【課題】指向角が小さく、かつ大きさや厚さの増加が抑制されたＬＥＤモジュールを提供する。
【解決手段】ＬＥＤモジュール１は、一つ以上の単位発光部２を有する。単位発光部２は、発光部本体６、第１の筒状反射部７、および第２の筒状反射部８を有する。発光部本体６は、搭載面５上に搭載されるＬＥＤ素子９および該ＬＥＤ素子９の主光出射側の表面を被覆する蛍光体層１１を有する。第１の筒状反射部７は、発光部本体６の側面を囲むように設けられる。第２の筒状反射部８は、第１の筒状反射部７の光出射側の端部に接続され、第１の筒状反射部７側の端部における断面積Ｓ_２に対して光出射側となる端部における断面積Ｓ_３が大きい。 （もっと読む）

【課題】所望の粒度分布を有する粉体材料を、再現性よく、かつ、正確に作製する。
【解決手段】通常は、ガウス分布に近い分布をしている原始粉を所定の範囲の粒径毎に分級し、分級された粉体粒子毎に保管する。所望の粒子分布に応じて、分級された粉体粒子を選定し、混合して粉体材料を製作する。分級された粉体粒子を用いるので、粉体の粒径分布を正確に設計することが出来る。これによって、輝度、色度、色度寿命等を向上させることが出来るとともに、粉体の生産性、歩留まりを向上させることが出来る。 （もっと読む）

【課題】光吸収が低減された電極構造を有すると共に、耐薬品性に優れた金属基板を用いることにより収率が向上し、特性が安定した発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の発光ダイオードは、金属基板１は一体とされた複数の金属層１ｂ、１ａ、１ｂと上面１ｂａ及び下面１ｂｂを覆うエッチャントに対して耐性を有する金属保護膜２とからなり、金属基板と化合物半導体層間には接合層４と反射層６とオーミックコンタクト電極７とが設けられ、化合物半導体層１０の金属基板の反対側１０ａにはオーミック電極１１と、パッド部１２ａ及び線状部１２ｂからなる表面電極１２とが設けられ、オーミック電極１１の表面１１ａは線状部により覆われ、オーミックコンタクト電極７及びオーミック電極１１はパッド部１２ａに重ならない位置に形成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】長寿命で量産性に優れた半導体発光装置用パッケージを提供する。
【解決手段】パッケージ１０において、第１のインナーリード部１１ａは樹脂成形体１３中に配置され、第１のアウターリード部１１ｂは樹脂成形体１３から露出され、第２のインナーリード部１２ａは前記樹脂成形体１３中に配置され、第２のアウターリード部１２ｂは樹脂成形体１３から露出され、樹脂成形体１３は、（Ａ）ポリオルガノシロキサン、（Ｂ）一次粒子のアスペクト比が１．２〜４．０、一次粒子径が０．１〜２．０μｍの白色顔料、および（Ｃ）硬化触媒を含有する熱硬化性シリコーン樹脂組成物から形成される。パッケージ１０には、凹部１４が形成されており、凹部１４の底面１４ａは、第１のインナーリード部１１ａ及び第２のインナーリード部１２ａを含んで構成され、前記凹部１４の側面１４ｂは、樹脂成形体１３から構成される。 （もっと読む）

【課題】複数のＬＥＤチップからなる半導体発光装置において、全体を覆うように蛍光材を塗布するとＬＥＤチップから離れた部分にも蛍光材が塗布されることになり、その蛍光材が無駄となっていた。
【解決手段】ＬＥＤチップを列状に配置し、列に沿って高濃度の波長変換材料を塗布する。 （もっと読む）

【課題】 電子線を均一に安定して放射することのできる電子線源装置および高い発光効率の得られる電子線励起型光源装置を提供すること。
【解決手段】 この電子線源装置は、各々カーボンナノチューブにより構成された、同一平面に沿って離間して並ぶ複数の面状の電子線放出部を有するカソード電極と、電子線放出部と離間して対向するよう配置された、電子線放出部の各々に対応する位置に電子線通過用開口を有する電子引き出し電極とを備えており、電子線放出部から放出される電子線を電子引き出し電極における電子線通過用開口に向かって指向させる電子線レギュレータ部が、各々の電子線放出部の周囲を囲むよう、形成されている。電子線励起型光源装置は、上記の電子線源装置と、この電子線源装置から放射された電子線によって励起される半導体発光素子とを備えてなる。 （もっと読む）

【課題】チップサイズを変えること無く、出力を下げることもなく、順方向電圧のみを下げることが可能な半導体発光素子およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】１つの発光素子に１つのピーク波長を発する２つの発光層を具え、第１導電型の半導体層に接続する電極に対し、２つの第２導電型の半導体層に接続する２つの電極による並列回路を形成し、２つの発光層を並列で発光させることで、擬似的に発光層の面積を増やし、順方向電圧を下げることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体発光機能層の一方の面に２つの電極を形成した構成の発光素子において、高い発光効率かつ面内で均一な発光強度を得る。
【解決手段】発光素子１０においては、（１）ｎ側コンタクト開口（第１の開口部）４２とｐ側コンタクト開口（第２の開口部）４１がそれぞれ、矩形における対向する２辺（上辺、下辺）に平行に延伸した２つの直線に沿って形成されたこと、（２）この２つの直線の間において、この２つの直線と垂直の方向に延伸する透明電極３０間の空隙（透明電極開口部３１）が、複数形成されたこと、によって、遮光面積を増やすことなしに電流の均一化を行い、発光の均一化を実現している。 （もっと読む）

