【課題】第一ｎ型半導体層のドーパント濃度に起因する結晶性の低下が生じにくく、かつ、高い出力の得られるＩＩＩ族窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第一有機金属化学気相成長装置において、基板上に第一ｎ型半導体層を形成する第一工程と、第二有機金属化学気相成長装置において、前記第一ｎ型半導体層上に、前記第一ｎ型半導体層のドーパント濃度よりも高いドーパント濃度を有する前記第一ｎ型半導体層の再成長層、第二ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層を順次積層する第二工程と、を有することを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】発光むらが低減された半導体発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の半導体発光素子１は、ｎ型半導体層２１、発光層２２及びｐ型半導体層２３が積層された半導体層２０と、ｎ型半導体層２１に接続されたｎ側電極３０と、ｐ型半導体層２３上にｐ側透光性電極４４を有し、ｐ側透光性電極４４に接続されたｐ側電極４０と、を備えた半導体発光素子であって、半導体発光素子１を上面から見て、ｐ側電極４０は、ｎ側電極３２を囲むように形成されたｐ側延伸部４６、４７、４８とｐ側パッド電極４２とを有し、ｎ側電極３０は、ｎ側パッド電極３２とｎ側延伸部３６とを有し、ｎ側延伸部３６はｐ側パッド電極４２方向に向かって延びるｎ側第１延伸部３６とｐ側パッド電極４２方向と異なる方向に延びるｎ側第２延伸部３７とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体発光機能層の一方の面に２つの電極を形成した構成の発光素子において、長手方向で均一な発光強度を得る。
【解決手段】ｐ型ＧａＮ層２３の表面には、左端部側から右端部側に向かって延伸する形態で、ｐ型ＧａＮ層２３の右端部（Ｔの位置）付近まで透明電極３１が形成されている。更に、この構造全体を覆う形態で絶縁層３２が形成されている。この左端部の領域にはｐ側電極３３が接続されている。ｎ側電極３４は、ｐ型ＧａＮ層２３とＭＱＷ層２２とが部分的に除去された領域の左側の領域、すなわち、図１（ａ）における半導体発光機能層２０の右端部（図１（ａ）におけるＴの位置）を越えて、これよりも左側の発光機能層２０の上面も覆っている。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子からの光取り出し効率を向上させるとともに、半導体発光素子に設けられた電極におけるクラックの発生を抑制する。
【解決手段】半導体発光素子１は、ｎ型半導体層１４０上に積層される発光層１５０およびｐ型半導体層１６０と、ｐ型半導体層１６０の上に積層される透明導電層１７０と、透明導電層１７０の上および露出するｎ型半導体層１４０上に、テーパ状の貫通孔が複数形成された状態で積層される透明絶縁層１８０と、透明絶縁層１８０を介して透明導電層１７０の上に形成され、透明絶縁層に設けられた各貫通孔を介して透明導電層１７０に接続されるｐ電極２００と、透明絶縁層１８０を介してｎ型半導体層１４０の上に形成され、透明絶縁層１８０に設けられた各貫通孔を介してｎ型半導体層１４０に接続されるｎ電極３００とを備える。 （もっと読む）

【解決すべき課題】
結晶性および光取り出し効率に優れ、かつ高電流域での順電圧増加が抑制された発光素子用基板、その発光素子基板の製造方法、およびその発光素子基板を用いた発光素子を提供する。
【解決手段】
基板上の第１主面上に半導体結晶を成長させることによって半導体発光素子が製造される半導体発光素子基板であって、
前記半導体結晶の成長が抑制される傾斜面を各々有する複数の凸部が前記第１主面上に形成されており、
前記複数の凸部は、前記傾斜面が前記第１主面上で偏在し、かつ前記第１主面に対して平行に伝搬する光がいずれかの凸部において反射されるように配置されていることを特徴とする、半導体発光素子基板。 （もっと読む）

【課題】電気的特性が良好で加工性が良好な電極を有する半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、発光部と、第１導電層と、第２導電層と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記発光部は、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられる。前記第１導電層は、第１平均粒径を有する多結晶を含み、前記発光部から放出される光に対して透過性である。前記第２導電層は、前記第２半導体層と前記第１導電層との間において前記第２半導体層と前記第１導電層とに接し、前記第１平均粒径よりも小さく１５０ナノメートル以下の第２平均粒径を有する多結晶を含み、前記光に対して透過性である。 （もっと読む）

