【課題】フリップチップ発光ダイオードの電流拡散の効果を増大させ、その発光効率を高める。
【解決手段】フリップチップ発光ダイオードは所定の結晶方向を持つ光透過性基板３０に、Ｎ型窒化物半導体層３１、活性層３２、Ｐ型窒化物半導体層３３を順次に形成する。Ｎ型窒化物半導体層の複数の領域が所定幅を有するように露出してメサを形成し、前記複数のメサとメサとの間に位置している前記Ｎ型窒化物半導体層の複数の領域が所定幅を有するように露出して形成された溝を含む発光構造物４１とし、溝表面にわたって溝絶縁層３４を形成し、Ｐ型窒化物半導体層上部と溝表面に形成された絶縁層にわたってＰ型電極３８を形成し、前記発光構造物の複数のメサにＮ型電極３９を形成してなる。発光構造物に形成された複数の溝のそれぞれは、溝の底面と側面間の角度が９０゜以上１６５゜以下の範囲を有するように形成する。 （もっと読む）

【課題】簡素なプロセスで発光ダイオード表示装置を製造することを可能とする発光ダイオード表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】発光ダイオード表示装置の製造方法は、第１発光ダイオード１１０、第２発光ダイオード２１０及び第３発光ダイオード３１０を発光ユニット製造用基板に仮固定して、第１発光ダイオード１１０、第２発光ダイオード２１０及び第３発光ダイオード３１０のそれぞれの第１電極が副共通電極３４に接続された発光ユニットを得た後、発光ユニットを発光ユニット製造用基板から表示装置用基板６１に転写して固定することで、発光ユニットの複数が、第１方向、及び、第１方向と直交する第２方向に２次元マトリクス状に配列されて成る発光ダイオード表示装置を得る各工程を具備する。 （もっと読む）

【課題】大面積ウェハ（成長用基板および支持基板）の成長用基板除去プロセスの一環として、該ウェハの反りを低減することで、レーザ光の照射むらを低減し、成長用基板を分離するための分離層を全面均一に形成できる半導体発光素子の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】本発明は、成長用基板の表面に発光層を含む半導体層を積層し半導体積層体を形成する第１の工程と、成長用基板の半導体積層体側と支持基板の接合面側とを相互に向き合わせて配置し、かつ、成長用基板と支持基板とを接合するための接合層を成長用基板と支持基板との間に形成する第２の工程と、少なくとも成長用基板と支持基板とを加熱し、同時に、成長用基板の裏面からレーザ光を照射する第３の工程とを備える半導体発光素子の製造方法およびそのための製造装置に関する。 （もっと読む）

本発明は半導体発光素子に関する。本発明の半導体発光素子は第１導電型半導体層と、前記第１導電型半導体層の下に活性層と、前記活性層の下に第２導電型半導体層と、前記第２導電型半導体層の下に第２電極層と、前記第２導電型半導体層と前記第２電極層の間の少なくとも一部に透光性伝導層を含む。
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【課題】 ドナー・アクセプター対発光による面発光を低電圧の直流駆動によって十分に得ることができるとともに、寿命特性を従来よりも向上させることが可能な発光素子を提供すること。
【解決手段】 発光素子１００は、一対の電極２，６と、電極２，６間に配置されたドナー・アクセプター対発光機能を有する発光層４と、発光層４と電極２との間に配置され、発光層４に隣接するキャリア注入層３とを備え、キャリア注入層３には、Ｙ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ及びＲｅのうちの少なくとも１種の元素が含まれていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】良好なオーミック接触を示し、全面発光可能な電極材料を具備する半導体発光素子を提供する。
【解決手段】光取り出し側の電極層が、貫通する複数の開口部を有しており、その金属部位の任意の２点間は切れ目無く連続しており、開口部に阻害されない連続した金属部位の直線距離が、活性層から発生する発光波長の１／３以下である部位が、全面積の９５％以上であり、平均開口部径が１０ｎｍ以上から前記発光波長の３分の１以下の範囲にあり、電極層の膜厚が１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲であって、前記電極層と前記半導体層が良好なオーミック接触を形成している。 （もっと読む）

【課題】 発光素子からの光を損失を小さくして全方向へ均一に放射させることができる従来にない発光装置を提供すること。
【解決手段】 発光装置は、透光性基板１と、透光性基板１上に形成された、第１導電型（例えばｎ型）窒化ガリウム系化合物半導体層２ａと窒化ガリウム系化合物半導体から成る発光層２ｂと第２導電型（例えばｐ型）窒化ガリウム系化合物半導体層２ｃとを含む半導体層を有する発光素子５と、第１導電型窒化ガリウム系化合物半導体層２ａの表面に形成された第１の透明電極層３と、第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層２ｃの表面に形成された第２の透明電極層４と、発光素子５を載置する載置面を有する透光性のサブマウント７と、発光素子５及びサブマウント７を覆う透光性封止材８と、を具備している。 （もっと読む）

