【課題】本発明の実施形態は、発光効率を向上させた半導体発光装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光装置は、第１導電型の第１半導体層と、第２導電型の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を有する積層体を備える。さらに、前記積層体の前記第１半導体層側の第１主面に設けられた透明電極であって、薄膜部と、前記薄膜部よりも厚い第１の厚膜部と、前記薄膜部よりも厚く前記第１の厚膜部から前記第１主面に平行に延在するストライプ状の第２の厚膜部と、を有する前記透明電極と、前記第１の厚膜部の上に設けられた第１電極と、前記第２半導体層に電気的に接続された第２電極と、を備える。 （もっと読む）

【課題】新たな構造を有する発光素子パッケージを提供すること。
【解決手段】本発明は発光素子パッケージに対するものであって、このパッケージはキャビティが形成されているセラミック胴体と、上記キャビティの内に形成された紫外線発光ダイオードと、上記セラミック胴体の上に形成され、上記キャビティを囲む支持部材と、上記支持部材と結合し、上記キャビティを覆うガラスフィルムとを備える。したがって、紫外線発光素子パッケージにおいて、セラミック胴体を適用して放熱性が向上し、セラミック胴体の上に直接ガラスフィルムを付着して他の構成要素無しで製造工程が単純化されて製造費用が低減する。 （もっと読む）

【課題】半導体に給電するための電極の接合性および電極の信頼性を向上させることを目的とする。
【解決手段】半導体発光素子１は、ｎ型半導体層１４０、発光層１５０、ｐ型半導体層１７０、透明導電層１７０、透明導電層１７０上に形成されるｐ電極３００、ｎ型半導体層１４０上に形成されるｎ電極４００を備える。ｐ電極３００は、Ａｕを含む金属材料で構成され、外部に露出するように設けられるｐ側第２金属層３３２と、Ａｕを含むとともにｐ側第２金属層３３２よりも硬度が高い金属材料で構成され、ｐ側第２金属層３３２よりも透明導電層１７０に近い側に、ｐ側第２金属層３３２に沿って設けられるｐ側第１金属層３３１とを備える。 （もっと読む）

【課題】光吸収が低減された電極構造を有すると共に、耐薬品性に優れた金属基板を用いることにより収率が向上し、特性が安定した発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の発光ダイオードは、金属基板１は一体とされた複数の金属層１ｂ、１ａ、１ｂと上面１ｂａ及び下面１ｂｂを覆うエッチャントに対して耐性を有する金属保護膜２とからなり、金属基板と化合物半導体層間には接合層４と反射層６とオーミックコンタクト電極７とが設けられ、化合物半導体層１０の金属基板の反対側１０ａにはオーミック電極１１と、パッド部１２ａ及び線状部１２ｂからなる表面電極１２とが設けられ、オーミック電極１１の表面１１ａは線状部により覆われ、オーミックコンタクト電極７及びオーミック電極１１はパッド部１２ａに重ならない位置に形成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】出力を向上可能な発光素子及び発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子１０において、ｐ側電極体１６０は、電極層２００と、絶縁体層２１０と、反射層２２０と、を備える。絶縁体層２１０は、電極層２００上に形成され、電気的絶縁性を有するＳｉＯ_２によって構成されている。反射層２２０は、絶縁体層２１０上に形成され、発光層１３０から放出される出射光を反射するＡｌＣｕによって構成される。 （もっと読む）

