ＬＥＤのような半導体装置内の電流を制御する技術が提供される。実施例によっては、隣接する高抵抗コンタクト領域と低抵抗コンタクト領域とを含んだ電流誘導構造が提供される。実施例によっては、ｎ型コンタクトと金属基材との間の電流経路に加えて、第２電流経路が提供される。実施例によっては、電流誘導構造と第２電流経路の両方が提供される。 （もっと読む）

発光ダイオードを製造するシステムおよび方法は、多層エピタキシャル構造体をキャリア基板上に形成するステップと、少なくとも１層の金属層をその多層エピタキシャル構造体上に堆積するステップと、そのキャリア基板を除去するステップとを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 １つの発光素子で複数波長の光を発することができ、且つ各発光層が互いに電気的に独立に制御可能に入出力電極が設けられていることにより各発光層の輝度を自由に調整できる発光素子及び発光装置を得ること。
【解決手段】 発光素子は、第１の発光層４を含む第１の半導体層１４と、第２の発光層１０を含む第２の半導体層１５とが導電層８を介して積層され、第１及び第２の半導体層１４，１５はそれぞれ、第１導電型窒化ガリウム系化合物半導体層３，９と、窒化ガリウム系化合物半導体からなる発光層４，１０と、第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層５，１１とが順次形成されており、導電層８は第１の半導体層１４の第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層５に対して非オーミック接触であり、第２の半導体層１５の第１導電型窒化ガリウム系化合物半導体層９に対してオーミック接触である。 （もっと読む）

【課題】酸化チタンにニオブ等を添加し、導電性が良い範囲において屈折率を調整する。
【解決手段】III族窒化物系化合物半導体発光素子１００は、サファイア基板１０、図示しない窒化アルミニウム（ＡｌＮ）から成るバッファ層、ｎコンタクト層１１、ｎクラッド層１２、発光波長４７０ｎｍの多重量子井戸層１３、ｐクラッド層１４、ｐコンタクト層１５が形成されている。酸化ニオブチタンから成る、凹凸２０ｓを有する透光性電極２０が、ｎコンタクト層１１上には電極３０が形成されている。電極２０上の一部には、電極パッド２５が形成されている。透光性電極２０は、酸化チタンに３％のニオブを添加して形成したので、波長４７０ｎｍに対する屈折率がｐコンタクト層１５とほぼ同等となり、ｐコンタクト層１５と透光性電極２０との界面での全反射がほぼ回避できる。また、凹凸２０ｓにより、光取り出し率が３０％向上した。 （もっと読む）

【課題】 半導体発光素子の端面から出射する光を効率的に反射させ、発光装置の光取り出し効率を向上させる。
【解決手段】 透光性基板上に第１導電型の第１半導体層と第２導電型の第２半導体層とが順に設けられ、第１半導体層の露出部に第１電極、第２半導体層に第２電極がそれぞれ設けられた半導体発光素子と、半導体発光素子が載置される支持基板と、を備える発光装置であって、半導体発光素子は、平面視で矩形であり、少なくとも第１の辺と、第１の辺と異なる第２の辺とを有し、第１の辺側から出射される光は、第２の辺側から出射される光よりも強く、半導体発光素子が２つ以上、第１の辺が互いに略平行に向かい合うように、支持基板に列状にフリップチップ実装された発光装置
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【課題】ｐ型層がＡｌＧａＮのみからなるＧａＮ系ＬＥＤの、耐久性を向上させるための技術を提供すること。
【解決手段】ＧａＮ系半導体発光ダイオードの製造方法は、基板上に形成されたｎ型ＧａＮ系半導体層上に、ＧａＮ系半導体からなる第１の層を、少なくとも一部にｎ型不純物を添加しながら、表面にピットが形成されるように成長させる工程と、第１の層の直上に、量子井戸構造の活性層を構成する複数のＧａＮ系半導体層からなる第２の層を、少なくとも一部にｎ型不純物を添加しながら、表面にピットが形成されるように成長させる工程と、ｐ型不純物を添加したＧａＮ系半導体層を成長させる前に、温度を上昇させて、第２の層の表面を平坦化させる工程と、第２の層の上に、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）からなる第３の層を、ｐ型不純物を添加しながら成長させる工程と、を含む。第３の層は表面に正電極が形成される層である。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板を用いた窒化物半導体発光素子において、高品質の窒化物半導体を形成でき、且つ、シリコン基板による光の吸収を低減して輝度の向上を実現できるようにする。
【解決手段】窒化物半導体発光素子は、シリコンからなる基板１と、基板１の主面上に形成され、複数の開口部２ａを有するマスク膜２と、マスク膜２の上に各開口部２ａからそれぞれ横方向に結晶成長してなるｎ型ＧａＮ層４と、該ｎ型ＧａＮ層４の上に形成され、発光を供する活性層５及びｐ型ＧａＮ層６とを有している。マスク膜２の反射率は、活性層５からの発光波長において基板１の反射率よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】電子や正孔などの電荷が窒化物半導体ナノカラム内へ効率よく注入できる発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子は、少なくとも一方が透明又は半透明である一対の電極と、前記一対の電極間に挟まれて設けられた発光層とを備え、前記発光層は、窒化物半導体からなる各カラムの長手方向が前記電極間に互いに平行に延在し、各カラムの平均半径及び間隙がナノサイズである複数のカラムで構成された窒化物半導体ナノカラムと、前記カラムの間隙を埋めるように設けられた電子輸送層とを有し、前記カラムと前記電子輸送層の界面の一部にナノサイズの金属ナノ構造体が析出している。 （もっと読む）

