【課題】発光波長に応じて発光層の障壁層のＡｌ組成比を最適化して、発光効率を向上させること。
【解決手段】ＩｎＧａＮからなる井戸層、ＡｌＧａＮからなる障壁層、が順に繰り返し形成されたＭＱＷ構造の発光層を形成するに当たり、障壁層１３１のＡｌ組成比をｘ（％）、障壁層１３１のバンドギャップエネルギーと井戸層１３０のバンドギャップエネルギーとの差をｙ（ｅＶ）として、１２．９≦−２．８ｘ＋１００ｙ≦３７、かつ、０．６５≦ｙ≦０．８６、の範囲を満たすように井戸層１３０と障壁層１３１を形成する。あるいは、障壁層１３１のＡｌ組成比をｘ（％）、井戸層１３０のＩｎ組成比をｚ（％）として、１６２．９≦７．１ｘ＋１０ｚ≦２１６．１、かつ、３．１≦ｚ≦９．２、の範囲を満たすように形成する。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率の高い半導体発光素子を実現する。
【解決手段】一つの実施形態によれば、半導体発光素子は、基板、導電性反射膜、活性領域、第１電極、透明導電膜、及び第２電極が設けられる。導電性反射膜は基板上に設けられる。活性領域は、第１導電型透明電極、第１導電型コンタクト層、発光層、第２導電型コンタクト層、及び第２導電型透明電極が導電性反射膜上に積層形成される。第１電極は活性領域と離間し、導電性反射膜上に設けられる。透明導電膜は、一端が第２導電型透明電極上部を覆うように設けられ、他端が絶縁膜を介して記導電性反射膜上に設けられ、活性領域の側面とは絶縁膜を介して接する。第２電極は、透明導電膜の他端上に設けられる。 （もっと読む）

【課題】赤色光、青色光および緑色光を発光する発光装置の小型化を可能にできるIII族窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体発光素子１０は、第１〜第３の面１１ｃ〜１１ｅ、及び裏面１１ｂを有する窒化ガリウム支持基体１１と、第１及び第２の面１１ｃ、１１ｄ上にそれぞれ設けられた第１及び第２のIII族窒化物半導体積層部１２、１３と、第３の面１１ｅ上に設けられた第３のIII族窒化物半導体積層部１４とを備える。第１及び第２のIII族窒化物半導体積層部１２，１３は、緑色光を発生する組成比のインジウムを含む活性層１２ｂ、１３ｂを有する。第３のIII族窒化物半導体積層部１４は、青色光を発生する組成比のインジウムを含む活性層１４ｂを有する。 （もっと読む）

【課題】III 族窒化物半導体発光素子において、光取り出し効率を向上させること。
【解決手段】発光層１４上に、ＭＯＣＶＤ法によってｐ−ＡｌＧａＮからなるｐクラッド層１５を形成する。圧力３０ｋＰａ、Ｍｇ濃度は１．５×１０²⁰／ｃｍ³ とする。これにより、III 族元素極性の結晶に窒素極性の領域が多数生じ、ｐクラッド層１５の表面は六角柱状の凹凸形状となる。次に、ｐクラッド層１５上に、ＭＯＣＶＤ法によって凹凸形状に沿って膜状にＧａＮからなるｐコンタクト層１６を形成する。 （もっと読む）

【課題】成長用基板の剥離の際の半導体層の損傷を抑制した半導体発光素子の製造方法及び半導体発光素子用ウェーハを提供する。
【解決手段】実施形態によれば、凹凸が設けられた主面を有する第１基板の主面上に、発光層を含む窒化物半導体層を形成する工程と、窒化物半導体層と第２基板とを接合する工程と、第１基板を介して窒化物半導体層に光を照射して第１基板を窒化物半導体層から分離する工程と、を含む半導体発光素子の製造方法が提供される。窒化物半導体層を形成する工程は、凹凸の凹部の内壁面上に窒化物半導体層の少なくとも一部と同じ材料を含む薄膜を形成しつつ、凹部の内側の空間内に空洞を残すことを含む。分離する工程は、薄膜に光の少なくとも一部を吸収させて、窒化物半導体層のうちで凹部に対向する部分に照射される光の強度を、窒化物半導体層のうちで凹凸の凸部に対向する部分に照射される光の強度よりも低くすることを含む。 （もっと読む）

