【課題】絶縁膜の剥がれを抑制することが可能な発光素子を提供する。
【解決手段】基板２上に、ｎ型層３ａ、発光層３ｂ、およびｐ型層３ｃを有する光半導体層３を形成する第１工程と、ｎ型層上の露出領域Ｓｐ内に第１電極４を形成する第２工程と、ｐ型層上に、発光層で発光した光を反射する第１金属層５ａ、および第１金属層を覆うとともに金を含む第２金属層５ｂを順次積層して第２電極５を形成する第３工程と、第２電極上に、チタンおよびシリコンの少なくとも一方を含む密着層６を形成する第４工程と、密着層を酸素雰囲気中で加熱して、密着層の表面を酸化させる第５工程と、表面を酸化させた密着層、第２電極、ｐ型層および発光層を被覆するようにシリコンを含む絶縁膜７を形成する第６工程と、第２電極と重なる領域の一部に位置する、絶縁膜および密着層をエッチングして、第２電極の一部を露出させる第７工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】個片のＬＥＤ素子の発光波長がばらつく場合にあってもＬＥＤパッケージの発光特性を均一にして、生産歩留まりを向上させることができるＬＥＤパッケージ製造システムにおける樹脂塗布装置および樹脂塗布方法を提供する。
【解決手段】ＬＥＤ素子を蛍光体を含む樹脂によって覆って成るＬＥＤパッケージの製造に用いられる樹脂塗布において、樹脂８を発光特性測定用として試し塗布した透光部材４３を透光部材載置部４１に載置し、上方に配置された光源部４５から蛍光体を励起する励起光を発光し透光部材４３に塗布された樹脂８に上方から照射することにより樹脂８が発する光の発光特性を発光特性測定部によって測定した測定結果と予め規定された発光特性との偏差を求め、この偏差に基づいて実生産用としてＬＥＤ素子に塗布されるべき樹脂の適正樹脂塗布量を導出する。 （もっと読む）

【課題】発光効率の向上、及び製造工程の簡素化を図ることができる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、第１半導体層と、発光層と、第２半導体層と、第１電極層と、第２電極層と、を備える。第１半導体層は、第１導電形であって、第１部分と、第１部分よりも厚い第２部分と、を含む。第２部分は、第１部分の主面から立ち上がる側面を有する。発光層は、第２部分の上に設けられる。第２半導体層は、第２導電形であって、発光層の上に設けられる。第１電極層は、第１部分の主面に沿って設けられ、第２部分の側面に接する。第２電極層は、第２半導体層の上に設けられる。 （もっと読む）

【課題】ｐ型コンタクト層のドーパント濃度の低下と結晶性低下に起因する、順方向電圧の増大、発光出力の低下が生じにくいＩＩＩ族窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にｎ型半導体層と多重量子井戸構造からなる発光層とｐ型クラッド層とを順次積層した後、キャリアガスとＧａ源及び窒素源を含む原料ガスとを連続的に供給するとともに、Ｍｇ源を含むドーパントガスを間欠的に供給するＭＯＣＶＤ法により、前記ｐ型クラッド層上にｐ型コンタクト層を形成する工程を有し、前記ドーパントガスを供給する際に前記キャリアガスの流量を減少させることにより、前記ｐ型コンタクト層の形成中における前記キャリアガスと原料ガスとドーパントガスとの総流量を一定に保つことを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム等からなるクラッド層等の下地層上に、窒化ガリウムより格子定数が大きい窒化ガリウム・インジウムからなる発光層を設けるのに際し、発光層中へのインジウムの取り込みを促進させた窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層と、接して配置され且つｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層よりも大きな格子定数の結晶を含む窒化ガリウム・インジウム層からなる発光層と、発光層上に設けられたｐ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層とを備え、インジウムより原子半径が小さい元素からなるドナー不純物の原子濃度を、ｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層の内部よりもｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層と発光層との界面において低く、且つ、上記界面よりも発光層とｐ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層との界面において高くする。 （もっと読む）

【課題】新たな構造を有する発光素子、発光素子パッケージ及びライトユニットを提供すること。
【解決手段】一実施例による発光素子は、第１導電型半導体層、前記第１導電型半導体層上の活性層、前記活性層上の第２導電型半導体層を有する発光構造物と、前記第１導電型半導体層に電気的に接続された第１電極と、前記第２導電型半導体層に電気的に接続された第２電極層とを備え、前記発光構造物の表面は互いに異なる方向の曲率を有する複数個の第１面と第２面が互いに交代に配置される。 （もっと読む）

【課題】再現性よく光取り出し効率を向上させることができる半導体発光素子、ウェーハ、および窒化物半導体結晶層の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施態様によれば、第１半導体層と、発光層と、第２半導体層と、低屈折率層と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記第１半導体層は、光取り出し面を形成する。前記発光層は、前記第１半導体層の上に設けられ活性層を有する。前記第２半導体層は、前記発光層の上に設けられている。前記低屈折率層は、前記第１半導体層の屈折率よりも低い屈折率を有し、前記光取り出し面を部分的に覆う。 （もっと読む）

