【課題】高輝度かつ低順方向電圧の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】第一の導電型層１１と第二の導電型層１２に挟まれた発光層１３を有する化合物半導体１４において、第一の主表面１１ａを光取り出し面とし、第二の主表面１２ａに発光層１３からの光を第一の主表面１１ａ側に反射させる反射金属膜１５を介して、支持基板１６と化合物半導体１４が結合され、化合物半導体１４の第二の主表面１２ａと反射金属膜１５間に透明絶縁膜１７を有し、透明絶縁膜１７の一部に貫通して化合物半導体層と電気的にオーミック接合する界面電極１８を有する半導体発光素子において、発光波長が７８０ｎｍ以上の赤外光であり、第一の導電型層１１の内、Ｖ族がＡｓ系層である総膜厚が１．０μｍ以上であり、第一の導電型層１１、発光層１３、第二の導電型層１２および各層内のアンドープ層の各ヘテロ接合界面におけるバンドギャップの差が、０．３０ｅＶ以下である。 （もっと読む）

【課題】 平均演色評価数Ｒａ及び特殊演色評価数Ｒ９を高い数値で維持した状態で、発光効率の低下をできるだけ抑制した、一般照明用途で使用可能な高演色、高効率の発光装置を提供する。
【解決手段】 近紫外乃至青色領域にピーク発光波長を有する光を放射する少なくとも１つの発光素子６と、発光素子６から放射された１次光によって励起され緑色領域にピーク発光波長を有する光を放射する緑色蛍光体と、前記１次光によって励起され赤色領域にピーク発光波長を有する光を放射する第１赤色蛍光体と、前記１次光によって励起され赤色領域に前記第１赤色蛍光体と異なるピーク発光波長を有する光を放射する第２赤色蛍光体を含有する蛍光体層５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体層表面の凹凸および反射層を有する半導体発光素子において、光取り出し効率を向上させる。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体発光素子１は、ｎ型半導体層１１とｐ型半導体層１３とに挟まれた発光層１２を有する半導体積層構造を有し、発光層１２のｎ型半導体層１１側から光を取り出す半導体発光素子であって、ｐ型半導体層１３上に形成された、発光層１２から発せられた光を反射する反射層１６と、を有し、ｎ型半導体層１１は、発光層１２と反対側の面に光の進路を変更するための凹凸領域１１０を有し、反射層１６の少なくとも一部は、凹凸領域１１０の端部の直上まで形成される。 （もっと読む）

【課題】高い抽出効率を有する単色またはマルチカラーの発光ダイオード（ＬＥＤ）を提供する。
【解決手段】基板７８と、基板上に形成されたバッファ層７６と、バッファ層の上部に堆積された１つ以上のパターニングされた層７２と、パターニングされた層の上または層の間に形成された１つ以上のアクティブ層７０から構成される。上記発光ダイオードは、例えば、横方向エピタキシャル成長（ＬＥＯ）によるものであり、１つ以上の発光種（例えば、量子井戸）８０を含む。パターニングされた層は、パターニングされ穿孔または貫通されたマスク（絶縁材料または半導性材料または金属材料から構成されている）７４と、マスク内のホールを充填する材料とを備えている。 （もっと読む）

【課題】セラミック基板上に複数のＬＥＤチップを配置したセラミック基板光源を用いた信頼性の高いＬＥＤ発光モジュールを提供する。
【解決手段】金属基台上に、矩形開口部を有する樹脂基板が配置され、セラミック基板光源は、樹脂基板の矩形開口部内に配置される。セラミック基板光源は、樹脂基板に形成された金属からなる基板固定部材により、金属基台に押圧力に固定されるとともに、樹脂基板上の配線パターンと電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】発光強度（輝度）がより高度に改善された黄色蛍光体を得る。
【解決手段】本発明は、Ｍ¹、Ｍ²、及びＬを含む原料混合物を、気相のＳｉを含むＳｉ含有気体と接触させながら焼成して、Ｍ¹_2a（Ｍ²_bＬ_c）Ｍ³_dＯ₄で表される黄色蛍光体を生成させる工程を含む、黄色蛍光体の製造方法である。Ｍ¹はアルカリ金属から選択される少なくとも一種の元素であり、Ｍ²はアルカリ土類金属から選択される少なくとも一種の元素であり、Ｍ³はＳｉである、又は、Ｓｉ及びＧｅであり、Ｌは希土類元素、Ｂｉ及びＭｎから選択される少なくとも一種の元素である。ａは、０．１〜１．５であり、ｂは、０．８〜１．２であり、ｃは、０．００５〜０．２であり、ｄは、０．８〜１．２である。 （もっと読む）

