【課題】動作電圧を下げ且つ電流分散効果を向上させ、銀のような反射物質によって電流が漏れる現象を最小限に抑えられる窒化物系半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型電極と、前記ｎ型電極に接するように形成されているｎ型窒化物半導体層１２０と、前記ｎ型窒化物半導体層上に形成されている活性層１３０と、前記活性層上に形成されているｐ型窒化物半導体層１４０と、前記ｐ型窒化物半導体層上に形成されているアンドープＧａＮ層２１０と、前記アンドープＧａＮ層上に形成され、該アンドープＧａＮ層との接合界面に２次元電子ガス層を提供するＡｌＧａＮ層２２０と、前記ＡｌＧａＮ層上に形成されている反射層１５０と、前記反射層を取り囲む形状に形成されている障壁層３００と、前記障壁層上に形成されているｐ型電極１７０を含む窒化物系半導体発光素子及びその製造方法を提供する。 （もっと読む）

発光デバイスは、基板を貫通して対向する第１の面と第２の面の間を延びるコンタクトプラグ（２４０）を有する基板（２０５）を備えている。第１の面上に活性領域があり、この活性領域上に、第１の電気的コンタクトがあり、基板の第２の面に隣接して第２の電気的コンタクトがある。コンタクトプラグは、第２の電気的コンタクトを活性領域に結合する。このような構成によって、チップの両側に電気的コンタクトを設けることができ、それによって、ウェハ上に形成することのできるデバイスの数を増やすことができる。
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【課題】 剥離が生じにくく窒化物系半導体上に簡単な工程で形成可能な安定な
オーミック電極を備えた半導体素子を提供することである。
【解決手段】 サファイア基板１上にアンドープのＧａＮバッファ層２、ｎ型Ｇ
ａＮ層３およびｐ型ＧａＮ層４を順に形成し、ｐ型ＧａＮ層４からｎ型ＧａＮ層
３までの一部領域を除去し、ｎ型ＧａＮ層３を露出させる。ｐ型ＧａＮ層４上お
よびｎ型ＧａＮ層３の露出した上面にＴｉ膜５およびＰｔ膜６を順に形成する。
それにより、熱処理による合金化を行うことなくｐ型ＧａＮ層４にオーミック接
触するｐ電極７およびｎ型ＧａＮ層３にオーミック接触するｎ電極８が形成され
る。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率が高く簡単な工程で製造可能な発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の発光素子は、第１面及び第２面を有する発光素子層３と、記発光素子層３の第１面の一部に形成された第１電極４と、発光素子層３の第２面の一部に形成された第２電極８とを備え、第１電極４と第２電極８とが互いに位置をずらして配置されている。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧が低い発光素子を提供する。また、素子寿命の長い発光素子を提供する。また、製造歩留まりの高い発光素子を提供する。
【解決手段】有機材料と無機材料とを含む層を有し、有機材料と無機材料とを含む層の電気伝導度の活性化エネルギーは０．０１ｅＶ以上０．３ｅＶ未満である発光素子を提供する。より好ましくは、有機材料と無機材料とを含む層の電気伝導度の活性化エネルギーは０．０１ｅＶ以上０．２６ｅＶ未満であることが好ましく、さらに好ましくは、０．０１ｅＶ以上０．２０ｅＶ未満であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】オーミック特性が向上された窒化物系化合物半導体用の電極を提供する。
【解決手段】［１］ｐ型窒化物系化合物半導体上に配置され、該半導体の平均表面被覆率Ｃが２０％≦Ｃ≦７０％、粒子の平均等価円直径Ｒが８ｎｍ≦Ｒ≦３０ｎｍである金属粒子群と、該金属粒子群上及び該半導体表面の未被覆部分上を一体被覆してなる電気陰性度が１．６以上の金属膜からなることを特徴とする窒化物系化合物半導体用の電極。
但し、平均表面被覆率Ｃは金属粒子群が占める面積Ｓ_MPとｐ型化合物半導体層の表面全体の面積の比（Ｓ_MP／Ｓ_P）であり、平均等価円直径Ｒは、各々の金属粒子が占める面積から、円と等価として等価円直径を求め、これらの等価円直径について粒子数が最大となる等価円直径である。
［２］上記［１］に記載の電極とｐ型化合物半導体層を含む窒化物系化合物半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、紫外領域において良好な透光性を有し、かつ電子線照射や高温アニールまたは酸素雰囲気下での合金化熱処理等をしなくても、低接触抵抗を有する電流拡散性に優れた電極（正極）を提供することである。
【解決手段】発光波長が４４０ｎｍ以下である窒化ガリウム系化合物半導体発光素子用の透光性電極である。該透光性電極はｐ型半導体層に接して設けられた金属層、および該金属層上に設けられた電流拡散層を含み、透光性電極は全ての領域において実質的に金（Ａｕ）を含まず、金属層はＰｔ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｒｈからなる群から選ばれた少なくとも１種を主成分として含み、電流拡散層はＰｔ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｒｈからなる群から選ばれた少なくとも１種を主成分として含む（金属層と電流拡散層とが同一の成分となる場合を除く）、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子用の透光性電極である。 （もっと読む）

