述した第３の面３０に沿った方向に延びるダイシング領域ｄ２上に張り出させてレイアウトしている。図１２（ｂ）における１点鎖線ｅ１及びｅ２のそれぞれは、ダイシングブレードの両エッジを表す。
【０１０１】
第２のｐ側配線層２３における第２のｎ側配線層２４側の一部のコーナー部には、切欠き９０が形成されている。切欠き９０は、ｐ側外部端子２３ａとｎ側外部端子２４ａとの間に存在する。このため、ダイシング後に外部に露出されるｐ側外部端子２３ａとｎ側外部端子２４ａとの間の離間距離を、実装時のはんだ等による短絡を回避するのに十分な距離にすることができる。
【０１０２】
切欠き９０が形成されていない部分では、第２のｐ側配線層２３は、プロセス上の限界まで、第２のｎ側配線層２４に近づけることができ、第２のｐ側配線層２３の面積を広くできる。この結果、電流分布及び放熱性を向上できる。
【０１０３】
ｐ側外部端子２３ａ及びｎ側外部端子２４ａは、ダイシング領域ｄ２の幅方向の一方側に偏って存在せず、ダイシング領域ｄ２の幅方向の両側に存在する。すなわち、いずれもメタルであるｐ側外部端子２３ａ及びｎ側外部端子２４ａは、ダイシングブレードの幅方向の一方のエッジ側に偏って存在していない。
【０１０４】
図１２（ｂ）に示すようなレイアウトを有するウェーハに対して、左から右へダイシング領域ｄ２をブレードにより分割する場合について説明する。
【０１０５】
１つの第２のｐ側配線層２３と１つの第２のｎ側配線層２４とのペアを１つの発光素子とすると、図１２（ｂ）には、左右方向に４つ、上下方向に２つの発光素子が並んでいる。
【０１０６】
図１２（ｂ）における一番左の上の発光素子と、右から２番目の上の発光素子は、第２のｐ側配線層２３の一部（下側）および第２のｎ側配線層２４の一部（下側）がダイシング領域ｄ２に存在する。図１２（ｂ）における一番右の下の発光素子と、左から２番目の下の発光素子は、第２のｐ側配線層２３の一部（上側）および第２のｎ側配線層２４の一部（上側）がダイシング領域ｄ２に存在する。
【０１０７】
そのため、左から右へダイシング領域ｄ２をブレードにより分割する場合において、一番左の上下の発光素子の間を切断するときは、ブレードの図１２（ｂ）において上側の方が下側よりも金属と接触する割合が多く、左から２番目の上下の発光素子の間を切断するときは、一番左とは逆になり、ブレードの図１２（ｂ）において下側の方が上側よりも金属と接触する割合が多くなる。このため、ダイシング時にダイシングブレードの幅方向の一方のエッジに過度な負荷がかかり目詰まりや破損等が生じることを抑制することができる。
【０１０８】
なお、図１２（ｂ）では、エッジｅ１側に存在するｐ側外部端子２３ａ及びｎ側外部端子２４ａと、エッジｅ２側に存在するｐ側外部端子２３ａ及びｎ側外部端子２４ａとが、ダイシング領域ｄ２が延びる方向に見て交互に並んでいるが、このようなレイアウトに限らない。ｐ側外部端子２３ａ及びｎ側外部端子２４ａが、エッジｅ１及びエッジｅ２のいずれか一方側に偏って存在していなければよい。
【０１０９】
なお、ｐ側外部端子２３ａ及びｎ側外部端子２４ａが、エッジｅ１及びエッジｅ２のいずれか一方側に偏って存在していたとしても、ダイシングする際に、ブレードを交換する頻度を上げるなどの方法により、ブレードの目詰まりや破損等を抑制できる。
【０１１０】
また、第２のｐ側配線層２３の図１２（ａ）における下側の端部と、第２のｎ側配線層２４の図１２（ａ）における下側の端部を露出させることで、極性の異なるそれらのそれぞれに測定子を接触させて電流を供給することで、発光装置を発光させて、各種検査を行うことができる。取り扱いが容易なウェーハレベルで検査を行える。
【０１１１】
次に、レジスト４２が、例えば溶剤もしくは酸素プラズマを用いて除去される（図１３（ａ））。第２のｐ側配線層２３に囲まれた樹脂層３５および第２のｎ側配線層２４に囲まれた樹脂層３４は残る。
【０１１２】
この後、第１のｐ側配線層２１、第２のｐ側配線層２３及び樹脂層３５を含むｐ側配線構造部と、第１のｎ側配線層２２、第２のｎ側配線層２４及び樹脂層３５を含むｎ側配線構造部をマスクにして、配線面１８ｃに形成された金属膜１９の露出している部分をウェットエッチングにより除去する。これにより、図１３（ｂ）に示すように、第１のｐ側配線層２１と第１のｎ側配線層２２との金属膜１９を介した電気的接続が分断される。
【０１１３】
次に、図１４（ａ）に示すように、絶縁層１８に対して樹脂層２５を積層させる。樹脂層２５は、前述したｐ側配線構造部及びｎ側配線構造部を覆う。
【０１１４】
樹脂層２５は、絶縁性を有する。また、樹脂層２５に、例えばカーボンブラックを含有させて、発光層からの放出光に対して遮光性を付与させてもよい。また、樹脂層２５に、発光層からの放出光に対する反射性を有する粉末を含有させてもよい。また、樹脂層２５と樹脂層３５とを同じ材料にすれば、それらの密着力を高めて信頼性を高くできる。
【０１１５】
次に、図１４（ｂ）に示すように、基板５を除去する。基板５は、例えばレーザーリフトオフ法によって除去される。具体的には、基板５の裏面側から第１の半導体層１１に向けてレーザ光が照射される。レーザ光は、基板５に対して透過性を有し、第１の半導体層１１に対しては吸収領域となる波長を有する。
【０１１６】
レーザ光が基板５と第１の半導体層１１との界面に到達すると、その界面付近の第１の半導体層１１はレーザ光のエネルギーを吸収して分解する。例えば、第１の半導体層１１がＧａＮの場合、ガリウム（Ｇａ）と窒素ガスに分解する。この分解反応により、基板５と第１の半導体層１１との間に微小な隙間が形成され、基板５と第１の半導体層１１とが分離する。
【０１１７】
レーザ光の照射を、設定された領域ごとに複数回に分けてウェーハ全体にわたって行い、基板５を除去する。第１の面１５ａ上から基板５が除去されることで、光取り出し効率の向上を図れる。
【０１１８】
基板５の主面上に形成された前述した積層体は、厚い樹脂層２５によって補強されているため、基板５がなくなっても、ウェーハ状態を保つことが可能である。また、樹脂層２５、３５、および配線層を構成する金属は、半導体層１５に比べて柔軟な材料である。そのため、基板５上に半導体層１５を形成するエピタキシャル工程で発生した大きな内部応力が、基板５の剥離時に一気に開放されても、デバイスが破壊されることを回避できる。
【０１１９】
基板５が除去された半導体層１５の第１の面１５ａは洗浄される。例えば、塩酸等で、第１の面１５ａに付着したガリウム（Ｇａ）を除去する。
【０１２０】
また、例えば、ＫＯＨ（水酸化カリウム）水溶液やＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）等で、第１の面１５ａをエッチングする（フロスト処理）。これにより、結晶面方位に依存したエッチング速度の違いによって、第１の面１５ａに凹凸が形成される（図１５（ａ））。あるいは、レジストでパターニングした後にエッチングを行って、第１の面１５ａに凹凸を形成してもよい。第１の面１５ａに凹凸が形成されることで、光取り出し効率を向上できる。
【０１２１】
次に、図１５（ｂ）に示すように、第１の面１５ａ上にレンズ２６を形成する。レンズ２６は、発光層からの放出光に対して透明であり、例えば、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ガラスなどを用いることができる。レンズ２６は、例えば、グレースケールマスクを用いたエッチングや、インプリント法によって形成することができる。
【０１２２】
次に、レンズ２６を覆うように、第１の面１５ａ上および隣り合う半導体層１５間で露出している絶縁層１８上に、蛍光体層２７を形成する。例えば、蛍光体粒子が分散された液状の透明樹脂を、印刷、ポッティング、モールド、圧縮成形などの方法によって供給した後、熱硬化させる。透明樹脂は、発光層からの放出光及び蛍光体が発する光に対する透過性を有し、例えば、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、液状ガラスなどの材料を用いることができる。
【０１２３】
次に、図１６（ａ）及びその下面図である図１６（ｂ）に示すように、格子状に形成されたダイシング領域ｄ１、ｄ２の位置で、蛍光体層２７、絶縁層１８及び樹脂層２５を切断し、複数の発光装置１０ａに個片化する。例えば、ダイシングブレードを用いて切断する。あるいは、レーザ照射によって、切断してもよい。
【０１２４】
このとき、第２のｐ側配線層２３及び第２のｎ側配線層２４において、第３の面３０に沿った方向に延びるダイシング領域ｄ２に張り出した部分が切断される。これにより、第３の面３０に、ｐ側外部端子２３ａ及びｎ側外部端子２４ａが露出する。
【０１２５】
なお、前述したメッキ時のシードメタルとして使った金属膜２０は薄いため、ｐ側外部端子２３ａ及びｎ側外部端子２４ａに形成されていた金属膜２０はダイシング時に除去される。
【０１２６】
同様に、第１のｐ側配線層２１及び第１のｎ側配線層２２についてもその一部をダイシング領域ｄ２に張り出させておけば、そのダイシング領域ｄ２に張り出した部分が切断される。これにより、第３の面３０に、第１のｐ側配線層２１の側面２１ａおよび第１のｎ側配線層２２の側面２２ａも露出される。
【０１２７】
あるいは、第１のｐ側配線層２１の膜厚及び第１のｎ側配線層２２の膜厚は薄いため、第３の面３０における露出面積は、ｐ側外部端子２３ａ及びｎ側外部端子２４ａに比べて非常に小さい。したがって、第１のｐ側配線層２１及び第１のｎ側配線層２２は第３の面３０に露出させなくてもよい。ｐ側外部端子２３ａ及びｎ側外部端子２４ａだけで外部端子としての機能は十分担える。
【０１２８】
第１のｐ側配線層２１の一部及び第１のｎ側配線層２２の一部を第３の面３０に露出させる場合、図３１に示すレイアウトが好ましい。
【０１２９】
図３１におけるダイシング領域ｄ２は、第３の面３０に露出される第１のｐ側配線層２１の側面２１ａおよび第１のｎ側配線層２２の側面２２ａに沿った方向（図３１において横方向）に延びている。そして、側面２１ａ及び側面２２ａを、そのダイシング領域ｄ２上に張り出させる。なお、図３１における１点鎖線ｅ１及びｅ２のそれぞれは、ダイシングブレードの両エッジを表す。
【０１３０】
第１のｐ側配線層２１における第１のｎ側配線層２２側であって且つ側面２１ａ側の部分には、切欠き２１ｂが形成されている。切欠き２１ｂは、側面２１ａと側面２２ａとの間に存在する。このため、ダイシング後に外部に露出される側面２１ａと側面２２ａとの間の離間距離を、実装時のはんだ等による短絡を回避するのに十分な距離にすることができる。
【０１３１】
切欠き２１ｂが形成されていない部分では、第１のｐ側配線層２１は、プロセス上の限界まで、第１のｎ側配線層２２に近づけることができ、第１のｐ側配線層２１の面積を広くできる。この結果、第１のｐ側配線層２１とｐ側電極１６とを複数の第１のビア１８ａを通じて接続させることができ、電流分布及び放熱性を向上できる。
【０１３２】
側面２１ａ及び側面２２ａは、ダイシング領域ｄ２の幅方向の一方側に偏って存在せず、ダイシング領域ｄ２の幅方向の両側に存在する。すなわち、いずれもメタルである側面２１ａ及び側面２２ａは、ダイシングブレードの幅方向の一方のエッジ側に偏って存在していない。このため、ダイシング時にダイシングブレードの幅方向の一方のエッジに過度な負荷がかかり目詰まりや破損等が生じることを抑制することができる。
【０１３３】
なお、図３１では、エッジｅ１側に存在する側面２１ａ及び側面２２ａと、エッジｅ２側に存在する側面２１ａ及び側面２２ａとが、ダイシング領域ｄ２が延びる方向に見て交互に並んでいるが、このようなレイアウトに限らない。側面２１ａ及び側面２２ａが、エッジｅ１及びエッジｅ２のいずれか一方側に偏って存在していなければよい。
【０１３４】
なお、側面２１ａ及び側面２２ａが、エッジｅ１及びエッジｅ２のいずれか一方側に偏って存在していたとしても、ダイシングする際に、ブレードを交換する頻度を上げるなどの方法により、ブレードの目詰まりや破損等を抑制できる。
【０１３５】
ダイシング時、基板５はすでに除去されている。さらに、ダイシング領域ｄ１、ｄ２には、半導体層１５は存在しないため、ダイシング時に半導体層１５が受けるダメージを回避することができる。また、個片化後に、半導体層１５の端部（側面）が樹脂で覆われて保護された構造が得られる。
【０１３６】
なお、個片化された発光装置１０ａは、ひとつの半導体層１５を含むシングルチップ構造でも、複数の半導体層１５を含むマルチチップ構造であってもよい。
【０１３７】
ダイシングされる前までの前述した各工程は、ウェーハ状態で一括して行われるため、個片化された個々のデバイスごとに、配線及びパッケージングを行う必要がなく、大幅な生産コストの低減が可能になる。すなわち、個片化された状態で、すでに配線及びパッケージングが済んでいる。このため、生産性を高めることができ、その結果として価格低減が容易となる。
【０１３８】
なお、図１７（ａ）に示す発光装置１０ｂのように、第１の面１５ａ側にレンズを設けない構造であってもよい。
【０１３９】
また、図１７（ｂ）に示す発光装置１０ｃのように、第１の面１５ａに基板５を薄く残してもよい。例えば、半導体ウェーハ裏面研削用のグラインダーなどを用いて基板５を研削することができる。
【０１４０】
基板５は、例えばサファイア基板であり、窒化物半導体系の発光層から放出される光に対して透過性を有する。この場合、蛍光体層がないため、発光層からの放出光と同じ波長の光が、発光装置１０ｃから外部へと放出される。もちろん、基板５上に蛍光体層を形成してもかまわない。基板５を残すことで、機械的強度を高めることができ、信頼性の高い構造とすることができる。