【課題】再現性よく光取り出し効率を向上させることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の実施態様によれば、第１半導体層と、発光層と、第２半導体層と、低屈折率層と、透明電極と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記第１半導体層は、光取り出し面を形成する。前記発光層は、前記第１半導体層の上に設けられ活性層を有する。前記第２半導体層は、前記発光層の上に設けられている。前記低屈折率層は、前記第１半導体層の屈折率よりも低い屈折率を有し、前記光取り出し面を部分的に覆い、一部または全部が前記第１半導体層に埋め込まれている。前記透明電極は、前記光取り出し面および前記低屈折率層を覆い前記発光層から放出される光に対して透光性を有する。 （もっと読む）

【課題】基部の周端面から出射する光の量の均等化を図ることができる半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法を提供することである。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光装置は、第１の方向における屈折率と、前記第１の方向に直交する第２の方向における屈折率とが異なる基部と、前記第１の方向および前記第２の方向に直交する第３の方向に設けられた発光部と、を備えている。そして、前記基部の前記第１の方向における周端面に形成された改質部の前記第３の方向における断面形状と、前記基部の前記第２の方向における周端面に形成された改質部の前記第３の方向における断面形状と、が同じとなっている。 （もっと読む）

【課題】工程数が少なく生産性を向上する窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】まず、パッド電極層形成工程Ｓ１１で、窒化物半導体発光素子構造上に、ｎ側パッド電極およびｐ側パッド電極となるパッド電極層を形成し、レジストパターン形成工程Ｓ１２で、パッド電極層上に、ｎ側パッド電極およびｐ側パッド電極を形成する領域を被覆するレジストパターンを形成する。次に、パッド電極層エッチング工程Ｓ１３で、このレジストパターンをマスクとして、パッド電極層をエッチングしてｎ側パッド電極およびｐ側パッド電極を形成する。続いて、このレジストパターンを除去せずに、保護層形成工程Ｓ１４で、窒化物半導体発光素子構造の表面およびレジストパターン上に絶縁性の保護層を形成した後に、レジストパターン除去工程Ｓ１５で、レジストパターンを除去する。 （もっと読む）

【課題】高品質で発光特性に優れた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の実施態様によれば、ｎ形層と、発光層と、ｐ形層と、透明電極と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記ｎ形層は、窒化物半導体を含み５００ナノメートル以下の厚さを有する。前記発光層は、前記ｎ形層の上に設けられている。前記ｐ形層は、前記発光層の上に設けられ窒化物半導体を含む。前記透明電極は、前記ｎ形層の前記発光層とは反対の面に接し、前記発光層から放出される光に対して透光性を有する。 （もっと読む）

【課題】歪みを減少し、品質を向上させることができる成長基板及び発光素子を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施例による発光素子は、シリコン基板と、前記シリコン基板上に形成され、前記シリコン基板の一部を露出する第１バッファ層と、前記第１バッファ層及び前記露出されたシリコン基板を覆い、前記シリコン基板と共晶反応する物質からなる第２バッファ層と、前記第２バッファ層上に形成される第３バッファ層と、前記第３バッファ層上に形成される発光構造物とを備え、前記第２バッファ層はボイドを含む。 （もっと読む）

【課題】高効率の半導体素子及びウェーハを提供する。
【解決手段】実施形態によれば、下地層と、第１半導体層と、発光部と、第２半導体層と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記下地層は、転位密度が５×１０^８ｃｍ^−２以下であり、窒化物半導体を含む。前記第１半導体層は、前記下地層の上に設けられ、窒化物半導体を含み第１導電形である。前記発光部は、前記第１半導体層の上に設けられ、複数の障壁層と、前記複数の障壁層どうしの間に設けられ、前記複数の障壁層のバンドギャップエネルギーよりも小さいバンドギャップエネルギーを有し、前記複数の障壁層の厚さよりも厚い井戸層と、を含む。前記第２半導体層は、前記発光部の上に設けられ、窒化物半導体を含み前記第１導電形とは異なる第２導電形である。 （もっと読む）

