【課題】パッケージ基板上に実装されたＬＥＤチップから放出された光の取り出し効率を向上すると共に、色むらを低減できる発光装置を提供すること。
【解決手段】発光装置は、パッケージ基板８上に配置された青色ＬＥＤチップ８１′と、青色ＬＥＤチップ８１′の上面および側面を覆って、青色ＬＥＤチップ８１′の発光層２から放出された光の波長を変換する波長変換層７とを有する。また、発光層２よりもパッケージ基板側に、発光層２からの光を反射させる反射面３を有する。反射面３に垂直な方向に関して、反射面形成層５の最外面５ｂから反射面３までの距離Ｄ１が、パッケージ基板８上で青色ＬＥＤチップ８１′が配置された領域よりも外側へ延在する波長変換層７の外側延在部分７ａの厚みＨに応じた所定の寸法以上に設定されている。 （もっと読む）

【課題】 ４元発光層とＧａＰ基板との接合界面において酸素、炭素等の不純物が発生し、通電した際に順方向電圧が上昇することを抑制し、これによって順方向電圧に対する寿命特性の悪化を抑制することができる化合物半導体基板及び化合物半導体基板の製造方法並びに発光素子を提供する。
【解決手段】 少なくともｎ型ＧａＰ基板上に（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘ）_ｙＩｎ_１−ｙＰからなるｎ型クラッド層、活性層、ｐ型クラッド層が順次積層された４元発光層を有し、４元発光層の、ｎ型ＧａＰ基板側の主表面の反対側となる主表面上に、電流拡散層であるｐ型ＧａＰ層が積層された化合物半導体基板であって、ｎ型ＧａＰ基板と４元発光層との間に、ｎ型クラッド層よりもキャリア濃度の高い、（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘ）_ｙＩｎ_１−ｙＰからなる高濃度キャリア層が形成されたものであることを特徴とする化合物半導体基板。 （もっと読む）

【課題】寄生抵抗が低減されたダイオード構造が形成できるようにする。
【解決手段】 この半導体素子は、ｎ型とされた窒化物半導体から構成されて主表面がＣ面方向とされている第１半導体層１０１と、第１半導体層１０１とは格子定数が異なる窒化物半導体から構成され、主表面がＣ面方向とされて第１半導体層１０１の上に形成された第２半導体層１０２と、第２半導体層１０２とは格子定数が異なるｎ型の窒化物半導体から構成され、主表面がＣ面方向とされて第２半導体層１０２の上に形成された第３半導体層１０３とを少なくとも備える。また、第２半導体層１０２は、臨界膜厚より薄く形成されている。加えて、第１半導体層と第２半導体層との格子定数の大小関係と、第３半導体層と第２半導体層との格子定数の大小関係とは同じとされている。 （もっと読む）

【課題】光学素子の光機能部に水分が結露することを防止し、光学素子の機能が損なわれることのない光学装置を提供する。
【解決手段】光学装置は、一面に光機能部１２が露出した光学素子を有する第一基板１１と、前記光機能部に対向して配された第二基板１３と、前記光機能部を覆い、前記第一基板と前記第二基板とを接合する光透過性の第一樹脂層１４と、前記第一基板の平面視において前記第一樹脂層を取り囲む空洞部１５と、前記第一基板の平面視において前記空洞部を取り囲み、前記第一基板と前記第二基板とを接合する第二樹脂層１６と、を備えた光学装置であって、前記第一樹脂層と前記空洞部とは、隣接している。 （もっと読む）

【課題】高速応答性と高出力性とを兼ね備えた赤色光及び／又は赤外光を発光する発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置を提供することである。
【解決手段】本発明に係る発光ダイオードは、基板上に、ＤＢＲ反射層と、発光部とを順に備える発光ダイオードであって、発光部は、組成式（Ａｌ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１）Ａｓ（０≦Ｘ１≦１）の化合物半導体からなる井戸層及びバリア層を交互に積層した量子井戸構造の活性層と、該活性層を挟む、組成式（Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２）_Ｙ１Ｉｎ_１−Ｙ１Ｐ（０≦Ｘ２≦１，０＜Ｙ１≦１）の化合物半導体からなる第１のクラッド層及び第２のクラッド層とを有し、井戸層及びバリア層のペア数が５以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】蛍光体間の再吸収を抑制し優れた発光効率を実現する発光装置を提供する。
【解決手段】実施の形態の発光装置は、第１の波長の励起光を放射する発光素子と、励起光が入射され、励起光を第１の波長より長い第２の波長の第１の変換光に変換する第１の蛍光体を含有する第１の蛍光体層と、発光素子と第１の蛍光体層との間に設けられ、励起光が入射され第２の波長より長い第３の波長の第２の変換光に変換する第２の蛍光体を含有する第２の蛍光体層と、第１の蛍光体層と第２の蛍光体層との間に設けられ、励起光および第２の変換光を透過し、第１の変換光を反射する２次元フォトニック結晶または３次元フォトニック結晶で形成されるフィルタ層と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高輝度、高効率、高信頼性を達成する半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、積層構造体と、電極と、を備える。積層構造体は、窒化物系半導体からなる第１導電形の第１半導体層と、窒化物系半導体からなる第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を有する。電極は、第１金属層、第２金属層及び第３金属層を有する。第１金属層は、第２半導体層の発光層とは反対側に設けられ、銀または銀合金を含む。第２金属層は、第１金属層の第２半導体層とは反対側に設けられ、金、白金、パラジウム、ロジウム、イリジウム、ルテニウム、オスミウムの少なくともいずれかの元素を含む。第３金属層は、第２金属層の第１金属層とは反対側に設けられる。第３金属層の第１半導体層から第２半導体層に向かう方向に沿った厚さは、第２金属層の前記方向に沿った厚さ以上である。 （もっと読む）

