【課題】本発明の実施形態は、高出力化を低コストで実現可能な半導体発光装置およびその製造方法を目的とする。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光装置は、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を有する積層体を備える。さらに、前記第２半導体層の表面に設けられ、前記発光層から放射される発光を透過させる透明電極層と、前記透明電極層に電気的に接続された第１電極と、前記第１半導体層に電気的に接続された第２電極と、を備える。そして、前記透明電極層の縁に沿った領域であって、前記透明電極層の厚さが中央側よりも前記縁側で薄くなるように設けられた領域を有する。 （もっと読む）

【課題】高性能の窒化物半導体発光素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】基板上にｎ型窒化物半導体層を形成する工程と、ｎ型窒化物半導体層上に発光層を形成する工程と、発光層上にｐ型窒化物半導体層を形成する工程と、ｐ型窒化物半導体層を、酸素を含む雰囲気において、第１温度で熱処理する工程と、第１温度で熱処理したｐ型窒化物半導体層を、真空雰囲気において、第１温度よりも低い第２温度で熱処理する工程と、を含む窒化物半導体発光素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】配光パターンに横縞が生じない複数の発光素子を直線状に配列してなる輝度の均一性に優れた発光素子モジュールのための発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子は、矩形透明性基板２１ａ上に形成された下地半導体層と、下地半導体層上に島状に形成された複数の第１電極２１ｃと、複数の第１電極の各々を囲み各々に離間して下地半導体層上に形成された発光層を含む発光半導体層と、発光半導体層上に形成された第２電極と、を有する。第１電極は、矩形透光性基板の一辺と平行な複数の電極列を成すよう配置される。電極列に垂直でかつ矩形透光性基板の対向する二辺に平行な水平線のうち、第１電極の最大電極幅で第１電極に交差しかつ二辺に最も近接する２つの水平線を２つの基準水平線とする。 （もっと読む）

【課題】レーザ光をワークに照射することによりワークから発生する種々の粒塵による悪影響を除去すること。
【解決手段】ワークステージ１０のステージ部１１の周縁に、環状外壁部２１ｂと天井壁部２１ａから構成される環状壁部２１が設置され、ステージ部１１には、排気機構に連結する排出口１２が複数箇所に設けられている。この排出口１２には配管２２を介して例えばポンプやファンなどの排気機構が連結され、環状壁部２１内の空気を吸引する。ワーク１にレーザ光を照射することにより、そのエッジ部からガスと一緒に、環状外壁部２１ｂと天井壁部２１ａとで区切られた内部空間Ａに噴き出された粒塵は、排出口１２に向かう流体の流れにより、ステージ部１１に設けられた排出口１２から排出される。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタなどの素子動作層をなす導電性インジウム含有酸化物半導体層に電気的接触抵抗が小さい金属電極を形成できるようにする。
【解決手段】インジウム含有酸化物半導体層とその層の上方に設けた素子動作電流を流通させる金属電極層との間に、酸化物半導体層をなすインジウム酸化物などを化学的に還元でき、且つ易酸化性の金属からなる金属膜を素材とした金属酸化物層と金属層とを設け、更に、金属酸化物層と金属層との境界には還元されたインジウムを蓄積したインジウム濃化層を設ける構成とする。 （もっと読む）

【課題】高輝度化を図ることができる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、構造体と、第１電極層と、電極層と、無機膜と、を備える。構造体は、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、第１半導体層と第２半導体層との間に設けられた発光層と、を有する。電極層は、構造体の第２半導体層の側に設けられる。電極層は、金属部と、複数の開口部と、を有する。金属部は、第１半導体層から第２半導体層に向かう方向に沿った厚さが１０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下である。開口部は、前記方向に沿って金属部を貫通し、円相当直径が１０ｎｍ以上、５μｍ以下である。無機膜は、前記方向に沿った厚さが２０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下で、金属部の表面及び開口部の内面を覆うように設けられ、発光層から放出される光に対して透過性を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、パッド電極の下に信頼性の高い電流ブロック構造を備える半導体発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光装置は、第１導電型の第１の半導体層と、前記第１導電型とは異なる導電型の第２導電型の第２の半導体層と、前記第１の半導体層と前記第２の半導体層との間に設けられた発光層と、前記第２の半導体層の前記発光層とは反対側の表面に設けられた導電性酸化物を含む第１の層と、前記第１の層の一部に接触し、前記導電性酸化物を還元する材料を含んだ第１の電極と、前記第１の電極の表面を覆う第１の部分と、前記第１の層に接触する第２の部分と、を有する第２の電極と、前記第１の半導体層に電気的に接続された第３の電極と、を備える。 （もっと読む）

