【課題】反り量を低減できる窒化物半導体の積層体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】実施形態によれば、窒化物半導体の積層体は、主面に凸部を有する基板と、前記基板の前記主面上に直接設けられて前記凸部を覆う単結晶層と、前記単結晶層上に設けられた窒化物半導体層と、を備えている。前記基板は窒化物半導体を含まない。前記単結晶層はクラックを内在している。 （もっと読む）

【課題】電極パッドによる光吸収を低減した半導体発光素子を提供する。
【解決手段】一対の主表面間に複数の化合物半導体層を備える化合物半導体発光ユニットＵと、一方の主表面１１上の表面電極２８１と電気的に導通する電極パッドＥ２を支持基板Ｓ上に並設する。これにより、電極パッドＥ２の直下に化合物半導体発光ユニットＵの発光層として機能する活性層２３２が存在しない構成を実現している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高い光出力の発光ダイオードチップの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光ダイオードチップの製造方法は、サファイア基板にＳｉＯ_２パターン層を形成するステップと、前記サファイア基板の表面に半導体発光構造を成長させるステップと、ドライエッチング方法により、前記半導体発光構造を複数の発光区域に分割することで、半導体発光構造の上表面からサファイア基板に延伸する分割溝を形成し、前記ＳｉＯ_２パターン層の一部を露出させるステップと、バッファ酸化物エッチング液で前記ＳｉＯ_２パターン層を除去し、前記半導体発光構造とサファイア基板との間にスルーホールを形成させるステップと、各々の前記発光区域の一部をエッチングして電極プラットフォームを形成し、半導体発光構造に電極を設置するステップと、分割溝に沿ってサファイア基板を切断するステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子において、サファイア基板にバッファ層として形成したＡｌＮ膜に含まれるこれらの不純物により、該ＡｌＮ膜上に形成されるＧａＮ層の結晶性が劣化するのを低減することができ、これにより歩留まりの向上を図る。
【解決手段】サファイア基板１１と、該サファイア基板１１上に格子不整合を緩和するバッファ層として形成されたＡｌＮ膜１２と、該ＡｌＮ膜１２上に形成されたノンドープＧａＮ層１３と、該ノンドープＧａＮ層１３上に形成され、発光領域を含む積層構造を有する半導体発光素子１０において、サファイア基板１１上にＡｌＮ膜１２をその炭素濃度が０．２ａｔ％以下になり、かつ塩素濃度が０．０１ａｔ％以下になるよう形成している。 （もっと読む）

【課題】 Ａｇのマイグレーションによるリークを抑制する。
【解決手段】 半導体素子は、基板と、前記基板上に形成された共晶層と、前記共晶層上方に形成された絶縁層と、各々が前記絶縁層上に形成された密着層と、前記密着層上に形成されたＡｇ反射膜と、前記Ａｇ反射膜上に形成された透明電極と、前記透明電極上に形成され、第１導電型の第１の窒化物半導体層と、該第１の窒化物半導体層の上に形成され、電流が流れることにより発光する第２の窒化物半導体層と、該第２の窒化物半導体層の上に形成された、第２導電型の第３の窒化物半導体層とを含んだ半導体積層とを有する複数の半導体発光素子と、前記密着層及びＡｇ反射膜上方に形成され、隣接する半導体発光素子の一方の前記第１導電型の第１の窒化物半導体層と他方の前記第２導電型の第３の窒化物半導体層とを接続し、積層の最下層が前記密着層と同一の材料からなる配線電極とを有する。 （もっと読む）

【課題】発光素子の光抽出効率を改善して、光効率を向上させること。
【解決手段】実施例は、第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層を含む発光構造物と、前記発光構造物の下部に形成されて、前記活性層から放出される光を放出する透明支持層と、前記透明支持層の下部に形成され、前記透明支持層を取り囲む反射層と、前記反射層の下部に形成され、前記反射層を取り囲む伝導層と、を含む発光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率の高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】導電性を有する支持基板Ｓ上に、反射金属膜２６を介して、円錐台形状を有し発光領域となる活性層２３２を有する化合物半導体からなる化合物半導体発光ユニットＵを複数個並設した構造を有している。 （もっと読む）

【課題】パッド電極下に反射層を有する半導体発光素子において、光取り出し効率を向上させる。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体発光素子１は、ｎ型半導体層１１とｐ型半導体層１３とに挟まれた発光層１２を有する半導体積層構造を有する半導体発光素子であって、ｐ型半導体層１３上に形成された第１の透明電極１４と、第１の透明電極１４上に形成された、第１の透明電極１４よりも面積の小さい反射層１５と、第１の透明電極１４上に反射層１５を覆うように形成された第２の透明電極１６と、第２の透明電極１６上の反射層１５の上方の領域に形成されたｐパッド電極１７と、を有する。 （もっと読む）