【０１４１】
ダイシングする際には、樹脂層２５側からダイシングブレードでハーフカットした後、基板５をレーザ照射によって分割することができる。あるいは、すべての部分をレーザ照射によって切断してもよい。
【０１４２】
（第２実施形態）
図１８（ａ）は、第２実施形態の発光装置１０ｄにおける第３の面３０側から見た模式斜視図である。
図１８（ｂ）は、同発光装置１０ｄにおける光放出面側から見た模式斜視図である。
図１９（ａ）は、図１８（ａ）におけるＡ−Ａ断面図である。
図１９（ｂ）は、図１８（ａ）におけるＢ−Ｂ断面図である。
【０１４３】
本実施形態の発光装置１０ｄは、反射膜５１を有する点で、前記第１実施形態の発光装置１０ａと異なる。
【０１４４】
反射膜５１は、発光層からの放出光および蛍光体が発する光に対して反射性を有し、例えば金属膜である。反射膜５１は、蛍光体層２７の側面及び絶縁層１８の側面に形成されている。蛍光体層２７において、第１の面１５ａの反対側の面には反射膜５１は形成されていない。
【０１４５】
図２０は、本実施形態の発光装置１０ｄを実装基板１００上に実装した構成を有する発光モジュールの模式断面図である。
【０１４６】
第１実施形態と同様、発光装置１０ｄは、第３の面３０を実装基板１００の実装面１０３に向けた姿勢で実装されている。第３の面３０で露出しているｐ側外部端子２３ａ及びｎ側外部端子２４ａは、それぞれ、実装面１０３に形成されたパッド１０１に対してはんだ１０２等を介して接合されている。
【０１４７】
第３の面３０は、光の主な放出面である第１の面１５ａに対して略垂直である。したがって、第３の面３０を下方の実装面１０３側に向けた姿勢で、第１の面１５ａは実装面１０３の上方ではなく、横方向を向く。すなわち、実装面１０３を水平面とした場合に横方向に光が放出される、いわゆるサイドビュータイプの発光装置１０ｄ及び発光モジュールが得られる。
【０１４８】
絶縁層１８及び蛍光体層２７の側面が反射膜５１で被覆されているため、光は横方向に集光されて放出される。
【０１４９】
次に、図２１（ａ）〜図２３（ｂ）を参照して、本実施形態の発光装置１０ｄの製造方法について説明する。
【０１５０】
図２１（ａ）は、基板５が除去され、第１の面１５ａ上に蛍光体層２７が形成された状態を表す。この工程までは、前述した第１実施形態と同様に進められる。
【０１５１】
そして、図２１（ａ）に示す積層体を、蛍光体層２７側からハーフカットダイシングする。具体的には、ダイシング領域ｄ１、ｄ２の位置で、蛍光体層２７及び絶縁層１８を切断する。例えば、ダイシングブレードあるいはレーザ照射により切断する。これにより、ダイシング領域ｄ１、ｄ２に溝５２（図２１（ｂ））が形成される。
【０１５２】
次に、露出面に対して、例えばスパッタ法により反射膜５１を形成する。図２２（ａ）に示すように、反射膜５１は、蛍光体層２７の上面、溝５２の底部及び内壁に形成される。
【０１５３】
反射膜５１として、例えば、銀、アルミニウム、金、シリコン、誘電体多層膜などを用いることができる。あるいは、反射粉末を含む樹脂を反射膜５１として用いてもよい。
【０１５４】
次に、図２２（ｂ）に示すように、蛍光体層２７の上面に形成された反射膜５１を研削して除去する。例えば、半導体ウェーハ裏面研削用のグラインダーなどを用いることができる。あるいは、ＲＩＥ法により蛍光体層２７の上面に形成された反射膜５１を除去してもよい。蛍光体層２７の側面及び絶縁層１８の側面には、反射膜５１が残される。
【０１５５】
次に、図２３（ａ）及びその下面図である図２３（ｂ）に示すように、溝５２の下の樹脂層２５を切断する。例えば、ダイシングブレードを用いて切断する。あるいは、レーザ照射によって、切断してもよい。これにより、複数の発光装置１０ｄに個片化される。
【０１５６】
このときも、第１実施形態と同様、第２のｐ側配線層２３及び第２のｎ側配線層２４において、第３の面３０に沿った方向に延びるダイシング領域ｄ２に張り出した部分が切断される。これにより、第３の面３０に、ｐ側外部端子２３ａ及びｎ側外部端子２４ａが露出する。
【０１５７】
本実施形態においても、樹脂を切断するので容易にダイシングでき生産性を向上できる。また、半導体層１５を切断しないため、ダイシング時に半導体層１５が受けるダメージを回避することができる。
【０１５８】
（第３実施形態）
図２４（ａ）は、第３実施形態の発光装置１０ｅの模式斜視図である。図２４（ｂ）は、図２４（ａ）におけるＡ−Ａ断面図である。図２４（ｃ）は、図２４（ａ）におけるＢ−Ｂ断面図である。
【０１５９】
本実施形態の発光装置１０ｅでは、上記実施形態における第１のｐ側配線層２１を設けずに、第２のｐ側配線層２３の一部が第１のビア１８ａ内に設けられている。また、第１のｎ側配線層２２を設けずに、第２のｎ側配線層２４の一部が第２のビア１８ｂ内に設けられている。すなわち、ｐ側配線層は第２のｐ側配線層２３から構成され、ｎ側配線層は第２のｎ側配線層２４から構成される。
【０１６０】
第１のｐ側配線層２１及び第１のｎ側配線層２２を設けないことで、工程削減を図れ、コスト低減を図れる。
【０１６１】
図２５は、本実施形態の発光装置１０ｅを実装基板１００上に実装した構成を有する発光モジュールの模式断面図である。
【０１６２】
本実施形態においても、発光装置１０ｅは、第３の面３０を実装基板１００の実装面１０３に向けた姿勢で実装されている。そして、第３の面３０で露出しているｐ側外部端子２３ａ及びｎ側外部端子２４ａは、それぞれ、実装面１０３に形成されたパッド１０１に対してはんだ１０２等を介して接合されている。
【０１６３】
第３の面３０は、光の主な放出面である第１の面１５ａに対して略垂直である。したがって、第３の面３０を下方の実装面１０３側に向けた姿勢で、第１の面１５ａは実装面１０３の上方ではなく、横方向を向く。すなわち、実装面１０３を水平面とした場合に横方向に光が放出される、いわゆるサイドビュータイプの発光装置１０ｅ及び発光モジュールが得られる。
【０１６４】
（第４実施形態）
図２６（ａ）は、第４実施形態の発光装置１０ｆの模式斜視図である。図２６（ｂ）は、図２６（ａ）におけるＡ−Ａ断面図である。図２６（ｃ）は、図２６（ａ）におけるＢ−Ｂ断面図である。
【０１６５】
本実施形態の発光装置１０ｆにおける第３の面３０は、第１の面１５ａに対して垂直でも平行でもなく、傾いている。
【０１６６】
図２６（ａ）におけるＢ−Ｂ断面に対応する図２６（ｃ）の断面において、樹脂層２５の外形が逆台形状になるように、第３の面３０が傾いている。
【０１６７】
第３の面３０に露出する第２のｐ側配線層２３のｐ側外部端子２３ａ、第２のｎ側配線層２４のｎ側外部端子２４ａ、第１のｐ側配線層２１の側面２１ａ、および第１のｎ側配線層２２の側面２２ａも、第３の面３０の傾斜に沿って傾いている。
【０１６８】
図２７は、本実施形態の発光装置１０ｆを実装基板１００上に実装した構成を有する発光モジュールの模式断面図である。
【０１６９】
発光装置１０ｆは、第３の面３０を実装基板１００の実装面１０３に向けた姿勢で実装されている。第３の面３０で露出しているｐ側外部端子２３ａ及びｎ側外部端子２４ａは、それぞれ、実装面１０３に形成されたパッド１０１に対してはんだ１０２等を介して接合されている。
【０１７０】
本実施形態においても、第１の面１５ａ及びその反対側の第２の面と異なる面方位の第３の面３０に、ｐ側外部端子２３ａ及びｎ側外部端子２４ａが露出している。このため、実装面を下にした状態で横方向に光が放出されるサイドビュータイプの発光装置１０ｆ及び発光モジュールが得られる。
【０１７１】
さらに、第３の面３０は第１の面１５ａに対して傾いていることから、第３の面３０を下方の実装面１０３側に向けた姿勢で、第１の面１５ａは斜め上方を向く。すなわち、実装面１０３を水平面とした場合に斜め上方に光が放出される。
【０１７２】
次に、図２８（ａ）〜図２９（ｂ）を参照して、本実施形態の発光装置１０ｆの製造方法について説明する。
【０１７３】
図２８（ｂ）は図２８（ａ）におけるＡ−Ａ断面に対応し、図２９（ｂ）は図２９（ａ）におけるＡ−Ａ断面に対応する。
【０１７４】
図２８（ａ）に示すように、蛍光体層２７を形成する工程までは、第１実施形態と同様に進められる。
【０１７５】
次に、例えば幅方向の両側面にテーパーが形成されたブレードを用いて、前述した図１２（ｂ）に示すダイシング領域ｄ２の位置で、樹脂層２５を切断する。これにより、図２８（ｂ）に示すように、ダイシング領域ｄ２の下に溝５５が形成される。溝５５は、樹脂層２５を貫通して絶縁層１８に達する。溝５５は、絶縁層１８側から遠ざかるにしたがって漸次幅が広くなっている。
【０１７６】
本実施形態においても、ｐ側外部端子２３ａ及びｎ側外部端子２４ａがダイシング領域ｄ２に張り出している。したがって、ｐ側外部端子２３ａ及びｎ側外部端子２４ａが、溝５５に露出する。
【０１７７】
次に、ダイシング領域ｄ２に沿って、溝５５の上の絶縁層１８及び蛍光体層２７を切断する。さらに、ダイシング領域ｄ２に対して直交するダイシング領域ｄ１に沿って、蛍光体層２７、絶縁層１８及び樹脂層２５を切断する。これにより、図２９（ａ）及び（ｂ）に示すように、複数の発光装置１０ｆに個片化される。
【０１７８】
なお、樹脂層２５において、ダイシング領域ｄ１に沿った方向についても、幅方向の両側面にテーパーが形成されたブレードを用いてダイシングし、図２９（ａ）に表される樹脂層２５の側面を傾斜させてもよい。
【０１７９】
図３０（ｂ）は、実施形態の発光モジュールを、例えば液晶表示装置のバックライトとして用いた具体例の模式図を表す。
【０１８０】
ここで、実装基板１００上に実装された発光装置１０は、前述した実施形態のいずれか１つの発光装置を代表して表す。
【０１８１】
実装基板１００は、フレーム１５１上に設けられている。発光装置１０は、サイドビュータイプであるため、実装基板１００を下にした状態で、図において白抜き矢印で表すように横方向に光が放出される。
【０１８２】
実装基板１００は、例えば、紙面奥行き方向に延びる矩形板状に形成され、その長手方向に、複数の発光装置１０が実装されている。
【０１８３】
発光モジュールの横には導光板２０１が設けられている。導光板２０１は、発光装置１０からの放出光に対して透過性を有し、例えば樹脂材料からなる。発光装置１０の光放出面は、導光板２０１の光入射面２０１ａに対向している。
【０１８４】
導光板２０１の下方には反射材１５３が設けられ、導光板２０１の上方には液晶パネル２０２が設けられている。また、発光装置１０の上方には反射材１５４が設けられている。反射材１５３及び１５４は、発光装置１０からの放出光に対する反射性を有する。
【０１８５】
発光装置１０から横方向に放出された光は、導光板２０１の光入射面２０１ａに入射する。光入射面２０１ａから導光板２０１に入射した光は、導光板２０１の面方向に広がり、液晶パネル２０２に入射する。導光板２０１から液晶パネル２０２の反対側に出射した光は、反射材１５３で反射されて液晶パネル２０２へと導かれる。
【０１８６】
ここで、図３０（ａ）は、比較例の発光モジュールを、光源として用いたバックライトの模式図である。
【０１８７】
この比較例の発光モジュールにおける発光装置３００は、いわゆるトップビュータイプである。すなわち、実装基板１００の実装面の上方に光が放出される。したがって、発光装置３００の光放出面を導光板２０１の光入射面２０１ａに対向させるには、実装基板１００を、光入射面２０１ａに対向して設けられたフレーム１５２に支持させる。
【０１８８】
このため、実装面を光入射面２０１ａに向けた姿勢で、矩形板状の実装基板１００を立てて配置することになり、導光板２０１の厚み、ひいていはバックライトユニット全体の厚みの増大をまねく。
【０１８９】
これに対して、図３０（ｂ）に示す実施形態では、実装基板１００を導光板２０１の光入射面２０１ａに向き合わせて立てなくてよいので、導光板２０１ひいてはバックライトユニット全体の薄型化を図れる。
【０１９０】
前述した蛍光体層としては、以下に例示する赤色蛍光体層、黄色蛍光体層、緑色蛍光体層、青色蛍光体層を用いることができる。
【０１９１】
赤色蛍光体層は、例えば、窒化物系蛍光体ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕやサイアロン系蛍光体を含有することができる。
【０１９２】
サイアロン系蛍光体を用いる場合、特に、
（Ｍ１−ｘ，Ｒｘ）ａ１ＡｌＳｉｂ１Ｏｃ１Ｎｄ１・・・組成式（１）
（ＭはＳｉ及びＡｌを除く少なくとも１種の金属元素であり、特に、Ｃａ若しくはＳｒの少なくとも一方が望ましい。Ｒは発光中心元素であり、特に、Ｅｕが望ましい。ｘ、ａ１、ｂ１、ｃ１、ｄ１は、次の関係を満たす。０＜ｘ≦１、０．６＜ａ１＜０．９５、２＜ｂ１＜３．９、０．２５＜ｃ１＜０．４５、４＜ｄ１＜５．７）を用いることができる。
【０１９３】
組成式（１）で表されるサイアロン系蛍光体を用いることで、波長変換効率の温度特性が向上し、大電流密度領域での効率をさらに向上させることができる。
【０１９４】
黄色蛍光体層は、例えば、シリケート系蛍光体（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ）２ＳｉＯ４：Ｅｕを含有することができる。
【０１９５】
緑色蛍光体層は、例えば、ハロ燐酸系蛍光体（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｇ）１０（ＰＯ４）６・Ｃｌ２：Ｅｕやサイアロン系蛍光体を含有することができる。
【０１９６】