【課題】発光効率及び放熱性を向上できる発光装置用パッケージ及びそれを用いた発光装置を提供する。
【解決手段】発光素子２が設置される設置面３１ａを有する基体３１と、発光素子３１の周囲に配して発光素子２の出射光を反射する反射部（反射枠３２または多孔質層３３）とを備え、反射部（３２、３３）よりも基体３１の熱伝導率を高くし、基体３１よりも反射部（３２、３３）の反射率を高くした。 （もっと読む）

【課題】ゲート層をピーク波長が単一の発光層で構成する場合に比べて、温度変動によって生じる出射光の光量変動が少ない発光サイリスタ、光源ヘッド、及び画像形成装置を提供する。
【解決手段】本実施の形態のＲＣ構造を有する発光サイリスタ１００では、アノード層として機能するｐ型ＡｌＧａＡｓ系のＤＢＲ層１０６とカソード層として機能するｎ型ＡｌＧａＡｓ系のＤＢＲ層１１２との間に積層されたゲート層１０８を、Ａｌの組成が０．１２、ピーク波長λ＝７８８．０ｎｍのｎ型ＡｌＧａＡｓ系の発光層１０８Ａ、及びＡｌの組成が０．１４、ピーク波長λ＝７７５．７ｎｍのｐ型ＡｌＧａＡｓ系の発光層１０８Ｂの、ピーク波長が異なる２つの発光層で構成している。 （もっと読む）

【課題】ゲート層全体が発光層として機能する場合に比べて、温度変動によって生じる出射光の光量変動が少ない発光サイリスタ、光源ヘッド、及び画像形成装置を提供する。
【解決手段】本実施の形態のＲＣ構造を有する発光サイリスタ１００では、アノード層として機能するｐ型ＡｌＧａＡｓ系のＤＢＲ層１０６とカソード層として機能するｎ型ＡｌＧａＡｓ系のＤＢＲ層１１２との間に積層されたゲート層１０８のうち、発光層をバンドギャップの小さいｐ型ＡｌＧａＡｓ系の発光層１０８Ｂとし、一方、残りのゲート層１０８を発光層１０８Ｂよりもバンドギャップ（ＤＢＲ各層のバンドギャップの平均値）が大きいｎ型ＡｌＧａＡｓ系のＤＢＲゲート層１０８Ａとしている。 （もっと読む）

【課題】簡便な構成でファブリ・ペローモードのレーザ発振を抑制して発光効率を向上させることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】基板１０１の上方に形成された発光層（活性層１０４）と、発光層が発する光を出射する光出射端面１３０ａとを有する半導体層積層体を備える半導体発光素子であって、発光層が発する光を閉じ込め導波する光導波路１２４と、光導波路１２４の光出射端面側の端面である光導波路端面１２４ａと光出射端面１３０ａとの間の領域であって、光導波路端面１２４ａから光出射端面１３０ａまでにおいて光導波路１２４からの光を基板１０１の主面と水平方向には実質的に光を閉じ込めずに通過させる領域である分離領域１２７Ａとを備え、光導波路端面１２４ａは、光出射端面１３０ａに対して傾斜している。 （もっと読む）

【課題】塗布法により幅の広いトレンチに埋め込みを行った場合にも、ディンプルが生じず、はがれやにごりなどなく、均質で、平坦な表面を有する硬化膜を形成することができる硬化性組成物を提供する。
【解決手段】以下の（Ａ）成分〜（Ｃ）成分を含有することを特徴とする硬化性組成物。（Ａ）成分：脱離基を有するエポキシ基含有ポリシロキサンであり、該ポリシロキサン中に含まれる全Ｓｉ原子の数を１００ｍｏｌ％とするとき、前記脱離基の含有割合が３５ｍｏｌ％以下であるエポキシ基含有ポリシロキサン。（Ｂ）成分：シリコーン系界面活性剤。（Ｃ）成分：溶剤。 （もっと読む）

【課題】実施形態によれば、光取り出し効率を高めた半導体発光装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、半導体層と、ｐ側電極と、ｎ側電極と、無機膜とを備えている。半導体層は、第１の面と、その反対側に形成された第２の面と、発光層とを有し、窒化ガリウムを含む。ｐ側電極は、第２の面における発光層を有する領域に設けられている。ｎ側電極は、第２の面における発光層を含まない領域に設けられている。無機膜は、第１の面に接して設けられ、窒化ガリウムの屈折率と空気の屈折率との間の屈折率を有し、かつシリコンと窒素とを主成分とする。 （もっと読む）