【課題】発光層から発せられる光に対して不透明なパッド電極を用いた窒化物半導体発光素子において、従来よりも光取り出し効率を向上させることができる窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１のｎ型窒化物半導体層、発光層、ｐ型窒化物半導体層および第２のｎ型窒化物半導体層をこの順に含む窒化物半導体発光素子であって、少なくとも第２のｎ型窒化物半導体層の一部を除去することにより形成された電流阻止領域を有する窒化物半導体発光素子とその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】光取り出し面に凹凸形状を簡便かつばらつきが少なく、低コストで形成することができる半導体発光素子の製造方法およびその方法により製造された半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化ガリウム基板等の半導体基板上に半導体結晶層を形成する工程と、半導体結晶層に対して第四級アンモニウム塩を含む溶液によるウェットエッチングを行なうことによって光取り出し面となる半導体結晶層または窒化ガリウム基板の表面に凹凸を形成する工程とを含む半導体発光素子の製造方法とその方法により製造された半導体発光素子である。 （もっと読む）

【課題】本発明は窒化物半導体発光素子及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の一側面は、ｎ型及びｐ型窒化物半導体層とこれらの間に形成された活性層を備える発光構造物と、上記ｎ型及びｐ型窒化物半導体層とそれぞれ電気的に連結されたｎ型及びｐ型電極及び上記ｎ型窒化物半導体層と上記ｎ型電極の間に形成され、Ｉｎを含む物質からなる第１層及び上記第１層上に形成され透明伝導性酸化物からなる第２層を備えるｎ型オーミックコンタクト層を含む窒化物半導体発光素子を提供する。これにより、高い投光性を有しながらも電気的特性に優れたｎ型電極を備える窒化物半導体発光素子を提供することが出来る。さらに、上記のような優れた光学的・電気的特性を表すための最適化した窒化物半導体発光素子の製造方法を提供することが出来る。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】ｎ型窒化物半導体層及びｐ型窒化物半導体層とこれらの間に形成された活性層を備える発光構造物と、上記ｎ型窒化物半導体層及び上記ｐ型窒化物半導体層とそれぞれ電気的に連結されたｎ型電極及びｐ型電極及び上記ｎ型窒化物半導体層と上記ｎ型電極との間に形成され、Ｉｎを含む物質からなる第１層及び上記第１層上に形成されＷを含む物質からなる第２層を備えるｎ型オーミックコンタクト層とを含む窒化物半導体発光素子を提供する。本発明によると、熱処理工程を経なくても熱的に安定し電気的特性に優れたｎ型電極を備える窒化物半導体発光素子を提供することが出来る。さらに、本発明によると、上記のような優れた熱的・電気的特性を表すための最適化した窒化物半導体発光素子の製造方法を提供することが出来る。 （もっと読む）

【課題】本発明は、放熱性に優れるとともに、チップ化する際に分割を容易に行うことができる発光ダイオードおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にｎ型半導体層２１と、発光層２２と、ｐ型半導体層２３とおよび複数の反射性ｐ型オーミック電極３０を形成する工程と、前記反射性ｐ型オーミック電極３０の上にへき開性基板６０を形成する工程と、光取り出し面２０ａを露出させる工程と、前記光取り出し面２０ａにｎ型オーミック電極１０を形成する工程と、前記へき開性基板６０のうち前記反射性ｐ型オーミック電極３０と対応する部分に凹部を設ける工程と、シード層７３を形成する工程と、前記シード層７３にメッキ層７０を形成する工程と、前記へき開性基板６０のうち凹部を区画する周辺部６３をへき開する工程と、を具備してなることを特徴とする発光ダイオード１００の製造方法により、上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体発光素子及びその製造方法に関する。
【解決手段】順方向電圧の特性及びターンオン電圧の特性のような発光素子自体の特性を向上させ、入力電圧を減少させ発光素子の効率を増加させながら、低電圧動作で発光素子の信頼性が増加する半導体発光素子及びその製造方法が提案される。本発明による半導体発光素子は、ｎ型ＧａＮ半導体層、ｎ型ＧａＮ半導体層のガリウム表面に形成された活性層、活性層上に形成されたｐ型半導体層と共に、ｎ型ＧａＮ半導体層の窒素表面に形成されたランタン（Ｌａ）−ニッケル（Ｎｉ）合金を含むｎ型電極を含む。 （もっと読む）