【課題】発光効率が高く光取り出し効率が高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、発光層と、透光層と、第１窒化物半導体層と、第２窒化物半導体層と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記発光層は、窒化物半導体の活性層を含む。前記透光層は、前記発光層から放出される光に対して透光性を有し、酸化珪素、または、任意の元素が添加された酸化珪素からなり非晶質である。前記第１窒化物半導体層は、前記発光層と前記透光層との間において前記透光層に接する。前記第１窒化物半導体層は、前記透光層の熱膨張係数よりも大きい熱膨張係数を有し、前記活性層の格子定数よりも小さい格子定数を有し、面内方向の引っ張り応力を有し、第１導電形である。前記第２窒化物半導体層は、前記発光層の前記透光層とは反対側の面に設けられ、第２導電形である。 （もっと読む）

【課題】ワイヤとの密着性に優れたパッド電極を備える窒化物系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化物系半導体発光素子は、窒化物系の半導体層と、半導体層上に設けられた、複数の金属層を積層して構成される電極構造と、を備え、電極構造は、半導体層側に配置される第一金属層７１ａと、第一金属層上に配置される第二金属層７１ｂと、第二金属層上に配置されるボンディング層７３と、を含み、第一金属層７１ａは、Ｔｉ、Ｒｈ、Ｃｒ、Ｐｔから選択される少なくとも一を含み、第二金属層７１ｂは、Ｈｆを含み、ボンディング層７３は、Ａｕを含む。 （もっと読む）

【課題】発光効率が高く光取り出し効率が高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、発光層と、透光層と、半導体層と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記発光層は、活性層を含む。前記透光層は、前記発光層から放出される光に対して透光性を有する。前記半導体層は、前記発光層と前記透光層との間において前記透光層に接する。前記半導体層は、前記透光層の熱膨張係数よりも大きい熱膨張係数を有し、前記活性層の格子定数よりも小さい格子定数を有し、面内方向の引っ張り応力を有する。 （もっと読む）

【課題】放熱効率および光の取り出し効率の向上を図ることができる発光素子、これを含む発光素子ユニット、発光素子ユニットを樹脂パッケージで覆った発光素子パッケージならびに発光素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】発光素子１は、発光層４の発光波長に対して透明な基板２と、基板２上に積層されたｎ型窒化物半導体層３と、ｎ型窒化物半導体層３上に積層された発光層４と、発光層４上に積層されたｐ型窒化物半導体層５と、ｐ型窒化物半導体層５上に積層され、発光層４の発光波長に対して透明な透明電極層６と、銀と白金族金属と銅とを含む合金からなり、透明電極層６に接触した状態で透明電極層６上に積層され、透明電極層６を透過した光を反射させる反射電極層７とを含む。 （もっと読む）

【課題】効率よく発光層を発光させることができ、高い発光効率が得られ、しかも、優れた光取り出し効率が得られる半導体発光素子およびこれを用いたランプを提供する。
【解決手段】ｎ型半導体層１２と発光層１３とｐ型半導体層１４とがこの順に積層された半導体層１０と、ｐ型半導体層１４上に部分的に形成され、屈折率が１．５以上であり、熱膨張係数が５．０×１０^−６（１／Ｋ）〜１５．０×１０^−６（１／Ｋ）であり、膜厚が５ｎｍ〜５００ｎｍの範囲である絶縁層２１と、絶縁層２１上に積層された膜厚が３０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲である金属反射層２２と、ｐ型半導体層１４上および金属反射層２２上を覆うように形成された透明導電層１５と、透明導電層１５上の絶縁層２１および金属反射層２２と平面視で重なる位置に形成された正極１７とを備えるものである半導体発光素子１とする。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧が低い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、ｎ形半導体層と、電極と、ｐ形半導体層と、発光層と、を備えた半導体発光素子が提供される。ｐ形半導体層は、ｎ形半導体層と電極との間に設けられる。ｐ形半導体層は、電極に接するｐ側コンタクト層を含む。発光層は、ｎ形半導体層とｐ形半導体層との間に設けられる。ｐ形半導体層は、ｐ側コンタクト層と発光層との間に設けられ、ｐ形不純物濃度がｐ形コンタクト層のｐ形不純物濃度よりも低いｐ形層を含む。ｐ側コンタクト層は、ｎ形半導体層からｐ形半導体層に向かう第１方向に突出した複数の突起部を含む。複数の突起部の第１方向に対して垂直な平面内における密度は、５×１０^７個／ｃｍ^２以上、２×１０^８個／ｃｍ^２以下である。複数の突起部に含まれるＭｇの濃度は、突起部以外の部分に含まれるＭｇの濃度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】フェイスアップ型の発光素子がサブマウントに実装された発光装置において、ワイヤを用いずに位置精度よく実装すること。
【解決手段】発光装置は、III 族窒化物半導体からなるフェイスアップ型の発光素子１と、サブマウント２で構成されている。発光素子１は貫通孔１７、１８を有し、サブマウント２は２つの棒状電極２２を有している。サブマウント２の棒状電極２２は、発光素子１の貫通孔１７、１８にそれぞれ差し込まれている。棒状電極２２の先端部２２ａは発光素子１のｎパッド電極１４、ｐパッド電極１６表面から突出し、その先端２２ａは潰されて広がり、発光素子１のｎパッド電極１４、ｐパッド電極１６に接続されている。 （もっと読む）

