基板処理方法
【課題】薬液よる基板の薬液処理後、純水処理時における基板表面へのパーティクルの転写を抑制する。
【解決手段】ウエハＷに洗浄処理を行う基板処理方法において、フッ酸（ＨＦ）等の薬液を貯溜した第１処理槽１１にウエハＷを浸漬させつつ薬液によりウエハＷに薬液処理を行う薬液処理工程と、塩酸（ＨＣｌ）を含む液体を第２処理槽２１へ供給し、第２処理槽２１を塩酸を含む液体により洗浄する処理槽洗浄工程と、第２処理槽２１へ純水（Ｈ２Ｏ）を供給し、薬液処理工程で薬液処理されたウエハＷを第２処理槽２１に貯溜された純水に浸漬させつつ純水によりウエハＷに純水処理を行う純水処理工程と、を有する。
【解決手段】ウエハＷに洗浄処理を行う基板処理方法において、フッ酸（ＨＦ）等の薬液を貯溜した第１処理槽１１にウエハＷを浸漬させつつ薬液によりウエハＷに薬液処理を行う薬液処理工程と、塩酸（ＨＣｌ）を含む液体を第２処理槽２１へ供給し、第２処理槽２１を塩酸を含む液体により洗浄する処理槽洗浄工程と、第２処理槽２１へ純水（Ｈ２Ｏ）を供給し、薬液処理工程で薬液処理されたウエハＷを第２処理槽２１に貯溜された純水に浸漬させつつ純水によりウエハＷに純水処理を行う純水処理工程と、を有する。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、液晶表示用ガラス基板等の基板を薬液、純水等の処理液に浸漬させて基板に洗浄処理、エッチング処理等の所定の処理を行う基板処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ等の半導体デバイスの製造工程における洗浄処理を例にとると、従来から半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」とする。）表面に付着されたパーティクル、有機物汚染、金属不純物等のコンタミネーションを除去するためには、基板洗浄装置が用いられており、その中でもウエット洗浄装置は、上述したコンターミネーションを効果的に除去でき、しかも複数の基板を一括して処理するバッチ処理が可能でスループットも良好であるため、かかる洗浄装置は幅広く普及している。
【０００３】図３は、従来の基板処理方法を実施するための基板処理装置を示す概略構成図である。この基板処理装置は、大きくわけて、ウエハに対して薬液処理を行うための第１処理部１００と、ウエハに対して純水処理、及び乾燥処理を行うための第２処理部２００とを備えている。
【０００４】第１処理部１００は、フッ酸（ＨＦ）等の薬液により複数のウエハＷに対して洗浄処理を行うための第１処理槽１０１を備えており、この第１処理槽１０１の上面の外周には、第１処理槽１０１の上面から溢れ出たフッ酸を回収するための外槽１０２が形成されている。また、この第１処理槽１０１は、フッ酸用供給配管１０３を介してフッ酸供給源１０４と連通接続されている。フッ酸用供給配管１０３の途中には、開閉弁１０５が設けられており、後述する制御部３００からの指令にしたがって開閉弁１０５を「開」の状態にすることにより、フッ酸供給源１０４から供給配管１０３を介して第１処理槽１０１へフッ酸が供給される。なお、図３には示していないが、このフッ酸（ＨＦ）には純水（Ｈ２Ｏ）が含まれている。
【０００５】第２処理部２００は、純水により複数のウエハＷに対して洗浄処理を行うための第２処理槽２０１を備えており、この第２処理槽２０１の上面の外周には、第２処理槽２０１の上面から溢れ出た純水を回収するための外槽２０２が形成されている。また、この第２処理槽２０１は、純水用供給配管２０３を介して純水供給源２０４と連通接続されている。純水用供給配管２０３の途中には、開閉弁２０５が設けられており、後述する制御部３００からの指令にしたがって開閉弁２０５を「開」の状態にすることにより、純水供給源２０４から純水用供給配管２０３を介して第２処理槽２０１へ純水が供給される。
