【課題】製造コストの増加や製造歩留まりの低下を招くことなく、コアに所望の特性を持たせることができるダイオードを提供する。
【解決手段】発光ダイオード５は、ＳｉＣで作製された棒状コア１と、ｎ型のＧａＮで作製された第１のシェル２と、ｐ型のＧａＮで作製された第２のシェル３とを備える。ダイオードの２極の役割は、ｎ型の第１のシェル２とｐ型の第２のシェル３とが担うので、コア１の材質として第１,第２のシェル２,３とは異なるＳｉＣを選択できる。棒状コア１の屈折率(３〜３.５)が第１のシェル２の屈折率(２.５)よりも大きいので、第１,第２のシェル２,３のｐｎ接合面で発生した光が第１のシェル２から棒状コア１内へ入射し易いと共に棒状コア１内へ入射した光は、棒状コア１と第１のシェル２との界面で全反射し易い。よって、発生した光をコア１へ導波してコア１で強く発光させることができる。 （もっと読む）

【課題】発光素子に用いられる放熱反射板、より具体的には、発光ダイオード（以下、ＬＥＤという）に用いられる放熱・光反射基板であり、所望の特定波長光の反射率を高められる放熱反射板を提供する。
【解決手段】表面に陽極酸化皮膜２を有するアルミニウム合金層１を深さ１０μｍ以上有する反射板１０であって、陽極酸化皮膜の穴部５が、深さ方向に異なる屈折率を有する少なくとも２つの層４，７を備え、陽極酸化皮膜中で光を増反射するＬＥＤ用放熱反射板であり、所望の特定の波長光の反射率を高められ、放熱性も高い放熱反射板。 （もっと読む）

【課題】ＬｕＡＧ：Ｃｅを素材とした緑色蛍光体として発光強度や寿命等の特性を向上させることができる緑色蛍光体を提供する。
【解決手段】本発明に係る緑色蛍光体１は、Ａｌ_２Ｏ_３からなる第１相３と、Ｃｅを含有するＬｕＡＧからなる第２相５とを有する無機材料で構成された緑色蛍光体であって、第２相５の含有量は、第１相３及び第２相５を含む相全体における体積比で２５ｖｏｌ％以上９５ｖｏｌ％以下であり、かつ、ＬｕＡＧ中のＣｅの含有量は、Ｌｕに対する原子比（Ｃｅ／Ｌｕ）で０．００３以上０．０３以下である。または、前記第２相５の含有量は、体積比で８０ｖｏｌ％以上９５ｖｏｌ％以下であり、かつ、前記Ｃｅの含有量は、Ｌｕに対する原子比（Ｃｅ／Ｌｕ）で０．００１以上０．０３以下である。 （もっと読む）

【課題】発光効率を向上し、駆動電圧を低減した半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体を含むｎ形半導体層と、窒化物半導体を含むｐ形半導体層と、ｎ形半導体層とｐ形半導体層との間に設けられ、窒化物半導体を含む井戸層４２及び窒化物半導体を含む障壁層４１を有する発光部４０と、発光部４０とｎ形半導体層との間に設けられ、Ｉｎの組成比が異なる第１層３１及び第２層３２を含む積層体３０と、を備え、障壁層４１の層厚が１０ｎｍ以下であり、積層体３０の平均Ｉｎ組成比をｐ、発光部４０の平均Ｉｎ組成比をｑとした場合、０．４＜ｐ／ｑ≦０．７であり、障壁層の厚さは、１０ナノメートル以下であり、積層体において第１層と第２層とが交互に３０ペア以上設けられる。 （もっと読む）

