【課題】より高い透光特性を有する透光性電極を備え、優れた発光特性を有する化合物半導体発光素子を得る。
【解決手段】化合物半導体発光素子は、基板１１上に、化合物半導体からなるｎ型半導体層１２、発光層１３及びｐ型半導体層１４がこの順で積層され、さらに、ｐ型半導体層上の導電型透光性電極からなる正極１５及びｎ型半導体層上の導電型電極からなる負極１７を備えてなる化合物半導体発光素子であって、正極をなす導電型透光性電極が、スパッタ法で加熱されながら成膜されたＩｎ_２Ｏ_３なる組成の結晶を含む透明導電膜であり、ｐ型半導体層と前記透明導電膜との界面にはオーミック層が形成され、オーミック層の酸素濃度（相対元素濃度ｍｏｌ％）が、Ｉｎ_２Ｏ_３なる組成の結晶を含む透明導電膜のバルク中の酸素濃度（相対元素濃度ｍｏｌ％）よりも低い。 （もっと読む）

【課題】発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の発光素子の製造方法は、基板上にｎ型半導体層、活性層、及びｐ型半導体層を順次に形成し、水平面に対して勾配を有し且つｐ型半導体層から活性層まで連続して形成された少なくとも一つの斜面を有するようにｐ型半導体層及び活性層の一部を除去してｎ型半導体層の一部を露出させ、ｐ型半導体層の上部にｐ型金属バンプを形成し、露出されたｎ型半導体層上にｎ型金属バンプを形成し、サブマウント基板上にｐ型ボンディングパッド及びｎ型ボンディングパッドを形成し、ｐ型金属バンプ及びｎ型金属バンプと、ｐ型ボンディングパッド及びｎ型ボンディングパッドとがそれぞれ接続されるように、基板とサブマウント基板とをフリップチップボンディングし、フリップチップボンディングされた基板とサブマウント基板を発光素子ごとに切り出すことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製造コストを大幅に増加させずに、発光出力が高く、不要な波長の光の放出が少ない発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子１は、反射部２１０が複数のペア層を有し、第１の半導体層２１０ａが、光のピーク波長をλ_ｐ、第１の半導体層２１０ａの屈折率をｎ_Ａ、第２の半導体層２１０ｂの屈折率をｎ_Ｂ、第１クラッド層２２０の屈折率をｎ_Ｉｎ、光の入射角をθとした場合に、式（１）で定められる厚さＴ_Ａ１を有し、第２の半導体層２１０ｂが式（２）で定められる厚さＴ_Ｂ１を有し、ペア層が４４以上６１以下のθの値の範囲で式（１）及び式（２）で規定される厚さの第１の半導体層２１０ａ及び第２の半導体層２１０ｂを含み、４４以上６１以下のθの値の範囲で式（１）で規定される厚さの第１の半導体層２１０ａと式（２）で規定される厚さの第２の半導体層２１０ｂとからなるペア層を含む。 （もっと読む）

【課題】基板から剥離後の材料層におけるクラックの発生を極力防止することができるレーザリフトオフ方法および装置を提供すること。
【解決手段】基板１と材料層２との界面で材料層２を剥離させるため、基板１上に材料層２が形成されたワーク３に対し、基板１を通してパルスレーザ光を照射領域を刻々と変えながら照射する。レーザ光は、前記ワーク３の移動方向と平行方向に伸びる１辺を有する四角形状に形成され、隣接する各照射領域が重畳するように照射され、基板１から順次に剥離された前記材料層２の四角形状の剥離領域において、前記基板からはじめて剥離される材料層の剥離辺が２辺になるようにワーク３に照射される。これにより、ＧａＮの分解によって発生したＮ_２ガスが、剥離済の２辺から排出され、基板１上に形成された材料層２に割れを生じさせることなく、材料層２を基板１から剥離させることができる。 （もっと読む）

【課題】複数の接触部を有する発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の一実施例による発光素子は、支持基板と、該支持基板の上に位置する反射層と、該反射層の上に位置する透明層と、該透明層の上に位置する発光スタック層と、該透明層と該反射層との間に位置するエッチング阻止層と、該発光スタック層と該透明層との間に位置する複数の接触部とを有する。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体発光素子に含まれる透光性酸化物導電膜の光透過率の向上、シート抵抗の低減、シート抵抗の面内分布の均一化、およびコンタクト層に対するコンタクト抵抗の低減の少なくともいずれかを可能ならしめる化合物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体発光素子の製造方法において、基板（１）上に発光層（３）を含む化合物半導体積層体（２−５）を堆積し、この化合物半導体積層体（２−５）上に透光性酸化物導電膜（８）を堆積し、この透光性酸化物導電膜（８）はアニールされてその後に真空雰囲気中で冷却されることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光抽出効率が向上した半導体発光素子及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明は、第１の導電型半導体層と、当該第１の導電型半導体層の一面上に形成される活性層と、当該活性層の上に形成され複数のホールを含む第２の導電型半導体層と、当該第２の導電型半導体層の上に形成される透明電極と、を含む半導体発光素子；成長用基板上に第２の導電型半導体層、活性層及び第１の導電型半導体層を形成する段階と、当該第１の導電型半導体層の上に導電性基板を形成する段階と、上記成長用基板を上記第２の導電型半導体層から分離し当該第２の導電型半導体層に複数のホールを形成する段階と、上記第２の導電型半導体層の上に透明電極を形成する段階と、を含む半導体発光素子の製造方法；を提供する。 （もっと読む）

