【課題】耐熱性に優れた、光電変換機能を有する半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置１は、光電変換機能を有する半導体素子２を備え、第１封止樹脂６、第２封止樹脂７及び第３封止樹脂８で封止されている。第２封止樹脂７は、半導体素子２の信号の送受信を可能とするような透明性を有し、半導体素子２側を封止している。第３封止樹脂８は、ガラス転移温度から３００℃までの温度範囲における線膨張係数が１５０ｐｐｍ／℃以上であり、半導体素子２の裏側を封止している。第１封止樹脂６は、ガラス転移温度から３００℃までの温度範囲における線膨張係数が１００ｐｐｍ／℃以下であり、第２封止樹脂７と第３封止樹脂８で挟まれている。また、第２封止樹脂７及び第３封止樹脂８の一方の厚さは、他方の厚さの５０％以上１５０％以下である。これにより、第２封止樹脂７の熱膨張による欠陥の発生を防止している。 （もっと読む）

【課題】発光素子からの光の光軸と、その光を受光するコアの受光面との位置合わせが容易になっている光導波路デバイスを提供する。
【解決手段】第１および第２のアンダークラッド層２１，２２の上面に、それぞれ発光素子５と、この発光素子５の発光を受光するためのコア３とが設けられ、コア３の受光部３ａが、平面視略Ｕ字状に形成され、その略Ｕ字状の開口部内に、上記発光素子５の発光部５ｃからの発光が投光されるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】 従来の生産性を維持しながら、成形体の寸法に関わらず原材料の無駄を低減することが可能なリードフレーム成形体及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明のリードフレーム成形体は、複数の開口部を有する略長方形のリードフレームと、リードフレームの少なくとも一部を内包するとともに発光素子を載置可能な凹部を有する樹脂からなる複数の成形体と、を有するリードフレーム成形体であって、複数の成形体は、リードフレームの短辺方向において、３以上の奇数列で設けられていることを特徴とする。これによって、理リードフレーム成形体の設計の自由度を向上させることができ、また、原材料の無駄を低減して、規定のリードフレームを用いて効率よく成形体を得ることができるため、生産性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】金型の成形部を大型化せずに、短冊状の大型のワークに対応することができる射出成形方法を提供する。
【解決手段】型締用ステーションＳ１に位置する下金型３ａに対して上金型６を下降させて型締めし、金型３ａ，６の成形部で短冊状のリードフレーム２１の半分の領域に樹脂成形品２３を成形する型締成形工程と、出入用ステーションＳ２に位置する下金型３ｂ上のリードフレーム２１の位置を成形部に対してずらしてセットするワーク位置変更工程とを有し、回転テーブル２を回転して型締成形工程とワーク位置変更工程とを繰り返すことにより、各金型３ａ，３ｂ，６の成形部でＮ個（Ｎ＝複数）の樹脂成形品２３をＮ／２個ずつ２回に分けてリードフレーム２１に成形する。 （もっと読む）

【課題】基板の上に発光チップを搭載し、その外側に蛍光体を含有する透明樹脂を配置した発光装置を容易に製造する方法を提供する。
【解決手段】基板２０の上に発光チップ３を搭載する搭載ステップと、基板２０の上で発光チップ３の外側を満たしてドーム状に覆う透明樹脂部４と、蛍光体を含有して透明樹脂部４の外側に形成される蛍光体層５とを、液滴吐出装置を用いて液滴を上向きに吐出させて形成するドーム形成ステップと、ドーム状の透明樹脂部４および蛍光体層５の外側で基板に接する位置付近に反射層６を形成する反射層形成ステップと、を有する。ドーム形成ステップは、吐出された透明樹脂が硬化する前に透明樹脂中の蛍光体をドームの表面近くに沈降させる沈降ステップを含んでもよい。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤからの照射光の中心は、ＬＥＤを搭載するチップ基板の厚み分だけ高くなる。また、チップ基板の厚み分だけ照射光の中心が高いため、ＬＥＤからの照射光を導光する導光板の下面側への照射光が減ずる。
【解決手段】半円状凹部の壁面に第１の反射部を形成した第１の基板と、半円状凹部の壁面に第２の反射部を形成した第２の基板と、ＬＥＤ搭載部とで構成し、前記ＬＥＤ搭載部は前記第１の基板の下面に前記ＬＥＤが前記第１の反射部の半円状凹部内に位置するように配設し、前記第２の基板は前記第１の基板の上面に前記第１の反射部の半円状凹部と前記第２の反射部の半円状凹部がほぼ同一円心となるように配設する。 （もっと読む）

