【課題】光取り出し効率及び輝度を向上させた発光ダイオード及びその製造方法を提供する。
【解決手段】表裏の関係にある第１の表面と第２の表面とを有する導電性基板１２４と、導電性基板１２４の第１の表面側に形成された金属接合層１３０と、必要に応じて拡散障壁層１２２を介して金属接合層１３０上に形成された金属反射層１２０と、必要に応じて透明導電層１１６及びｎ型金属コンタクト層１３４を介して金属反射層１２０上に形成されたｎ型半導体層１０６と、ｎ型半導体層１０６上に形成された活性層１０８と、活性層１０８上に形成されたｐ型半導体層１１０と、ｐ型半導体層１１０上に形成され、５０μｍ以上の厚さを有し、透明な導電性材料からなる窓層１１２と、窓層１１２上に形成されたｐ型電極（１１４）とを備える。 （もっと読む）

【課題】連続発振動作が可能なMOS構造の発光素子を提供する。
【解決手段】MOS構造の発光素子１は、MOSトランジスタ２と、MOSトランジスタ２の直下に配置された弾道電子源３とを備える。MOSトランジスタ２はｐチャネル型MOSトランジスタである。MOSトランジスタ２からフローティングゲート１０にトンネル電流にてホールを注入し、弾道電子源３からフローティングゲート１０に電子を注入する。これにより、フローティングゲート１０内で電子とホールが連続的に再結合して発光するので、連続発振動作が実現される。 （もっと読む）

本発明は、発光ダイオード（ＬＥＤ）に関する。特に本発明は、ナノワイヤを活性部分として有するＬＥＤに関する。本発明にかかるナノ構造のＬＥＤは、基板と、該基板から突出した直立したナノワイヤとを含む。活性領域(120)に光を生成する能力を与えるｐｎ接合は、この構造内に存在する。前記ナノワイヤ(110)、または、前記ナノワイヤから構成される構造は、前記活性領域で生成された光の少なくとも一部を、前記ナノワイヤ(110)により与えられる方向に向ける導波管(116)を形成する。
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【課題】発光効率が極めて高く、しかも一度のエピタキシャル成長により低コストで製造することができる発光ダイオードおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】サファイア基板などの基板１１の一主面にこの基板１１と異なり、屈折率が１．７〜２．２の誘電体により凸部１２を形成し、凸部１２の間の凹部１３に、その底面を底辺とする三角形状の断面形状となる状態を経て窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１５を成長させた後、この窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１５から横方向成長を行う。この窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１５上に、活性層を含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させて発光ダイオード構造を形成する。基板１１を除去する場合は、屈折率が１．０〜２．３の誘電体により凸部１２を形成する。この発光ダイオードを用いて発光ダイオードバックライトなどを製造する。 （もっと読む）

【課題】下部のシリコン基板に対し、上方に出射される光が多い、すなわち光の取り出し効率が従来例に比較して高く、製造コストを低減することができる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光素子は、基板と、該基板と異なる材料の化合物半導体の材料にて、基板の一方の主面に形成された活性層を含む活性層形成部と、該活性層形成部の上面から活性層を貫通する複数の孔と、該孔の位置に対応して活性層と基板との間に設けられ、平面視において前記孔に比較して面積が大きい空洞部とを有し、活性層形成部の下部に空洞部が延伸して形成され、平面視において、空洞部の領域と重なる、延伸した活性層形成部の下部が露出されている。 （もっと読む）

【課題】半導体層の表面平滑性を維持しつつＢｅ酸化物を排除して、ＡｕＢｅ層を有する所定形状のｐ側電極を遅延なく安定して形成することが可能な半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】第１の表面処理工程によりＡｕＢｅ層４内及びその近傍に生成されたＢｅ酸化物を効率良く溶解除去することができるため、続くエッチング工程をＢｅ酸化物の影響を受けずに遅延なく行うことができる。また、エッチング工程にＫＣＮ系エッチャントを用いることにより、半導体層の表面平滑性を良好に維持しつつ、ｐ側電極を迅速かつ安定して形成することが可能となる。また更に、エッチング後の第２の表面処理工程により残留したＢｅ酸化物は完全に除去されるため、後の工程でＢｅ酸化物が悪影響を及ぼすこともない。 （もっと読む）