【課題】パッケージ基板上に実装されたＬＥＤチップから放出された光の取り出し効率を向上すると共に、色むらを低減できる発光装置を提供すること。
【解決手段】発光装置は、パッケージ基板８上に配置された青色ＬＥＤチップ８１′と、青色ＬＥＤチップ８１′の上面および側面を覆って、青色ＬＥＤチップ８１′の発光層２から放出された光の波長を変換する波長変換層７とを有する。また、発光層２よりもパッケージ基板側に、発光層２からの光を反射させる反射面３を有する。反射面３に垂直な方向に関して、反射面形成層５の最外面５ｂから反射面３までの距離Ｄ１が、パッケージ基板８上で青色ＬＥＤチップ８１′が配置された領域よりも外側へ延在する波長変換層７の外側延在部分７ａの厚みＨに応じた所定の寸法以上に設定されている。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子のＦＣ（フリップチップ）実装技術において、順方向電圧（Ｖｆ）の上昇を抑制し、且つ発光出力（Ｐｏ）を増大させる。
【解決手段】第１の導電型を有する第１の半導体層、発光層及び当該第１の導電型とは逆の第２の導電型を有する第２の半導体層が積層された積層半導体層と、前記第１の半導体層と接続する第１の電極と、前記第２の半導体層の表面に設けた第２の電極と、を備え、前記第２の電極は、他の部分より膜厚が大きい複数の膜厚部を有し且つ前記発光層から出射する光に対して透過性の透明導電層と、前記透明導電層上に積層され且つ当該透明導電層より低屈折率の絶縁層と、前記絶縁層上に積層され且つ導電性の金属反射層と、前記絶縁層を通して設けられ、一端が前記透明導電層の前記膜厚部に電気的に接続され且つ他端が前記金属反射層と電気的に接続される導体部と、を含むことを特徴とする半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】出射光量を増加させるとともに、順方向電圧の増大を抑制した半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１は、基板１１０と、基板１１０上に積層される中間層１２０と、中間層１２０上に積層される下地層１３０と、下地層１３０上に積層されるｎ型半導体層１４０と、ｎ型半導体層１４０上に積層される発光層１５０と、発光層１５０上に積層されるｐ型半導体層１６０と、ｐ型半導体層１６０上に積層され、発光層１５０が出射する光に対して透光性を有する透光性電極１７０を備える。透光性電極１７０には、第１型電極１９０に近接した領域（Ｃ）と、第２型電極２００に近接した領域（Ａ）とで、ｐ型半導体層１６０の表面が露出する割合（開口率）が異なるように貫通孔１８０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】低コストで製造され、簡単な構成で、光の取出効率を十分に向上させることのできる、発光ダイオード装置およびそれがフリップチップ実装された発光ダイオード装置を提供すること。
【解決手段】光半導体層３と、光半導体層３と接続される電極部４と、光半導体層３および電極部４を封止し、光反射成分を含有する封止樹脂層１４とを備える発光ダイオード素子２０を、ベース基板１６にフリップ実装する。 （もっと読む）

【課題】低温成長などの方法でＧａＮ系半導体膜に形成された粗化面を有するＧａＮ系ＬＥＤ素子において、電極として形成される金属膜の光吸収に基づく損失を低減するための素子構造を提供する。
【解決手段】上面が粗化されたｐ型導電層と、該ｐ型導電層の下面側に配置された発光層と、該ｐ型導電層とで該発光層を挟むように配置されたｎ型導電層とを含む、積層構造のＧａＮ系半導体膜から、少なくとも該ｐ型導電層および該発光層の一部を除去することによって、該ｐ型導電性層、該発光層および該ｎ型導電層を含む積層部と、該ｎ型導電層の平坦な露出面とが隣接する構造が形成されており、該露出面上に第１電極金属膜を含むｎ側電極が形成され、該ｐ型導電性層の上面にＴＣＯ膜からなる透光性電極が形成されている、ＧａＮ系ＬＥＤ素子。 （もっと読む）

【課題】光の取出効率を十分に向上させながら、発光ダイオード装置を簡便に製造することのできる、発光ダイオードの製造方法を提供すること。
【解決手段】光半導体層３、および、その上に形成される電極部４を備える発光積層体５を用意し、光半導体層３の上に、電極部４を被覆するように、光反射成分を含有する封止樹脂層１４を形成し、封止樹脂層１４を、電極部４の上面が露出されるように、部分的に除去することにより、発光ダイオード素子２０を製造し、発光ダイオード素子２０と、端子１５が設けられたベース基板１６とを対向配置させ、電極部４と端子１５とを電気的に接続して、発光ダイオード素子２０をベース基板１６にフリップチップ実装して、発光ダイオード装置２１を製造する。 （もっと読む）