【課題】光半導体素子の表面上にコーティング層を形成するために用いられ、光半導体装置から発せられる光の色の安定性を高めることができる光半導体装置用コーティング材料を提供する。
【解決手段】本発明に係る光半導体装置用コーティング材料は、光半導体素子３の表面上にコーティング層４を形成するために用いられる。本発明に係る光半導体装置用コーティング材料は、アルケニル基を有する第１のオルガノポリシロキサンと、珪素原子に結合した水素原子を有する第２のオルガノポリシロキサンと、酸化珪素粒子と、ヒドロシリル化反応用触媒とを含む。本発明に係る光半導体装置１は、光半導体素子３と、光半導体素子３の表面３ａ上に配置されたコーティング層４とを備える。コーティング層４は、上記光半導体装置用コーティング材料により形成されている。 （もっと読む）

【課題】ウエハベース工程の履歴情報を追跡し管理することができる半導体発光ダイオードチップ、その製造方法及びこれを利用した品質管理方法を提供する。
【解決手段】半導体発光ダイオードチップは、基板１１と、当該基板の一領域に形成され、第１及び第２の化合物半導体層１２ａ，１２ｂと当該第１及び第２の化合物半導体層間に形成された活性層１２ｃとを有する発光積層体と、当該第１及び第２の化合物半導体層にそれぞれ電気的に接続された第１及び第２の電極とを備える発光ダイオードＬＤと、上記基板の他の領域に上記発光ダイオードから電気的に絶縁されるように形成され、それぞれのウエハベース工程の履歴情報に対応する固有の電気的特性値を有する回路部と、当該電気的特性値を測定できるように当該回路部に連結された複数の電極パッド１７とを備える少なくとも一つのヒューズシグネチャ回路Ｓ４，Ｓ５とを含む。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を改善した半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、積層構造体と、第１電極と、第２電極と、を備える。積層構造体は、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、発光層と、を含む。積層構造体は、第１半導体層側の第１主面と、第２半導体層側の第２主面と、を有する。第１電極は、第２主面の側で第１半導体層と接する第１接触部を有する。第２電極は、第２主面で第２半導体層と接する部分を有する。第１半導体層の第１主面の側の表面は、第１部分と、第２部分と、を有する。第１部分は、積層方向にみたときに、第１接触部における第１半導体層との接触面と重なる部分を有する。第２部分は、積層方向にみたときに、第２半導体層と重なる部分を有する。第２部分は、発光層から放射される発光光のピーク波長よりも長いピッチの凹凸を有する。第１部分は、第２部分の凹凸よりも平坦である。 （もっと読む）

【課題】光利用効率を一層高くすることが可能なプロジェクターを提供する。
【解決手段】励起光を生成する固体光源と、固体光源からの励起光の一部から蛍光を生成する蛍光層と、蛍光層からの光を平行化するコリメーター光学系３０とを備え、平行光を射出する光源装置１０を備える照明装置１００と、照明装置１００からの光を画像情報に応じて変調する光変調装置２００と、光変調装置２００からの光を投写する投写光学系３００とを備えるプロジェクターであって、照明装置１００は、光源装置１０からの光を偏光変換する偏光変換素子５０と、光源装置１０と偏光変換素子５０との間に配置され、光源装置１０の光軸近傍の光を通過させ、光源装置１０の光軸から離れた周辺部の光を蛍光層に向けて反射する反射手段４０とをさらに備えるプロジェクター１０００。 （もっと読む）

【課題】既存のシリコン集積回路との親和性の高い薄層シリコン層を用いた発光素子で、発光波長が変更できるようにする。
【解決手段】この半導体発光素子は、シリコンから構成されて量子効果が示される範囲の層厚とされた発光層１０１と、発光層１０１にキャリアを注入するキャリア注入部１０２と、発光層１０１に印加する電界を制御する電界制御部１０３とを備える。こ半導体発光素子では、キャリア注入部１０２によりキャリアを注入することで発光する発光層１０１に、電界制御部１０３により任意の電界を印加し、量子閉じ込めシュタルク効果（ＱＣＳＥ）を生じさせることで、発光と同時に発光波長の変調を行う。 （もっと読む）

【課題】製造コストを大幅に減少させることができる、新規な半導体製造方法を提供する。
【解決手段】半導体製造方法は、成長基板を提供する工程Ｓ１１と、前記成長基板に半導体基板を形成する工程Ｓ１２と、前記成長基板と前記半導体基板との間に複数の溝を有する第一構造を形成する工程Ｓ１３と、後続の素子の製造を進め、半導体素子を半導体基板に形成する工程Ｓ１４と、前記成長基板の温度と前記半導体基板を変更する工程Ｓ１５とを含んでいる。工程Ｓ１５において、成長基板と半導体基板とは膨張係数が異なるので、応力が集中し、互いに剥離する。このように、レーザ剥離技術によって成長基板を除去する工程を必要としないため、コストを効果的に減少させることができる。 （もっと読む）