【課題】歩留まりを向上することができる半導体発光素子およびその半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】導電性基板と、導電性基板上に形成された接着用金属層と、接着用金属層上に形成されたバリア層と、バリア層上に形成された反射層と、反射層上に形成されたオーミック電極層と、オーミック電極層上に形成された第２導電型半導体層と、第２導電型半導体層上に形成された発光層と、発光層上に形成された第１導電型半導体層と、を含み、第２導電型半導体層、発光層および第１導電型半導体層の外周が除去されている半導体発光素子とその半導体発光素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】発光装置の高輝度化および小型化を実現する。
【解決手段】発光装置は、逆四角錐台状の半導体発光素子３、および、半導体発光素子３が挿入される逆四角錐台状のキャビティが形成されたキャビティ基板を備える。半導体発光素子３は、逆四角錐台状の透明基材３１、および、透明基材３１の基材下面３１２上に設けられた多層半導体層３２を備え、透明基材３１の基材上面３１１が光出射面となっている。発光装置では、多層半導体層３２の一方にのみ透明基材３１が設けられた半導体発光素子３において、素子下面３０２および４つの素子側面３０３に、発光層３２２からの光を反射する第１反射層および第２反射層となるｐ電極層３４およびｎ電極層３５が設けられる。これにより、半導体発光素子３および発光装置の高輝度化および小型化を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】発光素子の構成をガラス封止に適したものとし、装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】電極２５，２７が形成された電極形成部２ａを有するＬＥＤ素子２と、ＬＥＤ素子２が搭載される素子搭載基板３と、素子搭載基板３上に形成されＬＥＤ素子２を封止し、ガラス転移点が３４０℃以上のガラス封止部４と、を備え、ＬＥＤ素子２の電極形成部２ａにパッシベーション膜を設けず、電極２７が中空部５に直接接触するようにした。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ系蛍光体の有する特性を阻害することなく、安定して製造できる構造のＺｎＯ系光機能素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＺｎＯ系光機能素子１ａは、基体１０と、基体１０上に配置されたＺｎＯを基質とする発光層４０と、発光層４０に電界を印加するための一対の電極層２０と、を備え、一対の電極層２０は、基体１０上に発光層４０と並んで配置されている。更に、一対の電極層２０の少なくとも一部は発光層４０と基体１０との間に入り込んで配置された構造とすることができる。本発明のＺｎＯ系光機能素子１ａは、一対の電極層２０を形成する電極層形成工程の後に、発光層４０を形成する発光層形成工程を行うことで得ることができる。 （もっと読む）

【課題】発光層における発光強度の均一性が高く、長寿命で信頼性に優れた窒化物半導体発光ダイオード素子を提供すること。
【解決手段】窒化物半導体発光ダイオード素子１０は、基板１１上に形成されたｎ型窒化物半導体からなる負コンタクト層１３を有し、負コンタクト層１３上には、負電極Ｅ１１と、窒化物半導体からなる層状の発光構造体Ｌ１０とが、それぞれ異なる領域に形成されており、発光構造体Ｌ１０は、発光層１４を含むとともに最上部に正コンタクト層１５を有し、正コンタクト層１５上に正電極Ｅ１２が形成されている。負電極Ｅ１１が、オーミック電極Ｅ１１ａと、オーミック電極Ｅ１１ａと電気的に接続された接点電極Ｅ１１ｂとからなり、接点電極Ｅ１１ｂは、当該接点電極Ｅ１１ｂから負コンタクト層１３に直接電流が流れないように形成されており、オーミック電極Ｅ１１ａは、負コンタクト層１３上の縁部に沿って形成されている。 （もっと読む）

【課題】マイグレーションの発生を防止することで信頼性の高い発光素子を提供する。
【解決手段】基板１１と、基板１１に積層されたｎ層１２１、発光層１２２、およびｐ層１２３を含む半導体層１２と、ｎ電極１３と、反射電極１４２を有するｐ電極１４とを有する発光素子１０において、ｐ電極１４は、複数の凹部１４１ａが設けられていると共にし、この複数の凹部１４１ａのそれぞれに分割された反射電極１４２が設けられたｐコンタクト電極１４１と、ｐコンタクト電極１４１の凹部１４１ａに蓋をするように形成されたｐボンディング電極１４３とを備えた。 （もっと読む）

【課題】発光効率が高く、かつ発光波長が安定した窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板(10)と、基板(10)の主面上に形成されたＡｌＮ層(11)と、ＡｌＮ層(11)上に形成された窒化物半導体多層膜(12)とを含む窒化物半導体発光素子(1)であって、ＡｌＮ層(11)は、無極性面を有し、ＡｌＮ層(11)における窒化物半導体多層膜(12)に接する主面には、規則的に配列した凹凸(11a)が形成されている窒化物半導体発光素子(1)とする。 （もっと読む）

【課題】導電性基板に、高反射性金属層を介してｎ型層を設け、最上層のｐ型層に透光性電極を設けた構成のIII族窒化物系化合物半導体発光素子。
【解決手段】エピタキシャル成長用基板１００に、ｎ型層１１、ｐ型層１２、透光性電極１２１、絶縁層１５０を設ける（１．Ａ）。犠牲層１２２を設けて、接着層２０１を用いて保持基板２００と接着する（１．Ｂ）。エピタキシャル成長用基板１００をレーザーリフトオフにより除去し保持基板ウエハ２９０を得る（１．Ｃ）。高反射性金属層１１１、はんだ層等（ｍｅｔａｌｓ）を形成し（１．Ｄ）、導電性基板３００を接合する（１．Ｅ）。犠牲層１２２をウエットエッチングにより除去し、導電性基板ウエハ３９０が得られる（１．Ｆ）。 （もっと読む）