【０００６】また、第２処理部２００においては、純水処理の終了したウエハＷを図３に示していないリフタ機構により第２処理槽２０１から引き上げた際に、ウエハＷを乾燥させるための乾燥機構２１０が設けられている。この乾燥機構２１０は、第２処理槽２０１から引き上げられたウエハＷにイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を供給するためのＩＰＡ供給ノズル２１１を備えている。
【０００７】このノズル２１１は、ＩＰＡ用供給配管２１２を介してＩＰＡ供給源２１３と連通接続されている。ＩＰＡ用供給配管２１２の途中には、開閉弁２１４が設けられており、開閉弁２１４を「開」の状態にすることにより、ＩＰＡ供給源２１３からＩＰＡ用供給配管２１２を介して第２処理槽２０１の上方にあるウエハＷへＩＰＡが供給される。
【０００８】なお、各開閉弁１０５，２０５，２１４は、制御部３００に電気的に接続されており、各開閉弁１０５，２０５，２１４の開閉制御は、制御部３００からの指令にしたがって行われている。
【０００９】上述した基板処理装置を用いた従来の基板処理方法は次のようにして行われる。
【００１０】まず、ウエハＷは、図３の矢印Ａ３に示すように、図示しない搬送機構により搬送されて第１処理槽１０１に貯溜されたフッ酸中へ浸漬され、ウエハＷに対して薬液による洗浄処理（薬液処理）が行われる。そして、薬液による洗浄処理が終了したウエハＷは、図３の矢印Ｂ３に示すように、図示しない搬送機構により、第１処理槽１０１のフッ酸内から第２処理槽２０１の純水内へ搬送されて、第２処理槽２０１の純水中へ浸漬され、ウエハＷに対する純水による洗浄処理（純水処理）が行われる。ウエハＷに対する純水による洗浄処理が終了すると、図３の矢印Ｃ３に示すように、図示しないリフタ機構によりウエハＷは純水から引き上げられ、それとともにＩＰＡ供給ノズル２１１からウエハＷへ供給されるＩＰＡにより、ウエハＷの乾燥処理が行われる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の基板処理方法によると、矢印Ｂ３に示すように、ウエハＷを搬送して、ウエハＷを第２処理槽２０１の純水中に浸漬する際に、ウエハＷが気液界面を通過時に、ウエハＷの表面にパーティクルが転写するという問題がある。特に、複数のウエハＷが酸化膜ウエハとベアウエハとが鏡面対向に配置されている場合に、かかるパーティクルの転写が顕著にあらわれる。
【００１２】本発明は、かかる事情を鑑みてなされたものであって、薬液よる基板の薬液処理後、純水処理時における基板表面へのパーティクルの転写を抑制する基板処理方法を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決するために、請求項1に記載の基板処理方法は、基板に所定の処理を行う基板処理方法において、薬液を貯溜した第１処理槽に基板を浸漬させつつ薬液により基板に薬液処理を行う薬液処理工程と、塩酸を含む液体を第２処理槽へ供給し、前記第２処理槽を塩酸を含む液体により洗浄する処理槽洗浄工程と、前記第２処理槽へ純水を供給し、前記薬液処理工程で薬液処理された基板を前記第２処理槽の純水に浸漬させつつ純水により基板に純水処理を行う純水処理工程と、を有することを特徴とするものである。
【００１４】なお、請求項１でいう「薬液処理」とは、薬液による基板の洗浄処理、またはエッチング処理が考えられ、「純水処理」とは、純水による基板の洗浄処理が考えられる。また、基板処理においては、複数の基板を一列の配列させて、第１処理槽、及び第２処理槽へ浸漬させるものが考えられる。
【００１５】また、請求項２に記載の基板処理方法は、請求項１に記載の基板処理方法において、前記処理槽洗浄工程の後に、前記第１処理槽の薬液内から前記第２処理槽の純水内へ基板を搬送する搬送工程をさらに有することを特徴とするものである。
