【課題】基板の表面及び内部の転位を検出できる基板の評価方法を提供する。
【解決手段】単結晶基板上１０に形成された成長層（エピ層）１２の表面をアルカリエッチングし、前記成長層の表面に第１のエッチピットを形成する工程と、異方性ドライエッチングにより前記成長層の一部又は全部を除去し、表出した観察面に第１のエッチピット１４を転写する工程と、前記観察面をアルカリエッチングし、第２のエッチピット１６を形成する工程と、を備え、前記観察面に形成された第１のエッチピット１４と第２のエッチピット１６とにより、基板１０の表面及び内部に存在する転位を検出する基板１０の評価方法である。 （もっと読む）

【解決手段】 本発明は、材料表面の湿式化学処理に関する。本発明は特に、プリント回路板技術における処理を加速させる構造に関する。本発明の方法によると、処理流体のパルス型吹付け噴流が生成され、被処理材料へ誘導される。これにより、被処理構造の表面への著しい衝撃作用を発生させ、必要な処理時間が大幅に短縮される。パルスとパルスとの間の一時中止時間中は、構造の溝からの処理流体の流出が圧力を受けず、加速されるため、構造の側面または回路板の導体の湿式化学処理量は先行技術と比べて少なくなる。化学エッチングの場合、結果としてアンダーカットが少なくなる。
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【課題】レジスト膜等の保護膜を使用することなく、また、基板の形状に関わらず、基板の一方の面のみに選択的に処理液を供給することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、エッチング液の液面に沿って配列された複数の搬送ローラ１５により基板９を搬送する。各搬送ローラ１５の外周部１５ｂは、スポンジ材料により構成されているため、各搬送ローラ１５はエッチング液を吸収して保持し、基板９の下面に供給する。このため、基板９の上面にレジスト膜を形成することなく、基板９の下面のみに選択的にエッチング液を供給することができる。また、基板９の形状にかかわらず、基板９の下面のみに選択的にエッチング液を供給することができる。 （もっと読む）

【課題】リセス量の制御が容易で，かつリセス時にダメージを受けにくい半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置が，半導体基板上に配置され，開口を有し，かつＳｉおよびＧｅを含む層と，この開口に対応して配置されるゲートとを有する。 （もっと読む）

ディスク状物品を回転させる過程と、回転時にディスク状物品に液体を付与する過程と、回転時にディスク状物品から振り払われる液体を集める過程と、回転時にディスク状物品に平行に配置されてディスク状物品に面するプレートを提供する過程と、そしてプレートに平行に、プレートを横切るようガスを導く過程と、を具備する、ディスク状物品の液体処理用の装置と方法がここに開示される。
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【課題】
異方性ウエットエッチングしてエッチング難易面を形成することにより結晶方位精度の高いウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】
本発明によるウエハの製造方法は、オリフラを機械的にカットしたインゴット又はスライスしたウエハのオリフラ端面のみをウエハの材質及び使用したいオリフラ方位に適した異方性エッチング液でウエットエッチングを行うことにより、オリフラの結晶方位精度を高くすることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】ケミカルの汚染を防止すると同時に、火災の危険のない、薬液槽内に加熱部を備える基板湿式処理装置及び該装置を使用した基板処理用ケミカルの加熱方法を提供する。
【解決手段】基板湿式洗浄装置１００は、基板処理用ケミカルが収容される内部薬液槽１０１と外部薬液槽１０２からなる薬液槽と、内部薬液槽１０１内に設置され、加熱体１５５及び該加熱体１５５を収容するハウジング１５０を備える加熱部と、ハウジング１５０内に充填された不活性ガスとを備える。 （もっと読む）

【課題】
特定の素子に最適な性能を提供する、異なる表面配向（すなわちハイブリッド表面配向）を有する半導体基板を提供すること。
【解決手段】
本発明は、少なくとも第１および第２の素子領域を備える半導体基板に関し、第１の素子領域は等価結晶面の第１のセットに沿って配向された内部表面を有する第１の凹部を備え、第２の素子領域は等価結晶面の第２の異なるセットに沿って配向された内部表面を有する第２の凹部を備える。半導体素子構造は、こうした半導体基板を使用して形成することができる。具体的に言えば、少なくとも１つのｎチャネル電界効果トランジスタ（ｎ−ＦＥＴ）を、第１の凹部の内部表面に沿って延在するチャネルを備えた、第１の素子領域に形成することが可能である。少なくとも１つのｐチャネル電界効果トランジスタ（ｐ−ＦＥＴ）を、第２の凹部の内部表面に沿って延在するチャネルを備えた、第２の素子領域に形成することが可能である。 （もっと読む）

