【課題】低Ｖｆ化を図りながら、逆バイアス印加時の漏洩電流を確実に防止することができ、高輝度及び高光束を有する信頼性の高い窒化物半導体素子を提供することを目的とする。
【解決手段】ｎ側窒化物半導体層、活性層及びｐ側窒化物半導体層がこの順に積層された窒化物半導体素子であって、前記ｎ側窒化物半導体は、ｎ型コンタクト層、アンドープ半導体層及びｎ型多層膜層がこの順に積層されてなり、該ｎ型多層膜層が、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の総膜厚を有し、前記活性層は９０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の総膜厚を有する窒化物半導体素子。 （もっと読む）

【課題】高い光取出し効率を実現でき、かつ、製造が容易で低コストな発光ダイオード用基板及び発光ダイオードを提供する。
【解決手段】表面ｓに発光層７を含む半導体層３が形成される発光ダイオード用基板であって、サファイア基板からなり、表面ｓには、発光層７が発光する光を乱反射するランダムに配置された凹凸が形成され、かつ、凹凸は結晶方位を反映して形成されており、凹凸の高さが１μｍ以上５μｍ以下であり、表面のＸ線回折ロッキングカーブ半値幅が６０秒以下である。 （もっと読む）

【課題】低コストで発光効率の高い発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置は、上面から光を放射する発光素子３と、発光素子３の底面に形成された複数の凸部５とを備えた。また、その発光装置は、発光素子３と基体１との隙間を一定に保つ凸部５を発光素子側に設け、凸部５は焼結銀やナノペースト等の高い熱伝導性を有する金属ペースト材料を任意の形状や高さに塗布焼成して形成することにより製造する。発光素子３を支持する凸部５の位置が一定となり、発光素子３の搭載位置精度の影響がなく、常に安定した搭載が可能となるため、より高い光学性能および放熱性能を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体層の劣化及び破壊を抑制した半導体発光素子、窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体層の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、下地層と、第１半導体層と、発光部と、第２半導体層と、を含む半導体発光素子が提供される。下地層は、シリコン基板の上に形成される。第１半導体層は、下地層の上に設けられ、窒化物半導体を含み第１導電形である。発光部は、第１半導体層の上に設けられ、複数の障壁層と、複数の障壁層どうしの間に設けられＧａＩｎＮを含む井戸層と、を含む。第２半導体層は、発光部の上に設けられ、窒化物半導体を含み第２導電形である。下地層は、２ｎｍ以上１００ｎｍ以下の厚さを有し、Ａｌを含む窒化物半導体を含むＡｌ含有中間層を含む。Ａｌ含有中間層は、第１半導体層の側の面に設けられた凹凸部を有し、凹凸部の表面粗さＲａは１ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】再現性よく光取り出し効率を向上させることができる半導体発光素子、ウェーハ、および窒化物半導体結晶層の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施態様によれば、第１半導体層と、発光層と、第２半導体層と、低屈折率層と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記第１半導体層は、光取り出し面を形成する。前記発光層は、前記第１半導体層の上に設けられ活性層を有する。前記第２半導体層は、前記発光層の上に設けられている。前記低屈折率層は、前記第１半導体層の屈折率よりも低い屈折率を有し、前記光取り出し面を部分的に覆う。 （もっと読む）

【課題】再現性よく光取り出し効率を向上させることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の実施態様によれば、第１半導体層と、発光層と、第２半導体層と、低屈折率層と、透明電極と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記第１半導体層は、光取り出し面を形成する。前記発光層は、前記第１半導体層の上に設けられ活性層を有する。前記第２半導体層は、前記発光層の上に設けられている。前記低屈折率層は、前記第１半導体層の屈折率よりも低い屈折率を有し、前記光取り出し面を部分的に覆い、一部または全部が前記第１半導体層に埋め込まれている。前記透明電極は、前記光取り出し面および前記低屈折率層を覆い前記発光層から放出される光に対して透光性を有する。 （もっと読む）