【課題】全反射による光損失を防止でき、耐湿効果を有するコーティング層を含む発光ダイオードの提供。
【解決手段】基板、基板上に位置する発光部、発光部を覆う封止層、及び封止層の上に位置する有機物質で形成されたコーティング層を含み、コーティング層の屈折率は、空気の屈折率以上であり、封止層の屈折率以下である。 （もっと読む）

【課題】発光装置において、光取り出し効率の向上と輝度むらの低減を図る。
【解決手段】発光装置１は、配線基板２と、配線基板２上に実装されたＬＥＤ３１を有した複数の発光部３と、複数の発光部３を共通して覆う光拡散部７と、を備える。配線基板２は、ＬＥＤ３１を実装する側から順に高反射層２２と、電気伝導回路層２３と、絶縁放熱層２４と、を有する。ＬＥＤ３１から出射された光のうち、光拡散部７において拡散されて発光装置１の内部方向へ戻ってきた光は、高反射層２２により反射され、再び発光装置１の外部方向へ向かう。これにより、発光装置１の光取り出し効率を向上することができる。また、高反射層２２により反射された光は、光拡散部７のあらゆる位置から導出され得るため、光拡散部７から導出される光は、光拡散部７全体に亘って放射照度が平均化された輝度むらの少ない光となる。 （もっと読む）

【課題】反射層に混入する酸素濃度を低減し、半導体発光素子の信頼性を向上させる。
【解決手段】基板と、基板上に設けられるバッファ層２０と、バッファ層２０上に低屈折率層と高屈折率層とを複数ペア積層して設けられる反射層３０と、反射層３０上に第１クラッド層、活性層、第２クラッド層を積層して設けられる発光層４０と、を有する半導体発光素子１において、バッファ層２０は、酸素吸着層を含む。 （もっと読む）

【課題】低い製造コストで、放射する光の色度座標や相関色温度のばらつきを少なくする。
【解決手段】ＬＥＤチップ１０（光源）は、所定の波長を主波長とする光を発する。第一封止樹脂４０及び第二封止樹脂５０（波長変換部）は、ＬＥＤチップ１０の光源の主波長の光を吸収して、吸収した光のエネルギーにより蛍光を発する蛍光体を含有する。第一封止樹脂４０（第一の波長変換部）は、ＬＥＤチップ１０を覆っている。第二封止樹脂５０（第二の波長変換部）は、第一封止樹脂４０で覆われたＬＥＤチップ１０を覆っている。封止樹脂の単位体積に入射するＬＥＤチップ１０の主波長の光に対する、蛍光体が発する蛍光のエネルギー量の比率は、第一封止樹脂４０よりも第二封止樹脂５０のほうが小さい。 （もっと読む）

【課題】発光素子からの熱を一時的に蓄える蓄熱層を設けた発光装置においては、ストロボのフラッシュ光源として非常に大きい電流供給のもとで連続的パルス点灯を行うと、発生した熱は蓄熱層の熱容量をオーバする可能性があり、放熱効率が低いという課題がある。
【解決手段】シリコン基板１１及びエピタキシャル層１２よりなるLED素子１が配線基板２上に実装される。LED素子１のシリコン基板１１の周辺部には、LED素子１のシリコン基板１１と同一高さの高熱伝導樹脂層６が設けられている。また、高熱伝導樹脂層６の外周部には配光制御レンズ７の固定用枠として作用する高熱伝導樹脂層８が設けられている。さらに、配光制御レンズ７の固定用枠として高熱伝導樹脂層８の一部の外側もストロボの制御回路チップ１０を樹脂封止するための高熱伝導樹脂層９でモールドされる。 （もっと読む）

【課題】
青色の波長に発光ピークを有するＬＥＤと、黄色の波長に発光ピークを有する蛍光体からなる白色ＬＥＤにおいて、中央部が青みがかってしまう色むらを解消する白色ＬＥＤ照明装置を提供する。
【解決手段】
白色ＬＥＤ照明装置は、青色の波長に発光ピークを有するＬＥＤ１と、黄色の波長に発光ピークを有する蛍光体３からなる白色ＬＥＤと、白色ＬＥＤの光射出面に垂直な面に配置されるダイクロイックフィルター４と、を備える。ダイクロイックフィルター４の設計中心波長は、入射角０度でＬＥＤ１の青色のスペクトルのピーク波長の近傍の値に設定される。ダイクロイックフィルター４は、設計中心波長に対して短波長側の光を反射し、前記設計中心波長に対して長波長側の光を透過する。設計中心波長は、入射角が大きくなるにつれて短波長側にシフトする。 （もっと読む）