【課題】ＡｕＳｎ半田による実装に適した半導体発光素子を提供する。拡散電極をＩＴＯなどで薄膜に形成するとその表面に凹凸が生じ、その上に形成されるパッシベーション膜へバリア層用の開口部をエッチングするとき、この凹凸に起因して拡散電極とパッシベーション膜との界面で横方向エッチングが進行するおそれがある。
【解決手段】半導体層上に形成された拡散電極と、該拡散電極表面を被覆するパッシベーション膜であって一部に開口部を有するパッシベーション膜と、チタン層とニッケル層とを交互に積層した多層構造を有し、前記パッシベーション膜の表面に形成されるバリア層と、該バリア層の上に形成されるＡｕＳｎ半田層とを備える半導体発光素子において、拡散電極表面には、パッシベーション膜の開口部へ対向する位置に、該開口部より大径でかつその表面が平坦なバッファ電極が形成され、該バッファ電極へバリア層が接続する。 （もっと読む）

【課題】色再現性がよく明るい白色光が得られるＬＥＤデバイスを提供する。
【解決手段】少なくとも、発光ピーク波長が４２０ｎｍ〜４８０ｎｍである青色発光素子および／または発光ピーク波長が３６０ｎｍ〜４２０ｎｍである紫外・紫色発光素子と、少なくとも前記青色発光素子の発光および／または前記紫外・紫色発光素子の発光により５００ｎｍ〜５８０ｎｍの範囲で蛍光スペクトルを有する緑色蛍光体と、発光ピーク波長が６００ｎｍ〜６７０ｎｍである赤色発光素子または前記青色発光素子の発光により６００ｎｍ〜６７０ｎｍの範囲で蛍光スペクトルを有する赤色蛍光体とを具備するＬＥＤデバイス。 （もっと読む）

【課題】硬化性、耐熱クラック性に優れ、耐熱着色安定性に優れる硬化物となりうる光半導体素子封止用組成物の提供。
【解決手段】１分子中に２個のシラノール基を有する直鎖状オルガノポリシロキサン化合物と、１分子中に３個以上のアルコキシ基またはシラノール基を有するシロキサン化合物と、縮合触媒とを含有する光半導体素子封止用組成物、当該光半導体素子封止用組成物を硬化させることによって得られる硬化物、およびＬＥＤチップが当該硬化物で封止されている光半導体素子封止体。 （もっと読む）

【課題】振動又は衝撃等の外力に対する信頼性が高く、発生した熱を効率的に放熱し、容易に製造することができる発光デバイス及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】サブマウント１２上に、ＬＥＤチップ１１を実装し、サブマウント電極１４ａ及び１４ｂを形成して、サブマウント部材を構成する。そして、このサブマウント部材を平面基板上に搭載することにより、発光ユニット２０を構成する。一方、リードフレームと樹脂モールド体とにより、リードフレーム電極３１ａ及び３１ｂを有するリードフレーム部材３０を構成する。これらの発光ユニット２０とリードフレーム部材３０とを、電極同士が接するように重ね合わせることにより、発光デバイスが得られる。 （もっと読む）