サイアロン系蛍光体を用いる場合、特に、
（Ｍ１−ｘ，Ｒｘ）ａ２ＡｌＳｉｂ２Ｏｃ２Ｎｄ２・・・組成式（２）
（ＭはＳｉ及びＡｌを除く少なくとも１種の金属元素であり、特に、Ｃａ若しくはＳｒの少なくとも一方が望ましい。Ｒは発光中心元素であり、特に、Ｅｕが望ましい。ｘ、ａ２、ｂ２、ｃ２、ｄ２は、次の関係を満たす。０＜ｘ≦１、０．９３＜ａ２＜１．３、４．０＜ｂ２＜５．８、０．６＜ｃ２＜１、６＜ｄ２＜１１）を用いることができる。
【０１９７】
組成式（２）で表されるサイアロン系蛍光体を用いることで、波長変換効率の温度特性が向上し、大電流密度領域での効率をさらに向上させることができる。
【０１９８】
青色蛍光体層は、例えば、酸化物系蛍光体ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕを含有することができる。
【０１９９】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０２００】
５…基板、１０，１０ａ〜１０ｆ…発光装置、１３…発光層、１５…半導体層、１５ａ…第１の面、１６…ｐ側電極、１７…ｎ側電極、１８…絶縁層（第１の絶縁層）、１８ａ…第１のビア、１８ｂ…第２のビア、１８ｃ…配線面、２１…第１のｐ側配線層、２２…第１のｎ側配線層、２３…第２のｐ側配線層、２３ａ…ｐ側外部端子、２３ｂ…ｐ側接続部、２４…第２のｎ側配線層、２４ａ…ｎ側外部端子、２４ｂ…ｎ側接続部、２５…樹脂層（第２の絶縁層）、２７…蛍光体層、３０…第３の面、３５…絶縁層（第３の絶縁層）、５１…反射膜、５２…溝、１００…実装基板、１０１…パッド、１０３…実装面、２０１…導光板、２０２…液晶パネル、ｄ１，ｄ２…ダイシング領域
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、発光装置、発光モジュール、発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
可視光や白色光を放出可能な半導体発光装置の用途は、照明装置、液晶表示装置のバックライト光源、表示装置などに拡大している。これらの用途では小型化の要求がますます強まっており、さらに半導体発光装置の量産性を高め価格を低減することが要求されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許出願公開第２０１０／０１４８１９８号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
小型且つ安価な発光装置、発光モジュール、発光装置の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態によれば、発光装置は、半導体層と、ｐ側電極と、ｎ側電極と、第１の絶縁層と、ｐ側配線層と、ｎ側配線層と、第２の絶縁層と、を備えている。前記半導体層は、第１の面と、その反対側に形成された第２の面と、発光層とを含む。前記ｐ側電極は、前記第２の面における前記発光層を有する領域に設けられている。前記ｎ側電極は、前記第２の面における前記発光層を含まない領域に設けられている。前記第１の絶縁層は、前記第２の面側に設けられ、前記第ｐ側電極に通じる第１のビアと、前記ｎ側電極に通じる第２のビアとを有する。前記ｐ側配線層は、前記第１のビアを通じて前記ｐ側電極と電気的に接続される第１のｐ側配線層と、前記第１のｐ側配線層に電気的に接続され、前記第１の絶縁層における前記半導体層に対する反対側に形成された配線面、および前記第１の面及び前記第２の面と異なる面方位の第３の面に沿う形状に設けられ断面がＬ字状の部分を有する第２のｐ側配線層と、を有する。前記第２のｐ側配線層の断面がＬ字状の部分は、前記第３の面で前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層から露出されたｐ側外部端子を有する。前記ｎ側配線層は、前記第２のビアを通じて前記ｎ側電極と電気的に接続される第１のｎ側配線層と、前記第１のｎ側配線層に電気的に接続され、前記ｐ側配線層に対して離間して、前記配線面および前記第３の面に沿う形状に設けられ断面がＬ字状の部分を有する第２のｎ側配線層と、を有する。前記第２のｎ側配線層の断面がＬ字状の部分は、前記第３の面で前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層から露出されたｎ側外部端子を有する。前記第２の絶縁層は、前記ｐ側配線層と前記ｎ側配線層との間に設けられている。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】第１実施形態の発光装置の模式図。
【図２】第１実施形態の発光モジュールの模式断面図。
【図３】第１実施形態の発光装置の製造方法を示す模式図。
【図４】第１実施形態の発光装置の製造方法を示す模式図。
【図５】第１実施形態の発光装置の製造方法を示す模式図。
【図６】第１実施形態の発光装置の製造方法を示す模式図。
【図７】第１実施形態の発光装置の製造方法を示す模式図。
【図８】第１実施形態の発光装置の製造方法を示す模式図。
【図９】第１実施形態の発光装置の製造方法を示す模式図。
【図１０】第１実施形態の発光装置の製造方法を示す模式図。
【図１１】第１実施形態の発光装置の製造方法を示す模式図。
【図１２】第１実施形態の発光装置の製造方法を示す模式図。
【図１３】第１実施形態の発光装置の製造方法を示す模式図。
【図１４】第１実施形態の発光装置の製造方法を示す模式図。
【図１５】第１実施形態の発光装置の製造方法を示す模式図。
【図１６】第１実施形態の発光装置の製造方法を示す模式図。
【図１７】第１実施形態の発光モジュールの変形例の模式断面図。
【図１８】第２実施形態の発光装置の模式斜視図。
【図１９】第２実施形態の発光装置の模式断面図。
【図２０】第２実施形態の発光モジュールの模式断面図。
【図２１】第２実施形態の発光装置の製造方法を示す模式図。
【図２２】第２実施形態の発光装置の製造方法を示す模式図。
【図２３】第２実施形態の発光装置の製造方法を示す模式図。
【図２４】第３実施形態の発光装置の模式図。
【図２５】第３実施形態の発光モジュールの模式断面図。
【図２６】第４実施形態の発光装置の模式図。
【図２７】第４実施形態の発光モジュールの模式断面図。
【図２８】第４実施形態の発光装置の製造方法を示す模式図。
【図２９】第４実施形態の発光装置の製造方法を示す模式図。
【図３０】（ａ）は比較例の発光モジュールを用いた照明装置の模式図であり、（ｂ）は実施形態の発光モジュールを用いた照明装置の模式図。
【図３１】第１のｐ側配線層及び第１のｎ側配線層の平面レイアウトの他の具体例を表す図。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、図面を参照し、実施形態について説明する。各図面中、同じ要素には同じ符号を付している。なお、製造工程を表す図面においては、複数の半導体層１５（チップ）を含むウェーハの一部の領域を表している。
【０００８】
（第１実施形態）
図１（ａ）は、第１実施形態の発光装置１０ａの模式斜視図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）におけるＡ−Ａ断面図である。図１（ｃ）は、図１（ａ）におけるＢ−Ｂ断面図である。
【０００９】
発光装置１０ａは半導体層１５を有する。半導体層１５は、第１の面１５ａと、その反対側に形成された第２の面を有する。第２の面側に後述する電極及び配線層が設けられ、その反対側の第１の面１５ａから主として光が外部に放出される。
【００１０】
半導体層１５は、第１の半導体層１１と第２の半導体層１２を有する。第１の半導体層１１及び第２の半導体層１２は、いずれも例えば窒化物半導体を含む。第１の半導体層１１は、例えば下地バッファ層、ｎ型層などを含み、ｎ型層は電流の横方向経路として機能する。第２の半導体層１２は、発光層（活性層）１３を、ｎ型層とｐ型層とで挟んだ積層構造を有する。
【００１１】
半導体層１５の第２の面側は凹凸形状に加工されている。その第２の面側に形成された凸部は発光層１３を含む。その凸部の表面である第２の半導体層１２の表面には、ｐ側電極１６が設けられている。ｐ側電極１６は、発光層１３を有する領域に設けられている。
【００１２】
半導体層１５の第２の面側において凸部の横には、第２の半導体層１２がない領域が設けられ、その領域の第１の半導体層１１の表面に、ｎ側電極１７が設けられている。すなわち、ｎ側電極１７は、発光層１３を含まない領域に設けられている。
【００１３】
図５（ｂ）に示すように、半導体層１５の第２の面側において、発光層１３を含む第２の半導体層１２の面積は、発光層１３を含まない第１の半導体層１１の面積よりも広い。
【００１４】
また、図６（ｂ）に示すように、ひとつの半導体層１５において、発光層１３を含む領域に設けられたｐ側電極１６の方が、発光層１３を含まないｎ側電極１７よりも面積が広い。これにより、広い発光領域が得られる。なお、図６（ｂ）に示すｐ側電極１６及びｎ側電極１７のレイアウトは一例であって、これに限らない。
【００１５】
半導体層１５の第２の面側には、第１の絶縁層（以下、単に絶縁層と言う）１８が設けられている。絶縁層１８は、半導体層１５、ｐ側電極１６及びｎ側電極１７を覆っている。また、絶縁層１８と半導体層１５との間に別の絶縁膜（例えばシリコン酸化膜）が設けられることもある。絶縁層１８は、例えば、微細開口のパターニング性に優れたポリイミド等の樹脂である。あるいは、絶縁層１８としてシリコン酸化物やシリコン窒化物等の無機物を用いてもよい。
【００１６】
絶縁層１８は、半導体層１５に対する反対側に配線面１８ｃを有する。その配線面１８ｃには、第１のｐ側配線層（内側ｐ側配線層）２１と、第１のｎ側配線層（内側ｎ側配線層）２２とが互いに離間して設けられている。
【００１７】
第１のｐ側配線層２１は、ｐ側電極１６に達して絶縁層１８に形成された第１のビア１８ａ内にも設けられ、ｐ側電極１６と電気的に接続されている。なお、第１のｐ側配線層２１は必ずしも絶縁層１８の下面上に形成されなくてもよい。例えば、ｐ側電極１６上にだけ第１のｐ側配線層２１が設けられ、絶縁層１８の第１のビア１８ａの外には第１のｐ側配線層２１が設けられていない構造であってもよい。
【００１８】
第１のｎ側配線層２２は、ｎ側電極１７に達して絶縁層１８に形成された第２のビア１８ｂ内にも設けられ、ｎ側電極１７と電気的に接続されている。
【００１９】
第１のｐ側配線層２１においてｐ側電極１６に対する反対側の面には、第２のｐ側配線層２３が設けられている。第１のｐ側配線層２１及び第２のｐ側配線層２３は、本実施形態におけるｐ側配線層を構成する。
【００２０】
そのｐ側配線層は、絶縁層１８の配線面１８ｃに沿う形状に設けられた部分と、第１の面１５ａ及び第２の面と異なる面方位の第３の面３０に沿う形状に設けられた部分とを有する。ｐ側配線層において、配線面１８ｃに沿って設けられた部分から第３の面３０に沿って設けられた部分は、図１（ｃ）に示すように、例えば断面がＬ字状に形成されている。
【００２１】
第１のｐ側配線層２１は、配線面１８ｃ上に配線面１８ｃに沿って設けられている。第２のｐ側配線層２３は、ｐ側接続部２３ｂとｐ側外部端子２３ａとを有する。
【００２２】
ｐ側接続部２３ｂは、第１のｐ側配線層２１上に配線面１８ｃに沿って設けられている。図１（ｃ）に示すように、ｐ側接続部２３ｂとｐ側外部端子２３ａとにより、断面がＬ字状の部分が形成される。すなわち、第２のｐ側配線層２３は、断面がＬ字状の部分を有し、その一部（ｐ側外部端子２３ａ）が、外部端子となる。
【００２３】
そして、第２のｐ側配線層２３は、ｐ側接続部２３ｂを底部とした凹形状に形成されている。ｐ側外部端子２３ａは、その凹形状（Ｕ字状）の側壁の一部を構成する。つまり、図１（ｃ）に示すように、第２のｐ側配線層２３はＵ字状の断面形状を有し、そのＵ字状の一部がＬ字状となっている。
【００２４】
図１（ｃ）に示すような、第３の面３０に対して垂直な面かつ配線面１８ｃと交差する面における断面において、第２のｐ側配線層２３はＵ字状の断面形状を有している。また、図１（ｂ）に示すように、第３の面３０に対して平行な面における断面においても、第２のｐ側配線層２３はＵ字状の断面を有している。後述するように、第２のｐ側配線層２３は、カップ状であるので、図１（ｂ）及び（ｃ）に示す断面図では、Ｕ字状の断面形状を有する。
【００２５】
第１のｎ側配線層２２においてｎ側電極１７に対する反対側の面には、第２のｎ側配線層２４が設けられている。第１のｎ側配線層２２及び第２のｎ側配線層２４は、本実施形態におけるｎ側配線層を構成する。
【００２６】
そのｎ側配線層は、絶縁層１８の配線面１８ｃに沿う形状に設けられた部分と、第１の面１５ａ及び第２の面と異なる面方位の第３の面３０に沿う形状に設けられた部分とを有する。ｎ側配線層において、配線面１８ｃに沿って設けられた部分から第３の面３０に沿って設けられた部分は、例えばＬ字状に形成されている。
【００２７】
第１のｎ側配線層２２は、配線面１８ｃ上に配線面１８ｃに沿って設けられている。第２のｎ側配線層２４は、ｎ側接続部２４ｂとｎ側外部端子２４ａとを有する。
【００２８】
ｎ側接続部２４ｂは、第１のｎ側配線層２２上に配線面１８ｃに沿って設けられている。図１（ｃ）に示す断面と平行な断面図では、ｎ側接続部２４ｂとｎ側外部端子２４ａとにより、断面がＬ字状の部分が形成される。すなわち、第２のｎ側配線層２４は、断面がＬ字状の部分を有し、その一部（ｎ側外部端子２４ａ）が、外部端子となる。
【００２９】