【００１６】また、請求項３に記載の基板処理方法は、請求項１または請求項２に記載の基板処理方法において、前記処理槽洗浄工程が、前記第２処理槽に貯溜された塩酸（ＨＣｌ）を含む流体を前記第２処理槽から排出する工程を含むことを特徴とするものである。
【００１７】また、請求項４に記載の基板処理方法は、基板に所定の処理を行う基板処理方法において、塩酸を含む液体を処理槽へ供給し、前記処理槽を塩酸を含む液体により洗浄する処理槽洗浄工程と、塩酸を含む液体により洗浄された前記処理槽へ薬液を供給し、前記処理槽に貯溜された薬液に基板を浸漬させつつ薬液により基板に薬液処理を行う薬液処理工程と、前記処理槽へ純水を供給し、前記薬液処理工程で薬液処理された基板を前記処理槽に貯溜された純水に浸漬させつつ純水により基板に純水処理を行う純水処理工程と、を有することを特徴とするものである。
【００１８】なお、請求項４でいう「薬液処理」とは、薬液による基板の洗浄処理、またはエッチング処理が考えられ、「純水処理」とは、純水による基板の洗浄処理が考えられる。基板処理においては、複数の基板を一列の配列させて、処理槽へ浸漬させるものが考えられる。
【００１９】また、請求項５に記載の基板処理方法は、請求項４に記載の基板処理方法において、前記処理槽洗浄工程が、前記処理槽に貯溜された塩酸（ＨＣｌ）を含む流体を前記処理槽から排出する排出工程を含むことを特徴とするものである。
【００２０】また、請求項６に記載の基板処理方法は、請求項４または請求項５に記載の基板処理方法において、前記薬液処理工程が、前記処理槽に貯溜された薬液を前記処理槽から排出する排出工程を含むことを特徴とするものである。
【００２１】また、請求項７に記載の基板処理方法は、請求項１乃至請求項６に記載の基板処理方法において、前記薬液処理工程で使用される薬液が、フッ酸（ＨＦ）を含む薬液であることを特徴とするものである。
【００２２】さらに、請求項８に記載の基板処理方法は、請求項１乃至請求項７に記載の基板処理方法において、前記処理槽洗浄工程で使用される塩酸を含む液体が、塩酸過水（ＨＣｌ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ）であることを特徴とするものである。
【００２３】
【発明の実施の形態】＜第１の実施の形態＞以下、図面に基づいて本発明に係る基板処理方法の第１の実施の形態について説明する。図１は、第１の実施の形態の基板処理方法に用いる基板処理装置を示す概略構成図である。この基板処理装置は、基板の一種であるウエハＷの洗浄を行う洗浄装置である。そして、この基板処理装置は、大きくわけて、ウエハに対して薬液処理を行うための第１処理部１０と、ウエハに対して純水処理、及び乾燥処理を行うための第２処理部２０とを備えている。
【００２４】第１処理部１０は、複数のウエハＷに対してフッ酸（ＨＦ）等の薬液による洗浄処理（薬液処理）を行うための第１処理槽１１を備えており、第１処理槽１１にフッ酸を貯溜し、フッ酸にウエハＷが浸漬される。この第１処理槽１１の上面の外周には、第１処理槽１１の上面から溢れ出たフッ酸を回収するための外槽１２が形成されている。
【００２５】また、第１処理槽１１は、フッ酸用供給配管１３を介してフッ酸供給源１４と連通接続されている。フッ酸用供給配管１３の途中には、開閉弁１５が設けられており、後述する制御部４５からの指令にしたがって開閉弁１５を「開」の状態にすることにより、フッ酸供給源１４からフッ酸用供給配管１３を介して第１処理槽１１へフッ酸が供給される。なお、図３には示していないが、このフッ酸（ＨＦ）には純水（Ｈ２Ｏ）が含まれている。
【００２６】第２処理部２０は、複数のウエハＷに対して純水による洗浄処理（純水処理）を行うための第２処理槽２１を備えており、第２処理槽２１に純水を貯溜し、純水にウエハＷが浸漬される。この第２処理槽２１の上面の外周には、第２処理槽２１の上面から溢れ出た純水、塩酸、及び塩酸過水を回収するための外槽２２が形成されている。