【課題】高い外部量子効率を安定に確保できるようにした半導体発光素子を提供する。
【解決手段】基板１０の表面部分には発光領域１２で発生した光を散乱又は回析させる少なくとも１つの凹部２０及び／又は凸部を形成し、凹部２０及び／又は凸部は半導体層１１、１２、１３に結晶欠陥を発生させない形状とする。また、光が凹部２０及び／又は凸部において散乱又は回折され、上方の半導体層又は下方の基板から効率的に光を取り出す。 （もっと読む）

【課題】高速応答性と高出力性とを兼ね備えた赤外光を発光する発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置を提供する。
【解決手段】組成式（Ｉｎ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１）Ａｓ（０≦Ｘ１≦１）の化合物半導体からなる井戸層、及び、組成式（Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２）Ａｓ（０≦Ｘ２≦１）の化合物半導体からなるバリア層を交互に積層した量子井戸構造の活性層１１と、該活性層１１を挟む第１のクラッド層９と第２のクラッド層１３とを有する発光部７と、発光部７上に形成された電流拡散層８と、電流拡散層８に接合された機能性基板３とを備え、第１及び第２のクラッド層９、１３が組成式（Ａｌ_Ｘ３Ｇａ_１−Ｘ３）_Ｙ１Ｉｎ_１−Ｙ１Ｐ（０≦Ｘ３≦１，０＜Ｙ１≦１）の化合物半導体からなり、井戸層及びバリア層のペア数が５以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】補助電極を有する半導体発光素子において、光取り出し効率の低下を抑える。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体発光素子１は、ｎ型半導体層１１とｐ型半導体層１３とに挟まれた発光層１２を有する半導体積層構造を有し、ｐ型半導体層１３側から光を取り出す半導体発光素子であって、ｐ型半導体層１３側にｎ型半導体層１１に接続されるように形成され、台座電極３０ａおよび台座電極３０ａから面内方向に延在する線状の補助電極３０ｂを含むｎ電極３０と、ｐ型半導体層１３側にｐ型半導体層１３に接続されるように形成され、台座電極２０ａおよび台座電極２０ａから面内方向に延在する線状の補助電極２０ｂを含むｐ電極２０と、を有し、補助電極３０ｂと補助電極２０ｂの少なくとも一部が、絶縁層４０を介して発光層１２の厚さ方向に重なる。 （もっと読む）

【課題】レンズによる発光モジュールの発光部からの光の配光制御が可能で、狭角配光とした場合でも色われの発生を低減できる照明装置を提供する。
【解決手段】ＣＯＢモジュール12、およびＣＯＢモジュール12に対向するフレネルレンズを備える。ＣＯＢモジュール12は、基板15、およびこの基板15の一面に複数のＬＥＤ素子18が実装されるとともにこれら複数のＬＥＤ素子18を蛍光体層19で覆って形成された発光部16を有する。複数のＬＥＤ素子18間の間隔は１．５ｍｍ以下で、かつ発光部16の幅が最も広い箇所での複数のＬＥＤ素子18の実装領域17の幅W2は蛍光体層19の形成領域の幅W1に対して８０％以上である。 （もっと読む）

【課題】
素子生産量と光抽出効率を向上させることができる垂直型発光素子の製造方法およびその垂直型発光素子に用いる基板モジュールを提供すること。
【解決手段】
垂直型発光素子の製造方法において、基板１０とＬＥＤ構造のインターフェースが分離するまたは剥離するところに隙間１３’を形成することで、基板１０を該基板１０に形成されたＬＥＤ構造から容易に分離または剥離できるようにする。基板１０とエピタキシャル層２０からなる基板モジュールは制御可能な方式で基板１０とエピタキシャル層２０との間のインターフェースに複数の隙間１３’を形成している。そして、該エピタキシャル層２０にＬＥＤ構造を形成させ、ＬＥＤ構造をスーパーストレート７０に付着させ、基板１０をエピタキシャル層２０から分離し、かつ、基板１０の所在部に導電層と接触電極を形成させて、垂直型発光素子を形成させる。 （もっと読む）