そして、第２のｎ側配線層２４は、ｎ側接続部２４ｂを底部とした凹形状に形成されている。ｎ側外部端子２４ａは、その凹形状（Ｕ字状）の側壁の一部を構成する。つまり、第２のｎ側配線層２４は、Ｕ字状の断面形状を有し、そのＵ字状の一部がＬ字状となっている。
【００３０】
図１（ｃ）に示す断面図と平行な断面図であり、第３の面３０に対して垂直な面であり、かつ配線面１８ｃと交差する面における断面図において、第２のｎ側配線層２４は、Ｕ字状の断面形状を有している。また、図１（ｂ）に示すように、第３の面３０に平行な面における断面図でも、第２のｎ側配線層２４は、Ｕ字状の断面を有している。後述するように、第２のｎ側配線層２４は、カップ状であるので、図１（ｂ）に示す断面図および図１（ｃ）に示す断面図に平行な断面での断面図では、Ｕ字状の断面形状を有する。
【００３１】
絶縁層１８の配線面１８ｃ上には、第２の絶縁層として樹脂層２５が設けられている。樹脂層２５は、第１のｐ側配線層２１及び第１のｎ側配線層２２を覆っている。ただし、図１（ａ）に示すように、第１のｐ側配線層２１の一部の側面２１ａと、第１のｎ側配線層２２の一部の側面２２ａは、樹脂層２５及び絶縁層１８で覆われずに、それらから露出している。
【００３２】
樹脂層２５は、第２のｐ側配線層２３と第２のｎ側配線層２４との間に充填されている。第２のｐ側配線層２３におけるｐ側外部端子２３ａ以外の側壁は樹脂層２５で覆われている。第２のｎ側配線層２４におけるｎ側外部端子２４ａ以外の側壁は樹脂層２５で覆われている。
【００３３】
また、第２のｐ側配線層２３における第１のｐ側配線層２１に対する反対側の端部も樹脂層２５で覆われている。同様に、第２のｎ側配線層２４における第１のｎ側配線層２２に対する反対側の端部も樹脂層２５で覆われている。
【００３４】
凹形状（Ｕ字状）の第２のｐ側配線層２３の内側及び同じく凹形状（Ｕ字状）の第２のｎ側配線層２４の内側には、第３の絶縁層として樹脂層３５が埋め込まれている。
【００３５】
樹脂層３５における第１のｐ側配線層２１に対する反対側の端部は樹脂層２５で覆われている。したがって、第２のｐ側配線層２３の内側に設けられた樹脂層３５は、第２のｐ側配線層２３及び樹脂層２５に囲まれている。同様に、第２のｎ側配線層２４の内側に設けられた樹脂層３５は、第２のｎ側配線層２４及び樹脂層２５に囲まれている。第２のｐ側配線層２３及び第２のｎ側配線層２４は、樹脂層２５及び樹脂層３５に覆われている。
【００３６】
図１（ａ）〜（ｃ）に示す発光装置１０ａは、図２に示すように、第３の面３０が実装面（実装する基板と対向する面）となるように、実装される。その際、ｐ側外部端子２３ａ、第１のｐ側配線層２１の露出面２１ａおよびそれらの間の金属膜２０が、ｐ側の外部端子となる。
【００３７】
金属膜２０の膜厚は数ｎｍ程度であり、金属膜２０が第３の面３０で露出する面積は第１のｐ側配線層２１の露出面２１ａに比べて小さい。また、第１のｐ側配線層２１の露出面２１ａは、ｐ側外部端子２３ａに比べて、図１（ｂ）及び（ｃ）における高さ方向の厚みが小さい。このため、第１のｐ側配線層２１の露出面２１ａが第３の面３０で露出する面積は、ｐ側外部端子２３ａに比べて小さい。
【００３８】
ｎ側も同様であり、金属膜２０、第１のｎ側配線層２２の露出面２２ａ、ｎ側外部端子２４ａの順に、第３の面３０で露出する面積は大きい。
【００３９】
図１（ａ）及び（ｃ）に示すように、第２のｐ側配線層２３の一部の側面は、半導体層１５の第１の面１５ａ及び第２の面と異なる面方位の第３の面３０で、絶縁層１８及び樹脂層２５から露出している。その露出された面は、外部の実装基板に実装するためのｐ側外部端子２３ａとして機能する。ｐ側外部端子２３ａは、ｐ側接続部２３ｂの一端部から第３の面３０に沿って広がって形成されている。
【００４０】
ここで、第３の面３０は、第１の面１５ａ及び第２の面に対して略垂直な面である。樹脂層２５は、例えば矩形状の４つの側面を有し、そのうちの相対的に長辺を有する側面のひとつが第３の面３０となっている。
【００４１】
その同じ第３の面３０で、第２のｎ側配線層２４の一部の側面が絶縁層１８及び樹脂層２５から露出している。その露出された面は、外部の実装基板に実装するためのｎ側外部端子２４ａとして機能する。ｎ側外部端子２４ａは、ｎ側接続部２４ｂの一端部から第３の面３０に沿って広がって形成されている。
【００４２】
また、図１（ａ）に示すように、第１のｐ側配線層２１の一部の側面２１ａも、第３の面３０で絶縁層１８及び樹脂層２５から露出され、ｐ側外部端子として機能する。同様に、第１のｎ側配線層２２の一部の側面２２ａも、第３の面３０で絶縁層１８及び樹脂層２５から露出され、ｎ側外部端子として機能する。
【００４３】
第１のｐ側配線層２１と第２のｐ側配線層２３とを含むｐ側配線層において、第３の面３０で露出している部分２１ａ、２３ａ以外の部分は、絶縁層１８または樹脂層２５で覆われている。第１のｎ側配線層２２と第２のｎ側配線層２４とを含むｎ側配線層において、第３の面３０で露出している部分２２ａ、２４ａ以外の部分は、絶縁層１８または樹脂層２５で覆われている。なお、本実施形態の構造は一例であって、ｐ側配線層とｎ側配線層を、第３の面３０以外においても一部露出させてもかまわない。
【００４４】
図８（ｂ）に示すように、第１のｐ側配線層２１における第３の面３０で露出する側面２１ａと、第１のｎ側配線層２２における第３の面３０で露出する側面２２ａとの間の距離は、絶縁層１８の配線面１８ｃ上での第１のｐ側配線層２１と第１のｎ側配線層２２との間の距離よりも大きい。
【００４５】
絶縁層１８の配線面１８ｃ上で樹脂層２５に覆われた第１のｐ側配線層２１と第１のｎ側配線層２２との間の距離を小さくすることで、第１のｐ側配線層２１の面積の拡大を図れる。第１のｐ側配線層２１の平面サイズは、第２のｐ側配線層２３におけるｐ側接続部２３ｂの平面サイズよりも大きい。第１のｐ側配線層２１は、例えば銅などの低抵抗金属を用いて形成することができる。このため、第１のｐ側配線層２１の面積が広いほど発光層１３を含む第２の半導体層１２に対して、より均一な分布で電流を供給することが可能となる。さらに、第１のｐ側配線層２１の熱伝導率も高くすることができ、第２の半導体層１２で発生した熱を効率的に逃がすことも可能となる。
【００４６】
ｐ側電極１６は、発光層１３を含む領域に広がっている。したがって、複数の第１のビア１８ａを介して第１のｐ側配線層２１とｐ側電極１６とを接続することで、発光層１３への電流分布が向上し、且つ発光層１３で発生した熱の放熱性も向上できる。
【００４７】
第１のｐ側配線層２１における第３の面３０で露出する側面２１ａと、第１のｎ側配線層２２における第３の面３０で露出する側面２２ａとは、実装基板への実装時にはんだ等の接合剤によって相互に短絡しない距離を隔てて離れている。
【００４８】
第１のｎ側配線層２２と第２のｎ側配線層２４のｎ側接続部２４ｂとが接触する面積は、第１のｎ側配線層２２とｎ側電極１７とが接触する面積より大きい。また、第１のｎ側配線層２２の一部は、絶縁層１８の配線面１８ｃ上を、発光層１３の下に重なる位置まで延在している。
【００４９】
これにより、広い領域にわたって形成された発光層１３によって高い光出力を得つつ、発光層１３を含まない狭い領域に設けられたｎ側電極１７から、第１のｎ側配線層２２を介して、より広い引き出し電極を形成できる。
【００５０】
第１のｐ側配線層２１と第２のｐ側配線層２３のｐ側接続部２３ｂとが接触する面積は、第１のｐ側配線層２１とｐ側電極１６とが接触する面積より大きい場合もあるし、小さい場合もある。
【００５１】
第１の半導体層１１は、ｎ側電極１７及び第１のｎ側配線層２２を介して、ｎ側外部端子２４ａを有する第２のｎ側配線層２４と電気的に接続されている。発光層１３を含む第２の半導体層１２は、ｐ側電極１６及び第１のｐ側配線層２１を介して、ｐ側外部端子２３ａを有する第２のｐ側配線層２３と電気的に接続されている。
【００５２】
樹脂層２５は、第１のｐ側配線層２１、第２のｐ側配線層２３およびその内側に設けられた樹脂層３５を含むｐ側配線構造部の厚み（高さ）よりも厚い。同様に、樹脂層２５は、第１のｎ側配線層２２、第２のｎ側配線層２４およびその内側に設けられた樹脂層３５を含むｎ側配線構造部の厚み（高さ）よりも厚い。また、ｐ側配線構造部及びｎ側配線構造部は、半導体層１５よりも厚い。このため、半導体層１５を支持する基板がなくても、ｐ側配線構造部、ｎ側配線構造部および樹脂層２５によって、発光装置１０ａの機械的強度を高めることができる。
【００５３】
第１のｐ側配線層２１、第１のｎ側配線層２２、第２のｐ側配線層２３、および第２のｎ側配線層２４の材料としては、銅、金、ニッケル、銀などを用いることができる。これらのうち、銅を用いると、良好な熱伝導性、高いマイグレーション耐性及び絶縁材料との優れた密着性が得られる。
【００５４】
樹脂層２５は、前述したｐ側配線構造部及びｎ側配線構造部を補強する。樹脂層２５は、実装基板と熱膨張率が同じもしくは近いものを用いるのが好ましい。そのような樹脂層２５として、例えばエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂などを一例として挙げることができる。また、樹脂層３５も実装基板と熱膨張率が同じもしくは近いものを用いるのが好ましく、樹脂層２５と同じ材料を用いることができる。
【００５５】
半導体層１５の第１の面１５ａ上には、発光層１３からの放出光に対して透明な透明体として、レンズ２６及び蛍光体層２７が設けられている。レンズ２６は第１の面１５ａ上に設けられ、そのレンズ２６を覆うように蛍光体層２７が設けられている。
【００５６】
半導体層１５の第２の面側に設けられた前述した各要素を含む積層体の平面サイズと、蛍光体層２７の平面サイズとは略同じである。レンズ２６及び蛍光体層２７は、第３の面３０側に出っ張っていないため、図２に示す発光装置１０ａの実装基板１００上への実装を阻害しない。
【００５７】
蛍光体層２７は、透明樹脂と、透明樹脂に分散された蛍光体とを含む。蛍光体層２７は、発光層１３からの放出光を吸収し波長変換光を放出可能である。このため、発光装置１０ａは、発光層１３からの光と、蛍光体層２７における波長変換光との混合光を放出可能である。
【００５８】
例えば、発光層１３が窒化物半導体、蛍光体が黄色光を発光する黄色蛍光体とすると、発光層１３からの青色光と、蛍光体層２７における波長変換光である黄色光との混合色として、白色または電球色などを得ることができる。なお、蛍光体層２７は、複数種の蛍光体（例えば、赤色光を発光する赤色蛍光体と、緑色光を発光する緑色蛍光体）を含む構成であってもよい。
【００５９】
発光層１３から発光された光は、主に、第１の半導体層１１、第１の面１５ａ、レンズ２６および蛍光体層２７を進んで、外部に放出される。なお、蛍光体層２７の上にレンズ２６を設けてもよい。
【００６０】
図２は、前述した発光装置１０ａを実装基板１００上に実装した構成を有する発光モジュールの模式断面図である。
【００６１】
実装基板１００上に実装される発光装置１０ａの数は任意であり、単数でも複数でもよい。また、複数の発光装置１０ａが、ある一方向に沿って配列されて線状光源を構成してもよい。
【００６２】
発光装置１０ａは、第３の面３０を実装基板１００の実装面１０３に向けた姿勢で実装される。第３の面３０で露出しているｐ側外部端子２３ａ及びｎ側外部端子２４ａは、それぞれ、実装面１０３に形成されたパッド１０１に対してはんだ１０２を介して接合されている。実装基板１００の実装面１０３には配線パターンも形成されており、パッド１０１はその配線パターンに接続されている。なお、はんだ１０２の代わりとして、はんだ以外の他の金属あるいは導電性材料を用いてもよい。
【００６３】
第３の面３０は、光の主な放出面である第１の面１５ａに対して略垂直である。したがって、第３の面３０を下方の実装面１０３側に向けた姿勢で、第１の面１５ａは実装面１０３の上方ではなく、横方向を向く。すなわち、実装面１０３を水平面とした場合に横方向に光が放出される、いわゆるサイドビュータイプの発光装置１０ａ及び発光モジュールが得られる。
【００６４】
本実施形態では、発光装置１０ａを実装基板１００に実装した状態で、はんだ１０２を介して半導体層１５に加わる応力を、第２のｐ側配線層２３の内側および第２のｎ側配線層２４の内側に充填された樹脂層３５が吸収することで緩和することができる。樹脂層３５は、金属に比べて柔軟性があり、高い応力緩和効果が得られる。
【００６５】
なお、第２のｐ側配線層２３の内側及び第２のｎ側配線層２４の内側には、樹脂に限らず、第２のｐ側配線層２３及び第２のｎ側配線層２４と異なる材料の絶縁体または金属を埋め込んでも良い。第２のｐ側配線層２３の内側及び第２のｎ側配線層２４の内側に埋め込まれる材料は、それらに比べて柔軟性がある材料であればよい。
第２のｐ側配線層２３の内側及び第２のｎ側配線層２４の内側に埋め込む材料として、例えば、それらに比べて柔軟性がある金属を選択すれば、前述した応力緩和効果は得られる。第２のｐ側配線層２３及び第２のｎ側配線層２４として、コンフォーマル（conformal）な膜を成膜しやすい金属膜を選択し、樹脂層３５の代わりに、埋め込みやすい金属を形成することも可能である。
応力緩和、生産性、コストの観点からは、第２のｐ側配線層２３の内側及び第２のｎ側配線層２４の内側に、樹脂を埋め込むことが望ましい。
【００６６】
実施形態の発光装置１０ａは、第１の面１５ａに対して垂直な方向から見て長方形状の平面形状を有し、第３の面３０は、その長方形状の長辺を含む面である。
【００６７】