【００２７】また、この第２処理槽２１は、供給配管３０を介して純水供給源３１と連通接続されている。供給配管３０の途中には、開閉弁３２が設けられており、後述する制御部４５からの指令にしたがって開閉弁３２を「開」の状態にすることにより、純水供給源３１から供給配管３０を介して第２処理槽２０へ純水が供給される。
【００２８】また、供給配管３０に対して過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）用供給配管３３を介して過酸化水素水供給源３４が連通接続されている。過酸化水素水用供給配管３３の途中には、開閉弁３５が設けられており、後述する制御部４５からの指令にしたがって開閉弁３５を「開」の状態にすることにより、過酸化水素水供給源３４から過酸化水素水用供給配管３３を介して供給配管３０へ過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）が供給される。
【００２９】さらに、供給配管３０に対して塩酸用供給配管３６を介して塩酸供給源３７が連通接続されている。塩酸用供給配管３６の途中には、開閉弁３８が設けられており、後述する制御部４５からの指令にしたがって開閉弁３８を「開」の状態にすることにより、塩酸供給源３７から塩酸用供給配管３６を介して供給配管３０へ塩酸（ＨＣＬ）が供給される。
【００３０】第２処理部２０においては、純水処理の終了したウエハＷを図示しないリフタ機構により、第２処理槽２１から引き上げた際に、ウエハＷを乾燥させるための乾燥機構４０が設けられている。この乾燥機構４０は、第２処理槽２１から引き上げられたウエハＷにイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を供給するためのＩＰＡ供給ノズル４１を備えている。このＩＰＡ供給ノズル４１は、ＩＰＡ用供給配管４２を介してＩＰＡ供給源４３と連通接続されている。ＩＰＡ用供給配管４２の途中には、開閉弁４４が設けられており、後述する制御部４５からの指令にしたがって開閉弁４４を「開」の状態にすることにより、ＩＰＡ供給源４３からＩＰＡ用供給配管４２を介して第２処理槽２１の上方にあるウエハＷへＩＰＡが供給され、ウエハＷの乾燥処理が行われる。
【００３１】なお、各開閉弁１５，３２，３５，３８，４４は、制御部４５に電気的に接続されており、各開閉弁１５，３２，３５，３８，４４の開閉制御は、制御部４５からの指令により行われている。
【００３２】次に、第１の実施の形態の基板処理方法について説明する。
【００３３】まず、複数枚（５０枚）のウエハＷを鏡面対向にした状態で図示しない搬送機構に保持しつつ、図１R>１の矢印Ａ１に示すように搬送機構により第１処理槽１１に貯溜されたフッ酸中へ浸漬させ、ウエハＷに対する薬液による洗浄処理（薬液処理）が行われる。なお、第１処理槽１１には、制御部４５からの指令にしたがって開閉弁１５を「開」の状態にして、予め第１処理槽１１にフッ酸を貯溜させておく。
【００３４】次に、第２処理部２０の第２処理槽２１においてウエハＷの処理を行う前に、第２処理槽２１を予め洗浄しておく。第２処理槽２１を洗浄する方法としては、以下の２つの方法がある。
【００３５】まず、第１の方法として、制御部４５からの指令にしたがって開閉弁３８、及び開閉弁３２を「開」の状態にして、供給配管３０において塩酸（ＨＣＬ）と純水（Ｈ２Ｏ）を混合させ、混合のより生成された液体（以下、単に「塩酸」とする）を第２処理槽２１に供給し、第２処理槽２１に一旦貯溜させる。なお、このとき開閉弁３２は「閉」の状態である。
【００３６】そして、開閉弁３２を「開」の状態にしたままで、制御部４５からの指令にしたがって開閉弁３８を「開」の状態から「閉」の状態へ切り換える。これにより、純水供給源３１から供給配管３０を介して第２処理槽２１へ純水が供給されると同時に、第２処理槽２１に貯溜されていた塩酸（ＨＣｌ）が第２処理槽２１の上面から溢れ出て外槽２２へ回収される。外槽２２へ回収された塩酸は、排出配管２３を介して外槽２３から排出される。
