【課題】グラフェンの特性を生かしつつ、高耐圧デバイスや紫外発光・受光デバイスを実現する。
【解決手段】半導体デバイスを、２次元構造のグラフェン電極２、３と、グラフェン電極のグラフェン端に結合した２次元構造のボロンナイトライド半導体層５とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】高効率の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、積層構造体と、透明電極と、ｐ側電極と、ｎ側電極と、を備えた半導体発光素子を提供する。積層構造体は、ｎ形半導体層と、ｐ形半導体層と、ｎ形半導体層とｐ形半導体層との間の発光部と、を含む。透明電極は、積層構造体のｐ形半導体層の側の第１主面においてｐ形半導体層に接続される。透明電極はｐ側電極の上に設けられる。ｎ側電極は、第１主面においてｎ形半導体層に接続される。透明電極は、おいてｎ側電極とｐ側電極との間に設けられ透明電極を貫通する孔を有する。ｐ側電極からｎ側電極に向かう第２軸に対して垂直な第３軸に沿った孔の幅は、ｎ側電極及びｐ側電極の第３軸に沿った幅よりも大きい。孔のｎ側電極側の端とｎ側電極との間の第２軸に沿った距離は、孔のｐ側電極側の端とｐ側電極との間の第２軸に沿う距離以下である。 （もっと読む）

【課題】複数の発光素子を個別的に保護する保護素子を具備した発光素子パッケージを提供すること。
【解決手段】
一実施例による発光素子パッケージは、胴体と、胴体の第１及び第２領域に第１及び第２キャビティをそれぞれ有する第１及び第２リードフレームと、第１リードフレームから胴体の第１側面と第１キャビティの間に配置された第１ボンディング部と、第２リードフレームから胴体の第１側面の反対側第２側面と第２キャビティに配置された第２ボンディング部と、第１及び第２キャビティ内の第１及び第２発光素子と、胴体の第１側面と第１キャビティの間に配置された第３リードフレームと、胴体の第２側面と第２キャビティの間に配置された第４リードフレームと、第３リードフレーム又は第１ボンディングの上の第１保護素子と、第４リードフレーム又は第２ボンディングの上の第２保護素子とを備える。 （もっと読む）

【課題】電力効率が良好な窒化物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】窒化物半導体発光素子は、ｎ型窒化物半導体層と、下部発光層と、上部発光層と、ｐ型窒化物半導体層とをこの順に備える。下部発光層は、複数の下部井戸層と、下部井戸層に挟まれ下部井戸層よりバンドギャップの大きい下部バリア層とが交互に積層されたものである。上部発光層は、複数の上部井戸層と、上部井戸層に挟まれ上部井戸層よりバンドギャップの大きい上部バリア層とが交互に積層されたものである。上部発光層における上部バリア層の厚さは、下部発光層における下部バリア層の厚さよりも薄い。 （もっと読む）

【課題】低コスト化の障害を回避することができる発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】発光装置１の製造方法は、平面状の素子集合搭載基板５を形成する基板形成工程と、素子集合搭載基板５に閉塞した枠部材５Ｂを形成する枠形成工程と、枠部材５Ｂの内側に複数個のＬＥＤ素子３を搭載する素子搭載工程と、枠部材５Ｂの内側に封止部材４となる液状材料を注入して複数個のＬＥＤ素子３を封止する封止工程と、複数個のＬＥＤ素子３を素子集合搭載基板５及び封止部材４とともに分割し、側面から封止部材４が露出した複数個の発光装置１を得る分割工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】光取出効率を高めることができる発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１は、素子搭載基板２０と、素子搭載基板２０に搭載されたＬＥＤ素子２１と、ＬＥＤ素子２１を封止する封止部材２２と、ＬＥＤ素子２１から発せられる光を受けて励起されることにより波長変換光を発する蛍光体層２３とを有する発光部２を備え、発光部２は、蛍光体層２３が封止部材２２の外部であって、ＬＥＤ素子２１の発光面に対向する面内に外部領域側の蛍光体層２３０として配置されている。 （もっと読む）