【課題】 電極と半導体層の接触抵抗を下げることで電極を小型化した場合であっても消費電力の増加が抑制された半導体素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 ｐ型の導電型を有する半導体層に隣接して金属層が設けられた構造を有する半導体素子であって、前記金属層は、前記半導体層に隣接し、Ｓｂ、Ｉｎ、Ｚｎ及びＰｄのうち少なくとも一つの金属を含む第一金属層と、該第一金属層に隣接し、少なくともＢｅ及びＡｕを含む第二金属層と、を有するものであることを特徴とする半導体素子。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子において、インジウム組成の大小に対応したピーク波長が異なる複数の光を得る。
【解決手段】ｐｎ接合型のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子であって、第１の導電型を有する第１の半導体層、発光層及び第１の導電型とは逆の導電性を示す第２の半導体層が積層された積層半導体層を備え、積層半導体層の発光層は、発光層からの発光の取り出し方向と反対側に配置され第１のインジウム組成を有する第１の窒化ガリウム・インジウム層と、第１の窒化ガリウム・インジウム層より発光の取り出し方向側に配置され第１のインジウム組成より小さい組成の第２のインジウム組成を有する第２の窒化ガリウム・インジウム層と、第１の窒化ガリウム・インジウム層と第２の窒化ガリウム・インジウム層との間に設けられ、第１の窒化ガリウム・インジウム層及び第２の窒化ガリウム・インジウム層を構成する材料より格子定数が小さい材料からなる中間層と、を含む。 （もっと読む）

【課題】順方向電圧の上昇を抑制し、且つ光取り出し効率を向上させたフリップチップ実装半導体発光素子を提供する。
【解決手段】第１の導電型を有する第１の半導体層、発光層及び第２の導電型を有する第２の半導体層１６０が積層された積層半導体層と、第１の半導体層と接続する第１の電極と、第２の半導体層の表面に設けた第２の電極１７０と、を備え、第２の電極は、他の部分より膜厚が大きい複数の膜厚部を有し、光透過性を示す透明導電層１７１と、透明導電層上に積層され第１の屈折率を有し光透過性を示す第１の絶縁層と、第１の屈折率より高い第２の屈折率を有し光透過性を示す第２の絶縁層とを交互に積層して構成された多層絶縁層１７２と、多層絶縁層上に積層され導電性を有する金属反射層１７３ａと、多層絶縁層を通して設けられ一端が透明導電層の膜厚部に電気的に接続され他端が金属反射層と電気的に接続される導体部１７６と、を含む。 （もっと読む）

【課題】光出力が高く且つ干渉ノイズが低い光を、効率よく照射することができる光照射装置を実現できるようにする。
【解決手段】光照射装置は、光軸の方向が互いに略同一な複数の光線束を出射する発光装置１０１と、複数の光線束をそれぞれ平行光線束に変換するコリメート部１０２と、平行光線束を集光する集光部１０３とを備えている。発光装置１０１は、基板の上に複数の導波路が形成された、スーパールミネッセントダイオードアレイ１１１を含む。複数の導波路のそれぞれは、光線束を出射する光出射位置を含む出射端面を有し、光出射位置は一の平面１７６内に位置し、一の平面１７６はコリメート部１０２の光軸の方向と直交する。 （もっと読む）

