【課題】エピタキシャル成長基板から他の基板へIII族窒化物系化合物半導体層を移す。
【解決手段】サファイア基板１００に発光領域Ｌを有するｎ型層１１とｐ型層１２を形成する。ＩＴＯ電極１２１−ｔ、ＳｉＮ_x誘電体層１５０とその孔部のＮｉから成る接続部１２１−ｃ、Ａｌから成る高反射性金属層１２１−ｒを形成する。この上にＴｉ層１２２、Ｎｉ層１２３、Ａｕ層１２４を順に形成する。次にｎ型シリコン基板２００を用意し、両面に導電性多層膜を次の順に蒸着により形成する。ＴｉＮ層２２１及び２３１、Ｔｉ層２２２及び２３２、Ｎｉ層２２３及び２３３、Ａｕ層２２４及び２３４。これらにスズ２０％の金スズはんだ（Ａｕ−２０Ｓｎ）５１、５２を形成し、３００℃で熱プレスして、２つのウエハを合体させる。こののち、サファイア基板１００側からレーザ照射によりｎ型層１１の表面のＧａＮを分解して、サファイア基板１００をリフトオフにより除去する。 （もっと読む）

【課題】 無電解メッキによりダイオードなどに金属層を製造する。
【解決手段】 金属層を形成しようとするダイオードチップ或いはウエハ１０の所定区域に無電解メッキの還元金属湿式プロセスの触媒となる金属下地層１２を形成し、その上に金属層パターン１８を定めるレジスト層１６を設けて還元金属湿式プロセスにより、パターン化された金属層１４を形成する。
湿式プロセスにより形成された金属層は、接着性に優れ、ワイヤボンディングパッドやフリップチップボンディングの電極層として好適である。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系半導体の窒素極性面上に、コンタクト抵抗の低いｎ型電極を形成する。
【解決手段】窒素原子を含む面上にｎ型電極１２を備えたＧａＮ系半導体を有する半導体素子において、ｎ型電極１２と接し、（III族原子数）／（V族原子数）が１よりも大きいＶ族原子の空孔領域１１を設ける。 （もっと読む）

【課題】フリップチップボンディングに適した窒化物系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】サブマウント２００のリードパターン上にバンプボール３００を介してフリップボンディングされる窒化物系半導体発光素子において、基板１０１と、前記基板上にバッファ層、ｎ型窒化物半導体層１０３、活性層１０５及びｐ型窒化物半導体層１０７が順次形成された発光構造物と、前記発光構造物上に形成された透明電極１０９、ｐ型電極１１０ａ、およびｎ型電極１１０ｂと、前記電極が形成された結果物の上に形成され、前記サブマウントのｐ型リードパターン２０１ａ、ｎ型リードパターン２０１ｂとバンプボールを介して接続する部分に該当する電極表面を露出させる保護膜１２０と、前記保護膜を介して露出された電極表面に形成された格子形状の緩衝膜１３０とを備える。 （もっと読む）

本発明の一実施形態は、多層構造を含む半導体発光デバイスを提供する。該多層構造は、第一のドープ層、活性層、および第二のドープ層を備える。該半導体発光デバイスは、該第一のドープ層への導電性パスを形成するように構成された第一のオーミックコンタクト層、該第二のドープ層への導電性パスを形成するように構成された第二のオーミックコンタクト層、および重量パーセントで測定された１５％以上のクロム（Ｃｒ）を含む支持基板をさらに含む。
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本発明の一実施形態は、半導体発光デバイスを提供する。該半導体発光デバイスは、基板、ｐ型ドープＩｎＧａＡＩＮ層、ｎ型ドープＩｎＧａＡＩＮ層、およびｐ型ドープＩｎＧａＡＩＮ層とｎ型ドープＩｎＧａＡＩＮ層との間に配置された活性層を含む。該半導体発光デバイスは、ｎ型ドープＩｎＧａＡＩＮ層のＮ極性表面に結合されたｎ側オーミックコンタクト層をさらに含む。該オーミックコンタクト層は、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｔのうちの少なくとも１つ、およびＩＶ族元素のうちの少なくとも１つを含む。
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【課題】密着性の高い正電極及び負電極を具備した窒化物系半導体発光素子を得る。
【解決手段】少なくともｎ型窒化物系半導体層、窒化物系半導体発光層、ｐ型窒化物系半導体層、金属反射層、メッキ層がこの順序で積層されてなる構造の窒化物系半導体発光素子であって、金属反射層とメッキ層の間にメッキ密着層が形成されており、かつ、該メッキ密着層がメッキ層を構成する金属の主成分と同一の成分を５０質量％以上有する合金層で構成する。 （もっと読む）