【課題】ボンディングパッドの接着性の向上を図った発光ダイオードアレイおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】複数の発光ダイオードと、これら発光ダイオードに電気を供給するための第１の電極用及び第２の電極用のボンディングパッドとを備えた発光ダイオードアレイにおいて、前記ボンディングパッドが、下部金属層４１と、前記下部金属層４１を覆う絶縁膜に形成されたコンタクト孔４０を介して前記下部金属層４１に接触している上部金属層４２とから構成されている。 （もっと読む）

【課題】透光性電極を備えた窒化物半導体発光素子において、発光の均一性を改善でき、Ｖｆを低下可能な窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】基板２と、ｎ型窒化物半導体層４、６と、ｐ型窒化物半導体層８と、ｎ側パッド電極１２と、透光性電極１４と、ｐ側パッド電極１６と、を備えた窒化物半導体発光素子であって、透光性電極１４は、導電性酸化物から成り、ｎ側パッド電極１２は、透光性電極１４の外周に隣接し、ｐ側パッド電極１６は、次の関係を充足するよう配置されている。
０．３Ｌ≦Ｘ≦０．５Ｌ、かつ、０．２Ｌ≦Ｙ≦０．５Ｌ
（Ｘ：ｐ側パッド電極１６からｎ側パッド電極１２までの端間距離、Ｙ：ｐ側パッド電極１６の端から透光性電極１４の外周までの距離、Ｌ：ｐ側パッド電極１６とｎ側パッド電極１２の重心同士を結ぶ線分上における透光性電極１４の長さからｐ側パッド電極の外径ｄを引いた長さ） （もっと読む）

【課題】前面発光型窒化物系発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０上に順次積層されたｎ型クラッド層３０、活性層４０、ｐ型クラッド層５０及び透明導電性薄膜層６０を備え、ここで、透明導電性薄膜層６０は、内部で発生した光の外部発光効率を高めるために別途のエッチングマスクなしに湿式エッチング方式とポスト熱処理によるナノメートルスケールでパターニングされた表面を有する窒化物系発光素子である。これにより、湿式エッチングとポスト熱処理法により形成されたパターニングされた表面を有する透明導電性薄膜層を介して素子の外部発光効率を極大化させることができ、高輝度発光ダイオードの具現を可能にする。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオードおよびその製造方法において、より高い効率を得ることが可能なチップボンディング発光ダイオード、および光を吸収する問題を解決すると共に、破損するウェハを少なくして歩留りを増加させる発光ダイオードの製造方法を提供する。
【解決手段】発光ダイオードは、第１の部分および第２の部分を有する常設基板、および常設基板の第１の部分にチップボンディング技術によって取り付けられたチップを含む。チップは、少なくとも１つの第１の電極および１つの発光領域を含む。製造方法は、ＥＰＩウェハの脆弱性の問題を解決するために、常設基板の第１の部分にチップボンディング技術によって単一のチップを実装するステップを備える。 （もっと読む）

【課題】好適な外部への光取り出し構造を有する半導体発光素子と、その製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】発光層３を含む積層構造１０を有する半導体発光素子構造３０を基板１上に設けた半導体発光素子であって、半導体発光素子構造３０は、積層構造１０の上端面４ａにおいて、発光層３より基板面１ａに近い層が露出した底面２０ｂを有する凹状に形成された部位２０における第１の側面２０ａと、積層構造１０の外周に形成された第２の側面７とを有し、第１の側面２０ａは、発光層３若しくは基板面１ａに略垂直に、かつ少なくとも一部が互いに対向するように形成され、第２の側面７は、積層構造１０の上端面４ａと基板面１ａに接する積層構造１０の下端面とを接続し、上端面４ａから下端面に向かって内側に傾斜する傾斜面として形成される。 （もっと読む）

本発明は、金属電極の形成方法及び半導体発光素子の製造方法に関する。本発明は、半導体層上に接合金属層及び反射金属層を形成するステップと、熱処理工程を行うことにより、接合金属層と反射金属層を層反転させて、金属電極を形成するステップと、を含む金属電極の形成方法及び半導体発光素子の製造方法を提供する。このような層反転現象を用いて、半導体層と反射金属層を含む電極間の界面特性を高めることができ、層反転を通じて反射金属層が半導体層上に均一に分布して高い反射度が得られ、層反転を通じて反射金属層の外部拡散を防止して電極の熱的安定性を増大させることができ、また、酸素雰囲気における熱処理を通じてホールを生成するアクセプターを増大させて接触抵抗を下げることができる。
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