【課題】発光面の全面にわたって均一な発光を得ること、また発光による熱の温度上昇が素子内部で偏りを生じにくい半導体発光素子を提供することを目的とする。また、一部にオープン不良が発生しても発光出力などが低下しない半導体発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の半導体発光素子は、第１導電型層１１上に第１電極１５を有する第１領域と、第１領域に隣接して、第１導電型層上に少なくとも第２導電型層１３と第２電極１７とを順に有する第２領域と、を有する半導体発光素子において、前記第２領域は連続した１つの領域であるとともに、前記第１領域は独立した複数の領域であり、複数の前記第１領域は、２行以上かつ２列以上の行列に配置されてなることを特徴とする半導体発光素子であり、またその半導体発光装置である。 （もっと読む）

本発明は、基板の上に発光構造を有する半導体層を形成するステップと、前記半導体層の上に接合層、反射層及び保護層を順次に積層するステップと、熱処理工程を行うことにより前記接合層と反射層との間にオーミック接合を形成し、前記保護層の少なくとも一部に酸化膜を形成してオーミック電極を形成するステップと、を含むオーミック電極の形成方法及びこれを用いた半導体発光素子に関する。このような本発明は、光反射度に優れたＡｇ、Ａｌ及びこれらの合金から反射層を形成することから、光利用率が向上する。また、半導体層と接合層との接触抵抗が小さなことから、高出力のための大電流を印加し易い。また、保護層が反射層の外部拡散を抑えることから、熱的安定性が高くなる。さらに、ＡｕやＰｔなどの高価な金属を用いることなく、高出力が可能であることから、製造コストが節減される。
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【課題】発光出力が大きく、かつ、廉価で生産性の良好な、半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光層となる活性層８と、活性層８の両側に形成した電極層５，７と、を有する半導体発光素子１であって、電極層５，７の少なくとも一方は透明電極層５であり、透明電極層５の少なくとも一方の面がテクスチュア形状を有する。透明電極層５のテクスチュア粒径が、λ／（４×ｎ）以上（ここで、λは半導体発光素子１の発光強度が最大となる波長であり、ｎは透明電極層５の屈折率）よりも大きければ、半導体発光素子１の発光を素子表面側に効率よく出射でき、発光出力を増大させることができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、表面のヒロックの発生や下地層を構成するＮｉの表面拡散を抑制するようにした、ＡｕＳｎ共晶接合のためのＬＥＤ用共晶基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 Ｓｉ基板１１と、この基板上に形成された複数の下地層１３〜１５と、この下地層の最上層のＮｉ層１５の上に形成されたＡｇ薄膜１６と、このＡｇ薄膜上のＬＥＤチップ実装部及びボンディング部の領域に形成されたＡｇ合金膜１７及びＬＥＤチップ実装部及びボンディング部を除いた表面領域に形成された透光性導電膜１８と、を含んでおり、上記Ａｇ薄膜及びＡｇ合金膜の膜厚が４００ｎｍ以上であるように、ＬＥＤ用共晶基板１０を構成する。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子を実装基板上にフリップチップ実装する際に、半導体発光素子の各電極パッドと実装基板の電極パターンとの間に介在される半田層の仕上がり向上を可能とするフリップチップ型半導体発光素子を提供する。
【解決手段】透光性基板２と、ｎ型半導体層、発光層及びｐ型半導体層が透光性基板２上に順次積層されてなる半導体層３と、半導体層３の透光性基板２側とは反対側に形成されてｎ型半導体層に接合される負電極５と、半導体層３の透光性基板３側とは反対側に形成されてｐ型半導体層に接合される正電極４と、正電極４及び負電極５にそれぞれ接続される正電極パッド７及び負電極パッド８とを具備してなり、正電極パッド７及び負電極パッド８にそれぞれ、半田膜が含まれている。 （もっと読む）

【課題】外部電極との電気的接続をハンダを介して行うのに適したｎ型窒化物半導体用の電極を備えた、ＧａＮ系ＬＥＤを提供することを目的とする。
【解決手段】窒化物半導体発光ダイオードは、ｎ型窒化物半導体層１２１と、該ｎ型窒化物半導体層上に形成された電極Ｐ１１０とを有し、電極Ｐ１１０はハンダを介して外部電極に電気的に接続される。電極Ｐ１１０は、ｎ型窒化物半導体層１２１と接するＴｉ−Ｗ合金層Ｐ１１１を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】動作電圧低減が低く、高性能な窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に形成されたＰ型の導電型を有する窒化物半導体３の上に第一の金属膜４を形成し、次いでタングステン酸化物からなる膜（ＷＯ_Ｘ）５を重ねて形成した後、熱処理を行う。その後、タングステン酸化物からなる膜を除去し、Ｎ型およびＰ型の導電型を有する窒化物半導体層のそれぞれとオーミック接続を取るための電極を形成することにより、窒化物半導体発光素子を製造する。 （もっと読む）