ｎ型炭化シリコン用の反射性オーミックコンタクトは、炭化シリコン上に設けられた本質的にニッケルから成る層を備えている。この本質的にニッケルから成る層は、炭化シリコンにオーミックコンタクトを設け、炭化シリコンからの光学的放射がその中を透過するように構成されている。反射体層は、炭化シリコンとは反対側の本質的にニッケルから成る層上に設けられている。バリア層は、本質的にニッケルから成る層とは反対側の反射体層上に設けられ、ボンディング層は、反射体層とは反対側のバリア層上に設けられている。本質的にニッケルから成る層及びその上に設けられた反射体層は、低抵抗損失及び／又は高反射率を有することができる、炭化シリコン用の反射性オーミックコンタクトを提供することができる。
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ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体におけるｐ型オーミック接触電極の形成手法として、低抵抗で安定かつ毒性がなく生産性にすぐれた電極を形成する材料を提供し、すぐれた半導体素子を提供する。組成式Ａ_ＸＢ_ＹＣ_Ｚ（Ａ：１Ｂ族金属元素から選ばれる少なくとも１種の元素、Ｂ：８族金属元素から選ばれる少なくとも１種の元素、Ｃ：ＳあるいはＳｅから選ばれる少なくとも１種の元素）で示される材料からなる半導体電極材料とした。ただし、Ｘ，Ｙ，ＺはＸ＋Ｙ＋Ｚ＝１であり、０．２０≦Ｘ≦０．３５，０．１７≦Ｙ≦０．３０，０．４５≦Ｚ≦０．５５とする。
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【課題】 金属薄膜の密着性とオーミックコンタクトを達成する際のアニール処理においても、透明導電膜の導電性が低下しないように工夫した半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 ｎ型およびｐ型の半導体層１，２の接合界面を発光部とし、この発光部から透明導電膜３を介して発光する半導体発光素子において、透明導電膜３は、半導体層２上に積層されると共に、少なくとも半導体層２に最接近する領域にガリウムを含有している。 （もっと読む）

【課題】 間接遷移型ではあってもバンドギャップから予測される発光波長よりも短い波長の光を放射することができ、ダイヤモンドの発光を実用のレベルまで引き上げることができるようにする。
【解決手段】 この発明のダイヤモンド半導体発光素子は、ｐ型ダイヤモンド半導体層２３と、ｐ型ダイヤモンド半導体層２３に接して形成されたダイヤモンド以外の材料からなるｎ型半導体層２４と、ｐ型ダイヤモンド半導体層２３とｎ型半導体層２４との間の界面に形成された活性化領域層２９と、を備え、ｐ型ダイヤモンド半導体層２３とｎ型半導体層２４とのそれぞれに形成した電極２５，２６に電流を注入したとき、ダイヤモンド材料が有するバンドギャップから予測される発光波長よりも短い波長の発光が活性化領域層から出力する、ことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 紫外光の光取り出し効率がより大きく改善され、小さい電力で良好な発光強度を得ることができる高性能な発光素子を提供すること。
【解決手段】 Ａｌを含む窒化ガリウム系化合物半導体から成る第１，第２導電型半導体層１ｂ，１ｃの間に、Ａｌを含まないかまたは第１，第２導電型半導体層１ｂ，１ｃよりも少ないＡｌを含む窒化ガリウム系化合物半導体から成る発光層１ａが挟まれている窒化ガリウム系化合物半導体層１と、窒化ガリウム系化合物半導体層１の第１導電型半導体層１ｂ側主面に形成された導電性反射層２と、第２導電型半導体層１ｃに電気的に接続された導電層３とを具備する発光素子Ｌ１である。紫外光を発光層１ａで発生させ、導電性反射層２で反射し、第１，第２導電型半導体層１ｂ，１ｃを透過させる際に、透過損失を小さくし、第１導電型半導体層１ｃ側主面からの光取り出し効率を高くすることができる。 （もっと読む）

【課題】 簡易に製造可能であり、光の高利用効率化と素子の低動作電圧化とを両立させることが可能なＧａＮ系半導体を用いた発光素子を提供する。
【解決手段】 ｐ型クラッド層１４とｐ側反射電極１７との間に、それぞれこれらよりも低い屈折率を有する第１の透明導電膜１５Ａおよび第２の透明導電膜１５Ｂを設ける。また、これら透明導電膜の膜厚の合計ｄ１を、活性層１３から発せられた光の波長に対して１／４×（２ｎ＋１）倍（ｎ：自然数）の光学距離となるように設定する。ｐ側反射電極１７での反射率を増加させ、より多くの光を透明基板１１側へ導くので、光の利用効率が向上する。また、第１の透明導電膜１５Ａを、遷移金属酸化物により構成する。ｐ型クラッド層１４と第２の透明導電膜１５Ｂとの界面での接触抵抗を緩和するので、より低電圧で発光することができる。 （もっと読む）