【課題】蛍光体間の再吸収を抑制し優れた発光効率を実現する発光装置を提供する。
【解決手段】実施の形態によれば、波長２５０ｎｍ乃至５００ｎｍの光を発する発光素子と、発光素子上に形成され、赤色蛍光体を含有し、断続的に配置される複数の赤色蛍光体層と、発光素子上に形成され、緑色蛍光体を含有し、発光素子から離れた位置に配置される緑色蛍光体層を備え、発光素子と赤色蛍光体層との距離よりも発光素子と緑色蛍光体層との距離が大きい発光装置である。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤ素子からの光の一部をカットすることなく、輝度分布の最大部をカットオフラインに配光することが可能な光源を用いた車両用灯具を提供する。
【解決手段】ＬＥＤ素子２１は、ｎ型半導体層２１ｂと、前記ｎ型半導体層２１ｂ表面のうち一方の長辺を含む細幅領域に形成された長辺方向に延びるｎ電極２１ｃと、前記ｎ型半導体層２１ｂ表面に形成された活性層２１ｄ、前記活性層２１ｄ表面に形成されたｐ型半導体層２１ｅと、前記ｐ型半導体層２１ｅ表面に形成された透明電極２１ｆと、前記透明電極２１ｆ表面に形成された反射電極としてのｐ電極２１ｇと、を備えたフリップチップ型のＬＥＤ素子２１であり、前記投影光学系は、白色光源の複数の光源像を車両前方に投影し、前記ｎ電極２１ｃに対応する像部分により形成されるカットオフラインを含むヘッドランプ用配光パターンを形成するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】簡便な製造方法により発光波長を多様化させ、特に高精細な画像表示装置に用いて好適な半導体発光素子とその製造方法、及び半導体発光装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光素子は、所定の光を放出させる第１の半導体発光層１７と、前記第１の半導体発光層１７とは異なる結晶系からなる半導体層から構成され前記第１の半導体発光層からの光によって励起されて光を放出する第２の半導体発光層１１を有し、前記第１の半導体発光層１７を有する半導体構造部に前記第２の半導体発光層１１が貼り合わされることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高輝度化の半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、第１電極層と、第２電極層と、を備える。第１電極層は、第２半導体層の第１半導体層とは反対側に設けられ、第２半導体層と接する金属部と、第１半導体層から第２半導体層に向かう方向に沿って金属部を貫通し前記方向に沿って見たときの形状の円相当直径が１０ナノメートル以上５マイクロメートル以下である複数の開口部と、を有する。第２電極層は、第１半導体層と導通する。第２半導体層は、金属部に接する凸部と、開口部の底部において凸部よりも前記方向に沿って後退した凹部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤ素子からの光の一部をカットすることなく、輝度分布の最大部をカットオフラインに配光が可能な車両用灯具を提供する。
【解決手段】ＬＥＤ素子は、矩形の支持基板と、前記支持基板の片面に形成された裏面電極と、前記支持基板の前記片面の反対側の面に形成された反射電極としてのｐ電極と、前記ｐ電極上に形成されたｐ型半導体層と、前記ｐ型半導体層上に形成された活性層と、前記活性層上に形成されたｎ型半導体層と、前記ｎ型半導体層表面のうち一方の長辺を含む細幅領域に形成された長辺方向に延びるｎ電極と、を備えた縦型のＬＥＤ素子であり、投影光学系は、複数の光源像を車両前方に投影し、車両前端部に正対した仮想鉛直スクリーン上に、白色光源の複数の光源像それぞれの前記ｎ電極に対応する像部分により形成されるカットオフラインを含むヘッドランプ用配光パターンを形成するように構成する。 （もっと読む）

【課題】十分な発光量を確保しつつ小型化が図れ、且つ良好な生産性・歩留りを実現できる発光ダイオードを提供する。
【解決手段】発光ダイオード１００は、基板３０と、基板３０上に配設される金属配線層３１と、金属配線層３１上に設けられる半導体発光素子１０と、を有し、半導体発光素子１０は、１辺が１００μｍ以上２５０μｍ以下であり、基板３０側から順に、第１半導体層５、活性層４、第２半導体層３を備えた半導体発光層６と、半導体発光層６の基板３０側に設けられる透明絶縁膜７と、透明絶縁膜７の基板３０側に離間領域１８，１９を介して設けられ、金属配線層３１と電気的に接続される第１電極部１６及び第２電極部１７と、を有し、第１電極部１６は、透明絶縁膜７を貫通して設けられる第１コンタク卜部１２により第１半導体層５と電気的に接続され、第２電極部１７は、透明絶縁膜７、第１半導体層５、及び活性層４を貫通して設けられる第２コンタクト部１１により第２半導体層３と電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】発光効率を向上可能な発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子１０は、半導体基板１と、シリコン量子ドット２〜４と、絶縁膜５と、電極６を備える。半導体基板１は、ｎ^＋型単結晶シリコンからなる。絶縁膜５は、二酸化シリコン膜からなり、半導体基板１上に形成される。シリコン量子ドット２は、半導体基板１との間にキャリアがトンネル可能な膜厚を有する絶縁膜が存在するように絶縁膜５中に形成される。シリコン量子ドット３は、シリコン量子ドット２上に形成される。シリコン量子ドット４は、シリコン量子ドット３上に形成される。電極６は、ｐ^＋ｐｏｌｙ−Ｓｉからなり、絶縁膜５上に形成される。 （もっと読む）