【課題】半導体層とｐ電極との層間強度の向上を図ることで、信頼性の高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ＧａＮ基板２に、ｎ型半導体層と、発光層と、ｐ型半導体層とが半導体層３として順次積層され、半導体層３に反射層４３を有するｐ電極４が積層された半導体発光素子１において、ｐ電極４は、ｐ型半導体層側のコンタクト層４１として設けられたＩＴＯ層と、反射層４３としてＡｇ合金で形成されたＡｇ反射層と、ＩＴＯ層およびＡｇ反射層の間に、白金族元素で形成された接着層４２とを備えた。この接着層４２は、Ｒｈで形成されたＲｈ層であり、その厚みは０．１ｎｍ以上、５ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】動作効率や静電耐圧性能の高い半導体光素子を提供する。
【解決手段】フラックス法により混合フラックスとIII族元素とを攪拌混合しながらIII族窒化物系化合物半導体結晶を結晶成長させて製造した光素子基板１０１はＳｉドープの厚さ約３００μｍのｎ型ＧａＮ結晶から成り、その上には、アンドープIn_0.1Ga_0.9N から成る層とアンドープGaN から成る層とを交互に２０ペア積層することによって構成された膜厚９０ｎｍの多重層１０５が形成されており、その上には、アンドープＧａＮから成る障壁層とアンドープIn_0.2Ga_0.8N から成る井戸層とが順次積層された多重量子井戸層１０６が形成されている。また、Ｍｇドープのｐ型Al_0.2Ga_0.8N から成るｐ型層１０７の上には、アンドープのAl_0.02Ga_0.98N から成る層１０８を形成した。ｐ側の電極は、ｐ型ＧａＮ層１１１の上に積層したＩＴＯからなるＩＴＯ電極１２０で構成した。 （もっと読む）

【課題】半導体発光装置の光取り出し面に設ける凹凸形状を均一に且つ低抵抗に形成でき、外部量子効率を向上できるようにする。
【解決手段】半導体発光装置は、第１主面及び該第１主面と対向する第２主面を有する窒化物半導体からなる活性層３と、該活性層３の第１主面上に上部が凹凸状に形成された凸部４ａを有し、活性層３からの発光光を取り出すｎ型半導体層４と、活性層３の第２主面上に形成されたｐ型半導体層２とを有している。 （もっと読む）

【課題】ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体およびこの半導体とオーミック接触を形成する新規な電極を有する、半導体素子を提供すること。
極を有する、半導体素子を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の半導体素子は、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体と、該半導体とオーミック接触する電極と、を有し、該電極が前記半導体と接するＴｉＷ合金層を有する。好適態様によれば、上記電極は接点用電極を兼ねることもできる。好適態様によれば、上記電極は耐熱性に優れる。さらに、上述の半導体素子の製造方法も提供される。 （もっと読む）

半導体本体（１０）および電流拡大層（３）を有するオプトエレクトロニクス半導体構造素子が記載される。電流拡大層（３）は、少なくとも所々に半導体本体（１０）上に施こされている。この場合電流拡大層（３）は、この電流拡大層中で透明の導電性金属酸化物層（２）を形成する金属（１）を含有し、およびこの金属（１）の濃度（ｘ）は、半導体本体（１０）に対向する側から電流拡大層（３）の半導体本体（１０）から離反した側に向かって減少する。更に、このような半導体構造素子の製造方法が記載されている。
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【課題】 輝度むらの発生を抑制することができる照明装置および液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 照明装置２１は、相互に直列に接続される複数の発光素子Ｔと、この発光素子Ｔに個別に並列に接続される複数の電流迂回素子Ｕと、前記複数の発光素子Ｔに直列に接続され、定電流を供給する定電流源２５とを含んで構成される。電流迂回素子Ｕは、並列に接続された発光素子Ｔ電流が流れる導通状態から電流が流れない非導通状態に遷移したとき、非導通状態から導通状態に遷移する。 （もっと読む）

【課題】光取り出し面に２つの電極を有する発光ダイオードにおいて、光の取り出し効率が高く、高輝度の発光ダイオードを提供することを目的とする。
【解決手段】組成式（Ａｌ_XＧａ_1-X）_YＩｎ_1-YＰ；０≦Ｘ≦１，０＜Ｙ≦１）から成る発光層を含む発光部を有し、該発光部を含む化合物半導体層が透明基板と接合され、発光ダイオードの主たる光取り出し面第1の電極と、第１の電極とは極性の異なる第２の電極とを有する発光ダイオードである。この透明基板の側面は、発光層に近い側では発光層の発光面に対して略垂直である第１の側面と、発光層に遠い側では発光面に対して傾斜している第２の側面を有する。そして第２の側面は粗面化され、その表面が０．０５μｍ〜３μｍの範囲内の凸凹を有することからなる発光ダイオードである。 （もっと読む）