【課題】（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ系化合物半導体をアニール工程を行うことなく製造する。
【解決手段】基板上に成長された（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ系化合物半導体層と、半導体層上にPt、Pd及びAuを含む群から選ばれた少なくとも一つの金属、あるいは、それらの合金で形成された電極とを含む。化合物半導体の製造方法は、成長チャンバー内でＰ型不純物を含むＰ層を成長させるステップと、前記成長チャンバー内の水素源ガスを放出するステップと、前記Ｐ層の形成された化合物半導体を前記成長チャンバー内から外部に取り出せる程度の温度まで低くするステップと、前記Ｐ層の形成された基板を前記成長チャンバーから取り出すステップと、前記Ｐ層の上にＰｔ、Ｐｄ、及びＡｕを含む群から選ばれた少なくとも一つの物質、あるいは、それらの合金で電極を形成するステップとを含む。これによると、アニール工程を行うことなくＰ型導電性を十分に確保することができる。 （もっと読む）

【課題】 燐化硼素系半導体層を双晶や積層欠陥等の結晶欠陥の密度の小さな結晶性に優れたものすることができ、この燐化硼素系半導体層を利用して、素子としての諸特性を向上させることができるようにする。
【解決手段】 本発明は、六方晶の単結晶材料３１と、その単結晶材料３１の表面上に形成された燐化硼素系半導体層３２と、その燐化硼素系半導体層３２上に形成された化合物半導体からなる化合物半導体層３３とを備えて成る積層構造体３０に電極３４，３５を配置して構成した化合物半導体素子において、燐化硼素系半導体層３２は六方晶の単量体の燐化硼素結晶からなり、ｃ軸の長さを０．５２ナノメーター（ｎｍ）以上で０．５３ｎｍ以下とするものである。 （もっと読む）

【課題】 基板剥離後のソリが少なく、側面から効率よく光取り出しができる窒化物系半導体発光素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 複数の窒化物系半導体発光素子２を製造する方法であって、基板１０１上に、少なくともｎ型半導体層１０３、発光層１０４、ｐ型半導体層１０５をこの順で積層して積層体を形成する工程と、基板１０１上に溝４を形成することにより、積層体を製造しようとする各窒化物系半導体発光素子２に対応させて分割する工程と、溝４を犠牲層１０６で充填する工程と、ｐ型半導体層１０５上および犠牲層１０６上にメッキ法によりメッキ基板１１１を形成するメッキ工程とを備える方法とする。 （もっと読む）

【課題】Ａｇを用いた反射電極において、工程上発生する微小な欠陥によるＡｇの露出を抑制して、発光素子の短絡による発光出力の低下、電流電圧特性の劣化を防止することにある。
【解決手段】基板上にｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層をこの順序で含み、負極および正極がそれぞれｎ型半導体層およびｐ型半導体層に接して設けられている半導体発光素子であって、その正極が以下の構成からなる。
少なくともｐ型半導体層と接する、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｅの群の中から選ばれる一種あるいはこれらの合金からなるコンタクトメタル層と、該コンタクト層上にＡｇを成分として含む金属乃至合金からなっている反射層と、該反射層の上面及び側面を覆う様に、Ａｇを成分として含まない１層または２層以上の保護金属層とを有している。 （もっと読む）

【課題】 電子線照射や高温アニール、又は酸素雰囲気下での合金化熱処理等を行わない場合であっても、密着性に優れ、且つ良好な透光性を有し、低接触抵抗を有する電流拡散性に優れた正極を備えた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 少なくともｎ型半導体層、発光層、ｐ型半導体層、金属膜層、金属板がこの順序で積層されてなる構造において、保護層がｎ型半導体層側面、発光層側面、ｐ型半導体層側面を覆うように形成され、ｐ型半導体層に接して形成される第１の金属膜層がオーミック接触層であり、保護層に接して形成される第２の金属膜層が密着層、反射層の順で構成され、前記反射層を覆うように金属板がメッキによって形成されることにより、密着性及び側面からの光取り出し効率を両立させることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】 窒化物半導体表面に形成されるｎ型オーミック電極に関して、製造工程における熱処理や高電流が流れる使用条件に対して信頼性に優れており、かつ低い接触抵抗が得られるｎ型オーミック電極を提供する。
【解決手段】 本発明の電極構造３０５、３０６は、ｎ型またはノンドープ窒化物半導体表面に形成されたオーミック電極であって、前記窒化物半導体表面に接する第１の領域にＴｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｖ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｚｒ、Ｓｉのうち少なくとも１種以上の金属が含まれ、かつ、その上に形成される第２の領域にＭｇが含まれていることを特徴とする。前記第１の領域には、前記構成に加えてＭｇが含まれていてもよい。また、前記第２の領域の上には、Ａｕを含む第３の領域が設けられていてもよい。 （もっと読む）