着色コーティング組成物について染料を選択するための方法が開示される。本方法は、（ａ）樹脂キャリアバインダー中で分散する顔料をそれぞれ含む複数の染料を設けるステップと、（ｂ）樹脂コーティングバインダーと、少なくとも１つの染料をそれぞれ含む複数のコーティング組成物を準備するステップであって、全てのバインダーの中身がキャリアバインダーとコーティングバインダーであるステップと、（ｃ）各コーティング組成物の波長帯域における放射集光度を決定するステップと、（ｄ）全てのバインダーに対する顔料の最大の荷重配分比と、樹脂キャリアバインダーの最大量とを有し、当該波長帯域における最小集光度を示す、ステップ（ｂ）のコーティング組成物を特定するステップと、（ｅ）着色コーティング組成物の準備に使用するために、ステップ（ｄ）において特定されたコーティング組成物から染料を選択するステップとを備える。
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【課題】所定の波長光で励起されて発光する蛍光体、該蛍光体を含み、ＬＥＤチップを包囲する包囲部を備えており、良好な発光効率及び発光光度を有する発光ダイオードを提供する。
【解決手段】ＬＥＤランプは、リードフレーム１，３と、リードフレーム１の凹部１ａに接着固定されたＬＥＤチップ２と、蛍光体５〜３０重量％とシリコーン樹脂９５〜７０重量％との混合物が凸状に充填され、ＬＥＤチップ２を封止するＬＥＤチップ封止部５と、エポキシ樹脂製のモールド部６とを備える。蛍光体は、ＣａＳ、Ｇａ₂ Ｓ₃ 、ＥｕＳを、モル比が１−ｘ：ａ：ｘとなるように秤量して（但し、０．００１≦ｘ≦０．２、１．２≦ａ≦５とする）混合し、得られた混合物を石英ガラス管に封入し、焼結してなる。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオードが設置される電光板の厚さと重さを最小化しながら、塗布されたシリコーンの表面張力によるチップ発光ダイオードの照射面を一部分隠して陰影を作ることを防止し、及び明るさを阻害することを防止した発光ダイオードを提供する。
【解決手段】チップ発光ダイオードが設置されている台を印刷回路基板の前面に密着させて実装し、同時にこの台に胴体が円筒で先端が半球型の形状である透明キャップを設置して、内部のチップ発光ダイオードを保護するようにする。併せて、台の上に設置されている室外用発光ダイオードの両リード線を台の外側に折って露出されるように形成して、この露出したリード線の両末端に印刷回路基板の前面と直接密着されて実装される接合部を形成するようにする。 （もっと読む）

【課題】異方性の配光を容易に得ることができ、高出力化に極めて好適な発光装置を低コストで提供すること。
【解決手段】少なくとも２つ以上の酸化物相が連続的にかつ三次元的に相互に絡み合った組織を有し、該酸化物相のうち少なくとも１つは蛍光を発する結晶相である凝固体からなる光変換用セラミックス複合体と発光素子からなる発光装置において、前記光変換用セラミックス複合体の光出射面において表面テクスチャーが異なる部位を含み、表面テクスチャーが異なる部位における発光素子からの光出射率が２％以上異なることを特徴とする発光装置。 （もっと読む）

【課題】高い冷却効率のＬＥＤのパッケージング方法とその構造を提供する。
【解決手段】高熱伝導効率ＬＥＤおよびその構造のパッケージング方法は、第１に、複数のくぼみを有する銅サブストレートを提供する。絶縁層は、サブストレートの表面およびくぼみの底に形成される。一方、一組の金属回路がサブストレートの絶縁層上に形成され、また、絶縁ラッカーの層は、電気的な接続およびケースのない、金属回路の表面に塗布する。スズの層は、絶縁ラッカーのないくぼみおよび金属回路の絶縁層上に塗布されている。さらにまた、一組の発光チップは、くぼみのスズの層上でダイボンドされる。次に、発光チップおよび金属回路は、一組の金線で電気的に接続されている。さらに、発光チップセット、金線および金属回路がその中に封入されるように、環状体がサブストレートの表面に配置される。 （もっと読む）

