【課題】ワイヤーボンダビリティが良好な電極を形成することのできる発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、ｎ型半導体結晶と、発光層と、ＧａまたはＩｎを含みキャリア濃度が１×１０^１７／ｃｍ^３以上１×１０^１９／ｃｍ^３以下であるｐ型半導体結晶とが、この順で形成された半導体結晶の前記ｐ型半導体結晶の表面に、オーミック電極材料として、少なくとも、ＡｕＢｅを含む層、Ｔｉ層、Ａｕ層を形成し、その後熱処理を行ってオーミック電極を形成し、その後前記半導体結晶をダイシングする発光素子の製造方法であって、前記Ａｕ層形成後かつ前記熱処理前に、第一の硫酸過水洗浄液で洗浄を行い、かつ前記熱処理後に、第二の硫酸過水洗浄液で洗浄を行うことを特徴とする発光素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体積層体における電流の拡散性を損なうことなく、素子の光取り出し効率を向上させることのできる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１は、第１導電型層、発光層及び第２導電型層を下側からこの順で有する半導体積層体と、第１導電型層上に形成される第１電極１０と、第２導電型層上に形成され酸化物からなり第２導電型層よりもシート抵抗が小さい透明電極２１、及び、透明電極２１上に形成され金属からなり透明電極２１よりもシート抵抗が小さい補助電極２２を有する第２電極２０と、を備え、補助電極２２は、平面視にて第１電極１０を包囲する線状の包囲部２４と、平面視にて包囲部２４の外側に形成されワイヤを接続するためのパッド部２３と、を有し、包囲部２４は、第１電極１０との平面視の距離が最小となる最小距離部２５を、周方向について複数箇所有する。 （もっと読む）

【課題】光取出し側の電極部である上側電極部と、この電極部と対になる電極部である中間電極部とを適切な位置関係で配設することにより、低順方向電圧を維持したままで、発光出力を向上させた半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板２の上面側に、中間電極部３ａを含む中間層３、第２導電型半導体層４、活性層５、第１導電型半導体層６および上側電極部７を順次具え、支持基板の下面側に下側電極層８を具える半導体発光素子であって、中間層は、線状または島状に延在する少なくとも１つの中間電極部３ａを有し、上側電極部と中間電極部とを支持基板の上面と平行な仮想面上に投影したとき、上側電極部と中間電極部とは、相互にずれた位置関係にあり、かつ上側電極部および中間電極部の少なくとも一方の輪郭線を、所定の振れ幅で延在させて、上側電極部と上側電極部に対向する中間電極部との間の輪郭線間距離ｄを部分的に短くする。 （もっと読む）

【課題】オーミック性および透過性が可及的に良いｐ電極を備えた半導体発光素子を提供することを可能にする。
【解決手段】基板２と、基板上に設けられたｎ型半導体層４と、ｎ型半導体層の第１の領域上に設けられ発光する活性層６と、活性層上に設けられたｐ型半導体層８と、ｐ型半導体層上に設けられ酸素含有率が４０原子％未満の第１の導電性酸化物層１０ａを有するｐ電極１０と、ｎ型半導体層の第２の領域上に設けられるｎ電極１４と、を備えている。 （もっと読む）

放射放出半導体チップ（１）は、キャリア（５）と、半導体積層体を有する半導体ボディ（２）と、を備えている。半導体積層体を有する半導体ボディ（２）には、放出領域（２３）および保護ダイオード領域（２４）が形成されている。半導体積層体は、放射を発生するために設けられている活性領域（２０）を備えており、この活性領域は、第１の半導体層（２１）と第２の半導体層（２２）との間に配置されている。第１の半導体層（２１）は、キャリア（５）とは反対側の活性領域（２０）の面に配置されている。放出領域（２３）は、活性領域を貫いて延在する凹部（２５）を有する。第１の半導体層（２１）は、放出領域（２３）においては、第１の接続層（３１）に導電接続されており、この第１の接続層は、第１の半導体層（２１）から凹部（２５）の中をキャリア（５）の方向に延在している。第１の接続層は、保護ダイオード領域（２４）においては、第２の半導体層（２２）に導電接続されている。さらに、放射放出半導体チップの製造方法も開示する。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤを構成するIII−Ｖ族半導体結晶と線熱膨張率の差が小さく、かつ熱伝導性に優れ、高出力ＬＥＤ用として好適なＬＥＤ発光素子用金属基複合材料基板、並びにそれを用いたＬＥＤ発光素子を提供すること。
【解決手段】下記の工程を順次経て製造される、ＬＥＤ発光素子。
（１）円板状又は平板状の単結晶成長基板の一主面上に、III−Ｖ族半導体結晶をエピタキシャル成長させる工程。
（２）III−Ｖ族半導体結晶面に金属層を介して、請求項２又は３記載のＬＥＤ発光素子用金属基複合材料基板を接合し、裏面をレーザー照射、エッチング、研削のいずれかの方法により、単結晶成長基板を除去する工程。
（３）III−Ｖ族半導体結晶面の表面加工、電極形成を行った後、切断加工する工程 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率に優れ、高い輝度を備える発光ダイオード及びその製造方法、並びに発光ダイオードが用いられてなるランプを提供する。
【解決手段】基板の主面上に少なくとも発光層を含む化合物半導体層２０が積層され、該化合物半導体層２０の上面側が発光面２０ａとされたチップ構造を有し、基板は、平面視形状で、各々隣接する側面１１ｂ、１１ｃ、１１ｄの間の角度が全て鋭角の略正三角形である。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物系化合物半導体素子をレーザリフトオフにより歩留まり良く得る。
【解決手段】青色ＬＥＤ１０００は、導電性の支持基板２００に、複数の金属の積層から成る導電層２２２、はんだ層（ソルダ層）５０、複数の金属の積層から成る導電層１２２、ｐコンタクト電極１２１、主としてｐ型のIII族窒化物系化合物半導体層の単層又は複層であるｐ型層１２、発光領域Ｌ、主としてｎ型のIII族窒化物系化合物半導体層の単層又は複層であるｎ型層１１、ｎコンタクト電極１３０の積層構造を有する。絶縁性保護膜４０で覆われたエピタキシャル層の外周側面は、ｎコンタクト電極１３０を形成された上側から、支持基板側２００側である下側に向って広がるような、傾き（順テーパ）を形成している。 （もっと読む）

