【課題】 本発明は光デバイス及びその製造方法に関するもので、本発明の目的は、電気的/熱的/構造的に安定して、ｐ型電極とｎ型電極を同時に形成することができる光デバイス及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】 前記の目的を達成するために本発明に係る光デバイスは、ＧａＮ系層と、前記ＧａＮ系層の上に形成された高濃度ＧａＮ系層と、前記高濃度ＧａＮ系層の上に形成された第１金属−Ｇａ化合物層と、前記第１金属−Ｇａ化合物層の上に形成された第１金属層と、前記第１金属層の上に形成された第３金属−Ａｌ化合物層及び前記第３金属−Ａｌ化合物層の上に形成された伝導性酸化防止層と、を含むことを特徴とする。
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【課題】 本発明は高い透過率を有する同時にp型GaN層との接触抵抗の問題を改善できる窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法に関するものである。
【解決手段】 本発明によれば、p-GaNから成る上部クラッド層の上部にMIO、ZIO、CIO(Mg、Zn、Cu中いずれかを含むIn₂O₃)でオーミック形成層をさらに形成した後、ITO等で具現される透明電極層と第2電極を形成することにより、上記上部クラッド層と第2電極との接触抵抗の問題を改善し、高い透過率を得られる。 （もっと読む）

【課題】 光取出し効率の向上を図ることの可能な光半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 光取出し面側に球状曲面を有する基板３と、活性層１ｂ及びこれを挟むクラッド層１ａ、１ｂを備え、その表面側において基板３と接する半導体層１と、半導体層１の中心及び／又は放射状に配置されたトレンチ内に充填形成される第1の電極４と、半導体層の裏面側に形成される第2の電極６を備える。 （もっと読む）

【課題】 層構成および製造工程の簡略化が図れるようにした発光素子を提供する。
【解決手段】 発光素子１０は、Ｇａ_２Ｏ_３基板１１の（１００）または（８０１）を主面とし、これらの主面に表面再配列によってＧａＮ層１２が形成され、このＧａＮ層１２上にＧａＮ系化合物薄膜を成長させている。Ｇａ_２Ｏ_３基板１１の下面には、ｎ電極１８が設けられ、ｎ電極１８の下面に発光層１４からの発光光を反射する反射層１９が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 出射面の反対側に進んだ光を効率良く反射し、発光効率を上げることができるようにした発光素子を提供する。
【解決手段】 発光素子１０は、β−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶からなるｎ型の導電性を示すＧａ_２Ｏ_３基板１１上に、ＧａＮバッファ層１２、ｎ−ＧａＮクラッド層１３、多重量子井戸構造（ＭＱＷ）を有するＩｎＧａＮ発光層１４、ｐ型の導電性を示すｐ−ＡｌＧａＮクラッド層１５、およびｐ−ＧａＮコンタクト層１６が積層され、Ｇａ_２Ｏ_３基板１１の下面の複数箇所に部分的に形成された複数のｎ電極１８と、ｎ電極１８が設けられていない部分に発光光を反射する反射層１９を形成する。ＩｎＧａＮ発光層１４からＧａ_２Ｏ_３基板１１に向かった光は、反射層１９およびｎ電極１８で反射する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は粘着層を有するＬＥＤの提供を目的とし、より詳細には、複数の熱経路が形成された粘着層を有するＬＥＤの提供を目的とする。
【解決手段】 本発明は、熱経路を設けた粘着層を有する発光ダイオードに関する。本発明では、粘着層は基板とＬＥＤスタックに結合するように形成される。ＬＥＤの安定性及び発光効率を高めるように、ＬＥＤの熱損失効果を改善する熱損失パスを形成するため、粘着層を通過する複数の金属製の突出又は半導体の突出がある。 （もっと読む）

【課題】複数の素子において、素子の発光特性がばらつくのを抑制し、かつ、素子の発光特性を向上させることが可能な発光素子を提供する。
【解決手段】この発光素子は、活性層４を有する発光領域１５ａを含む半導体素子層８と、半導体素子層８の発光領域１５ａの少なくとも１つの側端部に隣接するように設けられ、半導体素子層８の表面から活性層４に達する溝部９と、溝部９内に形成された蛍光体を含有する樹脂層１４とを備えている。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板上に低温緩衝層を介してＧａＮ系III族窒化物半導体層を形成しようとしても、画一的な配向性を有するＧａＮ系半導体層を充分に安定してもたらすことができない問題点を解決する窒化ガリウム系半導体積層構造体、その製造方法、及びそれを用いた化合物半導体素子、発光素子を提案する。
【解決手段】本発明では、サファイア基板１００上に設ける、基板１００と接合する領域に単結晶層を備えた低温緩衝層１０１にあって、その単結晶層を、サファイアのａ軸に[２．−１．−１．０．]方位を平行にして画一的な方向に配向したＡｌをＧａに比べて富裕に含む六方晶のＡｌ_XＧａ_YＮ（０．５＜Ｘ≦１、Ｘ＋Ｙ＝１）単結晶から構成する、ことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、熱損失の高い発光ダイオード及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 粘着層を有する発光ダイオード及びその製造方法が開示される。約０．１μｍ乃至１μｍの厚さを有する粘着層は、ＬＥＤスタックと熱損失が高い基板を接着するように使用され、ここで基板の熱伝導率は１００Ｗ／ｍｋ以上である。本発明は、発光ダイオードの安定性及び発光効率を改善するように、発光ダイオードの熱損失効果を増大する。 （もっと読む）