【課題】高反射性金属層を含んだ第１の電極層の剥がれを防止すること。
【解決手段】III族窒化物系化合物半導体光素子１０００において、ｐ型層１１に接続される電極が、直接接合されたロジウム（Ｒｈ）から成る高反射性の第１の電極層１２１と、その上に形成された、窒素と反応性を有するニッケル（Ｎｉ）から成る第２の電極層１２２とから成り、当該第２の電極層１２２とIII族窒化物系化合物半導体の最上層１２とが接合している領域が存在することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】酸化物電極と、高反射性金属であるが酸化物が絶縁性となる金属電極の積層。
【解決手段】サファイア基板１００に発光領域Ｌを有するｎ型層１１とｐ型層１２を形成する。ＩＴＯ電極１２１−ｔ、ＳｉＮ_x誘電体層１５０とその孔部のＮｉから成る接続部１２１−ｃ、Ａｌから成る高反射性金属層１２１−ｒを形成する。この上にＴｉ層１２２、Ｎｉ層１２３、Ａｕ層１２４を順に形成する。次にｎ型シリコン基板２００を用意し、両面に導電性多層膜を次の順に蒸着により形成する。ＴｉＮ層２２１及び２３１、Ｔｉ層２２２及び２３２、Ｎｉ層２２３及び２３３、Ａｕ層２２４及び２３４。これらにスズ２０％の金スズはんだ（Ａｕ−２０Ｓｎ）５１、５２を形成し、３００℃で熱プレスして、２つのウエハを合体させる。こののち、サファイア基板１００側からレーザ照射によりｎ型層１１の表面のＧａＮを分解して、サファイア基板１００をリフトオフにより除去する。 （もっと読む）

【課題】上下導通タイプの窒化物系化合物半導体素子を効率的に製造することができる方法を確立する。
【解決手段】サファイア基材のＣ面からオフした主面又はサファイア基板のＲ面からｃ軸を含む面上にオフした主面を有するサファイア基板上に、少なくともＡｌを含んだ有機金属をプリフローし、少なくともＡｌを含む金属層を形成する。次いで、前記金属層上にＡｌＧａＮなる組成を有する窒化物系化合物半導体からなるバッファ層を形成し、前記バッファ層上に、窒化物系化合物半導体からなる成長基板層を形成し、前記成長基板層上に、窒化物系化合物半導体からなる機能層を形成し、前記サファイア基板と前記バッファ層とを前記金属層を介して剥離させ、少なくとも前記成長基板層及び前記機能層を含む窒化物系化合物半導体素子を得る。 （もっと読む）

【課題】素子周囲のｎ層側面とｐ層側面との短絡を防止すること。
【解決手段】ダイシングブレードにより個々の素子に分離するIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法であって、エピタキシャル層の当該ダイシングブレードが通過すべき部分を、エッチングにより一部除いて溝部を形成し、当該溝部の底面部及び側面部に絶縁膜１５０を形成し、ダイシングブレードにて溝部の底面部を除去し、且つ側面部の絶縁膜を完全には除去しない様に操作してダイシング作業を行うものであり、溝部の側面部に形成される絶縁膜は、III族窒化物系化合物半導体層のｐ層１２からｎ層１１に渡って形成して、ｐ層１２及びｎ層１１の短絡を防ぐように形成される。 （もっと読む）

【課題】ウエハを個々の発光素子に分離する際の歩留まり及び光取り出し効率の向上。
【解決手段】エピタキシャル成長に用いたサファイア基板をレーザリフトオフ法により除去したウエハ１０００ｗ（２．Ａ）は、ｎ型シリコン基板２００に導電性多層膜ｆｍとIII族窒化物系化合物半導体層１１，１２とｎ電極１３０が形成された表面と、導電性多層膜２３０の形成された裏面とを有する。半導体層１１，１２側からテーパを有する切削面ｆｄを形成して、半導体層１１，１２を個々の素子ごとに分離する（２．Ｂ）。裏面側から切削面ｂｄを、ｎ型シリコン基板２００の厚さ１／３までの深さで形成する（２．Ｃ）。次に公知のブレーキング工程により、ウエハ１０００ｗの表裏の切削面ｆｄ及びｂｄがつながる様にして、個々の発光素子１０００を得る（２．Ｄ）。切削面ｆｄは同じ角度のテーパ状（２．Ｅ）としても、角度が変化するテーパ状（２．Ｆ）としても良い。 （もっと読む）

【課題】発光領域を挟んで上下に形成されるｎ層側とｐ層側の電極形状を最適化する。
【解決手段】III族窒化物系化合物半導体発光素子１０００は、両面に導電性多層膜を形成したｎ型シリコン基板２００を支持基板とし、ｐ側にＩＴＯから成る透光性電極１２１−ｔ、ニッケル（Ｎｉ）から成る接続部１２１−ｃ、アルミニウム（Ａｌ）から成る高反射性金属層１２１−ｒとを形成され、多層金属膜を介して金スズはんだ（Ａｕ−２０Ｓｎ）５０でｎ型シリコン基板２００と電気的に接続されている。III族窒化物系化合物半導体発光素子１０００は、窓枠状に形成されたｎ電極である多層金属膜１３０の形成されていない領域が光取り出し領域である。ｐ電極側のニッケル（Ｎｉ）から成る接続部１２１−ｃの形状とｎ電極である多層金属膜１３０の形状は、それぞれの発光領域Ｌ平面への正射影が重ならず、且ついずれの位置においても２０μｍ以上の間隔を有して離れている。 （もっと読む）