【課題】望ましい光抽出効率を有すると同時に、ｐ電極の接触領域を増大させ、これによりオーム接触抵抗を改善するＬＥＤを提供する。
【解決手段】発光ダイオード（ＬＥＤ）が、その製造方法とともに提供される。上記ＬＥＤは、基板１上に形成される導電性のｎ型領域２と、上記ｎ型領域上に形成される活性領域３と、上記活性領域上に形成される第１のｐ型領域４と、上記活性領域からの光抽出を行うように上記第１のｐ型領域上に形成される複数のナノ構造であって、５００ｎｍ未満の直径を有するナノ構造５と、上記第１のｐ型領域上に、上記ナノ構造との組み合わせによって非平面の表面を形成するように再成長した第２のｐ型領域６と、上記非平面の表面上に形成されるｐ型電極と、を備える。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い半導体層を有するｎ−ｄｏｗｎ型の半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本半導体デバイス５は、支持基板６０と、支持基板６０上に配置された導電層５０と、導電層５０上に配置された少なくとも１層のＩＩＩ族窒化物半導体層２００とを含み、ＩＩＩ族窒化物半導体層２００のうち導電層５０に隣接する導電層隣接ＩＩＩ族窒化物半導体層２００ｃは、ｎ型導電性を有し、転位密度が１×１０⁷ｃｍ^-2以下であり、酸素濃度が５×１０¹⁸ｃｍ^-3以下である。 （もっと読む）

【課題】 均一な発光を得つつ発光出力を向上させることが可能な発光素子を提供することを課題とする
【解決手段】 一実施形態に係る発光素子は、第１半導体と、第１半導体上に設けられた第２半導体と、第１半導体上に設けられた第１電極と、第２半導体上に設けられた第２電極と、を有し、第１電極及び第２電極が設けられた側で光取り出しが可能となっている。第２半導体は第１半導体が露出するように開口した開口部を有し、第１電極は外部と接続するための第１接続部と第１接続部から延伸する第１延伸部とを有し、第１接続部は第２半導体上に絶縁部を介して設けられ、第１延伸部は開口部から露出した第１半導体と接続されている。 （もっと読む）

【課題】窓電極層からの光抽出効率の向上およびｐ型ＧａＮに接する窓電極層の接触抵抗の低減を同時に達成する。
【解決手段】単結晶ｎ型ＩＴＯ透明電極膜１１はＩｎだけでなくＧａをも含有し、単結晶ｎ型ＩＴＯ透明電極膜（１１）は、０．０８以上０．５以下のＧａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）のモル比を有し、単結晶ｎ型ＩＴＯ透明電極膜１１は、１．１ｎｍ以上５５ｎｍ以下の厚みを有する。この発光ダイオードは、単結晶ｎ型ＺｎＯ透明電極膜１２上に形成された複数の単結晶ＺｎＯロッド１３をさらに具備する。単結晶ＺｎＯロッドの各先端部は、複数の針の形状を有するように分岐している。単結晶ＺｎＯロッドの各下部は、下方向の突起を有する。 （もっと読む）

【課題】所謂縦型の半導体発光装置において、オーミック電極と半導体膜との電気的接続を害することなく半導体膜内における電流集中を緩和することができる半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体膜２０は支持体１０に接合された半導体膜と、半導体膜の支持体との接合面１２とは反対側の面を部分的に覆う第一電極３０と、半導体膜の支持体との接合面側に設けられた第二電極４０と、を含み、第二電極は、互いに同一の金属酸化物透明導電体からなり且つ互いに電気的に接続された第一の透明電極４２および第二の透明電極４４を含み、第二の透明電極は、半導体膜を挟んで第一電極と対向する位置に設けられ且つ半導体膜に対する接触抵抗が第一の透明電極よりも高い。 （もっと読む）

【課題】蛍光層を具えた白色発光ダイオードの提供。
【解決手段】この蛍光層を具えた白色発光ダイオードは、サファイヤ基板上に順に堆積された窒化ガリウムバッファ層、ｎ型窒化ガリウム層、多重量子井戸窒化アルミニウムガリウム層、ｐ型窒化ガリウム層、透明導電層、酸化インジウムテルビウム蛍光層と、ｐ型窒化ガリウム層に接続されたプラス極金属接続層とｎ型窒化ガリウム層に接続されたマイナス極金属接続層を包含し、そのうち、プラス極金属接続層及びマイナス極金属接続層がそれぞれ外部プラス電源端子とマイナス電源端子に接続される時、多重量子井戸窒化アルミニウムガリウム層が電子正孔再結合により光線を発射し、並びにｐ型窒化ガリウム層、透明導電層、酸化インジウムテルビウム蛍光層を通して該光線を外部に発射し、且つ酸化インジウムテルビウム蛍光層の蛍光性が、多重量子井戸窒化アルミニウムガリウム層の発射する光線を白色光の出射光に変換する。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、基板に設けられる凹凸の形状を改善し光出力を向上させることが可能な半導体発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態は、発光層を含む窒化物半導体の積層体を有する半導体発光装置の製造方法であって、前記発光層から放射される発光に対して透光性の基板の表面に形成された炭素を含むマスクを用い、塩素および窒素を含む雰囲気中で前記基板を選択的にエッチングする工程と、前記基板のエッチングされた表面に、前記基板よりも屈折率が大きい窒化物半導体層を形成する工程と、前記窒化物半導体層を含む前記積層体を前記基板上に形成する工程と、を備える。 （もっと読む）