【課題】固体発光素子（ＬＥＤ）を用いた発光装置において、光を広角に配光し、施工面側へ光を照射させ、アンビエント照度を向上させる。
【解決手段】発光装置１は、固体発光素子（ＬＥＤ２）と、ＬＥＤ２が実装される基板３と、ＬＥＤ２の光導出方向に設けられた光学部材４と、を備え、光学部材４は、ＬＥＤ２及び基板３を覆うように配され、且つ基板３の周縁部よりも外周側に延設されており、ＬＥＤ２と対向する入射面４１と、入射面４１と対峙する透過面４２と、透過面４２の外周側に位置する全反射面４３と、基板３の周縁部の外周側に位置する接続面４４と、を有する。この構成によれば、入射面４１から入射された光は、透過面４２から外周側へ屈折されて、又は全反射面４３で全反射されて接続面４４から出射されるので、光を広角に配光でき、発光装置１の施工面側へ光を照射させることができ、アンビエント照度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】高効率の半導体発光素子、窒化物半導体層成長用基板及び窒化物半導体ウェーハを提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１導電形の層を含む第１半導体層と、第２導電形の層を含む第２半導体層と、第１半導体層と第２半導体層との間に設けられた発光層と、を備えた半導体発光素子が提供される。第１半導体層は、発光層とは反対の側の第１主面に設けられた複数の構造体を有する。複数の構造体のそれぞれは凹部、または、凸部である。複数の構造体のうちのいずれかである第１の構造体の形状の重心と、複数の構造体のうちで第１の構造体に最も近い第２の構造体の形状の重心と、は、第２軸上に並ぶ。凹部の深さをｈｂとし、凹部の底部の第２軸に沿った幅をｒｂとし、凸部の第２軸に沿った幅をＲｂとしたとき、ｒｂ／（２・ｈｂ）≦０．７、及び、ｒｂ／Ｒｂ＜１を満たす。 （もっと読む）

【課題】基部の周端面から出射する光の量の均等化を図ることができる半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法を提供することである。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光装置は、第１の方向における屈折率と、前記第１の方向に直交する第２の方向における屈折率とが異なる基部と、前記第１の方向および前記第２の方向に直交する第３の方向に設けられた発光部と、を備えている。そして、前記基部の前記第１の方向における周端面に形成された改質部の前記第３の方向における断面形状と、前記基部の前記第２の方向における周端面に形成された改質部の前記第３の方向における断面形状と、が同じとなっている。 （もっと読む）

【課題】放熱性を高めて光取り出し効率を改善することができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、積層構造体と、第１電極と、第２電極と、誘電体部と、を備える。積層構造体は、第１導電形の第１半導体層と、第１半導体層の一部に対向する第２導電形の第２半導体層と、第１半導体層の前記一部と第２半導体層とのあいだに設けられた発光層と、を含む。積層構造体は、第１半導体層側の第１主面と、第２半導体層側の第２主面と、を有する。第１電極は、第２主面の側で第１半導体層と接する接触部を有する。第２電極は、第２主面で第２半導体層と接する第１部分と、第１部分と電気的に接続され、第１半導体層から第２半導体層へ向かう積層方向にみたときに、接触部と重なる部分を有する第２部分と、を有する。誘電体部は、接触部と、第２部分と、のあいだに設けられる。 （もっと読む）

【課題】高効率の半導体素子及びウェーハを提供する。
【解決手段】実施形態によれば、バッファ層と、下地層と、第１半導体層と、発光部と、第２半導体層と、を備えた半導体発光素子が提供される。バッファ層は、サファイアまたはシリコンの基板上で形成された、Ｇａ_ｘ１Ａｌ_１−ｘ１Ｎ（０．１≦ｘ１＜０．５）を含む。下地層は、バッファ層の上に形成され、転位密度が５×１０^８ｃｍ^−２以下であり、窒化物半導体を含む。第１半導体層は、下地層の上に設けられ、窒化物半導体を含み第１導電形である。発光部は、第１半導体層の上に設けられ、交互に積層された複数の障壁層及び複数の井戸層を含む。井戸層のＩｎ組成比は障壁層よりも高い。複数の井戸層のそれぞれの厚さは、複数の障壁層のそれぞれの厚さよりも厚い。第２半導体層は、発光部の上に設けられ、窒化物半導体を含み第２導電形である。 （もっと読む）

【課題】半導体層の劣化及び破壊を抑制した半導体発光素子、窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体層の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１半導体層と、発光部と、第２半導体層と、Ｉｎ含有中間層と、を備えた半導体発光素子が提供される。第１半導体層は、シリコン基板の上に下地層を介して形成され、窒化物半導体を含み第１導電形である。発光部は、第１半導体層の上に設けられ、複数の障壁層と、複数の障壁層どうしの間に設けられＧａ_１−ｚ１Ｉｎ_ｚ１Ｎを含む井戸層と、を含む。第２半導体層は、発光部の上に設けられ、窒化物半導体を含み第２導電形である。Ｉｎ含有中間層は、第１半導体層と発光部との間、及び、第２半導体層と発光部との間の少なくともいずれかに設けられ、上記ｚ１とは異なる組成比でＩｎを含む窒化物半導体を含み、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の厚さを有する。 （もっと読む）

【課題】高い発光効率を有する発光ダイオード(LED)基板を提供する。
【解決手段】サファイア基板を含む発光ダイオード(LED)基板を提供する。サファイア基板は、複数の上部三角・下部六角テーパー部からなる表面を有する。上部三角・下部六角テーパー部の各々は、六角テーパー部と、該六角テーパー部上の三角テーパー部とからなる。上部三角・下部六角テーパー部どうしの間隔幅は、10μｍ未満である。このLED基板は、高い発光効率を有する。 （もっと読む）