【課題】ウェハから切り出した発光素子を識別する。
【解決手段】複数の発光デバイスを製造する製造方法であって、発光素子基板に複数の発光素子を形成する素子形成段階と、それぞれの発光素子に、発光素子を他の発光素子から識別する識別部を形成する識別部形成段階と、それぞれの発光素子を分離して、複数の発光デバイスを形成するデバイス形成段階とを備える発光デバイスの製造方法を提供する。識別部は、発光素子を他の発光素子から識別する外観を有してよい。 （もっと読む）

【課題】放熱性や発光特性が良く、しかも高い生産性・歩留まりを実現できる発光ダイオードを提供する。
【解決手段】発光ダイオード１００は、配線層３１と配線層３１上の半導体発光素子１０を有し、半導体発光素子１０は、半導体発光層６と、透明導電層８と、金属反射層９と、透明絶縁膜１１と、透明絶縁膜１１の配線層３１側に離間領域１８，１９を介して設けられ、配線層３１と電気的に接続される第１電極部２１及び第２電極部２２とを有し、第１電極部２１は、第１コンタク卜部１４により透明導電層８を介して第１半導体層５と電気的に接続され、第２電極部１５は、透明絶縁膜１１を貫通し且つ透明導電層８、第１半導体層５、及び活性層４に対して絶縁されつつ貫通して設けられる第２コンタクト部１５により第２半導体層３と電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】低抵抗で十分な発光強度が得られる発光素子を提供する。
【解決手段】この発光素子１００は、ｎ型ＧａＮ半導体基部１１３と、ｎ型ＧａＮ半導体基部１１３上に立設状態で互いに間隔を隔てて形成された複数のｎ型ＧａＮ棒状半導体１２１と、ｎ型ＧａＮ棒状半導体１２１を覆うｐ型ＧａＮ半導体層１２３とを備えた。ｎ型ＧａＮ棒状半導体１２１は棒状半導体１２１にｎ型を与える不純物量を増やすことにより容易に低抵抗化できる。それゆえ、ｎ型ＧａＮ棒状半導体１２１の長さを長くしても、ｎ型ＧａＮ棒状半導体１２１の抵抗の増大が抑えられ、ｎ型ＧａＮ棒状半導体１２１の根元部から先端部にわたって一様に発光させることができる。 （もっと読む）

【課題】高効率の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、ｎ形の第１半導体層と、ｐ形の第２半導体層と、第１半導体層と第２半導体層との間に設けられた発光部と、第１半導体層と発光部との間に設けられた多層構造体と、を備えた半導体発光素子が提供される。発光部は、交互に積層された、複数の障壁層と、複数の井戸層と、を含む。多層構造体は、交互に積層された、高バンドギャップエネルギー層と、複数の低バンドギャップエネルギー層と、を含む。高バンドギャップエネルギー層と、それに接する低バンドギャップエネルギー層と、のペアの平均Ｉｎ組成比は、第１半導体層の側よりも第２半導体層の側の方が高い。障壁層と、それに接する井戸層と、のペアの平均Ｉｎ組成比は、第１半導体層の側よりも第２半導体層の側の方が高い。 （もっと読む）

【課題】光吸収率を増加することなくチップ全体に電流を広げることができる電極構造を有する発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子１は、光取り出し面としての第１の面と、第１の面に対向する第２の面とを有し、発光層６３を有するIII−Ｖ族化合物半導体からなる積層構造１０と、支持基板３と第２の面との間に設けられ発光層６３の発光光を第１の面側に反射する反射金属膜４と、第１の面の一部に複数設けられて積層構造１０と導電する第１電極７０と、第１の面に設けられ第１電極７０と導電する透明導電膜７１と、透明導電膜７１の上に設けられる電極パッド９とを有する。 （もっと読む）

【課題】発光素子の実装基板への搭載工程を簡略化し、発光素子と実装基板との接合性を良好にする発光素子の搭載方法を提供すること。
【解決手段】接合層が形成された発光素子を実装基板に搭載する発光素子の搭載する際、実装基板に金属ナノ粒子ペーストを塗布し、発光素子の接合層を金属ナノ粒子ペースト上に配置した後、接合層と前記金属ナノ粒子ペーストを加熱して合金化させて発光素子と実装基板を接合する。このような発光素子の搭載方法により、残渣となるフラックスを用いることなく、発光素子と実装基板とを結合させることができる。 （もっと読む）