次に、図３（ａ）〜図１６（ｂ）を参照して、本実施形態の発光装置１０ａの製造方法について説明する。工程を表す図面においては、ウェーハ状態における一部の領域を表す。
【００６８】
図３（ａ）は、基板５の主面上に、第１の半導体層１１及び第２の半導体層１２を形成した積層体を示す。図３（ｂ）は、図３（ａ）における下面図に対応する。
【００６９】
基板５の主面上に第１の半導体層１１が形成され、その上に発光層１３を含む第２の半導体層１２が形成される。第１の半導体層１１及び第２の半導体層１２が例えば窒化物系半導体の場合、それらは例えばサファイア基板上にＭＯＣＶＤ（metal organic chemical vapor deposition）法で結晶成長させることができる。
【００７０】
例えば、第１の半導体層１１は、下地バッファ層、ｎ型ＧａＮ層を含む。第２の半導体層１２は、発光層（活性層）１３、ｐ型ＧａＮ層を含む。発光層１３は、青、紫、青紫、紫外光などを発光するものを用いることができる。
【００７１】
第１の半導体層１１における基板５に接する面が、半導体層１５の第１の面１５ａであり、第２の半導体層１２の表面が半導体層１５の第２の面１５ｂである。
【００７２】
次に、図示しないレジストを用いた例えばＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法で、図４（ａ）及びその下面図である図４（ｂ）に示すように、ダイシング領域ｄ１、ｄ２に、半導体層１５を貫通して基板５に達する溝を形成する。ダイシング領域ｄ１、ｄ２は、ウェーハ状態の基板５上で例えば格子状に形成される。ダイシング領域ｄ１、ｄ２に形成された溝も格子状に形成され、半導体層１５を複数のチップに分離する。
【００７３】
なお、半導体層１５を複数に分離する工程は、後述する第２の半導体層１２の選択的除去後、あるいは電極の形成後に行ってもよい。
【００７４】
次に、図示しないレジストを用いた例えばＲＩＥ法で、図５（ａ）及びその下面図である図５（ｂ）に示すように、第２の半導体層１２の一部を除去して、第１の半導体層１１の一部を露出させる。第１の半導体層１１が露出された領域は、発光層１３を含まない。
分割された１つの第１の半導体層１１、第２の半導体層１２および発光層（活性層）１３からなる半導体層１５を、１つの発光素子とすると、図５（ｂ）には、左右方向にダイシング領域ｄ１で分割された４つの発光素子が、上下方向にダイシング領域ｄ２で分割された２つの発光素子が並んでいる。
【００７５】
次に、図６（ａ）及びその下面図である図６（ｂ）に示すように、第２の面にｐ側電極１６とｎ側電極１７を形成する。ｐ側電極１６は、第２の半導体層１２の表面に形成される。ｎ側電極１７は、第１の半導体層１１の露出面に形成される。
【００７６】
ｐ側電極１６及びｎ側電極１７は、例えば、スパッタ法、蒸着法等で形成される。ｐ側電極１６とｎ側電極１７は、どちらを先に形成してもよいし、同じ材料で同時に形成してもよい。
【００７７】
ｐ側電極１６は、発光層１３からの放出光に対して反射性を有する、例えば、銀、銀合金、アルミニウム、アルミニウム合金等を含む。また、ｐ側電極１６の硫化、酸化防止のため、金属保護膜を含む構成であってもよい。
【００７８】
また、ｐ側電極１６とｎ側電極１７との間や、発光層１３の端面（側面）にパッシベーション膜として、例えばシリコン窒化膜やシリコン酸化膜をＣＶＤ（chemical vapor deposition）法で形成してもよい。また、各電極と半導体層とのオーミックコンタクトをとるための活性化アニールなどは必要に応じて実施される。
【００７９】
次に、図７（ａ）に示すように、基板５の主面上の露出している部分すべてを絶縁層１８で覆った後、例えばウェットエッチングにより絶縁層１８をパターニングし、絶縁層１８に選択的に第１のビア１８ａと第２のビア１８ｂを形成する。第１のビア１８ａは、ｐ側電極１６に達する。第２のビア１８ｂは、ｎ側電極１７に達する。
【００８０】
絶縁層１８としては、例えば、感光性ポリイミド、ベンゾシクロブテン（Benzocyclobutene）などの有機材料を用いることができる。この場合、レジストを使わずに、絶縁層１８に対して直接露光及び現像が可能である。あるいは、シリコン窒化膜やシリコン酸化膜などの無機膜を絶縁層１８として使用してもよい。無機膜の場合、レジストをパターニングした後のエッチングによって第１のビア１８ａ及び第２のビア１８ｂが形成される。
【００８１】
次に、絶縁層１８における半導体層１５に対する反対側の面である配線面１８ｃ（図７（ａ）において下面）に、図７（ｂ）に示すように、後述するメッキ時のシードメタルとして機能する金属膜１９を形成する。金属膜１９は、第１のビア１８ａの内壁及び底部と、第２のビア１８ｂの内壁及び底部にも形成される。
【００８２】
金属膜１９は、例えばスパッタ法で形成される。金属膜１９は、例えば、絶縁層１８側から順に積層されたチタン（Ｔｉ）と銅（Ｃｕ）との積層膜を含む。
【００８３】
次に、図７（ｃ）に示すように、金属膜１９上に選択的にレジスト４１を形成した後、金属膜１９を電流経路としたＣｕ電解メッキを行う。
【００８４】
これにより、図８（ａ）及びその下面図である図８（ｂ）に示すように、絶縁層１８の配線面１８ｃ上に、選択的に第１のｐ側配線層２１と第１のｎ側配線層２２が形成される。第１のｐ側配線層２１及び第１のｎ側配線層２２はメッキ法により同時に形成される例えば銅材料からなる。
【００８５】
第１のｐ側配線層２１は、第１のビア１８ａ内にも形成され、金属膜１９を介してｐ側電極１６と電気的に接続される。第１のｎ側配線層２２は、第２のビア１８ｂ内にも形成され、金属膜１９を介してｎ側電極１７と電気的に接続される。
【００８６】
第１のｐ側配線層２１及び第１のｎ側配線層２２のメッキに使ったレジスト４１は、溶剤もしくは酸素プラズマを使って、除去される（図９（ａ））。
【００８７】
次に、図９（ｂ）に示すように、絶縁層１８の配線面１８ｃ側にレジスト４２を形成する。レジスト４２は、前述のレジスト４１よりも厚い。なお、前の工程でレジスト４１は除去せずに残し、そのレジスト４１にレジスト４２を重ねて形成してもよい。レジスト４２には、凹部４２ａと凹部４２ｂが形成されている。
【００８８】
次に、レジスト４２の表面、凹部４２ａに露出する第１のｐ側配線層２１の表面および凹部４２ｂに露出する第１のｎ側配線層２２の表面を含む凹部４２ａ、４２ｂの内壁に、メッキ時のシードメタルとして機能する金属膜２０を形成する。金属膜２０は、例えば銅を含む。
【００８９】
そして、その金属膜２０を電流経路としたＣｕ電解メッキを行う。これにより、図１０（ａ）及びその下面図である図１０（ｂ）に示すように、金属膜２０上に金属膜５０が形成される。
図１０（ｂ）において破線は、レジスト４２に形成された凹部４２ａ、４２ｂの縁を表す。凹部４２ａには平面視で一部のコーナー部に切欠きが形成され、その切欠きの下の絶縁層１８上には金属膜２０及び金属膜５０は形成されない。このため、図１２（ｂ）を参照して後述するように、第２のｐ側配線層２３の一部のコーナー部に切欠き９０が形成される。
【００９０】
このメッキは、下地であるレジスト４２及び金属膜２０の凹凸形状に沿ってほぼ均一な速度でＣｕが析出するコンフォーマルメッキである。したがって、金属膜５０は下地の凹凸形状に沿って形成され、凹部４２ａ及び凹部４２ｂは金属膜５０で埋まらない。したがって、凹部４２ａ及び凹部４２ｂを金属で埋める場合に比べて、メッキ時間の短縮およびコスト低減を図れる。
【００９１】
金属膜５０は、第１のｐ側配線層２１上（凹部４２ａの底部）、第１のｎ側配線層２２上（凹部４２ｂの底部）、凹部４２ａの側壁、および凹部４２ｂの側壁の各部分で、ほぼ同じ膜厚で形成される。
【００９２】
また、図１０（ｂ）に示すように、金属膜５０は凹部４２ａの側壁に沿って形成され、凹部４２ａの中心側を閉じたパターンで囲む。同様に、金属膜５０は凹部４２ｂの側壁に沿って形成され、凹部４２ｂの中心側を閉じたパターンで囲む。
【００９３】
次に、図１１（ａ）及びその下面図である図１１（ｂ）に示すように、凹部４２ａ内、凹部４２ｂ内およびレジスト４２上に、例えば印刷法、モールド法などで、樹脂層３５を形成する。凹部４２ａ内及び凹部４２ｂ内は、樹脂層３５で埋まる。
【００９４】
樹脂層３５は、絶縁性を有する。また、樹脂層３５に、例えばカーボンブラックを含有させて、発光層からの放出光に対して遮光性を付与させてもよい。また、樹脂層３５に、発光層からの放出光に対する反射性を有する粉末を含有させてもよい。
【００９５】
次に、樹脂層３５の表面側（図１１（ａ）における下面側）を研削して、凹部４２ａ及び凹部４２ｂの側壁に形成された金属膜５０の端部を露出させる。その状態を、図１２（ａ）及びその下面図である図１２（ｂ）に示す。
【００９６】
これにより、金属膜５０において凹部４２ａ内の部分と凹部４２ｂ内の部分とが分断される。凹部４２ａ内に残された金属膜５０は第２のｐ側配線層２３となる。凹部４２ｂ内に残された金属膜５０は第２のｎ側配線層２４となる。
【００９７】
第２のｐ側配線層２３は、金属膜２０を介して第１のｐ側配線層２１と接続されている。あるいは、金属膜２０も含めて、本実施形態における「第２のｐ側配線層」が構成される。
【００９８】
第２のｎ側配線層２４は、金属膜２０を介して第１のｎ側配線層２２と接続されている。あるいは、金属膜２０も含めて、本実施形態における「第２のｎ側配線層」が構成される。
【００９９】
第２のｐ側配線層２３の一部の側壁は、ダイシング後に第３の面３０に露出されるｐ側外部端子２３ａとなる。第２のｎ側配線層２４の一部の側壁は、ダイシング後に第３の面３０に露出されるｎ側外部端子２４ａとなる。
【０１００】
本実施形態では、図１２（ｂ）に示すように、ｐ側外部端子２３ａ及びｎ側外部端子２４ａを、前述した第３の面３０に沿った方向に延びるダイシング領域ｄ２上に張り出させてレイアウトしている。図１２（ｂ）における１点鎖線ｅ１及びｅ２のそれぞれは、ダイシングブレードの両エッジを表す。
【０１０１】
第２のｐ側配線層２３における第２のｎ側配線層２４側の一部のコーナー部には、切欠き９０が形成されている。切欠き９０は、ｐ側外部端子２３ａとｎ側外部端子２４ａとの間に存在する。このため、ダイシング後に外部に露出されるｐ側外部端子２３ａとｎ側外部端子２４ａとの間の離間距離を、実装時のはんだ等による短絡を回避するのに十分な距離にすることができる。
【０１０２】
切欠き９０が形成されていない部分では、第２のｐ側配線層２３は、プロセス上の限界まで、第２のｎ側配線層２４に近づけることができ、第２のｐ側配線層２３の面積を広くできる。この結果、電流分布及び放熱性を向上できる。
【０１０３】
ｐ側外部端子２３ａ及びｎ側外部端子２４ａは、ダイシング領域ｄ２の幅方向の一方側に偏って存在せず、ダイシング領域ｄ２の幅方向の両側に存在する。すなわち、いずれもメタルであるｐ側外部端子２３ａ及びｎ側外部端子２４ａは、ダイシングブレードの幅方向の一方のエッジ側に偏って存在していない。
【０１０４】
図１２（ｂ）に示すようなレイアウトを有するウェーハに対して、左から右へダイシング領域ｄ２をブレードにより分割する場合について説明する。
【０１０５】
１つの第２のｐ側配線層２３と１つの第２のｎ側配線層２４とのペアを１つの発光素子とすると、図１２（ｂ）には、左右方向に４つ、上下方向に２つの発光素子が並んでいる。
【０１０６】
図１２（ｂ）における一番左の上の発光素子と、右から２番目の上の発光素子は、第２のｐ側配線層２３の一部（下側）および第２のｎ側配線層２４の一部（下側）がダイシング領域ｄ２に存在する。図１２（ｂ）における一番右の下の発光素子と、左から２番目の下の発光素子は、第２のｐ側配線層２３の一部（上側）および第２のｎ側配線層２４の一部（上側）がダイシング領域ｄ２に存在する。
【０１０７】
そのため、左から右へダイシング領域ｄ２をブレードにより分割する場合において、一番左の上下の発光素子の間を切断するときは、ブレードの図１２（ｂ）において上側の方が下側よりも金属と接触する割合が多く、左から２番目の上下の発光素子の間を切断するときは、一番左とは逆になり、ブレードの図１２（ｂ）において下側の方が上側よりも金属と接触する割合が多くなる。このため、ダイシング時にダイシングブレードの幅方向の一方のエッジに過度な負荷がかかり目詰まりや破損等が生じることを抑制することができる。
【０１０８】
なお、図１２（ｂ）では、エッジｅ１側に存在するｐ側外部端子２３ａ及びｎ側外部端子２４ａと、エッジｅ２側に存在するｐ側外部端子２３ａ及びｎ側外部端子２４ａとが、ダイシング領域ｄ２が延びる方向に見て交互に並んでいるが、このようなレイアウトに限らない。ｐ側外部端子２３ａ及びｎ側外部端子２４ａが、エッジｅ１及びエッジｅ２のいずれか一方側に偏って存在していなければよい。
【０１０９】
なお、ｐ側外部端子２３ａ及びｎ側外部端子２４ａが、エッジｅ１及びエッジｅ２のいずれか一方側に偏って存在していたとしても、ダイシングする際に、ブレードを交換する頻度を上げるなどの方法により、ブレードの目詰まりや破損等を抑制できる。
【０１１０】
また、第２のｐ側配線層２３の図１２（ａ）における下側の端部と、第２のｎ側配線層２４の図１２（ａ）における下側の端部を露出させることで、極性の異なるそれらのそれぞれに測定子を接触させて電流を供給することで、発光装置を発光させて、各種検査を行うことができる。取り扱いが容易なウェーハレベルで検査を行える。
【０１１１】
次に、レジスト４２が、例えば溶剤もしくは酸素プラズマを用いて除去される（図１３（ａ））。第２のｐ側配線層２３に囲まれた樹脂層３５および第２のｎ側配線層２４に囲まれた樹脂層３４は残る。
【０１１２】