【課題】発光面での発光強度の均一化を図ることができる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、発光体と、第１電極層と、第２電極層と、パッド電極と、補助電極部と、を備える。発光体は、一方側に第１導電形の第１半導体層が設けられ、他方側に第２導電形の第２半導体層が設けられ、第１半導体層と第２半導体層との間に発光層が設けられる。第１電極層は、第２半導体層の第１半導体層とは反対側に設けられ、金属層と、第１半導体層から第２半導体層に向かう第１方向に沿って前記金属層を貫通する複数の開口部と、を有する。第２電極層は、第１半導体層と導通する。パッド電極は、第１電極層と導通する。補助電極部は、第１電極層と導通し、第１方向と直交する第２方向に延在する。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ基板上に結晶成長する各半導体層の平坦性向上した半導体基板を実現し、この半導体基板を基礎として、特性の高性能化された半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｐ型電極３２と、ｎ型電極３１と、ｐ型電極３２に接続され、複数のｐ型窒化物系III−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型積層構造（１６〜２０）と、ｎ型電極３１に接続され、複数のｎ型窒化物系III−Ｖ族化合物半導体であるｎ型積層構造（１１〜１４）と、ｐ型積層構造（１６〜２０）とｎ型積層構造（１１〜１４）との間に形成された窒化物系III−Ｖ族化合物半導体からなる活性層１５とを備え、ｎ型積層構造（１１〜１４）がＳｉを５ｘ１０17ｃｍ-3以上２ｘ１０19ｃｍ-3以下の濃度で含有し、厚さが０．３ｎｍ以上２００ｎｍ以下のドープ層１０と、ドープ層１０よりも活性層１５側に設けられた超格子層１３とを含む。 （もっと読む）

【課題】高出力・高効率で８５０ｎｍ以上、特に９００ｎｍ以上の発光ピーク波長の赤外光を発光する発光ダイオードを提供する。
【解決手段】本発明の発光ダイオードは、基板上に、ＤＢＲ反射層と、発光部とを順に備える発光ダイオードであって、前記発光部は、組成式（Ｉｎ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１）Ａｓ（０≦Ｘ１≦１）からなる井戸層と組成式（Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２）_Ｙ１Ｉｎ_１−Ｙ１Ｐ（０≦Ｘ２≦１，０＜Ｙ１≦１）からなるバリア層との積層構造を有する活性層と、組成式（Ａｌ_Ｘ３Ｇａ_１−Ｘ３）_Ｙ２Ｉｎ_１−Ｙ２Ｐ（０≦Ｘ３≦１，０＜Ｙ２≦１）からなる第１のガイド及び第２のガイドと、該第１のガイド及び第２のガイドのそれぞれを介して該活性層を挟む、組成式（Ａｌ_Ｘ４Ｇａ_１−Ｘ４）_ＹＩｎ_１−ＹＰ（０≦Ｘ４≦１，０＜Ｙ≦１）からなる第１のクラッド層及び第２のクラッド層とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】温度特性の良好な蛍光体を用いた発光装置を提供する。
【解決手段】２５０ｎｍ乃至５００ｎｍの波長の光を発光する発光素子と、前記発光素子上に配置された蛍光体層とを具備する発光装置である。前記蛍光体層は、波長２５０ｎｍ乃至５００ｎｍの光で励起した際に波長４９０ｎｍ乃至５８０ｎｍの間に発光ピークを示し、下記組成式（Ａ）で表わされる組成を有する蛍光体であって、ＣｕＫα特性Ｘ線（波長１．５４０５６Å）を用いたＸ線回折において、１１．８１〜１１．８５°、１５．３４〜１５．３９°、２０．４０〜２０．４７°、２３．７４〜２３．８６°の回折角度（２θ）に同時に回折ピークを示す蛍光体を含むことを特徴とする。
ＭＡｌＳｉＯＮ （Ａ）
（上記組成式（Ａ）中、ＭはＳｒであり、その０．１モル％以上５０モル％以下はＥｕで置換されている。） （もっと読む）