サファイア基板上にｎ型ＧａＮ層を成長させ、その上に六角形状のエッチングマスクを形成する。このエッチングマスクを用いてＲＩＥ法によりｎ型ＧａＮ層を所定深さまでエッチングし、上面がＣ面からなる六角柱部を形成する。エッチングマスクを除去した後、六角柱部を覆うように基板全面に活性層およびｐ型ＧａＮ層を順次成長させ、発光素子構造を形成する。この後、六角柱部の上のｐ型ＧａＮ層上にｐ側電極を形成するとともに、ｎ型ＧａＮ層にｎ側電極を形成する。
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【課題】 半導体デバイス程度の大きさのＩＩＩ族窒化物半導体結晶およびその製造方法、ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスおよびその製造方法ならびに発光機器を提供する。
【解決手段】 下地基板１上に１以上のＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１１を成長させる工程と、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１１上に１層以上のＩＩＩ族窒化物半導体結晶層１２を成長させる工程と、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１１およびＩＩＩ族窒化物半導体結晶層１２から構成されるＩＩＩ族窒化物半導体結晶１０を下地基板１から分離する工程とを含み、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶１０の厚さが１０μｍ以上６００μｍ以下、幅が０．２ｍｍ以上５０ｍｍ以下であるＩＩＩ族窒化物半導体結晶の製造方法。 （もっと読む）

フォトンを放射する活性層（１６）、ｎ型ドープされたクラッド層（１４）及びｐ型ドープされたクラッド層（１８）を有する層構造（１２）、ｎ型ドープされたクラッド層（１４）と接続したコンタクト及びｐ型ドープされたクラッド層（１８）と接続したリフレクター層（２０）を有する放射線を放射する半導体素子の場合に、リフレクター層（２０）は本発明により、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｔａ、及びＣｒのグループの１種類又は数種類の金属とを有する、銀の合金により形成されている。
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【課題】高光度、低駆動電圧の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】フリップチップ型の III族窒化物系化合物半導体発光素子において、ｐ型半導体層に接続され、光をサファイア基板側へ反射する厚膜正電極をロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、または、これらの合金より形成する。これにより、高反射率、低接触抵抗の正電極が得られる。 （もっと読む）

導電性のＩＩＩ−Ｖ族半導体層（３）内に導電率が低減されている少なくとも１つの領域（８）を形成する方法においては、半導体層（３）の領域（８）上にＺｎＯ層（１）が被着され、続けて有利には３００℃〜５００℃の温度においてテンパリングされる。ＺｎＯ層（１）は有利には１５０℃以下の温度、有利には２５℃以上１２０℃以下の温度においてＩＩＩ−Ｖ族半導体層上に析出される。導電率が低減されている領域（８）は有利にはビーム放射型のオプトエレクトロニクス素子においてアクティブ領域（４）と接続コンタクト（７）との間に配置されており、アクティブ領域（４）のこの端子コンタクト（７）に対向する領域への電流の注入が回避される。
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【課題】蛍光体を発光ダイオード（ＬＥＤ）素子に層状化し、効率的な発光素子を生成して非線形効果を最小化する方法を提供する。
【解決手段】ＬＥＤと１つ又はそれよりも多くの蛍光体を含み、各蛍光体に対して（入射ＬＥＤ光束）×（蛍光体の励起断面積）×（蛍光体材料の減衰期間）の積として定義される性能指数（ＦＯＭ）が０．３よりも小さいＬＥＤランプ。そのような構成は、駆動電流のある一定の範囲にわたってルーメン出力及び色安定性の改善した発光素子を提供する。 （もっと読む）

基板上に発光デバイスを製造する方法であり、発光デバイスは、複数のエピタキシャル層および基板の反対側にあるエピタキシャル層上に存在するオーミック接触層を備えるウェーハを有する。本発明による方法は、（ａ）熱伝導性の金属からなる種層をオーミック接触層に付加するステップと、（ｂ）熱伝導性の金属からなる比較的に厚い層を種層上に電気メッキするステップと、（ｃ）基板を除去するステップとを含む。また、それに対応する発光デバイスが、開示される。発光デバイスは、ＧａＮ発光ダイオードまたはＧａＮレーザダイオードである。 （もっと読む）

複数の縦型構造光学電子装置を結晶基板上に形成し、レーザリフトオフ処理で基板を取り除く工程を含んだ縦型構造光学電子装置の製造方法が開示されている。続いてこの方法は基板の代わりに金属支持構造体を形成する。１例ではこの形成には電気メッキ処理及び/又は無電メッキ処理が利用される。１例では縦型構造体はＧaＮ型であり、結晶基板はサファイヤ製であり、金属支持構造体は銅を含む。本発明の利点には、高性能で生産効率が高い大量生産用の縦型構造ＬＥＤの製造が含まれる。 （もっと読む）