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Fターム[5F041CB36]の内容

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Fターム[5F041CB36]に分類される特許

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【課題】シリコン及びゲルマニウム発光素子として作成可能な、注入キャリアを発光領域に閉じ込めるための素子構造とその製造方法を提供する。
【解決手段】電極と発光領域の間にキャリアにとって狭い通路、すなわち1次元的または2次元的量子閉じ込め領域を作成する。量子閉じ込めにより、その部分ではバンドギャップが開くため、電子にとっても正孔にとってもエネルギー障壁となり、通常のIII−V族半導体レーザーのダブルへテロ構造と同様の効果が得られる。素子の形状を制御するだけで、通常のシリコンプロセスで使用する元素以外は使わないため、安価に製造することができる。 (もっと読む)


【課題】より良い照明環境、あるいは色の再現範囲を広くすることができる蛍光体、発光ダイオード及び蛍光体の製造方法を提供する。
【解決手段】リードフレーム1の上部に設けられた凹部1aには、GaN系化合物半導体を発光層として有し、青色の光を発光するLEDチップ2がダイボンディングにより接着固定されている。凹部1aには、波長が430〜550nmの光で励起され、組成が(Baa 、Srb 、Cac 、Mgd 、Zrx 2 (1-z)SiO4 Cly :Eu2zで示される蛍光体7をエポキシ樹脂に混合させた封止部5を形成してある。モル比は、a+b+c+d+x=1、0.001≦x≦0.1、0.001≦y≦0.1、0.02≦2z<0.6の関係を有する。 (もっと読む)


【課題】固体発光素子(LED)を用いた発光装置において、生産性を低下させることなく色ムラを少なくする。
【解決手段】発光装置1は、LED2と、基板3と、LED2からの光を波長変換する波長変換部材4と、基板3の配線パターン31とLED2とを接続するワイヤ32とを備える。波長変換部材4は、蛍光体を含有する透明樹脂部材から成り、LED2の発光面を被覆する。また、隣り合うLED2から導出されるワイヤ32のうち、少なくとも1つは、他のワイヤ32とは異なる方向に導出される。この構成によれば、波長変換部材4が塗布により形成されると、その厚みがワイヤ32の導出方向に応じて変化する。ここに、波長変換部材4の厚みが厚い箇所からの出射光と、波長変換部材4の厚みが薄い箇所からの出射光とが混光されるようにワイヤ32の導出方向が設定されることにより、各出射光の色味の差が打ち消されて、色ムラを少なくすることができる。 (もっと読む)


【課題】配光角および光束の少なくとも一方が増加され、かつ生産性に優れる発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置は、発光素子3と、前記発光素子3を覆う蛍光体層4と、前記蛍光体層4上に配置された光トランスファー層6とを有する。前記蛍光体層4の屈折率をn、前記光トランスファー層6の屈折率をnとしたとき、n/n≦1.07、かつ前記蛍光体層4の中心軸を通る少なくとも1つの平面において、前記蛍光体層4の中心軸から側面部までの長さをd、前記発光素子3の厚みを除いた蛍光体層4と前記光トランスファー層6との合計した厚みをtとしたとき、t/d>0.4である。 (もっと読む)


【課題】同一の発光ピーク波長をもつ2層の発光層を有する半導体発光素子であって、高い最大電流値および発光出力を低い順方向電圧で得ることが可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光素子は、支持基板102の上面側に、中間電極104、下側第1導電型半導体層106、第1発光層108、第2導電型半導体層110、第1発光層108と同一の発光波長を有する第2発光層112、上側第1導電型半導体層114および上側電極116を順次具え、支持基板102の下面側に設けられる下側電極118と、上側第1導電型半導体層114および第2発光層112を貫通する凹部120に設けられ、第2導電型半導体層110と電気的に接続する基準電極122と、を有し、第1発光層108の電流が流れる有効領域108aを規制する絶縁部126を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】LEDチップに波長変換層として貼り付ける蛍光体シートとして、形状加工性が良好で高い接着力を持つ蛍光体シートを提供する。
【解決手段】25℃での貯蔵弾性率が0.1MPa以上であり、100℃での貯蔵弾性率が0.1MPa未満である蛍光体含有シート。 (もっと読む)


