【課題】複数の接触部を有する発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の一実施例による発光素子は、支持基板と、該支持基板の上に位置する反射層と、該反射層の上に位置する透明層と、該透明層の上に位置する発光スタック層と、該透明層と該反射層との間に位置するエッチング阻止層と、該発光スタック層と該透明層との間に位置する複数の接触部とを有する。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム系半導体層の半極性主面とパラジウム電極との接触抵抗が増加することを抑制可能な半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザ１００の製造方法は、半導体基板１０の表面上に活性層１４と、半極性主面を有するｐ型半導体層１８とを順に配置して積層体２０を形成する積層体形成工程と、パラジウム電極３８をｐ型半導体層１８の半極性主面に接合するように形成して基板生産物を形成する表面電極形成工程と、ｐ型半導体層１８及びパラジウム電極３８を処理する処理工程と、を備え、処理工程において、ｐ型半導体層１８及びパラジウム電極３８は、下記式（１）で表される条件を満たすように温度Ｔ（Ｋ）の状態で時間ｔ（分）保持される。


（式中、α_１は１６８７０であり、α_２は３０．３５〜３０．５５である） （もっと読む）

【課題】 表面がｍ面から１°以上５°以下の角度で傾斜した基板上で結晶成長させたＧａＮ系半導体素子におけるコンタクト抵抗を低減する。
【解決手段】 本発明の窒化物系半導体素子は、表面１２がｍ面から１°以上５°以下の角度で傾斜したｐ型半導体領域を有する半導体積層構造２０と、ｐ型半導体領域上に設けられた電極３０とを備える。ｐ型半導体領域は、Ａｌ_xＩｎ_yＧａ_zＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，ｘ≧０，ｙ≧０，ｚ≧０）層２６から形成されている。電極３０は、Ｚｎ層３２を含み、Ｚｎ層３２は、半導体積層構造２０におけるｐ型半導体領域の表面に接触している。 （もっと読む）

【課題】低抵抗かつ信頼性の高いコンタクト電極構造を有する窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】実施の形態によれば、ｐ型窒化物半導体層と、ｐ型窒化物半導体層上に形成され、膜厚が３ｎｍ以下で多結晶質のニッケル酸化物層と、ニッケル酸化物層上に形成される金属層と、を有する半導体素子である。ニッケル酸化物層の結晶粒径が、ニッケル酸化物層の膜厚よりも大きいことが望ましい。ｐ型窒化物半導体層がｐ型ガリウムナイトライド（ＧａＮ）であることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】色ばらつきを抑えた半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、発光チップと蛍光体層とを備える。前記発光チップは、半導体層と、第１の電極と、第２の電極と、絶縁層と、第１の配線層と、第２の配線層と、第１の金属ピラーと、第２の金属ピラーと、樹脂層と、を有する。前記半導体層は、第１の主面と、その反対側に形成された第２の主面と、発光層とを含む。前記蛍光体層は、前記第１の主面上に設けられ、前記発光チップの平面サイズよりも大きい平面サイズを有する。 （もっと読む）

【課題】フォトニック結晶構造を備えた発光ダイオードの製造方法の提供。
【解決手段】キャリア２０と、ＩＩＩ−窒化物材料からなる活性層構造１８と、ＩＩＩ−窒化物材料からなるフォトニック結晶構造１９とを備え、活性層構造１８は、ｎ型ドープ層８およびｐ型ドープ層９および適切には量子井戸構造を持つ第１活性層を備える。フォトニック結晶構造１９は、周期的に分布した溝、または周期的に分布し、１つ又はそれ以上の溝によって間隔があいた柱を備える。フォトニック結晶構造１９は、内部において溝の直径が徐々に増加している過成長層６と、溝の直径がほぼ一定である方向性フォトニック結晶層４，５とを含む。ダイオード１００は、方向性フォトニック結晶構造１９が、基板の第１表面の選択したエリアを露出する３次元パターンに設けられるような方法で形成する。 （もっと読む）

【課題】発光素子を具備した発光素子パッケージ及び照明システムの信頼性を改善すること。
【解決手段】本発明の実施形態による発光素子は、複数の半導体層を有する第１の発光構造層と、第１の発光構造層上に配置された第１の電極と、第１の発光構造層の下に配置された第１の反射層と、第１の反射層の下に配置され、複数の半導体層を有する第２の発光構造層と、第２の発光構造層の下に配置された第２の反射層と、第２の発光構造層と第１の反射層の間に配置されたボンディング層と、第１の発光構造層と第２の発光構造層を並列に連結する複数の連結部材とを含む。 （もっと読む）