【課題】大面積での面発光が実現可能であり、またリーク電流による消費電力を抑えることを可能とする発光素子、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子は、電子輸送層と、前記電子輸送層と互いに対向すると共に、離間して設けられたホール輸送層と、前記電子輸送層と前記ホール輸送層との間に挟持された半導体微粒子からなる層を有する発光層と、前記電子輸送層に電気的に接続された第１の電極と、前記ホール輸送層に電気的に接続された第２の電極とを備える。前記発光層は、前記半導体微粒子の一粒子層を有してもよい。前記半導体微粒子の平均粒子径は、前記ホール輸送層と前記電子輸送層との間の平均間隔よりも大きいことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】大面積での面発光が実現可能であり、またリーク電流による消費電力を抑えることを可能とする発光素子、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子は、電子輸送層と、前記電子輸送層と互いに対向すると共に、離間して設けられたホール輸送層と、前記電子輸送層と前記ホール輸送層との間に挟持された複数の半導体微粒子からなる層を有する発光層と、前記電子輸送層に面して設けられ、電気的に接続された第１の電極と、前記ホール輸送層に面して設けられ、電気的に接続された第２の電極とを備え、前記発光層を構成する前記半導体微粒子は、その内部にｐ型部分とｎ型部分とを有し、前記ｐ型部分と前記ｎ型部分との界面にｐｎ接合を持ち、前記ｐ型部分の一部が前記ホール輸送層に接すると共に、前記ｎ型部分の一部が前記電子輸送層に接するように配置されている。 （もっと読む）

【課題】大面積での面発光が実現可能であり、またリーク電流による消費電力を抑えることを可能とする発光素子、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子は、電子輸送層と、前記電子輸送層と互いに対向すると共に、離間して設けられたホール輸送層と、前記電子輸送層と前記ホール輸送層との間に挟持された複数の半導体微粒子からなる層を有する発光層であって、前記半導体微粒子は、前記電子輸送層又は前記ホール輸送層の互いに対向する少なくとも一方の表面に設けられた溝部に一粒子ずつ格納されている、発光層と、前記電子輸送層に面して設けられ、電気的に接続された第１の電極と、前記ホール輸送層に面して設けられ、電気的に接続された第２の電極と
を備える。 （もっと読む）

【課題】 低コストで大面積の発光素子を容易に作成できること。
【解決手段】 透明な基板１０１上に、ＺｎＯ系透明導電膜１０２、ｎ型ＺｎＯ薄膜１０３、正孔輸送層または発光層であるＺｎＯ粒子層１０４、電極１０６が順に積層した構造を有する発光素子１００であって、ＺｎＯ粒子層１０４が、窒素濃度が１０^１６ｃｍ^−３〜１０^２０ｃｍ^−３であり粒子サイズが５０ｎｍ〜５００ｎｍである酸化亜鉛の結晶粒子を焼結した半導体層であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ランドパッドとエピウエハの間の付着力を確実にし、ランドパッド表面粗度過大の問題を改善するＬＥＤエピウエハに用いるランドパッドの製造工程及び構造を提供する。
【解決手段】ＬＥＤエピウエハに用いるランドパッドの製造工程及び構造は、先ずエピウエハ表面に対して界面結合力を高める手段、次にエピウエハ表面に金属沈殿手段、先ずエピウエハの表面にプラズマ処理を行い、ランドパッドとエピウエハの間の付着力を確実にする。この他、更に電気メッキ条件を制御して、電気メッキ沈殿の粒を極粒にし、ランドパッド表面粗度過大の問題を改善し、ランドパッドと電線接合の接着強度を高める。また第一金属層及び第二金属層の間に導電粘着層を沈殿させ、第一金属層及び第二金属層の界面結合力を高める。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、製造工程を増加させることなくＩＴＯ電極を有する発光素子のさらなる光取り出し効率の向上を図ったＩＴＯ電極構造を得ることを課題とする。
【解決手段】
少なくとも表面が針状結晶に覆われたＩＴＯ電極である。 （もっと読む）