【課題】耐薬品に優れた金属基板を用い、金属基板のレーザー切断時に生成するデブリの低減と金属基板に適したレーザー照射の位置決めの両方の目的を同時に果たす工程を含む発光ダイオードの製造方法、切断方法及び発光ダイオードを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る発光ダイオードの製造方法は、複数の金属板と該複数の金属板の少なくとも上面及び下面を覆う金属保護膜とからなる金属基板と、化合物半導体層とを備えたウェハを作製する工程と、化合物半導体層の切断予定ライン上の部分を、エッチングによって除去する工程と、金属保護膜のうち化合物半導体層を備えた面とは反対側の面の少なくとも一つの膜の少なくとも一部を、エッチングによって除去して位置決めマークを形成する工程と、位置決めマークに基づいて、化合物半導体層を備えた面とは反対側の面にレーザーを照射して金属基板を切断する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ナノワイヤの成長技術により、先端が平坦な形状のナノオーダの寸法の柱状構造体が、より容易に形成できるようにする。
【解決手段】基板１０１の上に、直径が５ｎｍ以下の粒子径の金属微粒子１０２を形成する。次に、金属微粒子１０２を触媒とした化学的気相成長法により化合物半導体のナノワイヤ１０３を形成する。次に、化学的気相成長法により、化合物半導体からなる半導体層１０４を、ナノワイヤ１０３を覆って形成することで柱状のナノピラー１０５を形成する。半導体層１０４は、ナノワイヤ１０３の側面および上面を覆って柱状に成長する。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体発光素子の電流拡散効率を向上させるとともに、コンタクト抵抗をも低減でき、大きな駆動電流密度においても発光均一性と高い光出力を得ながら、動作電圧を低減させる得る窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板の同一面側にｎ側およびｐ側電極パッドが形成された窒化物半導体発光素子であって、ｐ側電極パッド（およびｎ側電極パッド）から枝状に延伸された延長部を形成し、それによって発光素子中の電流分布を改善する電極構造の窒化物半導体発光素子において、ｎ側およびｐ側のシート抵抗がいずれも充分に低い場合に、ｐ型窒化物半導体層上に形成された透光性導電膜からなる電流拡散層のシート抵抗を一定条件下において高くすることにより、ｐ型窒化物半導体層と電流拡散層とのコンタクト抵抗を低減し、且つ、シート抵抗の面内分布がより均一になり、光出力も向上する。 （もっと読む）

【課題】製造コストの上昇を抑制できるとともに、光半導体層の発光効率の低下を防止しながら、均一な白色光を発光して、光の取出効率を向上させることができる発光ダイオード装置の製造方法、および、その製造方法に用いられる発光ダイオード素子を提供すること。
【解決手段】シート状に形成された蛍光体層１７を用意し、光半導体層３を、蛍光体層１７の上面に形成し、電極部４を、光半導体層３の上面に形成し、光反射成分を含有する封止樹脂層１４を、蛍光体層１７の上に、光半導体層３および電極部４を被覆するように形成し、封止樹脂層１４を、電極部３の上面が露出されるように、部分的に除去して、発光ダイオード素子２０を製造し、発光ダイオード素子２０とベース基板１６とを厚み方向に対向配置させ、電極部４と端子１５とを電気的に接続して、発光ダイオード素子２０をベース基板１６にフリップチップ実装する。 （もっと読む）