【課題】発光装置における歩留まりの向上および故障率の低減を図る。
【解決手段】発光ダイオード素子１２とヒューズ１３が直列に接続された複数のヒューズ付き発光ダイオード素子１４を、並列に接続して並列構成単位１５を形成する。そして、１つの並列構成単位１５で、あるいは、複数の並列構成単位１５を直列に接続して、発光ダイオード素子回路１６を形成する。そのため、発光ダイオード素子１２の何れかが短絡不良を起こしても、短絡不良を起こした発光ダイオード素子１２に接続されたヒューズ１３が断線して過電流を遮断することができる。その結果、短絡不良を起こした発光ダイオード素子１２以外の発光ダイオード素子１２は引続き発光することができ、発光装置１１は引続き動作することができる。したがって、発光装置１１の歩留りの向上および故障率の低減を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】基板の側面からの光取り出し効率を向上させた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体発光素子１０では、基板１１は対向する第１および第２の面１１ａ、１１ｂと、第１および第２の面１１ａ、１１ｂに略直交する側面１１ｃを有している。基板１１の側面１１ｃには、第１の面１１ａから第１の距離Ｌｏ１だけ離間した位置から第２の面１１ｂ側に向かって、第１の粗さＲ１と第１の幅ａを有する第１の領域１２と、第１の粗さＲ１より小さい第２の粗Ｒ２さと第１の幅ａより小さい第２の幅ｂを有する第２の領域１３が交互に形成されている。第１の領域１２の繰り返しピッチは、一定である。基板１１の第１の面１１ａ上に、第１導電型の第１半導体層と、活性層と、第２導電型の第２半導体層が順に積層された半導体積層体１５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】同一の発光ピーク波長をもつ２層の発光層を有する半導体発光素子であって、高い最大電流値および発光出力を低い順方向電圧で得ることが可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光素子は、支持基板１０２の上面側に、中間電極１０４、下側第１導電型半導体層１０６、第１発光層１０８、第２導電型半導体層１１０、第１発光層１０８と同一の発光波長を有する第２発光層１１２、上側第１導電型半導体層１１４および上側電極１１６を順次具え、支持基板１０２の下面側に設けられる下側電極１１８と、上側第１導電型半導体層１１４および第２発光層１１２を貫通する凹部１２０に設けられ、第２導電型半導体層１１０と電気的に接続する基準電極１２２と、を有し、第１発光層１０８の電流が流れる有効領域１０８ａを規制する絶縁部１２６を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体層を積層して形成された同一層構成の積層面に、発光素子と受光素子とが配設された半導体光集積素子を構成するに当たり、発光素子の動作時には動作電流の増大による発熱や余計な発光を抑えることができ、受光素子の動作時には光の吸収効率を高くする半導体光集積素子を提供する。
【解決手段】基板上に第１の導電型の第１のクラッド層、活性層、及び、第２の導電型の第２のクラッド層を少なくとも含んで積層されてなる発光素子、及び、受光素子が、同一基板上の面内に配置されて成る半導体光集積素子において、
活性層は、導電型の第２の活性領域と、アンドープの第１の活性領域とが積層された構造を備え、
第２の活性領域が、第２の活性領域に対し最も近い位置に積層されている第１もしくは第２のクラッド層と同じ導電型とされている。 （もっと読む）