【課題】レーザリフトオフ法で歩留まり良く得られるIII族窒化物系化合物半導体素子。
【解決手段】青色ＬＥＤ１０００は、導電性の支持基板２００に、複数の金属の積層から成る導電層２２２、はんだ層（ソルダ層）５０、複数の金属の積層から成る導電層１２２、ｐコンタクト電極１２１、主としてｐ型のIII族窒化物系化合物半導体層の単層又は複層であるｐ型層１２、発光領域Ｌ、主としてｎ型のIII族窒化物系化合物半導体層の単層又は複層であるｎ型層１１、ｎコンタクト電極１３０の積層構造を有する。絶縁性保護膜４０で覆われたエピタキシャル層の外周側面は、ｎコンタクト電極１３０を形成された上側から、支持基板側２００側である下側に向って広がるような、傾き（順テーパ）を形成している。 （もっと読む）

【課題】ｐ側電極として透明導電層膜材料からなる透光性の電極を用いた窒化物半導体発光素子における光取り出し効率を改善し、発光効率が向上された窒化物半導体発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る窒化物半導体発光素子は、第一の主面および第二の主面を有する窒化物半導体の積層体であって、ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層とで発光層を挟んだｐｎ接合ダイオード構造を、上記ｐ型窒化物半導体層が上記第一の主面側となるように含む積層体と、上記積層体の第一の主面を覆うように形成された透明導電膜材料からなる透光性の電極とを有し、上記透光性の電極の表面には上記発光層で発生される光を散乱または回折する凹凸が形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発光素子の製造歩留りの高い発光素子発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光素子１は、第１導電型の第１半導体層と、第１導電型とは異なる第２導電型の第２半導体層と、第１半導体層と第２半導体層とに挟まれる活性層１０５とを有する半導体積層構造１０と、半導体積層構造１０の一方の面側に設けられ、活性層１０５が発する光を反射する反射層１３２と、反射層１３２の半導体積層構造１０側の反対側に金属接合層を介して半導体積層構造１０を支持する支持基板２０と、支持基板２０の金属接合層側の反対側の面に接して設けられる密着層２００と、密着層２００の支持基板２０に接している面の反対側の面に接して設けられ、密着層を介して支持基板２０との間で合金化している裏面電極２１０とを備える。 （もっと読む）

【課題】発光素子の製造歩留りの高い発光素子発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光素子１は、第１導電型の第１半導体層と、第１導電型とは異なる第２導電型の第２半導体層と、第１半導体層と第２半導体層とに挟まれる活性層１０５とを有する半導体積層構造１０と、半導体積層構造１０の一方の面側に設けられ、活性層１０５が発する光を反射する反射層１３２と、反射層１３２の半導体積層構造１０側の反対側に金属接合層を介して半導体積層構造１０を支持し、シリコン（Ｓｉ）又はゲルマニウム（Ｇｅ）のいずれかから形成される支持基板２０と、支持基板２０の金属接合層の反対側に金（Ａｕ）を有して設けられ、金と支持基板２０とが合金化することによりＡｕの硬度より高い硬度を有する裏面電極２１０とを備える。 （もっと読む）