【課題】明瞭なカットオフラインを持つ投影光を得ることができる車両用灯具を提供する。
【解決手段】車両用灯具の光源である半導体発光装置は、半導体発光素子１２と、その発光面に積層され、波長変換層１３を含む１ないし複数の光取り出し層を備え、光取り出し層は、発光面に平行な一つの方向について、その一端１３ａから他端１３ｂに向かって変化する光学特性を有し、半導体発光装置の輝度分布が一端側で最大であって他端側で最小である分布１７をなしている。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤ素子からの光の一部をカットすることなく、輝度分布の最大部をカットオフラインに配光することが可能な光源を用いた車両用灯具を提供する。
【解決手段】ＬＥＤ素子２１と前記ＬＥＤ素子の発光面を覆うように配置された波長変換層とを含み、白色光を発光するように構成された光源を備えた車両用灯具において、前記ＬＥＤ素子は、矩形の基板２１ａと、前記基板の片面に積層されたｎ型半導体層２１ｂと、前記ｎ型半導体層表面のうち一方の長辺を含む細幅領域２１ｂ１に形成された長辺方向に延びるｎ電極２１ｃと、前記ｎ型半導体層表面に積層された活性層２１ｄと、前記活性層表面に積層されたｐ型半導体層２１ｅと、前記ｐ型半導体層表面に形成された透明電極２１ｆと、前記透明電極表面のうち前記ｎ電極から遠い方の長辺を含む細幅領域２１ｆ１に形成された、前記ｎ電極と同一方向に延びるｐ電極と、を備えたフェイスアップ型のＬＥＤ素子である。 （もっと読む）

【課題】本発明は発光装置に関し、特に、静電気放電（ＥＳＤ）保護の能力を有する発光装置に関する。
【解決手段】本発明は、単独の基板上に複数のＬＥＤセルを有する直列接続されたＬＥＤアレイアレイと；第１ＬＥＤセル、第２ＬＥＤセル、及び第１ＬＥＤセルと第２ＬＥＤセルとの間に挿入された少なくとも３つのＬＥＤセルを有する直列接続ＬＥＤサブアレイであって、第１及び第２ＬＥＤセルの各々は、第１ＬＥＤセル及び／又は第２ＬＥＤセルの第１側面がＬＥＤサブアレイに隣接し、第１ＬＥＤセルの第２側面が第２ＬＥＤセルの第２側面と隣接している、第１側面及び第２側面を有する、第１ＬＥＤセル、第２ＬＥＤセル及びＬＥＤサブアレイと；第１及び第２ＬＥＤセルの第２側面間のトレンチと；発光装置の通常の動作電圧より高いサージ電圧によりトレンチの近傍で発光装置が破壊されないように、トレンチに近接して形成された保護構造と；を有する発光装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】発光特性および生産性に優れた半導体発光素子の実装方法を提供する。
【解決手段】本発明は、正電極６の上面が負電極５の上面より高い位置にあるＬＥＤチップ１を、セラミック基板９に実装する実装方法であって、負電極５上および正電極６上にレジスト１６を積層して、レジスト１６に開口部１６ａ・１６ｂを形成する開口部形成工程と、開口部１６ａ・１６ｂ内にそれぞれ、バンプ１１・１２を形成するバンプ形成工程と、レジスト１６を除去するレジスト除去工程と、バンプ１１・１２をセラミック基板９にボンディングするボンディング工程と、を有し、さらに、開口部１６ａの断面積は、開口部１６ｂの断面積よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤ素子からの光の一部をカットすることなく、輝度分布の最大部をカットオフラインに配光することが可能な光源を用いた車両用灯具を提供する。
【解決手段】ＬＥＤ素子と波長変換層とを有する光源を備えた車両用灯具において、前記ＬＥＤ素子は、矩形の基板と、前記基板の片面に積層されたｎ型半導体層と、前記ｎ型半導体層表面のうち一方の長辺を含む細幅領域に形成された長辺方向に延びるｎ電極と、前記ｎ型半導体層表面に積層されるとともに、前記基板の長辺方向に延び前記ｎ型半導体層に達する少なくとも一つの溝部により区画された複数の活性層と、前記複数の活性層表面それぞれに積層されたｐ型半導体層と、前記ｐ型半導体層表面それぞれに形成された透明電極と、前記透明電極表面それぞれの、前記ｎ電極から遠い方の長辺を含む細幅領域に形成された、前記ｎ電極と同一方向に延びるｐ電極と、を備えたフェイスアップ型のＬＥＤ素子である。 （もっと読む）