【課題】半導体発光素子において、インジウム組成の大小に対応したピーク波長が異なる複数の光を得る。
【解決手段】pn接合型のIII族窒化物半導体発光素子であって、第1の導電型を有する第1の半導体層、発光層及び第1の導電型とは逆の導電性を示す第2の半導体層が積層された積層半導体層を備え、積層半導体層の発光層は、発光層からの発光の取り出し方向と反対側に配置され第1のインジウム組成を有する第1の窒化ガリウム・インジウム層と、第1の窒化ガリウム・インジウム層より発光の取り出し方向側に配置され第1のインジウム組成より小さい組成の第2のインジウム組成を有する第2の窒化ガリウム・インジウム層と、第1の窒化ガリウム・インジウム層と第2の窒化ガリウム・インジウム層との間に設けられ、第1の窒化ガリウム・インジウム層及び第2の窒化ガリウム・インジウム層を構成する材料より格子定数が小さい材料からなる中間層と、を含む。 (もっと読む)


【課題】発光装置における歩留まりの向上および故障率の低減を図る。
【解決手段】発光ダイオード素子12とヒューズ13が直列に接続された複数のヒューズ付き発光ダイオード素子14を、並列に接続して並列構成単位15を形成する。そして、1つの並列構成単位15で、あるいは、複数の並列構成単位15を直列に接続して、発光ダイオード素子回路16を形成する。そのため、発光ダイオード素子12の何れかが短絡不良を起こしても、短絡不良を起こした発光ダイオード素子12に接続されたヒューズ13が断線して過電流を遮断することができる。その結果、短絡不良を起こした発光ダイオード素子12以外の発光ダイオード素子12は引続き発光することができ、発光装置11は引続き動作することができる。したがって、発光装置11の歩留りの向上および故障率の低減を図ることができる。 (もっと読む)


【課題】 Ra値を高めることが可能な半導体発光装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 半導体発光装置100は、出力ピーク波長が440〜485nmであるLEDチップ200と、LEDチップ200からの光を受けるように配置され、LEDチップ200からの光によって励起されることにより、ピーク波長が645nm以上である光を発する赤色蛍光体310およびピーク波長が565nm以下である光を発する緑色蛍光体320を含む蛍光体部300と、を備えることにより白色光を発する。 (もっと読む)


【課題】高効率で発光し、薄型に適した発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】発光素子1は、紫外光放射部15と蛍光体層21とからなり、ZnOをベースとし、Ga、Pが添加された半導体材料で形成された紫外発光層11と、ZnOをベースとするp型半導体層12とがpn接合され、紫外発光層11に第1電極13が、p型半導体層12に第2電極14が接続されている。第1電極13と第2電極との間に電圧を印加することによって、紫外発光層11からピーク波長が400nm以下の紫外光が放射される。蛍光体層21は、紫外光放射部15から放射される紫外光を吸収し可視光に変換する。この可視光は基板22を透過して外部に出射される。 (もっと読む)


【課題】固体発光素子(LED)を用いた発光装置において、発光面の端部の輝度を向上させ、発光装置全体として均一な輝度分布を得る。
【解決手段】発光装置1は、複数のLED2と、LED2が実装される基板3と、LED2の発光面を被覆する透明樹脂部材に蛍光体を含有して成る波長変換部材4,4’と、を備え、基板3の端部寄りの位置に配置されたLED2は、基板3の周縁部方向に配光されている。この構成によれば、基板3の端部寄りの位置に配置されたLED2からの光によって、基板3の周縁部方向の光量が多くなるので、発光面の端部の輝度を向上させることができ、発光装置1全体として均一な輝度分布が得られる。 (もっと読む)


【課題】LEDチップに波長変換層として貼り付ける蛍光体シートとして、形状加工性が良好で高い接着力を持つ蛍光体シートを提供する。
【解決手段】25℃での貯蔵弾性率が0.1MPa以上であり、100℃での貯蔵弾性率が0.1MPa未満である蛍光体含有シートであって、蛍光体含有シートの樹脂主成分が特定の組成を含む架橋性シリコーン組成物をヒドロシリル化反応してなる架橋物であることを特徴とする蛍光体含有シート。 (もっと読む)


【課題】III 族窒化物半導体発光素子において、光取り出し効率を向上させること。
【解決手段】発光層14上に、MOCVD法によってp−AlGaNからなるpクラッド層15を形成する。圧力30kPa、Mg濃度は1.5×1020/cm3 とする。これにより、III 族元素極性の結晶に窒素極性の領域が多数生じ、pクラッド層15の表面は六角柱状の凹凸形状となる。次に、pクラッド層15上に、MOCVD法によって凹凸形状に沿って膜状にGaNからなるpコンタクト層16を形成する。 (もっと読む)


【課題】任意の基板上に形成でき良好な結晶性を有する窒化物半導体素子、窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体層の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第1層と、機能層と、を備えた窒化物半導体素子が提供される。前記第1層は、非晶質層の上に形成され、窒化アルミニウムを含み、圧縮歪または引張歪を有する。前記機能層は、前記第1層の上に形成され、窒化物半導体を含む。 (もっと読む)