【課題】支持基板にＧａＮ系層を形成する際の反りが小さく熱伝導率が高い支持基板を有するＧａＮ系層積層基板およびかかるＧａＮ系層積層基板を含むＧａＮ系デバイスを提供する。
【解決手段】本ＧａＮ系層積層基板１は、少なくとも１層の厚さＡのＧａＮ系層１０と、厚さＢの第１の金属製支持基板２０としてＡｇ製支持基板およびＣｕ製支持基板のいずれかと、厚さＣの第２の金属製支持基板３０としてＭｏ製支持基板とがこの順に積層され、第１の金属製支持基板がＡｇ製支持基板である場合には、Ｂ／（Ｂ＋Ｃ）比が０．６５以上０．９１以下であり、かつ、Ｃ／Ａ比が０．８０以上１．１５以下であり、第１の金属製支持基板がＣｕ製支持基板である場合には、Ｂ／（Ｂ＋Ｃ）比が０．７０以上０．９１以下であり、かつ、Ｃ／Ａ比が０．８０以上１．１５以下である。 （もっと読む）

【課題】高い外部量子効率を安定に確保できるようにした半導体発光素子を提供する。
【解決手段】基板１０の表面部分には発光領域１２で発生した光を散乱又は回析させる少なくとも１つの凹部２０及び／又は凸部を形成し、凹部２０及び／又は凸部は半導体層１１、１２、１３に結晶欠陥を発生させない形状とする。また、光が凹部２０及び／又は凸部において散乱又は回折され、上方の半導体層又は下方の基板から効率的に光を取り出す。 （もっと読む）

【課題】高速応答性と高出力性とを兼ね備えた赤外光を発光する発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置を提供する。
【解決手段】組成式（Ｉｎ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１）Ａｓ（０≦Ｘ１≦１）の化合物半導体からなる井戸層、及び、組成式（Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２）Ａｓ（０≦Ｘ２≦１）の化合物半導体からなるバリア層を交互に積層した量子井戸構造の活性層１１と、該活性層１１を挟む第１のクラッド層９と第２のクラッド層１３とを有する発光部７と、発光部７上に形成された電流拡散層８と、電流拡散層８に接合された機能性基板３とを備え、第１及び第２のクラッド層９、１３が組成式（Ａｌ_Ｘ３Ｇａ_１−Ｘ３）_Ｙ１Ｉｎ_１−Ｙ１Ｐ（０≦Ｘ３≦１，０＜Ｙ１≦１）の化合物半導体からなり、井戸層及びバリア層のペア数が５以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】第二ｎ型半導体層の格子緩和に起因する発光層の結晶性の低下が生じにくく、高出力、かつ、低動作電圧の半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にＡｌ_ｘＩｎ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎなる組成（０≦ｘ＜１，０≦ｙ＜１，０≦ｘ＋ｙ＜１）の下地層、第一ｎ型半導体層および第二ｎ型半導体層を順次積層した後に、前記基板温度を４００℃以下に降温する第一工程と、前記第二ｎ型半導体層上に、前記第二ｎ型半導体層よりもＩｎ組成の高い、前記第二ｎ型半導体層の再成長層を形成した後に、発光層およびｐ型半導体層を順次積層する第二工程と、を具備してなることを特徴とする半導体発光素子の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ基板上に結晶成長する各半導体層の平坦性向上した半導体基板を実現し、この半導体基板を基礎として、特性の高性能化された半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｐ型電極３２と、ｎ型電極３１と、ｐ型電極３２に接続され、複数のｐ型窒化物系III−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型積層構造（１６〜２０）と、ｎ型電極３１に接続され、複数のｎ型窒化物系III−Ｖ族化合物半導体であるｎ型積層構造（１１〜１４）と、ｐ型積層構造（１６〜２０）とｎ型積層構造（１１〜１４）との間に形成された窒化物系III−Ｖ族化合物半導体からなる活性層１５とを備え、ｎ型積層構造（１１〜１４）がＳｉを５ｘ１０17ｃｍ-3以上２ｘ１０19ｃｍ-3以下の濃度で含有し、厚さが０．３ｎｍ以上２００ｎｍ以下のドープ層１０と、ドープ層１０よりも活性層１５側に設けられた超格子層１３とを含む。 （もっと読む）