【課題】光透過率が高く、かつ電極との接触抵抗が低いβ−Ｇａ_２Ｏ_３系基板、そのβ−Ｇａ_２Ｏ_３系基板を含むＬＥＤ素子、及びＬＥＤ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ドナー含有β−Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶からなる低ドナー濃度層２ａと、低ドナー濃度層２ａ上に積層された、ドナー含有β−Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶からなる、第１電極３を接続するための高ドナー濃度層２ｂとを含むβ−Ｇａ_２Ｏ_３系基板２を提供する。高ドナー濃度層２ｂは、厚さが１μｍ以下であり、低ドナー濃度層２ａよりも薄く、低ドナー濃度層２ａよりもドナー濃度が高い。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率が良好で、パッド電極が剥がれにくく、さらに反射層とそれを挟む層との間の密着性を考慮せずに高い反射性を有する材料からなる反射層を選択できる半導体発光素子およびこれを用いたランプを提供する。
【解決手段】ｎ型半導体層１２と発光層１３とｐ型半導体層１４とがこの順に積層された半導体層１０と、ｐ型半導体層１４上に形成された第１透明導電層１５ａと、第１透明導電層１５ａ上に部分的に形成された金属反射層２ａと、金属反射層２ａ上を覆うように形成された第２透明導電層１５ｂと、金属反射層２ａと平面視で重なる位置の第２透明導電層１５ｂ上に形成された正極１７とを備え、第１透明導電層１５ａおよび第２透明導電層１５ｂが、Ｉｎ_２Ｏ_３を８０質量％以上含む半導体発光素子１とする。 （もっと読む）

【課題】素子作製時の裏面チッピングを抑制する。
【解決手段】半導体発光素子用ウエハを切削して素子化する半導体発光素子の製造方法において、前記半導体発光素子用ウエハは、半導体積層部と、前記半導体積層部の第一主面側に設けられる第一電極と、前記半導体積層部の第二主面側に設けられる金属層と、前記金属層の前記半導体積層部とは反対側に設けられる支持基板と、前記支持基板の前記金属層とは反対側に設けられる第二電極とを備え、前記半導体発光素子用ウエハの切削は、前記半導体発光素子用ウエハの第一方向及び該第一方向と直交する第二方向の複数の切削ラインに沿って、前記半導体発光素子用ウエハを前記支持基板の途中の深さまで切削して前記半導体発光素子用ウエハに格子状のハーフカット溝を形成する第一切削工程と、前記支持基板を完全に切断し溝の深さが前記半導体発光素子用ウエハに貼り付けたダイシングシートにまで達するように前記ハーフカット溝を更に切削する第二切削工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】高輝度化に適した半導体発光素子を提供する。
【解決手段】発光ダイオード５０は、基板１と、基板１上に結晶成長によって形成された半導体積層構造２と、半導体積層構造２の表面に形成された透明電極膜３とを含む。半導体積層構造２は、ｐ型クラッド層１５に対して活性層１０とは反対側に配置されたｐ型ＧａＰウインドウ層１７と、ｐ型ＧａＰウインドウ層１７におけるｐ型クラッド層１５とは反対側に形成されたｐ型コンタクト層１８とを含む。ｐ型コンタクト層１８は、炭素がドープされたＧａＰからなる。 （もっと読む）

【課題】発光部が発光した光のうちのより多くの光を、基板の法線方向に放射させることができる自発光ディスプレイを提供する。
【解決手段】複数の柱状の発光部１０４を基板１０１上に互いに間隔をおいた状態で配置する。各発光部１０４が、第１導電型の半導体１０７と、第２導電型の半導体１０８とを有するようにする。発光部１０４の屈折率よりも低い屈折率を有する低屈折率体１０６を、各発光部１０４の側壁に接触するように配置する。 （もっと読む）

【課題】転位密度の低減を図ることができる半導体発光素子、及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、基板と、前記基板の第１の主面の側に設けられた第１の半導体層と、前記第１の半導体層の上に設けられた発光層と、前記発光層の上に設けられた第２の半導体層と、を備えている。そして、前記基板の第１の主面には、頂部に凹部を有する突起部が複数設けられている。 （もっと読む）