この後、第１のｐ側配線層２１、第２のｐ側配線層２３及び樹脂層３５を含むｐ側配線構造部と、第１のｎ側配線層２２、第２のｎ側配線層２４及び樹脂層３５を含むｎ側配線構造部をマスクにして、配線面１８ｃに形成された金属膜１９の露出している部分をウェットエッチングにより除去する。これにより、図１３（ｂ）に示すように、第１のｐ側配線層２１と第１のｎ側配線層２２との金属膜１９を介した電気的接続が分断される。
【０１１３】
次に、図１４（ａ）に示すように、絶縁層１８に対して樹脂層２５を積層させる。樹脂層２５は、前述したｐ側配線構造部及びｎ側配線構造部を覆う。
【０１１４】
樹脂層２５は、絶縁性を有する。また、樹脂層２５に、例えばカーボンブラックを含有させて、発光層からの放出光に対して遮光性を付与させてもよい。また、樹脂層２５に、発光層からの放出光に対する反射性を有する粉末を含有させてもよい。また、樹脂層２５と樹脂層３５とを同じ材料にすれば、それらの密着力を高めて信頼性を高くできる。
【０１１５】
次に、図１４（ｂ）に示すように、基板５を除去する。基板５は、例えばレーザーリフトオフ法によって除去される。具体的には、基板５の裏面側から第１の半導体層１１に向けてレーザ光が照射される。レーザ光は、基板５に対して透過性を有し、第１の半導体層１１に対しては吸収領域となる波長を有する。
【０１１６】
レーザ光が基板５と第１の半導体層１１との界面に到達すると、その界面付近の第１の半導体層１１はレーザ光のエネルギーを吸収して分解する。例えば、第１の半導体層１１がＧａＮの場合、ガリウム（Ｇａ）と窒素ガスに分解する。この分解反応により、基板５と第１の半導体層１１との間に微小な隙間が形成され、基板５と第１の半導体層１１とが分離する。
【０１１７】
レーザ光の照射を、設定された領域ごとに複数回に分けてウェーハ全体にわたって行い、基板５を除去する。第１の面１５ａ上から基板５が除去されることで、光取り出し効率の向上を図れる。
【０１１８】
基板５の主面上に形成された前述した積層体は、厚い樹脂層２５によって補強されているため、基板５がなくなっても、ウェーハ状態を保つことが可能である。また、樹脂層２５、３５、および配線層を構成する金属は、半導体層１５に比べて柔軟な材料である。そのため、基板５上に半導体層１５を形成するエピタキシャル工程で発生した大きな内部応力が、基板５の剥離時に一気に開放されても、デバイスが破壊されることを回避できる。
【０１１９】
基板５が除去された半導体層１５の第１の面１５ａは洗浄される。例えば、塩酸等で、第１の面１５ａに付着したガリウム（Ｇａ）を除去する。
【０１２０】
また、例えば、ＫＯＨ（水酸化カリウム）水溶液やＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）等で、第１の面１５ａをエッチングする（フロスト処理）。これにより、結晶面方位に依存したエッチング速度の違いによって、第１の面１５ａに凹凸が形成される（図１５（ａ））。あるいは、レジストでパターニングした後にエッチングを行って、第１の面１５ａに凹凸を形成してもよい。第１の面１５ａに凹凸が形成されることで、光取り出し効率を向上できる。
【０１２１】
次に、図１５（ｂ）に示すように、第１の面１５ａ上にレンズ２６を形成する。レンズ２６は、発光層からの放出光に対して透明であり、例えば、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ガラスなどを用いることができる。レンズ２６は、例えば、グレースケールマスクを用いたエッチングや、インプリント法によって形成することができる。
【０１２２】
次に、レンズ２６を覆うように、第１の面１５ａ上および隣り合う半導体層１５間で露出している絶縁層１８上に、蛍光体層２７を形成する。例えば、蛍光体粒子が分散された液状の透明樹脂を、印刷、ポッティング、モールド、圧縮成形などの方法によって供給した後、熱硬化させる。透明樹脂は、発光層からの放出光及び蛍光体が発する光に対する透過性を有し、例えば、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、液状ガラスなどの材料を用いることができる。
【０１２３】
次に、図１６（ａ）及びその下面図である図１６（ｂ）に示すように、格子状に形成されたダイシング領域ｄ１、ｄ２の位置で、蛍光体層２７、絶縁層１８及び樹脂層２５を切断し、複数の発光装置１０ａに個片化する。例えば、ダイシングブレードを用いて切断する。あるいは、レーザ照射によって、切断してもよい。
【０１２４】
このとき、第２のｐ側配線層２３及び第２のｎ側配線層２４において、第３の面３０に沿った方向に延びるダイシング領域ｄ２に張り出した部分が切断される。これにより、第３の面３０に、ｐ側外部端子２３ａ及びｎ側外部端子２４ａが露出する。
【０１２５】
なお、前述したメッキ時のシードメタルとして使った金属膜２０は薄いため、ｐ側外部端子２３ａ及びｎ側外部端子２４ａに形成されていた金属膜２０はダイシング時に除去される。
【０１２６】
同様に、第１のｐ側配線層２１及び第１のｎ側配線層２２についてもその一部をダイシング領域ｄ２に張り出させておけば、そのダイシング領域ｄ２に張り出した部分が切断される。これにより、第３の面３０に、第１のｐ側配線層２１の側面２１ａおよび第１のｎ側配線層２２の側面２２ａも露出される。
【０１２７】
あるいは、第１のｐ側配線層２１の膜厚及び第１のｎ側配線層２２の膜厚は薄いため、第３の面３０における露出面積は、ｐ側外部端子２３ａ及びｎ側外部端子２４ａに比べて非常に小さい。したがって、第１のｐ側配線層２１及び第１のｎ側配線層２２は第３の面３０に露出させなくてもよい。ｐ側外部端子２３ａ及びｎ側外部端子２４ａだけで外部端子としての機能は十分担える。
【０１２８】
第１のｐ側配線層２１の一部及び第１のｎ側配線層２２の一部を第３の面３０に露出させる場合、図３１に示すレイアウトが好ましい。
【０１２９】
図３１におけるダイシング領域ｄ２は、第３の面３０に露出される第１のｐ側配線層２１の側面２１ａおよび第１のｎ側配線層２２の側面２２ａに沿った方向（図３１において横方向）に延びている。そして、側面２１ａ及び側面２２ａを、そのダイシング領域ｄ２上に張り出させる。なお、図３１における１点鎖線ｅ１及びｅ２のそれぞれは、ダイシングブレードの両エッジを表す。
【０１３０】
第１のｐ側配線層２１における第１のｎ側配線層２２側であって且つ側面２１ａ側の部分には、切欠き２１ｂが形成されている。切欠き２１ｂは、側面２１ａと側面２２ａとの間に存在する。このため、ダイシング後に外部に露出される側面２１ａと側面２２ａとの間の離間距離を、実装時のはんだ等による短絡を回避するのに十分な距離にすることができる。
【０１３１】
切欠き２１ｂが形成されていない部分では、第１のｐ側配線層２１は、プロセス上の限界まで、第１のｎ側配線層２２に近づけることができ、第１のｐ側配線層２１の面積を広くできる。この結果、第１のｐ側配線層２１とｐ側電極１６とを複数の第１のビア１８ａを通じて接続させることができ、電流分布及び放熱性を向上できる。
【０１３２】
側面２１ａ及び側面２２ａは、ダイシング領域ｄ２の幅方向の一方側に偏って存在せず、ダイシング領域ｄ２の幅方向の両側に存在する。すなわち、いずれもメタルである側面２１ａ及び側面２２ａは、ダイシングブレードの幅方向の一方のエッジ側に偏って存在していない。このため、ダイシング時にダイシングブレードの幅方向の一方のエッジに過度な負荷がかかり目詰まりや破損等が生じることを抑制することができる。
【０１３３】
なお、図３１では、エッジｅ１側に存在する側面２１ａ及び側面２２ａと、エッジｅ２側に存在する側面２１ａ及び側面２２ａとが、ダイシング領域ｄ２が延びる方向に見て交互に並んでいるが、このようなレイアウトに限らない。側面２１ａ及び側面２２ａが、エッジｅ１及びエッジｅ２のいずれか一方側に偏って存在していなければよい。
【０１３４】
なお、側面２１ａ及び側面２２ａが、エッジｅ１及びエッジｅ２のいずれか一方側に偏って存在していたとしても、ダイシングする際に、ブレードを交換する頻度を上げるなどの方法により、ブレードの目詰まりや破損等を抑制できる。
【０１３５】
ダイシング時、基板５はすでに除去されている。さらに、ダイシング領域ｄ１、ｄ２には、半導体層１５は存在しないため、ダイシング時に半導体層１５が受けるダメージを回避することができる。また、個片化後に、半導体層１５の端部（側面）が樹脂で覆われて保護された構造が得られる。
【０１３６】
なお、個片化された発光装置１０ａは、ひとつの半導体層１５を含むシングルチップ構造でも、複数の半導体層１５を含むマルチチップ構造であってもよい。
【０１３７】
ダイシングされる前までの前述した各工程は、ウェーハ状態で一括して行われるため、個片化された個々のデバイスごとに、配線及びパッケージングを行う必要がなく、大幅な生産コストの低減が可能になる。すなわち、個片化された状態で、すでに配線及びパッケージングが済んでいる。このため、生産性を高めることができ、その結果として価格低減が容易となる。
【０１３８】
なお、図１７（ａ）に示す発光装置１０ｂのように、第１の面１５ａ側にレンズを設けない構造であってもよい。
【０１３９】
また、図１７（ｂ）に示す発光装置１０ｃのように、第１の面１５ａに基板５を薄く残してもよい。例えば、半導体ウェーハ裏面研削用のグラインダーなどを用いて基板５を研削することができる。
【０１４０】
基板５は、例えばサファイア基板であり、窒化物半導体系の発光層から放出される光に対して透過性を有する。この場合、蛍光体層がないため、発光層からの放出光と同じ波長の光が、発光装置１０ｃから外部へと放出される。もちろん、基板５上に蛍光体層を形成してもかまわない。基板５を残すことで、機械的強度を高めることができ、信頼性の高い構造とすることができる。
【０１４１】
ダイシングする際には、樹脂層２５側からダイシングブレードでハーフカットした後、基板５をレーザ照射によって分割することができる。あるいは、すべての部分をレーザ照射によって切断してもよい。
【０１４２】
（第２実施形態）
図１８（ａ）は、第２実施形態の発光装置１０ｄにおける第３の面３０側から見た模式斜視図である。
図１８（ｂ）は、同発光装置１０ｄにおける光放出面側から見た模式斜視図である。
図１９（ａ）は、図１８（ａ）におけるＡ−Ａ断面図である。
図１９（ｂ）は、図１８（ａ）におけるＢ−Ｂ断面図である。
【０１４３】
本実施形態の発光装置１０ｄは、反射膜５１を有する点で、前記第１実施形態の発光装置１０ａと異なる。
【０１４４】
反射膜５１は、発光層からの放出光および蛍光体が発する光に対して反射性を有し、例えば金属膜である。反射膜５１は、蛍光体層２７の側面及び絶縁層１８の側面に形成されている。蛍光体層２７において、第１の面１５ａの反対側の面には反射膜５１は形成されていない。
【０１４５】
図２０は、本実施形態の発光装置１０ｄを実装基板１００上に実装した構成を有する発光モジュールの模式断面図である。
【０１４６】
第１実施形態と同様、発光装置１０ｄは、第３の面３０を実装基板１００の実装面１０３に向けた姿勢で実装されている。第３の面３０で露出しているｐ側外部端子２３ａ及びｎ側外部端子２４ａは、それぞれ、実装面１０３に形成されたパッド１０１に対してはんだ１０２等を介して接合されている。
【０１４７】
第３の面３０は、光の主な放出面である第１の面１５ａに対して略垂直である。したがって、第３の面３０を下方の実装面１０３側に向けた姿勢で、第１の面１５ａは実装面１０３の上方ではなく、横方向を向く。すなわち、実装面１０３を水平面とした場合に横方向に光が放出される、いわゆるサイドビュータイプの発光装置１０ｄ及び発光モジュールが得られる。
【０１４８】
絶縁層１８及び蛍光体層２７の側面が反射膜５１で被覆されているため、光は横方向に集光されて放出される。
【０１４９】
次に、図２１（ａ）〜図２３（ｂ）を参照して、本実施形態の発光装置１０ｄの製造方法について説明する。
【０１５０】
図２１（ａ）は、基板５が除去され、第１の面１５ａ上に蛍光体層２７が形成された状態を表す。この工程までは、前述した第１実施形態と同様に進められる。
【０１５１】
そして、図２１（ａ）に示す積層体を、蛍光体層２７側からハーフカットダイシングする。具体的には、ダイシング領域ｄ１、ｄ２の位置で、蛍光体層２７及び絶縁層１８を切断する。例えば、ダイシングブレードあるいはレーザ照射により切断する。これにより、ダイシング領域ｄ１、ｄ２に溝５２（図２１（ｂ））が形成される。
【０１５２】
次に、露出面に対して、例えばスパッタ法により反射膜５１を形成する。図２２（ａ）に示すように、反射膜５１は、蛍光体層２７の上面、溝５２の底部及び内壁に形成される。
【０１５３】
反射膜５１として、例えば、銀、アルミニウム、金、シリコン、誘電体多層膜などを用いることができる。あるいは、反射粉末を含む樹脂を反射膜５１として用いてもよい。
【０１５４】
次に、図２２（ｂ）に示すように、蛍光体層２７の上面に形成された反射膜５１を研削して除去する。例えば、半導体ウェーハ裏面研削用のグラインダーなどを用いることができる。あるいは、ＲＩＥ法により蛍光体層２７の上面に形成された反射膜５１を除去してもよい。蛍光体層２７の側面及び絶縁層１８の側面には、反射膜５１が残される。
【０１５５】
次に、図２３（ａ）及びその下面図である図２３（ｂ）に示すように、溝５２の下の樹脂層２５を切断する。例えば、ダイシングブレードを用いて切断する。あるいは、レーザ照射によって、切断してもよい。これにより、複数の発光装置１０ｄに個片化される。
【０１５６】