【課題】生成された出力結合すべきビームの特性を従来方式のチップよりも向上させ、かつ従来形のＬＥＤケーシング構造の中にも十分に組み込める、発光ダイオードチップを提供することである。またそれと同時にその製造方法についても従来の発光ダイオードチップの製造方法に比べて技術的に増える手間がごく僅かで済むように改善を行うこと。
【解決手段】横断面積がＦ_Lのビーム発光アクティブ領域（３２）と、照射方向で該ビーム発光アクティブ領域（３２）に後置接続されている屈折率ｎ_sのビーム透過性ウインドウ層（２）を有し、該ウインドウ層は光出力結合のためにＦ_Cの横断面積を有し、さらに屈折率ｎ_Mの媒体が接している出力結合面を有し、前記ｎ_s＞ｎ_Mであり、前記ビーム発光アクティブ領域（３２）の横断面積Ｆ_Lを、出力結合面の横断面積Ｆ_Cよりも小さくする。 （もっと読む）

【課題】６５５ｎｍ以上の発光波長を有し、単色性に優れると共に、高出力・高輝度・高効率であって応答速度が速く、光取り出し面放射される光のうち、光取り出し面に対して直交する方向における光の強度が強い指向性を持ち、かつ外部に効率良く熱を放出可能な発光ダイオード及び発光ダイオードランプを提供する。
【解決手段】ｐｎ接合型の発光部３と、発光部３に積層された歪調整層１３と、を少なくとも含む化合物半導体層１１を備え、発光部３は、組成式（Ａｌ_ＸＧａ_１−Ｘ）_ＹＩｎ_１−ＹＰ（０≦Ｘ≦０．１、０．３７≦Ｙ≦０．４６）よりなる歪発光層とバリア層との積層構造を有しており、歪調整層１３は、発光部３の光を透過可能であると共に、歪発光層及びバリア層の格子定数よりも小さい格子定数を有し、光取り出し面１１ａの反対側に位置する化合物半導体層１１の面１１ｂに、反射構造体４を介して接合された機能性基板５を有する。 （もっと読む）

【課題】凹凸構造の凹部の径、深さが均一であり、凹部が均一に分散した発光素子を簡便に製造することができる発光素子の製造方法、及びこの凹凸構造が光取り出し部に有することにより、光取り出し効率を維持しつつ、均一に発光する発光素子の提供。
【解決手段】発光素子の光取り出し部となる表面上に、有機溶媒に疎水性ポリマーを溶解したポリマー溶液を塗布しポリマー溶液塗布膜を形成するポリマー溶液塗布膜形成工程と、前記発光素子を相対湿度が５０％〜９９％の水滴形成雰囲気中に置き、ポリマー溶液塗布膜の表面に水滴を形成させる水滴形成工程と、前記有機溶媒及び前記水滴を蒸発させ、前記ポリマー溶液塗布膜に複数の凹部を形成し凹部形成膜を形成させる凹部形成工程と、前記凹部形成膜をマスクとして前記光取り出し部のエッチングを行うエッチング工程と、を含む発光素子の製造方法及びこれによって複数の凹部が形成された発光素子である。 （もっと読む）

【課題】高効率に近紫外光を発光する半導体発光素子、ウェーハ及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１層と第２層と発光部と第１積層構造体と第２積層構造体とを備えた半導体発光素子が提供される。第１層は、ｎ形ＧａＮ及びｎ形ＡｌＧａＮの少なくともいずれかを含む。第２層は、ｐ形ＡｌＧａＮを含む。発光部は、第１層と第２層との間に設けられ、障壁層と井戸層とを含む。第１積層構造体は、第１層と発光部との間に設けられる。第１積層構造体は、ＡｌＧａＩｎＮを含む複数の第３層と、複数の第３層と交互に積層されＧａＩｎＮを含む複数の第４層と、を含む。第２積層構造体は、第１層と第１積層構造体との間に設けられる。第２積層構造体は、ＧａＮを含む複数の第５層と、複数の第５層と交互に積層されＧａＩｎＮを含む複数の第６層と、を含む。 （もっと読む）