【課題】窒化物系化合物半導体の発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
ｎ−電極、ｎ型化合物半導体層、活性層、ｐ型化合物半導体層、及びｐ−電極を含み、ｎ−電極へのオーミック接触特性が向上した窒化物系化合物半導体の発光素子が提供される。前記ｎ−電極は、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｃｕ、Ａｇ、及びＡｕからなる群から選択される少なくとも一種の元素からなる第１電極層と；前記第１電極層上に、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｏｓ、及びＡｕからなる群から選択される少なくとも一種の元素を含む伝導性物質を用いて形成される第２電極層と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 大面積を有する発光ダイオードを提供する。
【解決手段】 発光ダイオードは、第１及び第２の対向する面を有し、所定の波長範囲の光放射に対しては透明であり、断面では、第１の面から第２の面に向かって基板の中に延びる複数のペデスタルを形成するようにパターン化された基板を含む。第２の面上のダイオード領域は、電圧がダイオード領域に対して印加されると、所定の波長範囲の光を基板内に放射するように構成される。ダイオード領域上の基板の反対側の取付け支持体はダイオード領域を支持するように構成され、電圧がダイオード領域に対して印加されるとダイオード領域から基板の中に放射される光が第１の面から放出される。基板の第１の面は、複数の三角形のペデスタルを基板の中に形成する複数の溝を中に含む。溝は、テーパ付きの側壁又は傾斜が付いた床面を含む。基板の第１の面はバイアホールのアレイも中に含む。バイアホールはテーパ付きの側壁又は床面を含む。 （もっと読む）

【課題】 半導体デバイスに含まれる化合物半導体基板を簡便かつ効率的に低コストで加工し、それによって特性の改善された半導体デバイスを低コストで提供する。
【解決手段】 化合物半導体基板の加工方法において、第１主面上に窒化物半導体層が形成されていて１×１０^-1Ωｃｍ以下の電気抵抗を有する化合物半導体基板を加工する際に、基板とツール電極との間に電圧を印加して局所的放電を発生させて加工することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】
より高い輝度とより優れた電流拡散を有する半導体発光デバイスを提供する。
【解決手段】
基板、半導体発光積層体、第１電極、第１透明酸化物導電層、及び第２電極を有する半導体発光デバイスが提供される。半導体発光積層体は、基板に配置され、第１表面領域及び第２表面領域を有する。第１電極は第１表面領域に配置される。第１透明酸化物導電層は第２表面領域に配置される。第２電極は第１透明酸化物導電層上に配置される。発光デバイスの面積は2.5×10⁵μm²より大きく、第１電極と第２電極との間隔は原則的に150μmと250μmとの間であり、且つ第１電極及び第２電極の面積は発光層の面積の15％から25％である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、Si基板上へのGaN系LED形成において、該LEDの保護素子構造をSi基板側に設けた半導体素子を得る。
【解決手段】Si基板10を有するSi半導体の保護素子部110と、該基板10上に、窒化物半導体層130が積層された発光素子構造部120と、を有し、該保護素子部110と発光素子構造部120の接合部20が、p型Si半導体とn型窒化物半導体層とで形成されている半導体素子。その半導体素子100が、三端子素子であり、該三端子が、前記発光構造部120のｐ，ｎ電極26, 25と、前記基板10の前記発光素子構造部120が設けられた主面に対向する主面に設けられた保護素子部110のｎ電極15である。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子において高い外部量子効率を安定に確保する。
【解決手段】基板（１０）の表面部分には発光領域（１２）で発生した光
を散乱又は回析させる少なくとも１つの凹部（２０）及び／又は凸部（２１）を
形成する。凹部及／又は凸部は半導体層（１１、１３） に結晶欠陥を発生させ
ない形状とする。 （もっと読む）

【課題】窒化物系半導体層と導電性基板との接着性が高く信頼性の高い窒化物系半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】導電性基板１に形成されているパターン面２０ａと、パターン面２０ａ上に形成されている多層金属層４９と、多層金属層４９上に形成されている多層半導体層１９とを含み、多層金属層４９および多層半導体層１９の主面４９ｍ，４９ｎ，１９ｍ，１９ｎは、パターン面２０ａよりも面積が小さく、多層半導体層１９はｐ型窒化物系半導体層１４、発光層１３およびｎ型窒化物系半導体層１２を含むことを特徴とする窒化物系半導体発光素子。 （もっと読む）