【課題】ガスバリア性および密着性に優れた半導体デバイス用部材を提供することを目的とする。
【解決手段】下記(A)〜(D)を含む熱硬化性樹脂組成物であり、該熱硬化性樹脂組成物に含まれる(A)ポリシロキサンと(B)エポキシ化合物のエポキシ当量の合計が200〜700g/当量であり、かつ、該熱硬化性樹脂組成物を熱処理することで形成される硬化物の、動的粘弾性測定による150℃における貯蔵弾性率が、1.40×10〜1.20×10Paであることを特徴とする熱硬化性樹脂組成物。
(A)ポリシロキサンのエポキシ当量が350〜1000g/当量であり、かつ、下記式(1)で表されるポリシロキサン
(RSiO1/2a(RSiO2/2(RSiO3/2
(SiO4/2(OR) ・・・(1)
(B) エポキシ化合物
(C) 硬化剤
(D) 硬化触媒 (もっと読む)


【課題】半導体発光デバイスが破損されることなくエレクトロルミネッセンス(EL)を観察できるエレクトロルミネッセンスの観察方法を提供する。
【解決手段】半導体発光デバイス1の第2の電極32の一部及び基板10の一部を研磨して、半導体発光デバイス1に研磨面11を形成する。研磨面11を形成した後に、第1の電極31が接触面40aに接するように、半導体発光デバイス1aを支持体40の上に載置する。プローブ43を第2の電極32aに押し付け、プローブ43と変形した支持体40とにより半導体発光デバイス1aを挟んで、半導体発光デバイス1aを保持する。第1の電極31と第2の電極32との間の印加電流に応答するエレクトロルミネッセンスを半導体発光デバイス1aに発生させる。研磨面11を介して該エレクトロルミネッセンスを観察する。 (もっと読む)


【課題】複数の欠陥キャビティが配列されたフォトニック結晶を用いた場合でも、モードの共振周波数の分布を抑え、発光高度の増強を高効率で行うことが可能となる発光素子を提供する。
【解決手段】活性層と、周期的な屈折率分布中に該周期的な屈折率分布を乱す欠陥部分が導入されて構成されたフォトニック結晶層と、該フォトニック結晶層の平均屈折率よりも低い屈折率を有するクラッド層と、を有し、
前記フォトニック結晶層の欠陥部分を欠陥キャビティとして利用する発光素子であって、
前記フォトニック結晶層は、前記欠陥キャビティが複数配列された構成を備え、
前記複数配列された欠陥キャビティは、それぞれの欠陥キャビティが長さの異なる長手軸と短手軸とを有し、隣り合う欠陥キャビティの間で前記長手軸が異なる方向を向いた構成とされている。 (もっと読む)


【課題】耐熱性および耐光性に優れるリフレクタ材料、および、そのリフレクタ材料から形成されるリフレクタを備え、光の取出効率に優れる発光ダイオード装置を提供すること。
【解決手段】シラノール基両末端ポリシロキサンと、エチレン系ケイ素化合物と、エポキシ基含有ケイ素化合物と、オルガノハイドロジェンシロキサンと、縮合触媒と、付加触媒とから調製されるシリコーン樹脂組成物と、光反射成分とを含有することをリフレクタ材料から形成されるリフレクタ4を発光ダイオード装置1に設ける。 (もっと読む)


【課題】
蛍光体及びその製造方法、それを用いる発光装置が提供される。
【解決手段】
前記蛍光体の組成式はI−M−A−B−O−N:Zであり、ここで、Iは、Li、Na、及びKを含む群から選択され、MはCa、Sr、Mg、Ba、Be及びZnを含む群から選択され、AはAl、Ga、In、Sc、Y、La、Gd、及びLuを含む群から選択され、BはSi、Ge、Sn、Ti、Zr及びHfを含む群から選択され、ZはEu及びCeを含む群から選択され;m+r=1、0<i<0.25、0<a<1、0<b<2、1.15<b/a<1.4、0≦t≦0.7、2.1≦n≦4.4、及び0.001≦r≦0.095である。 (もっと読む)


【課題】低Vf化を図りながら、逆バイアス印加時の漏洩電流を確実に防止することができ、高輝度及び高光束を有する信頼性の高い窒化物半導体素子を提供することを目的とする。
【解決手段】n側窒化物半導体層、活性層及びp側窒化物半導体層がこの順に積層された窒化物半導体素子であって、前記n側窒化物半導体は、n型コンタクト層、アンドープ半導体層及びn型多層膜層がこの順に積層されてなり、該n型多層膜層が、50nm以上500nm以下の総膜厚を有し、前記活性層は90nm以上200nm以下の総膜厚を有する窒化物半導体素子。 (もっと読む)


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