【課題】
複数の領域に異なる特性を有するシリコン量子ドットを有するシリコン量子ドット装置を提供する。
【解決手段】
シリコン量子ドット装置は、基板と、基板上方に配置され、第１の平均ドットサイズのシリコン量子ドットを含む第１酸化シリコンマトリクス層と、第１酸化シリコンマトリクス層を挟む１対の第１酸化シリコン層とを含む、第１量子ドット構造と、基板上方に配置され、第１の平均ドットサイズと異なる第２の平均ドットサイズのシリコン量子ドットを含む第２酸化シリコンマトリクス層と、第２酸化シリコンマトリクス層を挟む１対の第２酸化シリコン層とを含む、第２量子ドット構造と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の光出力を特定の方向において強く、光の取り出し効率を向上させる。
【解決手段】サファイア基板上に発光層を有するＩＩＩ族窒化物半導体からなる積層構造が形成されたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子において、サファイア基板の積層構造側の表面に、発光層から出力された光に対して光強度の干渉パターンを生じる周期で２次元配列された凸部の周期構造を設けた。これにより、この２次元周期構造で反射された光、又は、透過した光は干渉パターンを有する。この干渉パターンにおける光強度の強い領域に光が集光されているので、この領域の光を外部に効果的に出力させることで、所望の指向性を得ることができると共に、取り出し効率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】ｎ側電極にＡｌ単体またはＡｌ合金からなるｎ側第１金属層を含み、ｐ側電極にＡｌよりも酸化還元電位の貴な金属の酸化物を含む導電性酸化物膜を含む、ＧａＮ系ＬＥＤの製造工程において、該導電性酸化物膜が腐食することを防止する。
【解決手段】第１のマスクパターンを形成する工程に含まれるフォトレジスト現像工程では、該第１のマスクパターンによって導電性酸化物膜の表面を保護し、第２のマスクパターンを形成する工程に含まれるフォトレジスト現像工程では、該第２のマスクパターンによってｎ側第１金属層の表面を保護することによって、ｎ側第１金属層および導電性酸化物膜を同時にアルカリ現像液に接触させないようにする （もっと読む）

【課題】ＡｇまたはＡｇまたはＡｇ合金からなる反射膜を、反射率を低下させず、均一な膜厚でパターニングすること。
【解決手段】スパッタや蒸着などによって、第１絶縁膜１６ａの全面に反射膜１９を形成し、リフトオフ法によって反射膜１９上に所定のパターンのバリアメタル膜２３を形成する。次に、銀エッチング液を用いて、反射膜１９をウェットエッチングする。ここで、バリアメタル膜２３は銀エッチング液によってウェットエッチングされないため、マスクとして機能し、上部にバリアメタル膜２３が形成された領域の反射膜１９はウェットエッチングされずに残る。これにより、第１絶縁膜１６ａ上に所望のパターンの反射膜１９を均一な厚さで形成することができる。 （もっと読む）

【課題】アモルファス状態の透明導電膜の光透過率を増加させ、シート抵抗を低下させ、ｐ型半導体層とのオーミックコンタクトを形成する技術を提供する。
【解決手段】
真空排気された真空槽３１内に、アモルファス状態の透明導電膜が表面に露出する処理対象物１が配置された状態で、真空槽３１内に不活性ガスと酸素ガスとを、不活性ガスに対する酸素ガスの流量比が１／２０以上３／７以下になるように導入して圧力を上昇させ、圧力が上昇した状態で処理対象物１を３００℃以上８００℃以下に加熱する（第一のアニール工程）。次いで、酸素ガスの導入を停止して、真空槽３１内の酸素ガスの分圧が第一のアニール工程での酸素ガスの分圧よりも低下した状態で、処理対象物１を３００℃以上８００℃以下に加熱する（第二のアニール工程）。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を向上させること。
【解決手段】平面視においてｎ電極１７の配線状部１７Ｂおよび、ｐ電極１８の配線状部１８Ｂに重なる領域には、ｐ型層１３表面からｎ型層１１に達する深さの溝１４が設けられている。溝１４の側面、底面、ｐ型層１３上、ＩＴＯ電極１５上に連続して、絶縁膜１６が設けられている。絶縁膜１６中であって、ｎ電極１７、ｐ電極１８の下側（サファイア基板１０側）にあたる領域には、反射膜１９が形成されている。そのうち、ｎ電極１７の配線状部１７Ｂ、ｐ電極１８の配線状部１８Ｂの下側にあたる領域の反射膜１９は、発光層１２よりも下側に位置している。ｎ電極１７、ｐ電極１８上は、絶縁膜２２によって覆われている。絶縁膜２２中であって、配線状部１７Ｂ、１８Ｂの上部にあたる領域には、反射膜２３が埋め込まれている。反射膜２３は、発光層１２よりも下側に位置している。 （もっと読む）