【００３７】第２の方法として、制御部４５からの指令にしたがって開閉弁３２、開閉弁３４、及び開閉弁３８を「開」の状態にして、供給配管３０において塩酸（ＨＣＬ）と過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）と純水を混合させて、塩酸過水（ＨＣｌ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ）を生成し、生成された塩酸過水を第２処理槽２１へ供給して、塩酸過水を一旦貯溜させる。
【００３８】そして、開閉弁３２を「開」の状態にしたままで、制御部４５からの指令にしたがって開閉弁３４及び開閉弁３８を「開」の状態から「閉」の状態へ切り換える。これにより、純水供給源３１から供給配管３０を介して第２処理槽２１に純水が供給されると同時に、第２処理槽２１に貯溜されていた塩酸過水が第２処理槽２１の上面から溢れ出て外槽２２へ回収され、第２処理槽２１内が塩酸過水から純水へ置換される。外槽２２へ回収された塩酸過水は、排出配管２３を介して外槽２２から排出される。
【００３９】上述した第１の方法、または第２の方法による第２処理槽２１の洗浄が終了すると、第２処理槽２１は、純水が貯溜された状態となっている。
【００４０】次に、第１処理槽１１においてフッ酸による洗浄処理（薬液処理）の終了した複数枚のウエハＷを図示しない搬送機構に保持し、図１の矢印Ｂ１に示すように、搬送機構により第１処理槽１１のフッ酸中から第２処理槽２１へ搬送し、第２処理槽２１に貯溜された純水中へ浸漬させ、ウエハＷに対する純水による洗浄処理（純水処理）が行われる。
【００４１】ウエハＷに対する純水処理が終了すると、図１の矢印Ｃ１に示すように、図示しないリフタ機構によりウエハＷは純水から引き上げられ、それとともに制御部４５からの指令にしたがって開閉弁４５を「開」の状態にして、ＩＰＡ供給ノズル４１からウエハＷに供給されるＩＰＡにより、ウエハＷの乾燥処理が行われる。以上により、第１の実施の形態の基板処理が終了する。
【００４２】＜第２の実施の形態＞以下、図面に基づいて本発明に係る基板処理方法の第２の実施の形態について説明する。図２は、第２の実施の形態の基板処理方法に用いる基板処理装置を示す概略構成図である。この基板処理装置は、基板の一種であるウエハＷの洗浄を行う洗浄装置である。そして、この基板処理装置は、ウエハＷに対して、薬液処理、純水処理、及び乾燥処理という一連の基板処理を行うための処理部５０を備えている。
【００４３】この処理部５０は、フッ酸（ＨＦ）等の薬液、及び純水（Ｈ２Ｏ）により複数のウエハＷに対して洗浄処理（薬液処理、及び純水処理）を行うための処理槽５１を備えている。この処理槽５１にフッ酸を貯溜し、フッ酸にウエハＷが浸漬され、あるいは、この処理槽５１に純水を貯溜し、純水にウエハＷが浸漬される。この処理槽５１の外周には、処理槽５１の上面から溢れ出たフッ酸、純水、塩酸（ＨＣｌ）、または塩酸過水（ＨＣｌ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ）を回収するための外槽５２が形成されている。
【００４４】この処理槽２１は、供給配管６０を介して純水供給源６１と連通接続されている。供給配管６０の途中には、開閉弁６２が設けられており、後述する制御部８５からの指令にしたがって開閉弁６２を「開」の状態にすることにより、純水供給源６１から供給配管６０を介して処理槽５０へ純水が供給される。
【００４５】また、供給配管６０に対してフッ酸用供給配管６３を介してフッ酸供給源６４が連通接続されている。フッ酸用供給配管６３の途中には、開閉弁６５が設けられており、後述する制御部８５からの指令にしたがって開閉弁６５を「開」の状態にすることにより、フッ酸供給源６５からフッ酸用供給配管６３を通して供給配管６０へフッ酸（ＨＦ）が供給される。