【課題】 被加工物の表面が目的のプロファイルになるように該表面をエッチングする表面加工方法を提供する。
【解決手段】 まず、被加工物１の表面の加工前のプロファイルを測定する。次に、複数のノズル（供給手段）１２からこの表面に向けて所定の流量でエッチング液を供給しつつ、これらノズル１２の集合体１１をこの表面に沿って移動させる。その際、各ノズル１２から供給されるエッチング液の温度及びノズル集合体１１の移動速度を、被加工物表面上の各位置において目的プロファイルと加工前プロファイルの差から求めた加工深さにより定まる値になるように制御する。これにより、被加工物の表面を目的のプロファイルにすることができる。 （もっと読む）

【課題】 エッチング溶液の再利用が可能であり、また、不純物の混入による加工表面の汚染を抑制できる、新たな基板表面の加工方法を提供する。
【解決手段】 陰イオン交換物質および陽イオン交換物質の少なくとも一方を含む超純水液に基板に接触させて、前記基板表面を加工する。基板の加工は、前記超純水液に前記基板を接触させ、無電界で行ってもよいし、電界を印加して行ってもよい。前記陰イオン交換物質の具体例としては、ポリ-エチレン-ポリ-アミン、陽イオン交換物質の具体例としては、ポリ-スチレン-スルホン酸がそれぞれあげられる。 （もっと読む）

【課題】従来と比べて処理効率を向上させることができる半導体基板処理装置を提供する
。
【解決手段】本発明に係る半導体基板処理装置は、半導体基板１の下面の縁を支持するこ
とにより、半導体基板１の下に空間１０ｂが生じた状態で半導体基板１を保持する基板保
持部１０，１２と、空間１０ｂに配置され、半導体基板１を下から加熱する加熱部２０と
、基板保持部１０が保持している半導体基板１の上面に、昇温された薬液を供給する薬液
供給部４０とを具備する。基板保持部１０の下面に取り付けられた中空の回転軸１４と、
回転軸１４を回転させるモータ１６とを具備してもよい。そして、基板保持部１０は、上
下に貫通していて空間１０ｂと回転軸１４の中空部分１４ａを繋げる孔１０ａを設け、回
転軸１４の中空部分１４ａ及び孔１０ａの内部に、加熱部２０を基板保持部１０から離間
した状態で支持する支持軸３０を配置してもよい。 （もっと読む）

【課題】パッケージ基台のサイズを縮小することを可能とした圧電デバイスユニット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】圧電デバイスユニット１には、半導体ウエハをウエットエッチングにより形成されたパッケージ基台２上にパッケージ蓋部４が接合され、パッケージ基台２内部に形成された中空部に圧電振動子３が配置されている。そして、接続端子９、１０とパッケージ基台２外部の外部電極とは、ドライエッチングにより形成された貫通孔１３、１４を介して電気的に接続している。この構造により、貫通孔１３、１４の開口領域を狭くでき、パッケージ基台２の強度を維持しつつ、パッケージ基台２のサイズを縮小し、更に、圧電デバイスユニット１のサイズを縮小できる。 （もっと読む）

【課題】複数の基板処理装置を用いることなく、同一基板処理装置で複数種の被処理基板を逆汚染無く処理でき、又処理液に応じたローラー溝を使用することにより処理液の回収効率を向上させる基板処理装置及び基板処理方法を提供すること。
【解決手段】円板状の被処理基板Ｗの周縁部をチャックする平面上に配置された３個以上のローラー部材１１と、少なくとも１以上の前記ローラー部材を回転させるローラー回転駆動機構１２と、被処理基板Ｗの表面及び／又は裏面に処理液を供給する基板面処理ノズル１６等を具備する基板処理装置において、ローラー部材１１に被処理基板Ｗの周縁部が係合するローラー溝１１ａを上下方向に複数個所定のピッチで設けるか又は該ローラー溝１１ａを有するローラー部材１１を上下方向に複数個所定のピッチで設け、各溝を洗浄する洗浄ノズル１７と該各溝内に付着した液を吸引する吸引ノズル１８を設けた。 （もっと読む）