このときも、第１実施形態と同様、第２のｐ側配線層２３及び第２のｎ側配線層２４において、第３の面３０に沿った方向に延びるダイシング領域ｄ２に張り出した部分が切断される。これにより、第３の面３０に、ｐ側外部端子２３ａ及びｎ側外部端子２４ａが露出する。
【０１５７】
本実施形態においても、樹脂を切断するので容易にダイシングでき生産性を向上できる。また、半導体層１５を切断しないため、ダイシング時に半導体層１５が受けるダメージを回避することができる。
【０１５８】
（第３実施形態）
図２４（ａ）は、第３実施形態の発光装置１０ｅの模式斜視図である。図２４（ｂ）は、図２４（ａ）におけるＡ−Ａ断面図である。図２４（ｃ）は、図２４（ａ）におけるＢ−Ｂ断面図である。
【０１５９】
本実施形態の発光装置１０ｅでは、上記実施形態における第１のｐ側配線層２１を設けずに、第２のｐ側配線層２３の一部が第１のビア１８ａ内に設けられている。また、第１のｎ側配線層２２を設けずに、第２のｎ側配線層２４の一部が第２のビア１８ｂ内に設けられている。すなわち、ｐ側配線層は第２のｐ側配線層２３から構成され、ｎ側配線層は第２のｎ側配線層２４から構成される。
【０１６０】
第１のｐ側配線層２１及び第１のｎ側配線層２２を設けないことで、工程削減を図れ、コスト低減を図れる。
【０１６１】
図２５は、本実施形態の発光装置１０ｅを実装基板１００上に実装した構成を有する発光モジュールの模式断面図である。
【０１６２】
本実施形態においても、発光装置１０ｅは、第３の面３０を実装基板１００の実装面１０３に向けた姿勢で実装されている。そして、第３の面３０で露出しているｐ側外部端子２３ａ及びｎ側外部端子２４ａは、それぞれ、実装面１０３に形成されたパッド１０１に対してはんだ１０２等を介して接合されている。
【０１６３】
第３の面３０は、光の主な放出面である第１の面１５ａに対して略垂直である。したがって、第３の面３０を下方の実装面１０３側に向けた姿勢で、第１の面１５ａは実装面１０３の上方ではなく、横方向を向く。すなわち、実装面１０３を水平面とした場合に横方向に光が放出される、いわゆるサイドビュータイプの発光装置１０ｅ及び発光モジュールが得られる。
【０１６４】
（第４実施形態）
図２６（ａ）は、第４実施形態の発光装置１０ｆの模式斜視図である。図２６（ｂ）は、図２６（ａ）におけるＡ−Ａ断面図である。図２６（ｃ）は、図２６（ａ）におけるＢ−Ｂ断面図である。
【０１６５】
本実施形態の発光装置１０ｆにおける第３の面３０は、第１の面１５ａに対して垂直でも平行でもなく、傾いている。
【０１６６】
図２６（ａ）におけるＢ−Ｂ断面に対応する図２６（ｃ）の断面において、樹脂層２５の外形が逆台形状になるように、第３の面３０が傾いている。
【０１６７】
第３の面３０に露出する第２のｐ側配線層２３のｐ側外部端子２３ａ、第２のｎ側配線層２４のｎ側外部端子２４ａ、第１のｐ側配線層２１の側面２１ａ、および第１のｎ側配線層２２の側面２２ａも、第３の面３０の傾斜に沿って傾いている。
【０１６８】
図２７は、本実施形態の発光装置１０ｆを実装基板１００上に実装した構成を有する発光モジュールの模式断面図である。
【０１６９】
発光装置１０ｆは、第３の面３０を実装基板１００の実装面１０３に向けた姿勢で実装されている。第３の面３０で露出しているｐ側外部端子２３ａ及びｎ側外部端子２４ａは、それぞれ、実装面１０３に形成されたパッド１０１に対してはんだ１０２等を介して接合されている。
【０１７０】
本実施形態においても、第１の面１５ａ及びその反対側の第２の面と異なる面方位の第３の面３０に、ｐ側外部端子２３ａ及びｎ側外部端子２４ａが露出している。このため、実装面を下にした状態で横方向に光が放出されるサイドビュータイプの発光装置１０ｆ及び発光モジュールが得られる。
【０１７１】
さらに、第３の面３０は第１の面１５ａに対して傾いていることから、第３の面３０を下方の実装面１０３側に向けた姿勢で、第１の面１５ａは斜め上方を向く。すなわち、実装面１０３を水平面とした場合に斜め上方に光が放出される。
【０１７２】
次に、図２８（ａ）〜図２９（ｂ）を参照して、本実施形態の発光装置１０ｆの製造方法について説明する。
【０１７３】
図２８（ｂ）は図２８（ａ）におけるＡ−Ａ断面に対応し、図２９（ｂ）は図２９（ａ）におけるＡ−Ａ断面に対応する。
【０１７４】
図２８（ａ）に示すように、蛍光体層２７を形成する工程までは、第１実施形態と同様に進められる。
【０１７５】
次に、例えば幅方向の両側面にテーパーが形成されたブレードを用いて、前述した図１２（ｂ）に示すダイシング領域ｄ２の位置で、樹脂層２５を切断する。これにより、図２８（ｂ）に示すように、ダイシング領域ｄ２の下に溝５５が形成される。溝５５は、樹脂層２５を貫通して絶縁層１８に達する。溝５５は、絶縁層１８側から遠ざかるにしたがって漸次幅が広くなっている。
【０１７６】
本実施形態においても、ｐ側外部端子２３ａ及びｎ側外部端子２４ａがダイシング領域ｄ２に張り出している。したがって、ｐ側外部端子２３ａ及びｎ側外部端子２４ａが、溝５５に露出する。
【０１７７】
次に、ダイシング領域ｄ２に沿って、溝５５の上の絶縁層１８及び蛍光体層２７を切断する。さらに、ダイシング領域ｄ２に対して直交するダイシング領域ｄ１に沿って、蛍光体層２７、絶縁層１８及び樹脂層２５を切断する。これにより、図２９（ａ）及び（ｂ）に示すように、複数の発光装置１０ｆに個片化される。
【０１７８】
なお、樹脂層２５において、ダイシング領域ｄ１に沿った方向についても、幅方向の両側面にテーパーが形成されたブレードを用いてダイシングし、図２９（ａ）に表される樹脂層２５の側面を傾斜させてもよい。
【０１７９】
図３０（ｂ）は、実施形態の発光モジュールを、例えば液晶表示装置のバックライトとして用いた具体例の模式図を表す。
【０１８０】
ここで、実装基板１００上に実装された発光装置１０は、前述した実施形態のいずれか１つの発光装置を代表して表す。
【０１８１】
実装基板１００は、フレーム１５１上に設けられている。発光装置１０は、サイドビュータイプであるため、実装基板１００を下にした状態で、図において白抜き矢印で表すように横方向に光が放出される。
【０１８２】
実装基板１００は、例えば、紙面奥行き方向に延びる矩形板状に形成され、その長手方向に、複数の発光装置１０が実装されている。
【０１８３】
発光モジュールの横には導光板２０１が設けられている。導光板２０１は、発光装置１０からの放出光に対して透過性を有し、例えば樹脂材料からなる。発光装置１０の光放出面は、導光板２０１の光入射面２０１ａに対向している。
【０１８４】
導光板２０１の下方には反射材１５３が設けられ、導光板２０１の上方には液晶パネル２０２が設けられている。また、発光装置１０の上方には反射材１５４が設けられている。反射材１５３及び１５４は、発光装置１０からの放出光に対する反射性を有する。
【０１８５】
発光装置１０から横方向に放出された光は、導光板２０１の光入射面２０１ａに入射する。光入射面２０１ａから導光板２０１に入射した光は、導光板２０１の面方向に広がり、液晶パネル２０２に入射する。導光板２０１から液晶パネル２０２の反対側に出射した光は、反射材１５３で反射されて液晶パネル２０２へと導かれる。
【０１８６】
ここで、図３０（ａ）は、比較例の発光モジュールを、光源として用いたバックライトの模式図である。
【０１８７】
この比較例の発光モジュールにおける発光装置３００は、いわゆるトップビュータイプである。すなわち、実装基板１００の実装面の上方に光が放出される。したがって、発光装置３００の光放出面を導光板２０１の光入射面２０１ａに対向させるには、実装基板１００を、光入射面２０１ａに対向して設けられたフレーム１５２に支持させる。
【０１８８】
このため、実装面を光入射面２０１ａに向けた姿勢で、矩形板状の実装基板１００を立てて配置することになり、導光板２０１の厚み、ひいていはバックライトユニット全体の厚みの増大をまねく。
【０１８９】
これに対して、図３０（ｂ）に示す実施形態では、実装基板１００を導光板２０１の光入射面２０１ａに向き合わせて立てなくてよいので、導光板２０１ひいてはバックライトユニット全体の薄型化を図れる。
【０１９０】
前述した蛍光体層としては、以下に例示する赤色蛍光体層、黄色蛍光体層、緑色蛍光体層、青色蛍光体層を用いることができる。
【０１９１】
赤色蛍光体層は、例えば、窒化物系蛍光体ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕやサイアロン系蛍光体を含有することができる。
【０１９２】
サイアロン系蛍光体を用いる場合、特に、
（Ｍ１−ｘ，Ｒｘ）ａ１ＡｌＳｉｂ１Ｏｃ１Ｎｄ１・・・組成式（１）
（ＭはＳｉ及びＡｌを除く少なくとも１種の金属元素であり、特に、Ｃａ若しくはＳｒの少なくとも一方が望ましい。Ｒは発光中心元素であり、特に、Ｅｕが望ましい。ｘ、ａ１、ｂ１、ｃ１、ｄ１は、次の関係を満たす。０＜ｘ≦１、０．６＜ａ１＜０．９５、２＜ｂ１＜３．９、０．２５＜ｃ１＜０．４５、４＜ｄ１＜５．７）を用いることができる。
【０１９３】
組成式（１）で表されるサイアロン系蛍光体を用いることで、波長変換効率の温度特性が向上し、大電流密度領域での効率をさらに向上させることができる。
【０１９４】
黄色蛍光体層は、例えば、シリケート系蛍光体（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ）２ＳｉＯ４：Ｅｕを含有することができる。
【０１９５】
緑色蛍光体層は、例えば、ハロ燐酸系蛍光体（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｇ）１０（ＰＯ４）６・Ｃｌ２：Ｅｕやサイアロン系蛍光体を含有することができる。
【０１９６】
サイアロン系蛍光体を用いる場合、特に、
（Ｍ１−ｘ，Ｒｘ）ａ２ＡｌＳｉｂ２Ｏｃ２Ｎｄ２・・・組成式（２）
（ＭはＳｉ及びＡｌを除く少なくとも１種の金属元素であり、特に、Ｃａ若しくはＳｒの少なくとも一方が望ましい。Ｒは発光中心元素であり、特に、Ｅｕが望ましい。ｘ、ａ２、ｂ２、ｃ２、ｄ２は、次の関係を満たす。０＜ｘ≦１、０．９３＜ａ２＜１．３、４．０＜ｂ２＜５．８、０．６＜ｃ２＜１、６＜ｄ２＜１１）を用いることができる。
【０１９７】
組成式（２）で表されるサイアロン系蛍光体を用いることで、波長変換効率の温度特性が向上し、大電流密度領域での効率をさらに向上させることができる。
【０１９８】
青色蛍光体層は、例えば、酸化物系蛍光体ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕを含有することができる。
【０１９９】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０２００】
５…基板、１０，１０ａ〜１０ｆ…発光装置、１３…発光層、１５…半導体層、１５ａ…第１の面、１６…ｐ側電極、１７…ｎ側電極、１８…絶縁層（第１の絶縁層）、１８ａ…第１のビア、１８ｂ…第２のビア、１８ｃ…配線面、２１…第１のｐ側配線層、２２…第１のｎ側配線層、２３…第２のｐ側配線層、２３ａ…ｐ側外部端子、２３ｂ…ｐ側接続部、２４…第２のｎ側配線層、２４ａ…ｎ側外部端子、２４ｂ…ｎ側接続部、２５…樹脂層（第２の絶縁層）、２７…蛍光体層、３０…第３の面、３５…絶縁層（第３の絶縁層）、５１…反射膜、５２…溝、１００…実装基板、１０１…パッド、１０３…実装面、２０１…導光板、２０２…液晶パネル、ｄ１，ｄ２…ダイシング領域
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面と、その反対側に形成された第２の面と、発光層とを含む半導体層と、
前記第２の面における前記発光層を有する領域に設けられたｐ側電極と、
前記第２の面における前記発光層を含まない領域に設けられたｎ側電極と、
前記第２の面側に設けられ、前記第ｐ側電極に通じる第１のビアと、前記ｎ側電極に通じる第２のビアとを有する第１の絶縁層と、
前記第１のビアを通じて前記ｐ側電極と電気的に接続される第１のｐ側配線層と、前記第１のｐ側配線層に電気的に接続され、前記第１の絶縁層における前記半導体層に対する反対側に形成された配線面、および前記第１の面及び前記第２の面と異なる面方位の第３の面に沿う形状に設けられ断面がＬ字状の部分を有する第２のｐ側配線層と、を有するｐ側配線層と、
前記第２のビアを通じて前記ｎ側電極と電気的に接続される第１のｎ側配線層と、前記第１のｎ側配線層に電気的に接続され、前記ｐ側配線層に対して離間して、前記配線面および前記第３の面に沿う形状に設けられ断面がＬ字状の部分を有する第２のｎ側配線層と、を有するｎ側配線層と、
前記ｐ側配線層と前記ｎ側配線層との間に設けられた第２の絶縁層と、
を備え、
前記第２のｐ側配線層の断面がＬ字状の部分は、前記第３の面で前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層から露出されたｐ側外部端子を有し、
前記第２のｎ側配線層の断面がＬ字状の部分は、前記第３の面で前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層から露出されたｎ側外部端子を有することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記断面がＬ字状の部分を有する前記第２のｐ側配線層は、当該断面においてＵ字状であり、
前記断面がＬ字状の部分を有する前記第２のｎ側配線層は、当該断面においてＵ字状であることを特徴とする請求項１記載の発光装置。
【請求項３】