【課題】任意の基板上に形成でき良好な結晶性を有する窒化物半導体素子、窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体層の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１層と、機能層と、を備えた窒化物半導体素子が提供される。前記第１層は、非晶質層の上に形成され、窒化アルミニウムを含み、圧縮歪または引張歪を有する。前記機能層は、前記第１層の上に形成され、窒化物半導体を含む。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率および輝度が高められた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、III-V族化合物半導体からなる発光層と、反射金属層を有する第１電極と、開口部を有する絶縁層と、第１導電形層と、第２導電形層と、第２電極と、を有する。前記第１導電形層は、前記第１電極の上であり前記発光層の下に設けられ、前記発光層のバンドギャップエネルギーよりも大きなバンドギャップエネルギーを有するIII-V族化合物半導体からなる。第１導電形層は、第１コンタクト層、組成傾斜層、第１クラッド層を含む。前記第２導電形層は、前記発光層と前記第２電極との間に設けられ、電流拡散層および第２コンタクト層を有する。前記第２電極は、パッド部と、前記パッド部から外方に向かい前記第２コンタクト層の上に延在する細線部、とを有する。上方からみて、前記絶縁膜の前記開口部と、前記第２コンタクト層とは、重ならない。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤダイ底面にマザー基板との接続電極を備えるＬＥＤ素子では、ゴミやバリなどに対する実装制限を緩和するため接続電極を突起させることが好ましい。このＬＥＤ素子を簡単に効率よく製造できるようにする。
【解決手段】突起電極１２，１３を備えるＬＥＤダイ１６と粘着シート３１を準備し、この粘着シート３１の粘着層３１ａにＬＥＤダイ１６の底面が接触するように突起電極１２，１３を沈み込ませながら、粘着シート３１上にＬＥＤダイを配列し、粘着シート３１とともにＬＥＤダイ１６を蛍光体層で覆ってから蛍光体層１１を切断し、個片化したＬＥＤ素子１０を得る。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に形成される、低転位密度で結晶品質が優れた窒化物半導体素子、窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体層の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、下地層と、機能層と、を備えた窒化物半導体層が提供される。下地層は、シリコン基板の上に形成されたＡｌ含有窒化物半導体層の上に形成され、不純物濃度が低く、ＧａＮを含む。機能層は、下地層の上に設けられる。機能層は、下地層の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有し第１導電形のＧａＮを含む第１半導体層を含む。Ａｌ含有窒化物半導体層は、多層構造体を含む。多層構造体は、Ａｌを含む窒化物半導体を含む複数の第２層と、複数の第２層の間に設けられ第２層におけるＡｌ組成比よりも低いＡｌ組成比を有する窒化物半導体を含む第１層と、を含む。下地層の厚さは、第１層の厚さよりも厚く、第１半導体層の厚さよりも薄い。 （もっと読む）

【課題】長時間使用した場合であっても特性の劣化を抑制できる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１では、量子井戸層の総膜厚を臨界膜厚よりも大きい範囲とし、かつ量子井戸層の格子不整合を１．０％以上２．５％未満としている。これにより、半導体発光素子１の結晶内部（量子井戸層よりも上層部分）に所定の密度でミスフィット転位が発生し、このミスフィット転位が結晶内部に蓄積された歪みエネルギーを緩和するように作用する。したがって、この半導体発光素子１では、比較的大きな印加電流を長時間通電させた場合であっても結晶内部に状態変化が生じることを抑制でき、特性の劣化を抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体発光デバイスが破損されることなくエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）を観察できるエレクトロルミネッセンスの観察方法を提供する。
【解決手段】半導体発光デバイス１の第２の電極３２の一部及び基板１０の一部を研磨して、半導体発光デバイス１に研磨面１１を形成する。研磨面１１を形成した後に、第１の電極３１が接触面４０ａに接するように、半導体発光デバイス１ａを支持体４０の上に載置する。プローブ４３を第２の電極３２ａに押し付け、プローブ４３と変形した支持体４０とにより半導体発光デバイス１ａを挟んで、半導体発光デバイス１ａを保持する。第１の電極３１と第２の電極３２との間の印加電流に応答するエレクトロルミネッセンスを半導体発光デバイス１ａに発生させる。研磨面１１を介して該エレクトロルミネッセンスを観察する。 （もっと読む）

【課題】成長用基板に形成された窒化物半導体層を容易に剥離できる窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体発光素子の製造方法では、第１のサイズｄ１を有する第１基板３１に窒化物半導体層１１を形成する。窒化物半導体層１１上に第１のサイズｄ１より小さい第２のサイズｄ２を有する第１接着層１２ａを形成し、第２基板３２上に第２接着層１２ｂ形成する。第１および第２接着層１２ａ、１２ｂを重ね合わせ、第１および第２基板３１、３２を張り合わせる。第２のサイズｄ２より大きいまたは等しい第３のサイズｄ３を有する凹部３１ａを生じるように第１基板３１を除去する。凹部３１ａに薬液を注入し、窒化物半導体層１１が露出するまで第１基板３１をエッチングする。薬液で、露出した窒化物半導体層１１を更にエッチングし、窒化物半導体層１１の露出面を粗面化する。 （もっと読む）