【課題】活性領域で生じる熱を素子外部に効率的に逃すうえで好ましい構成を備えた窒化物系ＬＥＤを提供する。
【解決手段】
窒化物系発光ダイオード素子は、ｐ型層と、前記ｐ型層に積層されたｎ型層と、前記ｐ型層と前記ｎ型層とに挟まれた発光層と、を含む窒化物半導体積層体と、前記ｐ型層の表面上に設けられたｐ側電極と、前記ｎ型層に接続されたｎ側電極と、を備える。前記ｐ側電極は、前記ｐ型層との接触面を有するオーミック接触層と、前記ｐ型層とで前記オーミック接触層を挟むように設けられた熱伝導性メタル層とを有しており、前記窒化物半導体積層体の積層方向に直交する平面である素子平面に対する前記熱伝導性メタル層の投影面積が、前記素子平面に対する前記接触面の投影面積よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】大電流駆動時における窒化物半導体発光素子の電力効率の低下を防止すること。
【解決手段】窒化物半導体発光素子は、第１導電型窒化物半導体層と、第１導電型窒化物半導体層の上に設けられた超格子層と、超格子層の上に設けられた活性層と、活性層の上に設けられた第２導電型窒化物半導体層とを備えている。超格子層の平均キャリア濃度は、活性層の平均キャリア濃度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】キャリア密度に疎密を設けて全体として発光効率を向上させた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体積層体１１は第１シート抵抗を有する第１半導体層１２、発光層１３、第２半導体層１４乃至１６が順に積層され、第１半導体層１２の一部を露出するように、一端側に形成された切り欠き部１８と、切り欠き部１８から−Ｘ方向に延在し、＋Ｙ方向に分岐または曲折し且つ−Ｙ方向に曲折または分岐した湾入部１９を備える。第１半導体層１２上であって、切り欠き部１８に形成された第１パッド電極２１から湾入部１９に沿って第１細線電極２２が形成されている。半導体積層体１１上に第１シート抵抗より低い第２シート抵抗を有する透明導電膜２０が形成されている。透明導電膜２０上であって、他端側に形成された第２パッド電極２３から±Ｙ方向に延在し、曲折して＋Ｘ方向に延在する第２細線電極２４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 光の出射効率を高めながらも、耐食性に優れた半導体発光素子やその製造方法を提供する。
【解決手段】 電力を供給することで発光する発光層１２を有した半導体積層構造１１〜１４を形成し、さらにその上に、発光層１２が出射する光の少なくとも一部を反射する反射膜２ｂを有した電極２１，２２を形成する。そして、電極２１，２２の露出面を酸化することで、少なくとも反射膜２ｂの表面に酸化被膜２ｂｘを形成する。これにより、反射膜２ｂの耐食性を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率の高い半導体発光素子を実現する。
【解決手段】一つの実施形態によれば、半導体発光素子は、基板、導電性反射膜、活性領域、第１電極、透明導電膜、及び第２電極が設けられる。導電性反射膜は基板上に設けられる。活性領域は、第１導電型透明電極、第１導電型コンタクト層、発光層、第２導電型コンタクト層、及び第２導電型透明電極が導電性反射膜上に積層形成される。第１電極は活性領域と離間し、導電性反射膜上に設けられる。透明導電膜は、一端が第２導電型透明電極上部を覆うように設けられ、他端が絶縁膜を介して記導電性反射膜上に設けられ、活性領域の側面とは絶縁膜を介して接する。第２電極は、透明導電膜の他端上に設けられる。 （もっと読む）

【課題】順方向電圧の上昇を抑制し、且つ光取り出し効率を向上させたフリップチップ実装半導体発光素子を提供する。
【解決手段】第１の導電型を有する第１の半導体層、発光層及び第２の導電型を有する第２の半導体層１６０が積層された積層半導体層と、第１の半導体層と接続する第１の電極と、第２の半導体層の表面に設けた第２の電極１７０と、を備え、第２の電極は、他の部分より膜厚が大きい複数の膜厚部を有し、光透過性を示す透明導電層１７１と、透明導電層上に積層され第１の屈折率を有し光透過性を示す第１の絶縁層と、第１の屈折率より高い第２の屈折率を有し光透過性を示す第２の絶縁層とを交互に積層して構成された多層絶縁層１７２と、多層絶縁層上に積層され導電性を有する金属反射層１７３ａと、多層絶縁層を通して設けられ一端が透明導電層の膜厚部に電気的に接続され他端が金属反射層と電気的に接続される導体部１７６と、を含む。 （もっと読む）

【課題】低温でも良好に薄膜形成できるｐ型ＺｎＯ系半導体材料を提供する。
【解決手段】
ＺｎＯとＮｉＯの混合材料をスパッタターゲットとして、スパッタリングすることにより、Ｚｎ_1-xＮｉ_ｘＯ薄膜を基板上に形成する。Ｚｎ_1-xＮｉ_xＯ（ｘは、ＺｎとＮｉの合計モル数に対するＮｉモル数の比率である）は、ＺｎＯとＮｉＯとが混合した酸化物であり、ｘの値は０．６５以下に設定してＺｎＯに対する価電子帯トップのオフセット量を１ｅＶ以内に抑えることが好ましく、ｘの値は小さい方が好ましい。一方、電気伝導タイプをｐ型とし、電気抵抗を低く抑えることを考慮すると、Ｚｎ_1-XＮｉ_XＯにおけるＸの値は０．１３以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】III 族窒化物半導体発光素子において、光取り出し効率を向上させること。
【解決手段】発光層１４上に、ＭＯＣＶＤ法によってｐ−ＡｌＧａＮからなるｐクラッド層１５を形成する。圧力３０ｋＰａ、Ｍｇ濃度は１．５×１０²⁰／ｃｍ³ とする。これにより、III 族元素極性の結晶に窒素極性の領域が多数生じ、ｐクラッド層１５の表面は六角柱状の凹凸形状となる。次に、ｐクラッド層１５上に、ＭＯＣＶＤ法によって凹凸形状に沿って膜状にＧａＮからなるｐコンタクト層１６を形成する。 （もっと読む）