【課題】電気的特性が良好で加工性が良好な電極を有する半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、窒化物半導体を含み第１導電形の第１半導体層と、第１半導体層の第１領域の上に設けられた発光部と、発光部の上に設けられ窒化物半導体を含み第２導電形の第２半導体層と、第１半導体層の第２領域の上に設けられた第１電極と、第２半導体層の上において第２半導体層に接し、発光部から放出される光に対して透過性で多結晶の第２導電層と、第２導電層の上に設けられ、光に対して透過性で多結晶の第１導電層と、第１導電層の上に設けられた第２電極と、を備えた半導体発光素子が提供される。第２導電層における粒界どうしの間隔は、第１導電層における粒界どうしの間隔よりも小さく１５０ナノメートル以下である。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜の被覆率を向上させた半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１０の製造方法では、発光部１３を含む多層構造の半導体層１１上に、発光部１３から放射される光に対して透明な透明導電膜１５を形成する。透明導電膜１５の一部にマスク材２０を形成する。マスク材２０を用いて、透明導電膜１５をウェットエッチングし、半導体層１１を露出させる。マスク材２０を用いて、露出した半導体層１１を異方性エッチングし、発光部１３を除去する。マスク材２０を除去し、半導体層１１であって活性層１３が除去されて露出した部分上に第１電極１６を形成し、透明導電膜１５上に第２電極１７を形成する。 （もっと読む）

【課題】ｎ電極とｐ電極が半導体膜の同一面側に設けられた半導体発光素子において、半導体膜内における横方向および積層方向における電流拡散を促進させ電流密度の均一化を図るとともに蛍光体を用いた光の混色のコントロールを容易にすることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】
半導体発光素子は、第一の導電型を有する第一半導体層と、第二の導電型を有する第二半導体層と、第一半導体層と第二半導体層との間に設けられた活性層と、を含む半導体膜と、第一半導体層の内部に埋設され且つ半導体膜の外縁に沿って環状に伸長する埋設部を有する第一電極と、第二半導体層の表面に設けられた第二電極と、第一半導体層内に設けられ且つ第一半導体層の導電率よりも高い導電率を有する電流誘導部と、を含む。活性層は、第一電極の環状パターンの内側に設けられている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体発光素子に関する。
【解決手段】本発明は、導電性基板と、当該導電性基板上に配置されたｐ型半導体層と、当該ｐ型半導体層上に配置された活性層と、当該活性層上に配置されたｎ型半導体層と、当該ｎ型半導体層上に配置されｎ型にドーピングされたカーボンナノチューブ（ｃａｒｂｏｎ ｎａｎｏｔｕｂｅ）層を含むｎ側電極とを含む半導体発光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子のＦＣ（フリップチップ）実装技術における光の取り出し効率を改良する。
【解決手段】第１の導電型を有する第１の（ｎ型）半導体層１４０、発光層１５０及び第１の導電型とは逆の第２の導電型を有する第２の（ｐ型）半導体層１６０が積層された積層半導体層１００と、積層半導体層１００のｎ型半導体層１４０の表面に形成された第１の電極１８０と、積層半導体層１００のｐ型半導体層１６０の表面に形成された第２の電極１７０と、を備え、第２の電極１７０は、積層半導体層１００のｐ型半導体層１６０上に、ｐ型半導体層１６０側と反対側の膜面が凹凸形状を有するように形成された、又はｐ型半導体層１６０を覆わない不連続な部分を設けるように形成された、光に対して透過性且つ導電性の透明導電層１７１と、透明導電層１７１上に設けられ光に対して反射性を有する金属反射層１７２と、を有することを特徴とする半導体発光素子１０。 （もっと読む）

【課題】透明電極層内における多重反射を抑えることにより、反射損失および膜内光吸収を低減し、高輝度化を図ることができる発光素子、これを含む発光素子ユニットおよび発光素子パッケージを提供すること。
【解決手段】発光素子１は、基板２と、ｎ型窒化物半導体層３と、発光層４と、ｐ型窒化物半導体層５と、透明電極層６と、反射電極層７とを含んでおり、透明電極層６の厚さＴが下記式（１）で表される。
【数１】


（式（１）中、λは発光層４の発光波長を示し、ｎは透明電極層６の屈折率を示す。） （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の化合物半導体層を積層する前に清浄な成長面を容易に準備することができ、第二成長装置に入れる前の洗浄工程が不要な半導体発光素子用テンプレート基板、半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプ、電子機器、機械装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の半導体発光素子用テンプレート基板は、基板上に、下地層と、加熱により除去可能な犠牲層とを順に備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ｐ形ＧａＮ層に応用した場合に望ましい光学及び電気特性を呈する透光性接触部を形成する方法の提供。
【解決手段】オプトエレクトロニクス素子（１０）のｐ形ＧａＮ層（２０、３０）の表面上に、金属酸化物からなる透光性接触部を成膜技術によって形成する。透光性接触部は、所望の金属を成膜前又は成膜中に酸化して形成する。金属酸化物は、ＮｉＯ、ＩＩ属金属酸化物、遷移金属酸化物等から選択されて成る。透光性接触部には、更に貴金属が添加され得る。 （もっと読む）