【課題】発光ピーク波長が比較的短く、半値幅が狭く、且つ、輝度の高い、高特性な緑色の蛍光を発する蛍光体を提供する。
【解決手段】下記式で表わされる化学組成を有するようにする。
（Ｍ^I(_1-x)Ｍ^II_x）_αＳｉＯ_β
（Ｍ^Iは、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｚｎ及びＭｇからなる群より選ばれる、少なくともＢａ及びＳｒを含む２種以上の元素を表わす。Ｍ^I全体に対するＢａ及びＳｒのモル比をそれぞれ［Ｂａ］及び［Ｓｒ］とした場合、［Ｂａ］／［Ｓｒ］で表わされる値が８．５≦［Ｂａ］／［Ｓｒ］≦１００の範囲である。Ｍ^IIは、２価及び３価の原子価を取り得る１種以上の金属元素を表わす。ｘ、α及びβは０．０４≦ｘ＜０．３、１．５≦α≦２．５、及び、３．５≦β≦４．５を満たす数を表わす。） （もっと読む）

【課題】発光ダイオードを改良し、特に、高エネルギー、高周波数、可視スペクトルの短い波長の部分を発し、かつ、蛍光体と共に使用され、白色光を生成する発光ダイオードの改良をすること。
【解決手段】発光ダイオードであって、透明な炭化珪素基板と、該炭化珪素基板上にＩＩＩ族の窒化物材料系から形成される活性構造と、該ダイオードの上側のそれぞれのオーム接触とを備えており、該炭化珪素基板は、該炭化珪素と該ＩＩＩ族の窒化物との間のインタフェースに対して斜角を付けられている、発光ダイオード。 （もっと読む）

【課題】車載用風量表示装置の表示領域を合理的に縮小（小形化）しつつ、同時にこの車載用風量表示装置に関する拡張性、視認性、及び耐久性を向上させること。
【解決手段】風量表示部に用いられる４つの発光セグメント１００Ａ〜Ｄの輪郭形状は、回転するファン（発光表示パターン）の羽根の形状であり、それらは合同で、１つの回転対称点Ｐ₀ を中心とした９０°の回転対称形に配列される。ｎ側リード電極１１１Ａは、１つのスイッチ（トランジスタ）を介して直流電源の負電極に接続されており、４つの各発光セグメント毎に１つずつ用意されたこのスイッチによって、各発光セグメントの点灯／消灯がそれぞれ独立に制御される。また、発光セグメント１００Ａは、ｐ側リード電極１１２を合計６個有し、その各電位は６つのスイッチによって互いに独立に制御することができる。ファンの回転速度と発光色はこれらのスイッチで制御することができる。 （もっと読む）

【課題】従来の蛍光体よりもさらに高い輝度を示し、化学的安定性、温度特性並びに発光スペクトルの半値巾が広い、黄色に発光するシリコン酸窒化物蛍光体および製造方法ならびにそれを用いた発光装置を提供する。
【解決手段】一般式Ｍ_ａＡ_ｂＢ_ｃＯ_ｄＮ_ｅで表される蛍光体であって（Ｍ元素は付活剤であり、Ａ元素はＩＩ価の価数をとる元素であり、Ｂ元素はＩＶ価の価数をとる元素であり、Ｏは酸素であり、Ｎは窒素である。）、
０．００００１≦ａ≦０．０５・・・（１）
０．０８≦ａ＋ｂ≦０．１９・・・（２）
０．２８≦ｃ≦０．３６・・・（３）
０．０８≦ｄ≦０．１９・・・（４）
０．３６≦ｅ≦０．４８・・・（５）
ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１・・・（６）
であることを特徴とする。 （もっと読む）

成長基板と、成長基板の第１の表面上の実質的に透過性のオーム接触と、成長基板の第２の表面上のＩＩＩ族窒化物発光活性領域と、活性領域内で発生する光を伝送する活性領域上のｐ型ＩＩＩ族窒化物接触層と、ｐ型接触層上の実質的に透過性のオーム接触とを含む、発光ダイオードが開示される。別の側面では、本発明は、成長基板と、成長基板上のそれぞれのｐ型およびｎ型エピタキシャル層とを含み、エピタキシャル層は、成長基板の屈折率以下の屈折率を有する、発光ダイオードである。透過性オーム接触は、成長基板と反対側にあるエピタキシャル層上にある。
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