【課題】再現性よく光取り出し効率を向上させることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】第１半導体層１０と、発光層３０と、第２半導体層２０と、低屈折率層６０と、を備えた半導体発光素子１１０において、前記第１半導体層は、光取り出し面を形成し窒化物半導体結晶を含む。前記発光層は、前記第１半導体層の上に設けられ活性層を有する。前記第２半導体層は、前記発光層の上に設けられている。前記低屈折率層は、前記第１半導体層の屈折率よりも低い屈折率を有し、前記光取り出し面を部分的に覆い、Ａｌを含む窒化物からなる結晶を含む。前記第１半導体層のＡｌの含有量は、前記低屈折率層のＡｌの含有量よりも少ない。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤと保護ダイオードとが同一基板上に形成され、かつフリップチップ実装に適した構成をもつ発光素子を得る。
【解決手段】ＬＥＤ領域ＸにおいてはＬＥＤが形成され、保護ダイオード領域Ｙにおいては保護ダイオードが形成される。この際、ＬＥＤアノード電極５１ａと保護ダイオードカソード電極５２ｂ、ＬＥＤカソード電極５２ａと保護ダイオードアノード電極５１ｂとは、分離溝Ｚを挟んでそれぞれ対向する。ｐ側電極５１とｎ側電極５２の厚さが同等である場合には、ＬＥＤ領域ＸにおけるＬＥＤアノード電極５１ａ、ＬＥＤカソード電極５２ａ、保護ダイオード領域Ｙにおける保護ダイオードアノード電極５１ｂ、保護ダイオードカソード電極５２ｂの高さは同等となる。 （もっと読む）

【課題】実施形態は、透明電極と半導体層との間のコンタクト抵抗を低減できる生産性の高い半導体発光装置の製造方法および半導体製造装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光装置の製造方法は、被処理ウェーハとターゲットとの間に磁界を介在させるスパッタ法を用いて透明電極を形成する。そして、前記磁界を遮蔽した状態で、前記透明電極に含まれる第１の透明導電膜を前記被処理ウェーハの表面に形成する工程と、前記被処理ウェーハと前記ターゲットとの間に前記磁界を介在させ、前記透明電極に含まれる第２の導電膜を前記第１の透明導電膜の上に形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】発光領域への電流注入密度、および発光効率が高められた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、支持基板と、第１電極と、第１導電形層と、発光層と、第２導電形層と、第２電極と、を有する。前記第１導電形層は、第１コンタクト層、前記第１コンタクト層の不純物濃度よりも低い不純物濃度を有する窓層、第１クラッド層、を有する。前記第２導電形層は、第２クラッド層、電流拡散層、第２コンタクト層、を有する。前記第２電極は、前記第２コンタクト層の上に延在する細線部と、前記第２コンタクト層の非形成領域に設けられ前記細線部と電気的に接続されたパッド部と、を有する。前記第１コンタクト層および前記窓層のバンドギャップエネルギーは、前記発光層のバンドギャップエネルギーよりもそれぞれ大きい。前記第１コンタクト層は、前記窓層と前記第１電極との間に選択的に設けられ、上方からみて、前記第１コンタクト層と、前記第２コンタクト層と、は、重ならないように設けられたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、発光効率を向上させた半導体発光装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光装置は、第１導電形の第１半導体層であって、前記第１半導体層の他の部分よりも層厚が薄い複数の薄層部を有する前記第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を有する。そして、前記発光層とは反対側の前記第１半導体層の表面の上に設けられた透明電極と、前記透明電極の上に選択的に設けられた第１電極と、前記発光層とは反対側の前記第２半導体層の表面に接した第２電極と、前記透明電極と前記第２電極との間の電流経路の一部を遮断する電流ブロック層であって、前記第１半導体層の表面に平行な平面視において、前記薄層部に重ならない前記電流ブロック層と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の順方向電圧の上昇を抑制してライフ特性を改善する。
【解決手段】第一半導体層と、第一半導体層と異なる導電性を有する第二半導体層と、第一半導体層及び第二半導体層の間に設けられる活性領域と、第一半導体層上に設けられる透光性導電層１３と、透光性導電層１３の上に設けられる反射構造２０と、反射構造２０の上に設けられ、第一半導体層と電気的に接続される第一電極とを備える半導体発光素子であって、反射構造２０が、少なくとも反射層１６を有し、透光性導電層１３と反射構造２０との間に、中間層１７を介在させており、中間層１７を、反射層１６よりもイオン化傾向の大きい材料で構成している。これにより、半導体発光素子の使用の経過と共に順方向電圧が上昇する事態を、透光性導電層１３と反射構造２０との間に介在された中間層１７によって抑制でき、信頼性及び耐久性を向上できる利点が得られる。 （もっと読む）

【課題】製造工程の煩雑化を伴うことなく製造中におけるウエハの割れを防止すること。
【解決手段】窒化物半導体素子形成用ウエハは、基板の上に、下地層、第１導電型窒化物半導体層、活性層、および第２導電型窒化物半導体層が順に積層されて構成されている。基板は、窒化物半導体素子材料とは異なる材料からなる。また、下地層および／または第１導電型窒化物半導体層の膜厚は、基板の中央側と基板の周縁側とで異なっており、基板の周縁側からその基板の中央側へ向かうにつれて大きくても良いし、基板の周縁側からその基板の中央側へ向かうにつれて小さくても良い。窒化物半導体素子は、窒化物半導体素子形成用ウエハを用いて作製されたものである。 （もっと読む）