【課題】ウェハー加工の工程数を大幅に減らすことができ、製造に要する時間とコストを大幅に低減できると共に、半導体ウェハーに新たな機能を付与することもできる導電性半導体ウェハーの製造方法を提供する。
【解決手段】導電性半導体からなるウェハブランク１を加工して半導体ウェハー２の形状に整形する導電性半導体ウェハーの製造方法において、加工電極１３，１４に、整形する半導体ウェハー２の形状に応じた座繰り部１５，１８を形成し、その加工電極１３，１４をウェハブランク１に近接させて放電加工し、ウェハブランク１を半導体ウェハー２の形状に整形する方法である。 （もっと読む）

【課題】光透過窓が帯電することがなく、電子線が半導体発光素子の一面に確実に入射されて高い発光効率が得られる電子線励起型光源装置を提供する。
【解決手段】光透過窓を有するケーシング内に、電子線源およびこの電子線源からの電子線によって光を放射する半導体発光素子が配置されてなり、前記半導体発光素子の一面に前記電子線源からの電子線が入射されることによって、当該半導体発光素子の一面から光が放射されて前記光透過窓から出射される電子線励起型光源装置において、前記光透過窓に、または前記光透過窓と前記半導体発光素子との間に、負の電位に維持される、光透過部を有する電子線遮蔽電極が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】熱劣化による変色が小さく耐熱変色性に優れ、長寿命で、バリ取りが非常に容易で、比較的安価でしかも材料の保存安定性、ハンドリング性、加工性に優れた表面実装型発光装置とその製造に用いられる乾式不飽和ポリエステル樹脂組成物、粒状物、ペレット、および粉砕加工物を提供する。
【解決手段】乾式不飽和ポリエステル樹脂成形体からなる第１の樹脂体４０と、発光素子１０を被覆する第２の樹脂体５０とを備え、第１の樹脂体４０の凹部４０ｃの底面部４０ａには、発光素子１０を載置した第１のリード２０が露出され、かつ第１のリード２０と第２のリード３０とを絶縁する樹脂絶縁部４５が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率が向上した半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体発光素子は、半導体層と、前記半導体層の上面に配置された第１電極と、前記半導体層の下面に配置された第２電極と、を備える半導体発光素子であって、前記半導体層の上面は第１領域と、前記第１領域よりも前記半導体層の厚みが厚い第２領域とを有し、前記第１電極はパッド電極と、前記パッド電極から延伸する補助電極と、を備え、前記第１電極は前記第２領域上にあり、前記第２領域は、前記補助電極に沿ったものと、前記補助電極と異なる方向に延伸するものと、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】外部端子がパッケージ底面に配置されている半導体装置を実装する際に、半田不良の有無を外観上で確認できるようにし、それによって、実装信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体装置１０は、ダイパッド４と、ダイパッド４の上面に搭載された半導体素子５と、ダイパッド４の周囲に配置され且つ半導体素子５と電気的に接続された外部端子３と、外部端子３の上に形成された保護層２とを備えている。外部端子３には第１の貫通穴１１Ａが形成されていると共に、保護層２には、第１の貫通穴１１Ａと少なくとも一部が重なる第２の貫通穴１１Ｂが形成されている。 （もっと読む）

【課題】製造工程の煩雑化を伴うことなく製造中におけるウエハの割れを防止すること。
【解決手段】窒化物半導体素子形成用ウエハは、基板の上に、下地層、第１導電型窒化物半導体層、活性層、および第２導電型窒化物半導体層が順に積層されて構成されている。基板は、窒化物半導体素子材料とは異なる材料からなる。また、下地層および／または第１導電型窒化物半導体層の膜厚は、基板の中央側と基板の周縁側とで異なっており、基板の周縁側からその基板の中央側へ向かうにつれて大きくても良いし、基板の周縁側からその基板の中央側へ向かうにつれて小さくても良い。窒化物半導体素子は、窒化物半導体素子形成用ウエハを用いて作製されたものである。 （もっと読む）

【課題】基板の反りを抑制しつつ、バッファ層及び化合物半導体の厚さを稼ぐことができ、素子耐圧を向上することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板２と、バッファ層３と、窒化物系化合物半導体４とを備える。バッファ層３は、ＡｌＮ層とＧａＮ層とを積層した第１のバッファ領域３２１，３３１と、ＧａＮ層を有する第２のバッファ領域３２２，３３２とを交互に積層して構成される。バッファ層３において窒化物系化合物半導体４側の第１のバッファ領域３３１とそれに隣接する第２のバッファ領域３３２との１組の全体のＡｌ組成は基板側の１組のＡｌ組成に対して大きく設定されている。 （もっと読む）