【課題】欠陥修復後に新たな短絡が発生するのを防止し得る半導体素子の修復方法を提供する。
【解決手段】欠陥を検出する欠陥検出工程と、欠陥の上面に位置する透明導電膜８、ｐ型窒化ガリウム（ｐ−ＧａＮ）層５、活性化層４及びびｎ型窒化ガリウム（ｎ−ＧａＮ）層３を上側から除去加工する除去加工工程とを含む。除去加工工程においては、透明導電膜８の残渣Ｒの垂下長さＬがｐ型窒化ガリウム（ｐ−ＧａＮ）層５と活性化層４との合計膜厚Ｈよりも短くなるように透明導電膜８が除去加工される。 （もっと読む）

【課題】凸パターンを覆うｎ型窒化物半導体層を良好に形成できながら、外部量子効率を向上させることができる発光素子およびこれを含む発光素子ユニットを提供すること
【解決手段】基板２の表面３に互いに第１ピッチｐ_１を空けて離散して配置された複数の凸部１９の集合体からなる凸パターン２０において、凸部１９は、互いに第１ピッチｐ_１よりも小さい第２ピッチｐ_２を空けて当該凸部１９の頂部に離散して形成された複数の微細凸部３５の集合体からなる微細凸パターン３６と、当該微細凸パターン３６を支持するベース部３７とを含む。 （もっと読む）

【課題】 発光輝度分布の発生を抑制する。
【解決手段】 基板上に複数の半導体発光素子が形成された半導体発光素子アレイであって、前記複数の半導体発光素子のそれぞれが、前記基板上に形成された電極層と、前記電極層上に形成され、前記電極層に電気的に接続されたｐ型半導体層と、前記ｐ型半導体層上に形成された活性層と、前記活性層上に形成されたｎ型半導体層とを有する半導体発光層と、前記半導体発光層の一辺に沿って、該一辺と平行に形成された第１配線層と、前記第１配線層から前記半導体発光層にかけて延在し、前記半導体発光層の表面において、前記ｎ型半導体層と電気的に接続される複数の第２配線層とを有し、前記複数の第２配線層のうち、前記半導体発光層の他の前記半導体発光素子間との端部近傍に形成される第２配線層の前記半導体発光層への電流注入量が、前記半導体発光層の中心部近傍に形成される第２配線層の前記半導体発光層への電流注入量よりも高い半導体発光素子アレイが提供される。 （もっと読む）

【課題】欠陥が生じていない部分にダメージを与えることなく、半導体素子の欠陥を修復する。
【解決手段】本発明に係る半導体素子１０の修復方法においては、検出した欠陥部２５上に形成されたレジスト膜１８を除去するようにレジスト膜１８をパターニングし、当該レジスト膜１８をマスクにして半導体層をエッチングすることによって、欠陥部２５を取り除く。 （もっと読む）

【課題】安全性及び信頼性を高めた発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子は、基板１００と、基板のＲ面上に配置され、岩塩構造（Ｒｏｃｋ Ｓａｌｔ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）を有する窒化物を含むバッファー層２１０と、バッファー層上に配置され、ａ面に成長した発光構造物１２０とを備える。バッファー層２１０は、ＬａＮ、ＴｈＮ、ＰｒＮ、ＮｄＮまたはＳｍＮの少なくとも一つを含んで形成され、基板１００と発光構造物１２０との格子不整合及び熱膨張係数の差を緩和する。 （もっと読む）