【課題】静電耐圧特性を向上させ、かつ発光効率を向上させること。
【解決手段】III 族窒化物半導体発光素子は、サファイア基板１０上に、ｎ型コンタクト層１１、ＥＳＤ層１２、ｎ型クラッド層１３、発光層１４、ｐ型クラッド層１５、ｐ型コンタクト層１６が積層された構造である。ＥＳＤ層１２はピット２０を有し、このピット２０を埋めずにｎ型クラッド層１３、発光層１４が形成されている。ｎ型クラッド層１３と発光層１４との界面でのピット２０の直径は１１０〜１５０ｎｍである。また、発光層１４の障壁層はＡｌ組成比が３〜７％のＡｌＧａＮである。 （もっと読む）

【課題】所謂縦型の半導体発光装置において、オーミック電極と半導体膜との電気的接続を害することなく半導体膜内における電流集中を緩和することができる半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体膜２０は支持体１０に接合された半導体膜と、半導体膜の支持体との接合面１２とは反対側の面を部分的に覆う第一電極３０と、半導体膜の支持体との接合面側に設けられた第二電極４０と、を含み、第二電極は、互いに同一の金属酸化物透明導電体からなり且つ互いに電気的に接続された第一の透明電極４２および第二の透明電極４４を含み、第二の透明電極は、半導体膜を挟んで第一電極と対向する位置に設けられ且つ半導体膜に対する接触抵抗が第一の透明電極よりも高い。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、基板に設けられる凹凸の形状を改善し光出力を向上させることが可能な半導体発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態は、発光層を含む窒化物半導体の積層体を有する半導体発光装置の製造方法であって、前記発光層から放射される発光に対して透光性の基板の表面に形成された炭素を含むマスクを用い、塩素および窒素を含む雰囲気中で前記基板を選択的にエッチングする工程と、前記基板のエッチングされた表面に、前記基板よりも屈折率が大きい窒化物半導体層を形成する工程と、前記窒化物半導体層を含む前記積層体を前記基板上に形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】発光むらが低減された半導体発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の半導体発光素子１は、ｎ型半導体層２１、発光層２２及びｐ型半導体層２３が積層された半導体層２０と、ｎ型半導体層２１に接続されたｎ側電極３０と、ｐ型半導体層２３上にｐ側透光性電極４４を有し、ｐ側透光性電極４４に接続されたｐ側電極４０と、を備えた半導体発光素子であって、半導体発光素子１を上面から見て、ｐ側電極４０は、ｎ側電極３２を囲むように形成されたｐ側延伸部４６、４７、４８とｐ側パッド電極４２とを有し、ｎ側電極３０は、ｎ側パッド電極３２とｎ側延伸部３６とを有し、ｎ側延伸部３６はｐ側パッド電極４２方向に向かって延びるｎ側第１延伸部３６とｐ側パッド電極４２方向と異なる方向に延びるｎ側第２延伸部３７とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体発光機能層の一方の面に２つの電極を形成した構成の発光素子において、長手方向で均一な発光強度を得る。
【解決手段】ｐ型ＧａＮ層２３の表面には、左端部側から右端部側に向かって延伸する形態で、ｐ型ＧａＮ層２３の右端部（Ｔの位置）付近まで透明電極３１が形成されている。更に、この構造全体を覆う形態で絶縁層３２が形成されている。この左端部の領域にはｐ側電極３３が接続されている。ｎ側電極３４は、ｐ型ＧａＮ層２３とＭＱＷ層２２とが部分的に除去された領域の左側の領域、すなわち、図１（ａ）における半導体発光機能層２０の右端部（図１（ａ）におけるＴの位置）を越えて、これよりも左側の発光機能層２０の上面も覆っている。 （もっと読む）

【課題】外部端子の極性を識別可能な半導体発光装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、半導体層と、ｐ側電極と、ｎ側電極と、ｐ側金属ピラーと、ｎ側金属ピラーと、絶縁材とを備えている。ｐ側金属ピラーは、ｐ側電極と接続された面とは異なる面で絶縁材から露出されたｐ側外部端子を有する。ｎ側金属ピラーは、ｎ側電極と接続された面とは異なる面で絶縁材から露出されたｎ側外部端子を有する。ｐ側外部端子とｎ側外部端子とは、面積及び平面形状の少なくともいずれかが互いに異なる。 （もっと読む）

【課題】第一ｎ型半導体層のドーパント濃度に起因する結晶性の低下が生じにくく、かつ、高い出力の得られるＩＩＩ族窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第一有機金属化学気相成長装置において、基板上に第一ｎ型半導体層を形成する第一工程と、第二有機金属化学気相成長装置において、前記第一ｎ型半導体層上に、前記第一ｎ型半導体層のドーパント濃度よりも高いドーパント濃度を有する前記第一ｎ型半導体層の再成長層、第二ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層を順次積層する第二工程と、を有することを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を採用する。 （もっと読む）