【解決手段】 処理流体を半導体処理ツールに供給するための、改良された大量流体分配システム。交番圧力容器エンジンを有する改良されたシステムは、分注している容器内の流体の重量が変化することから生じる水頭損失に起因する大量流体供給配管内の圧力変動を実質的に無くする。本システムは、流体供給配管内の流体の流れの状態を柔軟に制御できるようにする。 （もっと読む）

【課題】 基板処理時における基板の破損を防止し、基板の飛散を防止することができる基板処理装置および基板飛散防止方法を提供する。
【解決手段】 回転処理部５ａ〜５ｄは、基板Ｗを水平に保持するとともに基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック１１を備える。スピンチャック１１は、モータＭのシャフト１２により水平に固定されている。基板Ｗは、洗浄処理および乾燥処理を行う場合に、スピンチャック１１により水平に保持された状態で回転される。ケーシングＫの外壁に振動検出センサ１０が取り付けられている。振動検出センサ１０は基板Ｗの回転時に発生するケーシングＫの振動を測定する。振動検出センサ１０は制御部４に接続されており、ケーシングＫの振動に関するデータを制御部４へ出力する。制御部４は、ケーシングＫの振動に関するデータに基づいてモータＭの動作を制御する。 （もっと読む）

【課題】 簡易な構造と方法とで測定精度をより向上させることのできる基板処理装置と基板処理方法とを提供しようとする。
【解決手段】
従来の本発明に係る基板を検査するために基板に液滴を付着させて移動させる基板処理装置にかわって、基板の面に付着した液滴に上方から接することをできる接触部を持つ保持治具と、保持治具を基板の面の上で相対移動させることをできる移動機構と、上下方向に長尺な部材であり下部開口から上部開口に向かって拡がる断面を持った空間を設けられたノズルと上部開口に連通される吐出口を持つシリンダとピストンとを有する液滴取り扱い機構と、を備え、移動機構が基板の面に付着した液滴に接触部を上側から接した保持治具を基板の面に沿って移動させた後で、移動機構が保持治具を所定の位置で上方へ移動させてから、中空空間を空にしたノズルの下部開口を所定の位置の面の近傍に位置させてピストンを直動させる、ものとした。 （もっと読む）

【課題】６５ｎｍまたはそれよりも小さい線幅で素子を製造するのに適しており、（殊にエッジ領域における）平坦性およびナノトポグラフィを向上させた半導体ウェハを提供する。
【解決手段】半導体ウェハの特性を表すパラメータを位置に依存して測定し、位置に依存するこれらのパラメータの値を、半導体ウェハの面全体にわたり求めるステップａ）と、半導体ウェハの面全体を、エッチング媒体を作用させると同時に半導体ウェハの面全体を照射しながらエッチング処理するステップｂ）が設けられている。その際、エッチング処理の除去率を半導体ウェハの面における光強度に依存させ、ステップａ）において測定された位置に依存するパラメータの値における差異が位置に依存する除去率により低減されるよう、光強度を位置に依存して設定する。 （もっと読む）

本発明は、半導体被処理物を処理するのに用いるシステムを提供する。新規な装置および方法により、より薄くしかも同時に強いままである被処理物の製造が可能となる。特に、本体部と、当該本体部に着脱可能に装着される保持器と、封止部材とを含むチャックが提供される。被処理物がチャック本体部の上に置かれ、保持器が本体部に係合したときに、被処理物の裏面の周辺部が保持器に覆われ、一方、被処理物の裏面の内側領域が露出する。その後、被処理物の露出する裏面にウェット化学エッチング処理が施されることにより、被処理物が薄肉化され、被処理物の周辺部に半導体材料からなる相対的に厚い縁部が形成される。厚い縁部、ないし、たが部によって、それなしでは壊れ易い薄肉化半導体被処理物に、強度が付与される。本発明は、単一の被処理物の薄肉化技術、あるいは、１束の被処理物をまとめて薄肉化する技術を提供する。
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【課題】少なくとも一の基板の表面を微細構造化するための装置を提供する。
【解決手段】本装置は少なくとも、基板が一の部材から他の部材に搬送されるときに支持体が変化しないように各部材内又は各部材に対して基板を維持するように構成された基板支持手段(15)を好ましくは含む基板(S)保持用手段(6)と、感光性樹脂層を基板に塗布する部材と、樹脂層を硬化及び／又は乾燥させる手段と、レーザ光を用いて既定のプログラムに基づいて基板上の樹脂層を自動的に露光する部材(20)と、露光済みの樹脂層部分又は未露光の樹脂層部分を除去する現像用部材と、基板を化学エッチングする部材と、基板を洗浄する部材と、制御部(7)と、を備えた支持枠体(2)を有することを特徴とする表面微細構造化装置に関する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、ＳｉＣ基板を高速に加工する方法を提供することである。
【解決手段】 本発明によるＳｉＣ基板１０のエッチング方法は、ＳｉＣ基板１０に、該基板の表面の一部を露出させ一部を被覆するマスク層１４を形成するマスク工程と、露出した基板表面を含むエッチング領域１６の組成を、炭化珪素ＳｉＣからグラファイトＣに変化させる変質工程と、変質したエッチング領域１６を除去する除去工程とを有する。 （もっと読む）