【課題】偏光特性に優れ、ｍ面基板上で結晶成長させたＧａＮ系半導体素子における物理的強度を高めることのできる構造を提供する。
【解決手段】本発明の照明装置は、少なくとも第１および第２の窒化物系半導体発光素子を備えた照明装置であって、第１および第２の窒化物系半導体発光素子のそれぞれは半導体チップを備え、半導体チップは、Ａｌ_xＩｎ_yＧａ_zＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、ｘ≧０、ｙ≧
０、ｚ≧０）半導体から形成された窒化物系半導体積層構造４５を含み、窒化物系半導体積層構造２０は、界面がｍ面である活性層領域２４を含み、第１および第２の窒化物系半導体発光素子は、それぞれ活性層領域２４から偏光を出射し、第１および第２の窒化物系半導体発光素子が出射する偏光の波長をλ１およびλ２とし、第１および第２の窒化物系半導体発光素子の半導体チップ４５の厚さをｄ１およびｄ２としたとき、λ１＜λ２かつｄ１＜ｄ２の関係を満たしている。 （もっと読む）

【課題】 半導体発光素子の、光学系による外観認識率を向上させる。
【解決手段】発光部を含む半導体積層部と、半導体積層部の第１の主表面側を光取り出し面とし、半導体積層部の第２の主表面側に形成され、発光部で発生した光を第１の主表面側へと反射させる金属反射層と、半導体積層部と金属反射層との間の一部分に配置され、半導体積層部にオーミックコンタクト接合するオーミックコンタクト接合部と、光取り出し面に形成され、外部からの照射光の反射を防止する反射防止膜と、を備える。 （もっと読む）

【課題】発光波長が２００ｎｍ〜３００ｎｍの紫外光の発光効率の向上を図れ、且つ、信頼性の向上を図れる紫外半導体発光素子を提供する。
【解決手段】２００ｎｍ〜３００ｎｍの紫外域に発光波長を有する紫外半導体発光素子であって、ｎ形窒化物半導体層３とｐ形窒化物半導体層５との間に発光層４を有する。ｎ形窒化物半導体層３およびｐ形窒化物半導体層５それぞれに接触する一対の電極のうちの一方の電極であるｐ電極６が、発光波長の紫外光に対する光吸収係数が５×１０^４ｃｍ^−１以下である金属材料により形成された透明金属層６１を有する透明電極からなる。紫外光の発光波長において透明な絶縁材料により形成され透明電極であるｐ電極６を保護する保護層９を備える。 （もっと読む）

【課題】ラテラル構造およびフリップチップ構造の問題を解決し、さらに発光層で発生した紫外光のうち、裏面に向かう光を効率的に反射して表面からの発光量を増大させることができるバーチカル型III族窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のバーチカル型III族窒化物半導体発光素子１００は、ｐ側電極層１１１と、導電性サポート部１０９と、接続層１０８と、反射電極層１０７と、ｐ型半導体積層体１０５、発光層１０４およびｎ型半導体積層体１０３からなるIII族窒化物半導体積層体と、ｎ側電極層１１０とを順に具え、前記反射電極層１０７は、前記ｐ型半導体積層体１０５に直接接合するロジウム、ロジウム含有合金、ルテニウム、ルテニウム含有合金のいずれかからなり、発光波長が２００〜４９５ｎｍの範囲であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物系半導体領域の表面がｃ面から傾斜している場合に、該半導体層上に設けられる電極と該半導体領域との接触抵抗を小さく抑えることが可能なIII族窒化物系半導体素子を提供する。
【解決手段】III族窒化物系半導体素子は、III族窒化物結晶からなる非極性表面１３ａを有する半導体領域１３と、半導体領域１３の非極性表面１３ａに設けられた金属電極１７とを備え、非極性表面１３ａは半極性及び無極性のいずれかであり、半導体領域１３にはｐ型ドーパントが添加されており、半導体領域１３のIII族窒化物結晶と金属電極１７との間に、金属電極１７の金属と半導体領域１３のIII族窒化物とが相互拡散して成る遷移層１９を有する。 （もっと読む）

【課題】発光層から放出された光の取り出し効率を向上させる半導体発光素子及びその製造方法並びに半導体発光装置を提供すること。
【解決手段】実施形態によれば、半導体発光素子は、発光層を含み、発光層から放出される光が取り出される第１の主面と、第１の主面の反対側に設けられた第２の主面とを有する半導体積層体と、半導体積層体の第２の主面に接して設けられたコンタクト層と、第２の主面の反対側の面でコンタクト層に接して設けられた透明電極層と、導電性及び反射性を有し、コンタクト層の反対側の面で透明電極層に接して設けられた反射層とを備えている。コンタクト層と透明電極層との界面には起伏が形成されず、透明電極層は反射層と接する面に起伏を有し、反射層は起伏を被覆する粗面を有する。 （もっと読む）