【課題】基板の裏面側に備える反射メタルにより高い反射率で光を反射させて光取り出し効率を向上させることができ、しかもその反射メタルと基板との密着性に優れる、フェイスアップタイプの発光素子およびこれを含む発光素子パッケージを提供すること。
【解決手段】フェイスアップ姿勢で用いられる発光素子１であって、基板２と、基板２の表面３に順に積層されたｎ型ＧａＮ層６、発光層７およびｐ型ＧａＮ層８を有する窒化物半導体積層構造部９と、基板２の裏面４に形成された透明接着層１０と、ＡｇとＰｔ族金属とＣｕとを含む合金からなり、透明接着層１０に接触した状態で透明接着層１０の裏面に形成された反射メタル１１と、反射メタル１１の裏面に形成された接合メタル１３とを含む。 （もっと読む）

【課題】ｐクラッド層の特性悪化を防止すること。
【解決手段】発光層１４上に、８００〜９５０℃でＭｇドープＡｌＧａＩｎＮからなるｐクラッド層１５を形成した（図２（ｂ））。次に、ｐクラッド層１５上に、ｐクラッド層１５形成時と同じ温度でノンドープＧａＮからなる厚さ５〜１００Åのキャップ層１６を形成した（図２（ｃ））。キャップ層１６にはＭｇ濃度５×１０¹⁹／ｃｍ³ 以下の範囲でＭｇをドープしてもよい。次に、温度を次工程のｐコンタクト層１７の成長温度まで昇温した。この昇温時において、キャップ層１６が形成されているため、ｐクラッド層１５表面が露出しておらず、Ｍｇの過剰ドープや不純物の混入が抑制される。そのため、ｐクラッド層１５の特性悪化が防止される。次に、キャップ層１６上に９５０〜１１００℃でｐコンタクト層１７を形成した（図２（ｄ））。 （もっと読む）

【課題】 発光輝度分布の発生を抑制する。
【解決手段】 第１の方向に長い基板上に複数の半導体発光素子が形成された半導体発光素子アレイであって、前記複数の半導体発光素子のそれぞれが、前記基板上に形成された電極層と、前記電極層上に形成され、前記電極層に電気的に接続されたｐ型半導体層と、前記ｐ型半導体層上に形成された活性層と、前記活性層上に形成されたｎ型半導体層とを有する半導体発光層と、前記半導体発光層の一辺に沿って、該一辺と平行に形成された第１配線層と、前記第１配線層から前記半導体発光層にかけて延在し、前記半導体発光層の表面において、前記ｎ型半導体層と電気的に接続される複数の第２配線層とを有し、前記半導体発光層の平面形状が、前記第１の方向に平行な上辺及び下辺と、該上辺及び下辺に垂直な線に対して傾斜する部分を含む２つの短辺を有する形状であり、前記斜辺の頂点から垂直に引いた直線が隣接する半導体発光素子の下辺と交差する形状である半導体発光素子アレイが提供される。 （もっと読む）

【課題】
電極の周囲で保護膜のみを透過する光と、さらにその外周で層間絶縁膜と保護膜とを透過する光が存在する場合でも、光の干渉が比較的起こりにくく発光効率が比較的高い光学素子および光学素子アレイを提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明に係る光学素子は、半導体層部の上面のうち第２の絶縁膜に被覆された第１領域を介して出射される発光層からの光の位相と、半導体層部の上面のうち第１の絶縁膜および第２の絶縁膜に被覆された第２領域を介して出射される発光層からの光の位相とが、第２領域の表面を含む仮想平面で同位相となっている。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハの割断による発光素子への悪影響を低減する発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｃ面を主面とするサファイア基板上に窒化物半導体を積層して複数個の矩形状の発光素子部２を縦横方向に整列配置し、横分割領域５の幅が縦分割領域４の幅よりも狭く、発光素子部２のｎ側電極２１が縦分割領域４側の少なくとも一方側に配置された半導体ウエハ１００を、割断起点４２をサファイア基板の裏面側に設け、分割して発光素子とする発光素子の製造方法であって、半導体ウエハ１００を準備するウエハ準備工程と半導体ウエハ１００を分割するウエハ分割工程とを含み、ウエハ分割工程において、縦分割領域４では、縦分割領域４の幅方向の中央線４１から幅方向の一方側に所定の距離をシフトした線位置を割断起点４２とし、サファイア基板１の内部に、主面に垂直で割断起点４２に沿って延伸する帯状の内部割断溝を形成して分割する。 （もっと読む）