【課題】製造時のマイグレーションを防止できる半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子を同時に複数製造する方法であって、基板に第１導電型半導体層と第２導電型半導体層とを順次積層して半導体積層体を形成する工程と、半導体積層体の一部を除去して、第１導電型半導体層が露出した段差部を形成する工程と、段差部に露出した第１導電型半導体層に第１電極を形成する工程と、第２導電型半導体層の上面に第２電極を形成する工程と、個々の半導体発光素子に割断する工程と、を備え、第１電極及び第２電極の少なくとも一方が金属電極であり、第１電極及び第２電極のうち少なくとも金属電極である何れか一方が形成されるよりも前又は同時に、第１導電型半導体層と第２導電型半導体層とを導体部材で短絡した短絡部を形成する工程を含み、割断により、短絡部近傍の第２導電型半導体層が残りの第２導電型半導体層から分離される。 （もっと読む）

【課題】パッド電極による光の遮蔽および／または吸収を軽減し得る構造を備えたＧａＮ系ＬＥＤ素子を提供すること。
【解決手段】ＧａＮ系ＬＥＤ素子１は、導電性基板１１と、複数のＧａＮ系半導体層からなる積層体１２とを有し、積層体１２には、導電性基板１１から最も離れた位置に配置されたｎ型層１２−３と、該ｎ型層と導電性基板１１との間に配置された発光層１２−２と、ｎ型層１２−３とで発光層１２−２を挟むように配置されたｐ型層１２−１とが含まれている。ｎ型層１２−３の上にはパッド電極Ｐ１４が形成されており、積層体１２の導電性基板１１側の面には、パッド電極Ｐ１４と向かい合うようにして、底面Ｈ１１を有する扁平孔Ｈ１が、少なくとも発光層１２−２に達する深さに形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は半導体発光素子に関する。
【解決手段】発光された光の反射または吸収を最少化し、発光面積は最大に確保して発光効率を最大化すると同時に小さい面積の電極で均一な電流分散が可能で、信頼性が高く量産性に優れた高品質の半導体発光素子が提案される。本発明の半導体発光素子は第１導電型及び第２導電型半導体層とその間の活性層を含み、各半導体層を電気的に連結させる第１電極層及び第２電極部を含む。第２電極部は電極パッド部、電極延長部、及び電極パッド部と電極延長部を連結する電極連結部を含む。 （もっと読む）

【課題】照明用途などの用途に好適に用い得る、発光出力に優れたＧａＮ系ＬＥＤチップを提供することである。
【解決手段】ＧａＮ系ＬＥＤチップは、導電性基板とその上に積層された複数のＧａＮ系半導体層とを含む透光性の板状体を備える。板状体の底面上には、ひとつ以上の底面側パッド電極が形成され、前記板状体の上面上には、ひとつ以上の上面側パッド電極が形成され、前記板状体の面積に対する前記底面側パッド電極の総面積の比率である第１面積比と、前記板状体の面積に対する前記上面側パッド電極の総面積の比率である第２面積比とが、いずれも５０％未満とされる。 （もっと読む）

【課題】透光性導電膜と、その上に形成されたパッド電極および絶縁保護膜を有する、信頼性の高いＧａＮ系発光ダイオード素子を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系発光ダイオード素子１０は、透光性導電膜１４上に形成されたパッド電極１５が、透光性導電膜１４に接する第１パッド電極膜１５−１と、該第１パッド電極膜上に形成された第２パッド電極膜１５−２とを有しており、導電性酸化物膜１４上から第１パッド電極膜１５−１上にかけて連続するように形成された絶縁保護膜１６の一部が、第１パッド電極膜１５−１と第２パッド電極膜１５−２との間に挟まれていることから、絶縁保護膜１６の剥離が発生し難い、信頼性の高いものとなる。 （もっと読む）

【課題】発光素子と一体化（１チップ化）され、構造上、化合物半導体層の再成長工程が不要であり、しかも、順・逆方向の過電流が流れることによって生じる破壊に対して有効な防護手段を有する発光素子組立体を提供する。
【解決手段】発光素子組立体は、基板１０上に形成されたバイパス・ダイオード２０、その上に形成された発光素子３０、及び、基板１０の上方に発光素子３０と分離して形成された逆方向ダイオード４０を備えている。 （もっと読む）