【課題】電極との接触抵抗が低減された化合物半導体素子を提供する。
【解決手段】化合物半導体素子は、表面Ｓ１と表面Ｓ２とを有しており六方晶系化合物半導体のＧａＮからなるｎ基板３と、ｎ基板３の表面Ｓ１に設けられたｎ電極１３と、ｎ基板３の表面Ｓ２に設けられたｎクラッド層５、活性層７、ｐクラッド層９及びコンタクト層１１を有する積層体と、ｐクラッド層９上に設けられたｐ電極１５とを備える。ｎ基板３の表面Ｓ１に含まれるＮ原子の数は表面Ｓ１に含まれるＧａ原子の数より大きく、表面Ｓ１に設けられる電極はｎ電極１３であり、表面Ｓ１の酸素濃度は５原子パーセント以下である。コンタクト層１１の表面Ｓ３に含まれるＧａ原子の数は表面Ｓ３に含まれるＮ原子の数より大きく、表面Ｓ３に設けられる電極はｐ電極１５であり、表面Ｓ３の酸素濃度は５原子パーセント以下である。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率が高く、かつ発光効率が高い窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の窒化物半導体発光素子は、窒化物半導体層と、導電性の第１酸化物層と、絶縁性の第２酸化物層とを含み、第１酸化物層および第２酸化物層は、同一種類の酸化物材料からなることを特徴とする。第１酸化物層を構成する二酸化チタン中のチタンに対し、ニオブ、タンタル、モリブデン、ヒ素、アンチモン、アルミニウムまたはタングステンのいずれかがモル比で１％以上１０％以下ドープされ、第２酸化物層を構成する二酸化チタン中のチタンに対し、ニオブ、タンタル、モリブデン、ヒ素、アンチモン、アルミニウムまたはタングステンのいずれかがモル比で１％未満ドープされることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ウェーハボンディングまたはメタルボンディングを利用したモノリシック白色発光素子を提供する。
【解決手段】白色発光素子１３０は、上面にｐ側リード端子１３２ａとｎ側リード端子１３２ｂが形成されたサブマウント基板１３１と、下からｐ型窒化物半導体層１２６、第１活性層１２４，１２５、ｎ型窒化物半導体層１２３及び絶縁性基板１２１が順次に積層されて成り、前記ｐ型及びｎ型窒化物半導体層はそれぞれ前記ｐ側及びｎ側リード端子に各々連結された第１発光部１２０と、前記絶縁性基板の上面の一領域上に形成された金属層１３８と、前記金属層の一領域上に接合され、下からｐ型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体層１４６、第２活性層１４５及びｎ型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体層１４２が順次に積層されて成る第２発光部１４０と、前記金属層の他領域と前記ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体層上にそれぞれ形成されたｐ側電極１４８及びｎ側電極１４９とを含む。 （もっと読む）

【課題】ｎ型層のＮ極性面に３５０℃以下のアニールでコンタクト電極を形成する。
【解決手段】レーザリフトオフにより形成されるIII族窒化物系化合物半導体素子１００の、ｎ型層１１のＮ極性面を加工して微細な凹凸を形成した表面１１ｓに、３５０℃以下のアニールで、バナジウム、クロム、タングステン、ニッケル、白金、ニオブ又は鉄のコンタクト電極１３０を形成する場合に、シリコンを含む化合物ガスのプラズマ処理により擬似的なシリコンヘビードープ層をＮ極性面であるｎ型層１１の表面１１ｓに施した上、フッ素イオンを含む薬液処理を行わないことで、オーミック接触が得られ、且つ低抵抗となった。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率に優れ、かつ良好な配光均一性を有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】基板上に窒化ガリウム系化合物半導体が積層された発光素子において、光取出し面が透光性膜からなり、該透光性膜の表面が該基板面に対して傾斜した平面で構成される凹凸を有し、透光性膜表面の凹凸の形状がドット状または格子状であることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】量子ドットから構成される所望とする状態の人工分子が形成できるようにする。
【解決手段】第１半導体からなる各々離間して配置された複数の量子ドット１０１と、これら量子ドット１０１の間に配置された第２半導体からなる半導体層１０２とを少なくとも備える。また、第１半導体と第２半導体とはエネルギーギャップ（バンドギャップエネルギー）が異なり、各々の量子ドット１０１の間隔Ｌｂは、第１半導体中の励起子のボーア半径の０．５倍〜５倍の範囲とされている。また、よりよくは、この間隔が、第１半導体中の励起子のボーア半径の１倍〜５倍の範囲とされている。 （もっと読む）

【課題】チップ化が容易で、歩留りが改善可能な発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体からなる発光層を有する積層体と、前記積層体に付設された第１の接合金属層と、基板と、前記基板に付設され、前記第１の接合金属層と接合界面において接合された第２の接合金属層と、を備え、前記第１の接合金属層の前記接合界面側における平面サイズと、前記第２の接合金属層の前記接合界面側における平面サイズと、のうちいずれかは、前記基板の平面サイズよりも小さいことを特徴とする発光素子及びその製造方法が提供される。 （もっと読む）