本発明によるウェーハ処理装置のための送出ヘッドは、入口(60)、出口(50)、ドレイン(56)及び貫通通路(42)を有する。貫通通路(42)は、入口(60)、出口(50)及びドレイン(56)を相互に接続する。入口(60)は、貫通通路(42)の底部よりも第１の高さ(62)上方にあり、出口(50)は、底部よりも第２の高さ(52)上方にあり、ドレイン(56)は、底部よりも第３の高さ(58)上方にある。第１のバルブ(66)が入口(60)に接続され、第２のバルブ(68)がドレイン(56)に接続される。第１のバルブ(66)が開き且つ第２のバルブ(68)が閉じているとき、流体が入口(60)に流入し、出口(50)から流出する。第２のバルブ(68)が開き且つ第１のバルブ(66)が閉じているとき、貫通通路(42)からの流体がドレイン(56)から流出する。ポンプ(70)がドレイン(56)に接続されるのが良い。
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半導体ウェハ処理および分析装置（２０）は、半導体ウェハ（２７）をその中に緊密に受容するための処理用マイクロチャンバ（２２）を含む。チャンバは、半導体ウェハを装填しかつ取り出すために開き、次いで、化学試薬および他の流体がチャンバ内に導入されると、ウェハを処理するために閉じることができる。ウェハの上面、下面、および周縁と処理チャンバの対応する部分との間に、小さい隙間が設けられる。使用済み試薬および流体を回収し、オンラインまたはオフラインのいずれかの分析のためまたは排液処理のために、チャンバから取り出すための高速回収システムが設けられる。
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【課題】薬液よる基板の薬液処理後、純水処理時における基板表面へのパーティクルの転写を抑制する。
【解決手段】ウエハＷに洗浄処理を行う基板処理方法において、フッ酸（ＨＦ）等の薬液を貯溜した第１処理槽１１にウエハＷを浸漬させつつ薬液によりウエハＷに薬液処理を行う薬液処理工程と、塩酸（ＨＣｌ）を含む液体を第２処理槽２１へ供給し、第２処理槽２１を塩酸を含む液体により洗浄する処理槽洗浄工程と、第２処理槽２１へ純水（Ｈ_２Ｏ）を供給し、薬液処理工程で薬液処理されたウエハＷを第２処理槽２１に貯溜された純水に浸漬させつつ純水によりウエハＷに純水処理を行う純水処理工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 各種レシピに対応した洗浄槽の配列構成が可能で、汎用性に富むとともに、スループットにも優れる基板洗浄技術を提供する。
【解決手段】 基板洗浄部Ｂは、複数種類の薬液で洗浄処理可能な多機能洗浄槽３（３ａ、３ｂ）と、専用の薬液で洗浄処理可能な単機能洗浄槽４（４ａ、４ｂ）とを組み合わせてなる洗浄槽列１（１ａ、１ｂ）が２組設けられてなり、各種レシピに対応した洗浄槽の配列構成が可能で、スループットにも優れる。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板を分割するために切削溝を形成した際のダイシングダメージを確実に除去することができる半導体基板のエッチング方法及びエッチング装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 複数の半導体素子が形成された半導体基板におけるダイシングラインに切削溝を形成した後、該切削溝の内壁に荷重条件下で半導体のエッチング溶液を接触させて、前記切削溝の内壁又はその近傍に形成された欠陥領域を除去する半導体基板のエッチング方法及び複数の半導体素子が形成され、ダイシングラインに切削溝が形成された半導体基板をエッチング溶液中又は空気中の所定位置に保持するための半導体基板の保持手段と、前記切削溝の内壁に荷重条件下で半導体のエッチング溶液を接触させるためのエッチング溶液に対する荷重手段とからなる半導体基板のエッチング装置。 （もっと読む）