【課題】発光層で生じた光を効率良く外部に取り出すことができる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型半導体層と、ｐ型半導体層と、前記ｎ型半導体層と前記ｐ型半導体層との間に設けられた発光層と、を有する積層構造体と、前記ｎ型半導体層に接続され、銀及び銀合金の少なくともいずれかを含む第１の電極と、前記ｐ型半導体層に接続された第２の電極と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム系の化合物半導体層のＮ原子面上に比較的簡単に低抵抗な電極を形成することが可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】ショットキーバリアダイオード１は、導電型がｎ型であるＧａＮ基板２およびｎ−ＧａＮエピタキシャル層３と、オーミック電極６とを備える。オーミック電極６はＧａＮ基板２のＮ原子面９に接触して形成される。オーミック電極６においてＮ原子面９に接している接触電極層６ａの主成分はＮｉ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｔｅ、Ｒｈ、Ｃｏ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔからなる群から選択される１つである。 （もっと読む）

【課題】半導体素子から発生する熱を効率的に放散して温度上昇を防止し、特性と信頼性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】ＬＥＤ等の半導体素子を構成する半導体薄膜１０を直接、高熱伝導特性を有する絶縁膜２上に接合すると共に、半導体薄膜１０の電極と導電性の基板１とをｎ側接続パッド２４によって電気的に接続する構造にしている。そのため、半導体素子から発生する熱が効率的に基板１へ伝導し、半導体素子の温度上昇を防止することができる。しかも、温度上昇を防止することができるので、半導体素子の特性や寿命が劣化することを防止することができ、優れた動作特性を示すと共に、信頼性が高い半導体装置が得られる。 （もっと読む）

【課題】 構成及び製造工程をより簡単にした発光素子アレイ及びこれを備えた画像表示装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る発光素子アレイ１は、基板３と、基板３上に形成され、行列状に配置された複数の発光素子５と、行方向Ｈに並ぶ発光素子５間を接続する複数の第一電極配線Ｘ１，Ｘ２と、第一電極配線Ｘ１，Ｘ２から分岐して列方向Ｖに引き出された電極リード配線Ｚ１，Ｚ２と、を備え、複数の第一電極配線Ｘ１，Ｘ２の少なくとも１つは、複数の部分Ｘ１ａ，Ｘ１ｂに分割されており、該分割部分Ｘ１ａ，Ｘ１ｂ間の領域を経由して、他の第一電極配線Ｘ２から分岐した前記電極リード配線Ｚ２が引き出されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体層から電極層が剥離し難い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 本発明に係る半導体発光素子１は、第一導電型半導体層５と、第一導電型半導体層５上の第一の部分ｘに形成される第二導電型半導体層９と、第一導電型半導体層５上において、前記第一の部分ｘとは異なる第二の部分ｙに形成される第一電極層１１と、第二導電型半導体層９上に形成される第二電極層１５と、を備え、第二電極層１５は、第一材料層１５ａと、第一材料層１５ａ上に積層され、第一材料層１５ａとは組成の異なる第二材料層１５ｂとを有し、第一材料層１５ａは、間隙Ｒによって少なくとも部分的に分離された複数の領域１５ａｉで形成され、第二材料層１５ｂは、複数の領域１５ａｉ上に跨って形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い電流密度の電流を注入して連続駆動させた場合でも高い信頼性を有する窒化物半導体発光ダイオード素子およびその窒化物半導体発光ダイオード素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型窒化物半導体層と、ｐ型窒化物半導体層と、ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層との間に設置された窒化物半導体活性層とを含み、窒化物半導体活性層に対してｐ型窒化物半導体層側に、酸化インジウム錫を含有する第１の透明電極層と、酸化錫を含有する第２の透明電極層とを有する窒化物半導体発光ダイオード素子とその窒化物半導体発光ダイオード素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】フェイスアップ型のIII 族窒化物半導体発光素子において、発光の均一性を高め、かつ光取り出し効率を向上させること。
【解決手段】発光素子１は、ｐ型層１３の全面にわたって形成された透明電極１５と、透明電極１５上に形成されたｐ側パッド電極１６および延伸電極１７とを有している。延伸電極１７はＮｉ／Ａｕであり、透光性を有する程度の膜厚で形成されている。延伸電極１７により電流が拡散されるため、発光の均一性が高く、また、延伸電極１７が透光性を有しているため、光取り出し効率が向上している。 （もっと読む）

【課題】小型化及び材料コストの低減を図ることができる半導体複合装置を提供する。
【解決手段】半導体複合装置は、基板と、内部に一つだけ半導体素子を有する半導体薄膜であって、基板上に設けられた１０μｍ以下の厚さでシート状のＬＥＤエピタキシャルフィルム１０３と、集積回路及び第１の端子領域を有し、基板上に設けられた１０μｍ以下の厚さでシート状の集積回路薄膜１０４と、ＬＥＤエピタキシャルフィルム１０３の半導体素子上から基板の表面を経由して集積回路薄膜１０４の第１の端子領域上に至る領域に設けられ、ＬＥＤエピタキシャルフィルム１０３の半導体素子と集積回路薄膜１０４の第１の端子領域とを電気的に接続する薄膜の個別配線層１０５と、個別配線層１０５下の個別配線層のコンタクト領域以外の部分に設けられた層間絶縁膜とを有する。 （もっと読む）