【課題】低光吸収率の透明導電膜を安定的に成膜できることで、高い品質が確保できる発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子は、透光性基板１１に、ｎ型半導体層１２１、発光層１２２およびｐ型半導体層１２３が積層された半導体層１２と、半導体層１２に積層され、金属酸化物からなる成膜材料により成膜された透明導電膜１３と、透明導電膜１３に積層された反射部１４とを備えている。この透明導電膜を成膜する際には、半導体層に透明導電膜の原膜をスパッタにより成膜するスパッタ工程と、原膜を酸素含有雰囲気ガスによりアニールする第１アニール工程と、酸素非含有雰囲気ガスによりアニールする第２アニール工程との２段階アニールを行う。第１アニール工程または第２アニール工程では、雰囲気温度が６００℃より高く、６８０℃より低くなるような範囲で行う。 （もっと読む）

【課題】サファイア単結晶を基板とする半導体発光チップの半導体発光素子に生じ得る欠けを抑制する。
【解決手段】表面がサファイア単結晶のＣ面で構成されたサファイア基板の表面に、表面およびサファイア単結晶のＭ面に沿った第１方向に向かう第１溝部と、表面に沿うとともに第１方向と交差する第２方向に向かい且つ第１溝部の幅よりも幅が狭い第２溝部とを備える半導体層を形成し、半導体層が形成されたサファイア基板に対し、サファイア基板の裏面側からレーザ光を照射することで、サファイア基板の内部に、第１方向に向かうとともに第１溝部と重なる第１改質領域と、第２方向に向かうとともに第２溝部と重なる第２改質領域とを形成し、第１改質領域および第２改質領域が形成されたサファイア基板を、第１改質領域および第２改質領域を用いて分割し、半導体発光チップを得る。 （もっと読む）

【課題】薄型の発光装置を実現することができる半導体発光素子及び該半導体発光素子を備える発光装置を提供する。
【解決手段】第１の電極５１は、抵抗層（Ｒ１）を介して１組の半導体発光層（ＬＥＤ１、ＬＥＤ２）の相互に接続されたｎ型半導体層及びｐ型半導体層の一方に接続してある。また、第２の電極５２は、抵抗層（Ｒ４）を介して当該１組の半導体発光層（ＬＥＤ１、ＬＥＤ２）の相互に接続されたｎ型半導体層及びｐ型半導体層の他方に接続してある。また、第１の電極５１は、抵抗層（Ｒ２）を介して１組の半導体発光層（ＬＥＤ３、ＬＥＤ４）の相互に接続されたｎ型半導体層及びｐ型半導体層の一方に接続してある。また、第２の電極５２は、抵抗層（Ｒ３）を介して当該１組の半導体発光層（ＬＥＤ３、ＬＥＤ４）の相互に接続されたｎ型半導体層及びｐ型半導体層の他方に接続してある。 （もっと読む）

【課題】ｎ側メタル電極の延伸部を通してｎ型導電層に流れる電流を増加させたＧａＮ系ＬＥＤ素子を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系ＬＥＤ素子は、複数のＧａＮ系半導体層を含む半導体積層体を有し、該複数のＧａＮ系半導体には、上面および底面を有するｐ型導電層と、該ｐ型導電層の底面側に配置された活性層と、該ｐ型導電層とで該活性層を挟むように配置されたｎ型導電層とが含まれる。該ｐ型導電層の上面にはｐ側電極およびｎ側メタル電極が互いに重ならないように設けられ、該ｐ側電極は透光性を有する部分を有し、該ｎ側メタル電極は接続部および該接続部から延びる延伸部を有し、該半導体積層体には該ｐ型導電層の上面に開口しその底部に該ｎ型導電層が露出する穴が設けられ、少なくとも該延伸部の一部が該穴を通して該ｎ型導電層に接することにより該ｎ側メタル電極と該ｎ型導電層とが電気的に接続されている。 （もっと読む）