【課題】反射膜のマイグレーションを防止すること。
【解決手段】図１に示すフリップチップ型のIII 族窒化物半導体発光素子は、サファイア基板１０と、サファイア基板１０上に順に形成されたｎ型層１１、発光層１２、ｐ型層１３を有している。ｐ型層１３表面には、ｎ型層１１に達する深さの孔１４が複数設けられている。ｐ型層１３表面のほぼ全面に、ＩＴＯ電極１５が設けられ、ＩＴＯ電極１５上にＳｉＯ₂ からなる絶縁膜１６が設けられている。また、絶縁膜１６中に埋め込まれたＡｇからなる反射膜１９を有している。反射膜１９の上部には、絶縁膜１６を介して導電膜２３が形成されている。また、導電膜２３は、ｐ型層１３上に設けられたＩＴＯ電極１５に接続されている。このような構成により、反射膜１９は等電位な領域に位置することとなり、マイグレーションが防止される。 （もっと読む）

【課題】半導体発光機能層の一方の面に２つの電極を形成した構成の発光素子において、高い発光効率かつ面内で均一な発光強度を得る。
【解決手段】発光素子１０においては、（１）ｎ側コンタクト開口（第１の開口部）４２とｐ側コンタクト開口（第２の開口部）４１がそれぞれ、矩形における対向する２辺（上辺、下辺）に平行に延伸した２つの直線に沿って形成されたこと、（２）この２つの直線の間において、この２つの直線と垂直の方向に延伸する透明電極３０間の空隙（透明電極開口部３１）が、複数形成されたこと、によって、遮光面積を増やすことなしに電流の均一化を行い、発光の均一化を実現している。 （もっと読む）

【課題】単一基板上に複数の発光素子が設けられた半導体発光素子において、本構成を用いない場合に比べて光取出効率を向上する半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１は、基板１０上に第１導電型層と第２導電型層とに挟まれた発光層を含む半導体積層構造２１を有する発光部１Ａと、基板１０上に発光部１Ｂと離間して異なる領域に設けられ、第１導電型層と第２導電型層とに挟まれた発光層を有する半導体積層構造２１を有する発光部１Ｂと、発光部１Ａの第１導電型層と、発光部１Ｂの第２の導電型層とを電気的に接続する内部配線層８３と、発光部１Ａの発光層及び発光部１Ｂの発光層の少なくともいずれかの発光層と、内部配線層８３との間に設けられ、発光部１Ａの発光層及び発光部１Ｂの発光層の少なくともいずれかの発光層から発光した光の少なくとも一部を反射する反射層９３とを有する。 （もっと読む）

【課題】面発光する発光体の輝度ムラを低減すること。
【解決手段】発光体１は、第１の半導体層４Ａと第２の半導体層４Ｂとで構成され、前記第１の半導体層４Ａと前記第２の半導体層４Ｂとは互いに異なる組成、かつ、連続した層であり、前記第１の半導体層４Ａと前記第２の半導体層４Ｂとは接合し、さらに、前記第１の半導体層４Ａと前記第２の半導体層４Ｂとの接合面と対向する両面は電極と接合しており、かつ、前記第１の半導体層と前記電極との接合間に、面方向に対して所定間隔で配置され、かつ導体６Ａ２で充填された複数の孔を有する絶縁体層５Ａが含まれているとともに、前記複数の孔中の前記導体はそれぞれ前記電極と接合している。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、高出力化を低コストで実現可能な半導体発光装置およびその製造方法を目的とする。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光装置は、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を有する積層体を備える。さらに、前記第２半導体層の表面に設けられ、前記発光層から放射される発光を透過させる透明電極層と、前記透明電極層に電気的に接続された第１電極と、前記第１半導体層に電気的に接続された第２電極と、を備える。そして、前記透明電極層の縁に沿った領域であって、前記透明電極層の厚さが中央側よりも前記縁側で薄くなるように設けられた領域を有する。 （もっと読む）