【課題】発光層で発光した光の取り出し効率を高めることが可能な発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子１は、ｐ型半導体層２１、発光層２２及びｎ型半導体層２３が積層され、ｐ型半導体層及び発光層２２の一部が除去されてｎ型半導体層２１の一部が露出したＧａＮ半導体層２０と、ＧａＮ半導体層２０の上に、ｐ側第１絶縁膜開口部５５及びｎ側第１絶縁膜開口部５６を備えて積層される第１反射層５０と、ｐ側第１絶縁膜開口部５５を通じて、ｐ型半導体層２３にキャリアを注入するためのｐ側透明配線電極層４０と、ｐ側透明配線電極層４０の上方に、ｐ側第１絶縁膜開口部５５の少なくとも一部を覆うように積層され、ｐ側第１絶縁膜開口部５５を通過した光を発光層２２側に反射する第２反射層６０とを備える。 （もっと読む）

【課題】比較的簡便な方法で製造することができ、歩留り低下、信頼性低下、駆動電圧の上昇および光り取り出し効率の低下といった従来の問題を解消し得る半導体発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型半導体層と、ｐ型半導体層と、ｎ型半導体層とｐ型半導体層の間に設けられた活性層と、を含む半導体発光装置において、ｐ型半導体層の表面に設けられた金属酸化物透明導電体からなる第１の透明電極と、ｐ型半導体層の表面に設けられ、第１の透明電極に電気的に接続された金属酸化物透明導電体からなる第２の透明電極と、第２の透明電極の表面に設けられた金属からなるｐ側パッド電極と、を含む。第２の透明電極は、第１の透明電極よりもｐ型半導体層に対する接触抵抗が高い。 （もっと読む）

【課題】光吸収率を増加することなくチップ全体に電流を広げることができる電極構造を有する発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子１は、光取り出し面としての第１の面と、第１の面に対向する第２の面とを有し、発光層６３を有するIII−Ｖ族化合物半導体からなる積層構造１０と、支持基板３と第２の面との間に設けられ発光層６３の発光光を第１の面側に反射する反射金属膜４と、第１の面の一部に複数設けられて積層構造１０と導電する第１電極７０と、第１の面に設けられ第１電極７０と導電する透明導電膜７１と、透明導電膜７１の上に設けられる電極パッド９とを有する。 （もっと読む）

【課題】改善されたオーミックコンタクト構造およびｐ型窒化物材料にオーミックコンタクト構造を形成する。
【解決手段】ｎ型ＳｉＣ基板１０上に、活性領域１２として、ｎ−ＧａＮベースの層１４およびｐ−ＧａＮベースの層１６と、ｐ−ＧａＮ層１６に堆積されかつ電気的に結合されたｐ電極１８と、ｐ電極１８上にボンディングパッド２０が形成され、ｐ電極１８はオーミックコンタクトを形成し、約２５Å未満の平均厚さおよび約１０^−３Ωｃｍ^２未満の固有接触抵抗率を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体発光素子からの光取り出し効率を向上させた半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体発光装置１は、光を発生する半導体発光素子１０と、半導体発光素子１０に電力を供給する配線として働くとともに、半導体発光素子１０が発光した光の波長を反射する反射層２１、２４が設けられたサブマウント１５とを備えている。半導体発光素子１０は、透光性基板１１０上に、中間層１２０、下地層１３０、積層半導体層１００、透光性電極１７０が順に積層されている。半導体発光素子１０の透光性電極１７０とサブマウント１５の反射層２１、２４とは、距離が隔てられて対向しているので、半導体発光素子１０が発生し透光性電極１７０に向かう光が効率よく反射され、半導体発光素子１０から取り出すことができる。 （もっと読む）

【課題】光の高出力化及び取出効率並びに低動作電圧化を向上させることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光素子１は、活性層を有する半導体積層体１４の一方の表面に設けられる複数の分配電極１２と、半導体積層体１４の一方の表面側に設けられ、複数の分配電極１２を覆う透明導電膜２１と、半導体積層体１４の他方の表面側に設けられる導電反射層９と半導体積層体１４との間に位置する誘電体層１５と、誘電体層１５の内部で導電反射層９と半導体積層体１４とを電気的に接続し、平面視にて複数の分配電極１２に重ならない位置に設けられる界面電極８と、透明導電膜２１を介して複数の分配電極１２に電気的に接続し、平面視にて分配電極１２及び界面電極８に重ならない位置に設けられる表面電極１７とを備える。 （もっと読む）

【課題】製造コストの増加や製造歩留まりの低下を招くことなく、コアに所望の特性を持たせることができるダイオードを提供する。
【解決手段】発光ダイオード５は、ＳｉＣで作製された棒状コア１と、ｎ型のＧａＮで作製された第１のシェル２と、ｐ型のＧａＮで作製された第２のシェル３とを備える。ダイオードの２極の役割は、ｎ型の第１のシェル２とｐ型の第２のシェル３とが担うので、コア１の材質として第１,第２のシェル２,３とは異なるＳｉＣを選択できる。棒状コア１の屈折率(３〜３.５)が第１のシェル２の屈折率(２.５)よりも大きいので、第１,第２のシェル２,３のｐｎ接合面で発生した光が第１のシェル２から棒状コア１内へ入射し易いと共に棒状コア１内へ入射した光は、棒状コア１と第１のシェル２との界面で全反射し易い。よって、発生した光をコア１へ導波してコア１で強く発光させることができる。 （もっと読む）