【課題】製造時における金属接触部の劣化や金属の窒化物半導体層への拡散を防止してコンタクト抵抗の低減を図る。
【解決手段】基板、第１接触部、前記基板上に蒸着したドープ半導体材料第１層、前記第１層に蒸着した半導体接合領域、前記接合領域に蒸着したドープ半導体材料を有する第２層（この第２層は前記第１層と逆極性にドープした半導体を有する）、及び第２接触部を含んでなり、前記第２接触部は前記第２層と電気的に導通し、前記第１接触部は前記基板と前記接合領域との間で前記半導体デバイス内に包埋されて前記第１層と電気的に導通する半導体材料、並びに埋め込み接触半導体デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧が低く、発光強度が高い窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】基板上に窒化ガリウム系化合物半導体からなる、ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層をこの順序で有し、ｐ型半導体層およびｎ型半導体層に正極および負極がそれぞれ設けられた発光素子において、正極が半導体層上に形成された透光性電極および該透光性電極上に形成されたボンディングパッド電極を有し、透光性電極が金属酸化物からなる透明導電材料を含み、ボンディングパッド電極が透光性電極側にＰｔ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉｒ、ＡｌおよびＡｇの少なくとも１種を含む金属からなる反射層を有し、反射層と透光性電極との密着強度が剥離強度で４９０ｍＮ（５０ｇｆ）以上であることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】量子情報処理や量子情報通信に用いるのに好適であって動作評価が可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１は、基板１０と、基板１０の一方の主面上に設けられた第１導電型の第１半導体層１１と、第１半導体層１１上の第１領域に設けられた第１導電型の第２半導体層１２と、第２半導体層１２上に設けられた第２導電型の第３半導体層１４と、第３半導体層１４上に設けられた超伝導の第１電極１５および超伝導の第２電極１６と、第１半導体層１１上の第２領域に設けられた第３電極１７と、第１電極１５が設けられた領域の下方であって第２半導体層１２と第３半導体層１４との間に設けられた半導体量子ドット領域１３と、を備える。第１電極１５のうち半導体量子ドット領域１３の上方部分に貫通孔１８が設けられ、第１電極１５と第２電極１６との間に間隙１９が設けられている。 （もっと読む）

本発明の課題は、窒化ガリウムに基づいた層をエピタキシャル成長させるための基板として使用できる基板であり、その基板は、その面の少なくとも一方を、少なくとも一つの酸化亜鉛ベース層(13、24)を含む少なくとも一つの多層スタックでコートされた保持体(11、21)を含んでいる。その基板は、III -NタイプまたはII-VIタイプの半導体構造物でコートされており、そして保持体(11、21)と前記少なくとも一つの酸化亜鉛ベース層(13、24)の間に、スズ(Sn)、亜鉛(Zn)、インジウム(In)、ガリウム(Ga)およびアンチモン(Sb)から選択される少なくとも2種の元素の酸化物を含む少なくとも一つの中間層(12、23)が配置されていることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】安価で信頼性の高い化合物半導体ウェハ、発光ダイオード及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光層（２２）を含む化合物半導体結晶層（２）と導電性基板（６）とが金属層（５）を介して接合された構造を有する発光ダイオードにおいて、前記金属層（５）が、前記化合物半導体結晶層（２）の一方の主表面に形成された第１金属層（５１）と、前記導電性基板（６）の一方の主表面に形成された第２金属層（５３）とを有し、且つ、前記第１金属層（５１）と前記第２金属層（５３）の間に、平均粒径ｌｎｍ〜ｌ００ｎｍの金属微粒子が互いに結合して構成された金属微粒子層（５２）を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は光デバイス及びその製造方法に関するもので、本発明の目的は、電気的/熱的/構造的に安定して、ｐ型電極とｎ型電極を同時に形成することができる光デバイス及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】前記の目的を達成するために本発明に係る光デバイスは、ＧａＮ系層と、前記ＧａＮ系層の上に形成された高濃度ＧａＮ系層と、前記高濃度ＧａＮ系層の上に形成された第１金属−Ｇａ化合物層と、前記第１金属−Ｇａ化合物層の上に形成された第１金属層と、前記第１金属層の上に形成された第３金属−Ａｌ化合物層及び前記第３金属−Ａｌ化合物層の上に形成された伝導性酸化防止層と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

半導体装置のＧａＮ層の反転した構造の表面上にコンタクトを形成する技術が開示されている。ｎドープＧａＮ層は、そのｎドープＧａＮ層が形成されていた基材を除去することで露出される表面を有して形成される。このような表面の結晶構造は積層ｐドープＧａＮ層の表面とは大きく異なる特性を有する。 （もっと読む）