【課題】フェイスダウン（ＦＤ）実装に用いられる半導体チップを、より容易に製造できる半導体チップの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子の一例である発光素子２０は、基板１０上に発光素子２０を形成する半導体素子形成工程と、発光素子２０の第１電極１７０上に第１突出電極２１０および第２電極１８０上に第２突出電極２２０を形成する突出電極形成工程と、基板１０の分割予定面内に脆弱領域３２１を形成する脆弱領域形成工程（図７（ａ））と、基板１０上に発光素子２０が形成されたウエハ３０を、脆弱領域３２１を起点として、発光チップ１に分割する分割工程（図７（ｂ）および（ｃ））とを含んで製造される。 （もっと読む）

【課題】発光領域を構成する半導体積層構造と、その上に形成される透明導電膜との密着性を改善し、これらの接触抵抗を低減することができる発光デバイスを得る。
【解決手段】発光デバイスにおいて、サファイア基板１１上に形成され、発光デバイスの半導体積層構造を形成するｐ型ＧａＮ層１６を、その炭素含有比率が該ｐ型ＧａＮ層表面に含まれる全体の元素の含有率に対して１０〜３０％となり、また、その酸素含有比率が該ｐ型ＧａＮ層表面に含まれる全体の元素の含有率に対して１０〜２５％となるように形成し、該ｐ型ＧａＮ層１６上にＩＴＯ膜１７を形成した。 （もっと読む）

【課題】発光効率の向上を図ることができる発光素子、これを含む発光素子ユニットおよび発光素子ユニットを樹脂パッケージで覆った発光素子パッケージを提供すること。
【解決手段】発光素子１では、第１導電型半導体層３上に、発光層４、第２導電型半導体層５、透明電極層６、反射電極層７および絶縁層８が、この順で積層されていて、絶縁層８上には、第１電極層１０と第２電極層１２とが分離絶縁された状態で積層されている。発光素子１は、平面視において離散して配置されて絶縁層８から連続して反射電極層７、透明電極層６、第２導電型半導体層５および発光層４を貫通し、第１導電型半導体層３に到達する複数の絶縁管層９と、第１電極層１０から連続し、絶縁層８および絶縁管層９を通って第１導電型半導体層３に接続された第１コンタクト１１と、第２電極層１２から連続し、絶縁層８を貫通して反射電極層７に接続された第２コンタクト１３とを含む。 （もっと読む）

【課題】高電流通電時の電流の集中や光の吸収や多重反射を防ぐ補助電極を形成することにより、光の透過率と発光出力と信頼性に優れたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にｎ型半導体層、発光層及びｐ型半導体層を順次積層する工程と、前記ｐ型半導体層上に、絶縁層と、ｐ型パッド部及び前記ｐ型パッド部から伸びた線状のｐ型補助電極部を有する金属からなるｐ型電極層と、を形成する工程と、前記ｐ型半導体層及び前記ｐ型電極層を覆うように透光性電極を形成する工程と、前記透光性電極上の前記ｐ型電極層の前記ｐ型パッド部に重なる位置に、前記ｐ型ボンディングパッド電極を形成する工程と、を具備してなることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】高輝度の発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、発光素子は、発光層を含む半導体積層体と、半導体積層体の上で、半導体積層体に直接的に接続された第１上部電極と、半導体積層体の上で、半導体積層体に第１コンタクト層を介して接続され、第１上部電極から延出された、少なくとも１つの第２上部電極と、半導体積層体の下に設けられた下部電極と、を備える。発光素子は、半導体積層体と、下部電極と、の間に設けられ、発光層から発せられる光を透過する透明導電層と、透明導電層と、下部電極と、の間に設けられた光反射層と、半導体積層体と、透明導電層と、の間および半導体積層体と、第１上部電極および第２上部電極と、の間の少なくともいずれかに設けられ、発光層の主面に対して垂直な方向からみて少なくとも１つのスリットが選択的に設けられた電流阻止層と、を備える。 （もっと読む）

【課題】接触抵抗値を低減させて、下地膜とのオーミック接触を可能とする。
【解決手段】低抵抗の透明配線材料や透明電極材料として活用されるＩＴＯ膜およびその製造方法において、ＩＴＯ膜を低温度でスパッタリングして形成し、まず、非結晶体のアモルファス状態にする。次に、酸素雰囲気で熱処理（アニール処理）を行うことにより、ＩＴＯ膜を結晶化すると共に、ＩＴＯ膜の面指数（２２２）の結晶強度が面指数（４００）の結晶強度よりも強くなるように結晶配向性がコントロールされる。 （もっと読む）