前記第２のｐ側配線層のＵ字状の内側及び前記第２のｎ側配線層のＵ字状の内側に設けられた第３の絶縁層をさらに備えたことを特徴とする請求項２記載の発光装置。
【請求項４】
前記第２の絶縁層と前記第３の絶縁層とは、同じ樹脂材料であることを特徴とする請求項３記載の発光装置。
【請求項５】
前記第３の面で露出する前記ｐ側外部端子と前記ｎ側外部端子との間の距離は、前記配線面上での前記第１のｐ側配線層と前記第１のｎ側再線層との間の距離よりも大きいことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項６】
前記第１のｐ側配線層の平面サイズは、前記第２のｐ側配線層における前記第１のｐ側配線層上に設けられた部分の平面サイズよりも大きいことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項７】
前記第１のｐ側配線層は、複数の前記第１のビアを介して、前記ｐ側電極と接続されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項８】
前記第１の面上に設けられ、前記発光層からの放出光に対して透明な透明体をさらに備えたことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項９】
前記透明体は、透明樹脂と、前記透明樹脂に分散された蛍光体とを含むことを特徴とする請求項８記載の発光装置。
【請求項１０】
前記透明体の側面に設けられ、前記発光層からの放出光に対して反射性を有する反射膜をさらに備えたことを特徴とする請求項８または９に記載の発光装置。
【請求項１１】
前記反射膜は、前記第１の絶縁層の側面にも設けられたことを特徴とする請求項１０記載の発光装置。
【請求項１２】
前記第３の面は、前記第１の面に対して垂直であることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項１３】
前記第３の面は、前記第１の面に対して傾いていることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項１４】
前記発光装置は、前記第１の面に対して垂直な方向から見て、長方形状の平面形状を有し、
前記第３の面は、前記長方形状の長辺を含む面であることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項１５】
実装面にパッドを有する実装基板と、
前記ｐ側外部端子及び前記ｎ側外部端子を前記パッドに接合させて、前記実装面に実装された請求項１〜１４のいずれか１つに記載の発光装置と、
を備え、
前記第３の面を下に向けた姿勢で、前記発光装置の前記第１の面は横方向を向くことを特徴とする発光モジュール。
【請求項１６】
第１の面とその反対側に形成された第２の面と発光層とをそれぞれが含み、ダイシング領域を隔てて分断された複数の半導体層と、前記第２の面における前記発光層を有する領域に設けられたｐ側電極と、前記第２の面における前記発光層を含まない領域に設けられたｎ側電極と、前記第２の面側に設けられ、前記第ｐ側電極に通じる第１のビアと前記ｎ側電極に通じる第２のビアと、前記半導体層に対する反対側に形成された配線面とを有する第１の絶縁層と、を有する積層体の前記配線面上に、ｐ側配線層を形成する工程と、
前記ｐ側配線層に対して離間させて、前記配線面上にｎ側配線層を形成する工程と、
前記ｐ側配線層と前記ｎ側配線層との間に第２の絶縁層を形成する工程と、
前記ダイシング領域で、前記第２の絶縁層と、前記ｐ側配線層の一部と、前記ｎ側配線層の一部とを含む領域を切断し、前記第１の面及び前記第２の面と異なる面方位の第３の面に前記ｐ側配線層の一部及び前記ｎ側配線層の一部を露出させる工程と、
を備え、
前記ｐ側配線層を形成する工程は、
前記第１のビア内及び前記配線面上に、第１のｐ側配線層を形成する工程と、
前記第１のｐ側配線層上に、凹形状の第２のｐ側配線層を形成する工程と、
を有し、
前記ｎ側配線層を形成する工程は、
前記第２のビア内及び前記配線面上に、第１のｎ側配線層を形成する工程と、
前記第１のｎ側配線層上に、凹形状の第２のｎ側配線層を形成する工程と、
を有することを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項１７】
前記第２のｐ側配線層の内側および前記第２のｎ側配線層の内側に、第３の絶縁層を埋め込む工程をさらに備えたことを特徴とする請求項１６記載の発光装置の製造方法。
【請求項１８】
前記ｐ側配線層の一部及び前記ｎ側配線層の一部を、前記第３の面に沿った方向に延びる前記ダイシング領域上に張り出させて形成することを特徴とする請求項１６または１７に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１９】
前記第３の面に沿った方向に延びる前記ダイシング領域の幅方向の両側に、前記ｐ側配線層及び前記ｎ側配線層の張り出した部分が存在することを特徴とする請求項１８記載の発光装置の製造方法。
【請求項２０】
前記第２のｐ側配線層の内側および前記第２のｎ側配線層の内側に、第３の絶縁層を埋め込む工程をさらに備えたことを特徴とする請求項１９記載の発光装置の製造方法。
【請求項１】
第１の面と、その反対側に形成された第２の面と、発光層とを含む半導体層と、
前記第２の面における前記発光層を有する領域に設けられたｐ側電極と、
前記第２の面における前記発光層を含まない領域に設けられたｎ側電極と、
前記第２の面側に設けられ、前記第ｐ側電極に通じる第１のビアと、前記ｎ側電極に通じる第２のビアとを有する第１の絶縁層と、
前記第１のビアを通じて前記ｐ側電極と電気的に接続される第１のｐ側配線層と、前記第１のｐ側配線層に電気的に接続され、前記第１の絶縁層における前記半導体層に対する反対側に形成された配線面、および前記第１の面及び前記第２の面と異なる面方位の第３の面に沿う形状に設けられ断面がＬ字状の部分を有する第２のｐ側配線層と、を有するｐ側配線層と、
前記第２のビアを通じて前記ｎ側電極と電気的に接続される第１のｎ側配線層と、前記第１のｎ側配線層に電気的に接続され、前記ｐ側配線層に対して離間して、前記配線面および前記第３の面に沿う形状に設けられ断面がＬ字状の部分を有する第２のｎ側配線層と、を有するｎ側配線層と、
前記ｐ側配線層と前記ｎ側配線層との間に設けられた第２の絶縁層と、
を備え、
前記第２のｐ側配線層の断面がＬ字状の部分は、前記第３の面で前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層から露出されたｐ側外部端子を有し、
前記第２のｎ側配線層の断面がＬ字状の部分は、前記第３の面で前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層から露出されたｎ側外部端子を有することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記断面がＬ字状の部分を有する前記第２のｐ側配線層は、当該断面においてＵ字状であり、
前記断面がＬ字状の部分を有する前記第２のｎ側配線層は、当該断面においてＵ字状であることを特徴とする請求項１記載の発光装置。
【請求項３】
前記第２のｐ側配線層のＵ字状の内側及び前記第２のｎ側配線層のＵ字状の内側に設けられた第３の絶縁層をさらに備えたことを特徴とする請求項２記載の発光装置。
【請求項４】
前記第２の絶縁層と前記第３の絶縁層とは、同じ樹脂材料であることを特徴とする請求項３記載の発光装置。
【請求項５】
前記第３の面で露出する前記ｐ側外部端子と前記ｎ側外部端子との間の距離は、前記配線面上での前記第１のｐ側配線層と前記第１のｎ側再線層との間の距離よりも大きいことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項６】
前記第１のｐ側配線層の平面サイズは、前記第２のｐ側配線層における前記第１のｐ側配線層上に設けられた部分の平面サイズよりも大きいことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項７】
前記第１のｐ側配線層は、複数の前記第１のビアを介して、前記ｐ側電極と接続されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項８】
前記第１の面上に設けられ、前記発光層からの放出光に対して透明な透明体をさらに備えたことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項９】
前記透明体は、透明樹脂と、前記透明樹脂に分散された蛍光体とを含むことを特徴とする請求項８記載の発光装置。
【請求項１０】
前記透明体の側面に設けられ、前記発光層からの放出光に対して反射性を有する反射膜をさらに備えたことを特徴とする請求項８または９に記載の発光装置。
【請求項１１】
前記反射膜は、前記第１の絶縁層の側面にも設けられたことを特徴とする請求項１０記載の発光装置。
【請求項１２】
前記第３の面は、前記第１の面に対して垂直であることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項１３】
前記第３の面は、前記第１の面に対して傾いていることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項１４】
前記発光装置は、前記第１の面に対して垂直な方向から見て、長方形状の平面形状を有し、
前記第３の面は、前記長方形状の長辺を含む面であることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項１５】
実装面にパッドを有する実装基板と、
前記ｐ側外部端子及び前記ｎ側外部端子を前記パッドに接合させて、前記実装面に実装された請求項１〜１４のいずれか１つに記載の発光装置と、
を備え、
前記第３の面を下に向けた姿勢で、前記発光装置の前記第１の面は横方向を向くことを特徴とする発光モジュール。
【請求項１６】
第１の面とその反対側に形成された第２の面と発光層とをそれぞれが含み、ダイシング領域を隔てて分断された複数の半導体層と、前記第２の面における前記発光層を有する領域に設けられたｐ側電極と、前記第２の面における前記発光層を含まない領域に設けられたｎ側電極と、前記第２の面側に設けられ、前記第ｐ側電極に通じる第１のビアと前記ｎ側電極に通じる第２のビアと、前記半導体層に対する反対側に形成された配線面とを有する第１の絶縁層と、を有する積層体の前記配線面上に、ｐ側配線層を形成する工程と、
前記ｐ側配線層に対して離間させて、前記配線面上にｎ側配線層を形成する工程と、
前記ｐ側配線層と前記ｎ側配線層との間に第２の絶縁層を形成する工程と、
前記ダイシング領域で、前記第２の絶縁層と、前記ｐ側配線層の一部と、前記ｎ側配線層の一部とを含む領域を切断し、前記第１の面及び前記第２の面と異なる面方位の第３の面に前記ｐ側配線層の一部及び前記ｎ側配線層の一部を露出させる工程と、
を備え、
前記ｐ側配線層を形成する工程は、
前記第１のビア内及び前記配線面上に、第１のｐ側配線層を形成する工程と、
前記第１のｐ側配線層上に、凹形状の第２のｐ側配線層を形成する工程と、
を有し、
前記ｎ側配線層を形成する工程は、
前記第２のビア内及び前記配線面上に、第１のｎ側配線層を形成する工程と、
前記第１のｎ側配線層上に、凹形状の第２のｎ側配線層を形成する工程と、
を有することを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項１７】
前記第２のｐ側配線層の内側および前記第２のｎ側配線層の内側に、第３の絶縁層を埋め込む工程をさらに備えたことを特徴とする請求項１６記載の発光装置の製造方法。
【請求項１８】
前記ｐ側配線層の一部及び前記ｎ側配線層の一部を、前記第３の面に沿った方向に延びる前記ダイシング領域上に張り出させて形成することを特徴とする請求項１６または１７に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１９】
前記第３の面に沿った方向に延びる前記ダイシング領域の幅方向の両側に、前記ｐ側配線層及び前記ｎ側配線層の張り出した部分が存在することを特徴とする請求項１８記載の発光装置の製造方法。
【請求項２０】
前記第２のｐ側配線層の内側および前記第２のｎ側配線層の内側に、第３の絶縁層を埋め込む工程をさらに備えたことを特徴とする請求項１９記載の発光装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図１８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図１８】
【公開番号】特開２０１２−２０４６１４（Ｐ２０１２−２０４６１４Ａ）
【公開日】平成２４年１０月２２日（２０１２．１０．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−６７９０６（Ｐ２０１１−６７９０６）
【出願日】平成２３年３月２５日（２０１１．３．２５）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１０月２２日（２０１２．１０．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年３月２５日（２０１１．３．２５）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
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