【課題】 光取出し効率を向上させることが可能な発光素子を提供する。
【解決手段】 本発明の発光素子１は、上面２ａ’を持つ複数の突起２ａを主面２Ａに有する単結晶基板２と、単結晶基板２上に形成された、複数の半導体層３ａ〜３ｃから成る光半導体層３とを備え、突起２ａは、上面２ａ’の一部に凹部４を有しており、光半導体層３は、最下層に位置する半導体層３ａが突起２ａの上面２ａ’に接しているとともに凹部４を埋めている。これにより、光半導体層３で発生した光が、凹部４内に入射した場合に、光半導体層３と単結晶基板２との界面で光半導体層３側に反射されにくくすることができ、光取出し効率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】β型ＳｉＡｌＯＮを用いた高効率で安定した発光装置、ならびにそのための蛍光体粒子群を提供する。
【解決手段】ピーク波長が４３０〜４８０ｎｍの一次光を発する窒化ガリウム系半導体である発光素子と、上記一次光の一部を吸収して、一次光の波長よりも長い波長を有する二次光を発する波長変換部とを備えた発光装置であって、前記波長変換部は、一般式：Ｅｕ_ａＳｉ_ｂＡｌ_ｃＯ_ｄＮ_ｅ（式中、０．００５≦ａ≦０．４、ｂ＋ｃ＝１２、ｄ＋ｅ＝１６を満足する数である。）で実質的に表される柱状結晶体のβ型ＳｉＡｌＯＮである、２価のユーロピウム付活酸窒化物緑色系発光蛍光体粒子の粒子群であって、長径を短径で割った値が１．０を超えて３．０以下である蛍光体粒子１から６０％以上が構成されており、且つ、メディアン径が６〜２０μｍの範囲内である蛍光体粒子群を含む、発光装置。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の特性を変えることが可能な半導体発光素子測定装置を提供する。
【解決手段】可動ステージ３１は、ＬＥＤチップ１０、１１を載置し、位置調整部３８の制御により、水平方向（例えば、ｘ軸方向、ｙ軸方向）に移動する。プローブ針３２は、ＬＥＤチップ１０、１１の表面に形成されたボンディング電極に接触させてＬＥＤチップ１０、１１に所要の電圧を印加する。光検出部３４は、ＬＥＤチップ１０、１１からの光を検出する。光学特性測定部３６は、光検出部３４による検出結果に基づいて、ＬＥＤチップ１０、１１の光学特性を測定する。レーザ光源３３は、レーザ光によりＬＥＤチップ１０、１１の表面の一部を切除する。 （もっと読む）

【課題】Ｍｎ⁴⁺付活フッ化物錯体蛍光体と該蛍光体の励起源であるＬＥＤ素子とを備える白色発光装置において、発光効率を低下させることなくＭｎ⁴⁺付活フッ化物錯体蛍光体の使用量を低減させる技術を提供することを課題とする。
【解決手段】該課題に対し、白色発光装置は、青色ＬＥＤ素子と、該青色ＬＥＤ素子により励起される蛍光体として、黄色蛍光体および／または緑色蛍光体と、赤色蛍光体とを備え、該赤色蛍光体がＭｎ⁴⁺付活フッ化物錯体蛍光体およびＥｕ²⁺付活アルカリ土類ケイ窒化物蛍光体を含む。 （もっと読む）

【課題】高出力であり、高効率で動作電圧が低い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、少なくとも支持基板１０、及び発光層５を含む半導体層１４と、金属反射層９と、誘電体層１５と、界面電極８と、絶縁性保護膜２４と、透明導電膜２１と、金属分配電極１２と、第一電極１３と、第二電極１７とを有している。界面電極８の深さ方向における直上の領域において、半導体層１４はエッチングによって除去され、界面電極８と接する半導体層１４の第二主表面の半導体層を残し、界面電極８上には発光層５が形成されていない。 （もっと読む）