【課題】良好なＰＮ接合を側面に有して、良好な電気的特性を有する半導体素子等を提供すること。
【解決手段】第１導電型の半導体コア１１を覆うように第１導電型の半導体シェル１２を形成する。また、第１導電型の半導体シェル１２を覆うように第２導電型の半導体シェル１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】高効率で発光し、薄型に適した発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】発光素子１は、紫外光放射部１５と蛍光体層２１とからなり、ＺｎＯをベースとし、Ｇａ、Ｐが添加された半導体材料で形成された紫外発光層１１と、ＺｎＯをベースとするｐ型半導体層１２とがｐｎ接合され、紫外発光層１１に第１電極１３が、ｐ型半導体層１２に第２電極１４が接続されている。第１電極１３と第２電極との間に電圧を印加することによって、紫外発光層１１からピーク波長が４００ｎｍ以下の紫外光が放射される。蛍光体層２１は、紫外光放射部１５から放射される紫外光を吸収し可視光に変換する。この可視光は基板２２を透過して外部に出射される。 （もっと読む）

【課題】基板の側面からの光取り出し効率を向上させた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体発光素子１０では、基板１１は対向する第１および第２の面１１ａ、１１ｂと、第１および第２の面１１ａ、１１ｂに略直交する側面１１ｃを有している。基板１１の側面１１ｃには、第１の面１１ａから第１の距離Ｌｏ１だけ離間した位置から第２の面１１ｂ側に向かって、第１の粗さＲ１と第１の幅ａを有する第１の領域１２と、第１の粗さＲ１より小さい第２の粗Ｒ２さと第１の幅ａより小さい第２の幅ｂを有する第２の領域１３が交互に形成されている。第１の領域１２の繰り返しピッチは、一定である。基板１１の第１の面１１ａ上に、第１導電型の第１半導体層と、活性層と、第２導電型の第２半導体層が順に積層された半導体積層体１５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率および輝度が高められた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、III-V族化合物半導体からなる発光層と、反射金属層を有する第１電極と、開口部を有する絶縁層と、第１導電形層と、第２導電形層と、第２電極と、を有する。前記第１導電形層は、前記第１電極の上であり前記発光層の下に設けられ、前記発光層のバンドギャップエネルギーよりも大きなバンドギャップエネルギーを有するIII-V族化合物半導体からなる。第１導電形層は、第１コンタクト層、組成傾斜層、第１クラッド層を含む。前記第２導電形層は、前記発光層と前記第２電極との間に設けられ、電流拡散層および第２コンタクト層を有する。前記第２電極は、パッド部と、前記パッド部から外方に向かい前記第２コンタクト層の上に延在する細線部、とを有する。上方からみて、前記絶縁膜の前記開口部と、前記第２コンタクト層とは、重ならない。 （もっと読む）

【課題】ストライプコア基板であるＧａＮ基板上に形成したエピタキシャル層中には、基板のストライプコアに対応してエピタキシャル層中に高欠陥密度部が形成される。この高欠陥密度部の表面を有効利用した窒化物系ＬＥＤを提供する。
【解決手段】ストライプコア基板であるＧａＮ基板の上にｎ型層、発光層およびｐ型層を含む複数のエピタキシャル層が積層されている。該ｐ型層は、高欠陥密度部と、該高欠陥密度部よりも欠陥密度の低い低欠陥密度部とを有しており、透光性オーミック電極層が、該ｐ型層の該高欠陥密度部上から該低欠陥密度部上にわたって形成されており、ボンディングパッドが、該透光性オーミック電極層上の一部に形成されており、該透光性オーミック電極層と該ｐ型層の該高欠陥密度部との間には電流ブロック層が設けられており、該ボンディングパッドは該電流ブロック層の上方に配置されている。 （もっと読む）

【課題】発光効率の向上、及び製造工程の簡素化を図ることができる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、第１半導体層と、発光層と、第２半導体層と、第１電極層と、第２電極層と、を備える。第１半導体層は、第１導電形であって、第１部分と、第１部分よりも厚い第２部分と、を含む。第２部分は、第１部分の主面から立ち上がる側面を有する。発光層は、第２部分の上に設けられる。第２半導体層は、第２導電形であって、発光層の上に設けられる。第１電極層は、第１部分の主面に沿って設けられ、第２部分の側面に接する。第２電極層は、第２半導体層の上に設けられる。 （もっと読む）