【課題】 化合物半導体素子の電極形成方法を提供する。
【解決手段】 ｐ型化合物半導体層上に第１電極層を形成するステップと、第１電極層を酸素が含まれた雰囲気でプラズマ処理するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】高い電力変換効率および高い光出力効率を有する窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】コンタクト層１５上には、銀、アルミニウムおよびロジウムのいずれかを含む材料から成る第１の電極１７がある。第２の電極１９は、Ａｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ基板（Ｘは０以上１以下）である導電性基板１３の一方の面１３ａ上に設けられる。ｐ型窒化物半導体層１５は基板１３の他方の面１３ｂとコンタクト層１５との間にある。ｎ型窒化物半導体層２３は基板１３の他方の面１３ｂとｐ型窒化物半導体層２１との間にある。窒化物半導体の活性領域２５は、ｐ型半導体層２１とｎ型半導体層２３との間にある。コンタクト層１５の厚さＤ１はｐ型半導体層２１の厚さＤ２より小さく、コンタクト層１５はｐ型半導体層２１から歪みを受ける。基板１３は活性領域２５からの光が透過可能である。 （もっと読む）

【課題】 電流広がり特性が良好で、かつ、光の取出し効率を高くできる、発光ダイオード及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 上部電極５及び下部電極６を有する発光ダイオードチップ１０において、下部電極６を網目状電極６Ａから形成する。発光ダイオードチップ１０の下部電極６側を搭載部２２に接着層８を介して搭載し、網目状電極の開口部７に充填する接着層８Ａが反射鏡となり、発光ダイオードチップ１０の下方へ出射する光が反射鏡により反射されて、発光ダイオードチップ１０から上方への出射光とし、網目状電極６Ａにより電流広がり効果を備える。電流広がり特性が良好で、かつ、光の取出し効率が高い発光ダイオードを低コストで提供できる。 （もっと読む）

【課題】 低電気抵抗値と厚いｎ型窒化ガリウム系コンタクト層を具えた窒化ガリウム系発光ダイオードの提供。
【解決手段】 基板、ダブルバッファ層、ｎ型窒化ガリウム層、短周期超格子デジタルコンタクト層、活性発光層、ｐ型クラッド層、及びコンタクト層を具え、高ドープ濃度で低電気抵抗の厚いｎ型窒化ガリウムコンタクト層が形成され、厚いｎ型窒化ガリウム層内に亀裂或いはピンホール現象が発生しない。シリコン短周期ヘビードープの窒化アルミニウムガリウムインジウム成長超格子構造は窒化インジウムガリウム／窒化ガリウム多重量子井戸構造発光ダイオードの低電気抵抗値のｎ型コンタクト層とされる短周期超格子デジタルコンタクト層を具備する。その後のステップでｎ型オームコンタクト電極層を形成しやすく、並びに全体の電気特性を良好とし、全体装置の操作電圧を下げる。 （もっと読む）

【課題】 高品質の半導体素子を提供する。
【解決手段】 基板と、基板上方に形成された複合接合層と、複合接合層上方に形成された第１の電極と、第１の電極上を含む領域に形成された半導体層と、半導体層上の一部の領域に形成された第２の電極とを有し、複合接合層は、基板、及び第１の接合層を含む支持基板と、半導体層、第１の電極、及び第２の接合層を含む半導体積層構造とを接合するときに形成され、第１または第２の接合層は共晶成分を含み、支持基板及び半導体積層構造の少なくとも一方は、拡散材料を含む拡散材料層を含み、複合接合層は、第１または第２の接合層の一方に含まれる共晶成分が他方の接合層と混合して第１の混合体を形成し、更に第１の混合体と拡散材料層に含まれる拡散材料とが混合し、第１の混合体の溶融温度より高い溶融温度を有する第２の混合体を形成することにより形成される半導体素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】ケイ素を含む発光層を備えた赤色光発光素子を提供する。
【解決手段】赤色光発光素子５０は、上表面２３Ａと下表面２３Ｂとを有する基板２２と、上表面２３Ａ上に設けた第１窓層２５と、その第１窓層２５上に設けた二酸化ケイ素層２６と、二酸化ケイ素層２６内に分布する複数個のケイ素ナノメートル結晶２４と、二酸化ケイ素層２６上に設けた第２窓層２７と、その第２窓層２７上に設けた透明導電層２８と、その透明導電層２８上に取り付けた第１オーム接触電極６５と、その下表面２３Ｂに取り付けられた第２オーム接触電極３０とを含む。 （もっと読む）

【課題】ケイ素を含む発光層を持った赤外光発光素子を提供する。
【解決手段】赤外光発光素子５０は、上表面２３Ａと下表面２３Ｂとを有する基板３３と、上表面２３Ａ上に設けた第１窓層２５と、その第１窓層２５上に設けた二酸化ケイ素層２６と、二酸化ケイ素層２６内に分布する複数個のケイ素ナノメートル結晶２４と、二酸化ケイ素層２６上に設けた第２窓層２７と、その第２窓層２７上に設けた透明導電層２８と、その透明導電層２８上に設けた第１オーム接触電極６５と、下表面２３Ｂに取り付けられた第２オーム接触電極３０とを含む。 （もっと読む）