（ａ）選択された１種以上のフッ素化物類と（ｂ）選択された１種以上の有機試薬とを混合することによって得られる反応生成物（未反応構成成分を包含するもの）から本質的に成る組成物であって、その場でのフッ化物イオン類の発生を提供する、前記組成物。更には、かかる組成物を形成するためのキット類、およびかかる組成物の使用方法。 （もっと読む）

【課題】波長範囲が広く高吸収率のアンチリフレクション層を具え、且つ、簡単なステップであることを特徴とするアンチリフレクション層を具える基板の製造方法を提案する。
【解決手段】本発明のアンチリフレクション層を具える基板の製造方法は、(a) 基板を提供し、(b) 基板上にアモルファスシリコンを堆積させ、(c) エッチング液でアモルファスシリコン層及び基板をエッチングし、且つアモルファスシリコン層をエッチング液により除去することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ウエハの端面を構造的に保護することにより、基盤に対するウエハ剥がれ等の処理不良を防止することができるウエハ端縁保護装置及びウエハ処理装置を提供する。
【解決手段】二枚のウエハＷ及びＯリング２１，２３を挟んで積層された第１の保護部材５及び第２の保護部材７と円板状部材３の外周部を第１挟持片２９と第２挟持片３１で挟持すると、第１の保護部材５と第２の保護部材７とが積層される。第１係止機構３５と第２係止機構３７で第１挟持片２９と第２挟持片３１を固定することにより、第１の保護部材５及び第２の保護部材７並びに円板状部材３を確実に挟持できる。挟持機構９により挟持するという簡単な動作でウエハ端面保護装置１を二枚のウエハＷに取り付けることができ、効率的に処理できる。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に微細な凹部があっても、その表面全体を確実に処理することができるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】基板を処理液によって処理する処理装置であって、
基板を処理液によって処理するチャンバと、チャンバ内に搬入されて処理される基板の温度を、上記チャンバ内の温度よりも低くするペルチェ素子１３を具備する。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板の金属不純物の汚染を抑制し得る半導体基板表面処理剤及び半導体基板表面の処理方法、特に、半導体基板のエッチング剤及びエッチング方法を提供すること。
【解決手段】 （１）アミノポリカルボン酸系キレート剤又はその無機塩と20％（W/W）以上のアルカリ金属水酸化物を含んでなる半導体基板表面処理剤、（２）アミノポリカルボン酸系キレート剤又はその無機塩と20％（W/W）以上のアルカリ金属水酸化物を含んでなる半導体基板のエッチング剤、（３）半導体基板を上記（１）に記載の処理剤で処理することを特徴とする半導体基板表面の処理方法、及び（４）半導体基板を上記（２）に記載のエッチング剤でエッチングすることを特徴とする半導体基板のエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】 排液による大気への連通を抑制することにより、減圧乾燥の効率を向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 処理液供給部１６から処理槽１に処理液を供給し、昇降ユニット７を処理槽１内に移動して基板Ｗを処理液に浸漬させる。その後、昇降ユニット７を処理槽１内から空間ＳＰへ移動して減圧部３１による減圧を行っても、外槽５の排出配管６７には密閉容器６９が設けてあるので、排出配管６７の下流から乾燥位置に気体が流入することが抑制される。したがって、十分に空間ＳＰ内を減圧することができ、減圧乾燥の効率を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】フッ酸を含む処理液を基板の表面へ供給して基板の表面の処理を行わさせた後において、基板の処理に伴う生成物の基板の表面への付着を抑制する。
【解決手段】ウエハＷを保持する保持部材１１３と、スピンベース１１２を回転させる駆動モータ１１０と、ウエハＷの表面にフッ酸を含む第１処理液を供給し、かつウエハＷの表面に純水及び酸を含む第２処理液を供給する処理液供給ノズル１３０と、硫酸過水洗浄あるいはオゾン水洗浄あるいはＲＣＡ洗浄による薬液処理が行われ保持部材１１３に保持されたウエハＷを回転させた状態で処理液供給ノズル１３０によりウエハＷの表面へ第１処理液を供給してウエハの表面の処理を行わせ、所定の時間ウエハＷを回転させるだけの状態にし、その後ウエハＷを回転させた状態で処理液供給ノズル１３０によりウエハＷの表面へ第２処理液を供給してウエハＷの表面の処理を行わせる制御部１５０と、を備える。 （もっと読む）