【００４６】また、供給配管３０に対して塩酸用供給配管６６を介して塩酸供給源６７が連通接続されている。塩酸用供給配管６６の途中には、開閉弁６８が設けられており、後述する制御部８５からの指令にしたがって開閉弁６８を「開」の状態にすることにより、塩酸供給源６７から塩酸用供給配管６６を通して供給配管３０へ塩酸（ＨＣＬ）が供給される。
【００４７】さらに、供給配管３０に対して過酸化水素水用供給配管６９を介して過酸化水素水供給源７０が連通接続されている。過酸化水素水用供給配管６９の途中には、開閉弁７１が設けられており、後述する制御部８５からの指令にしたがって開閉弁７１を「開」の状態にすることにより、過酸化水素水供給源７０から過酸化水素水用供給配管６９を介して供給配管３０へ過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）が供給される。
【００４８】処理部５０においては、純水処理の終了したウエハＷを図示しないリフタ機構により処理槽５１から引き上げた際に、ウエハＷを乾燥させるための乾燥機構８０が設けられている。この乾燥機構８０は、処理槽５１から引き上げられたウエハＷにイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を供給するためのＩＰＡ供給ノズル８１を備えている。このＩＰＡ供給ノズル８１は、ＩＰＡ用供給配管８２を介してＩＰＡ供給源８３と連通接続されている。ＩＰＡ用供給配管８２の途中には、開閉弁８４が設けられており、後述する制御部８５からの指令にしたがって開閉弁８４を「開」の状態にすることにより、ＩＰＡ供給源８３からＩＰＡ用供給配管８２を介して処理槽５１の上方にあるウエハＷへＩＰＡが供給される。
【００４９】なお、各開閉弁６２，６５，６８，７１，８４は、制御部８５に電気的に接続されており、各開閉弁６２，６５，６８，７１，８４の開閉制御は、制御部８５からの指令により行われている。
【００５０】次に、第２の実施の形態の基板処理方法について説明する。
【００５１】まず、処理槽５１においてウエハＷの洗浄を行う前に、処理槽５１を予め洗浄しておく。処理槽５１を洗浄する方法としては、以下の２つの方法がある。
【００５２】まず、第１の方法として、制御部８５からの指令にしたがって開閉弁６２、及び開閉弁６８を「開」状態にして、供給配管６０において塩酸（ＨＣＬ）と純水（Ｈ２Ｏ）を混合させ、混合により生成された液体（以下、単に「塩酸」とする）を処理槽５１へ供給させ、塩酸を処理槽５１に一旦貯溜させる。なお、このとき開閉弁６５、及び開閉弁７１は「閉」の状態である。
【００５３】そして、開閉弁６２を「開」の状態にしつつ、制御部４５からの指令にしたがって開閉弁６８を「開」の状態から「閉」の状態へ切り換えるとともに、制御部４５からの指令にしたがって開閉弁６５を「閉」の状態から「開」の状態へ切り換える。これにより、フッ酸供給源６４からフッ酸用供給配管６６、及び供給配管６０を介して処理槽５１にフッ酸（純水も含んでいる）が供給されると同時に、処理槽５１に貯溜されていた塩酸が処理槽５１の上面から溢れ出て外槽５２へ回収される。外槽５２へ回収された塩酸は、排出配管５３を介して外槽５２から排出される。
【００５４】第２の方法として、制御部８５からの指令に基づいて開閉弁６２、開閉弁６８、及び開閉弁７１を「開」の状態にして、供給配管６０において塩酸（ＨＣＬ）とと過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）と純水（Ｈ２Ｏ）を混合させて、塩酸過水（ＨＣｌ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ）を生成し、生成された塩酸過水を第２処理槽２１へ供給して、塩酸過水を一旦貯溜させる。なお、このとき開閉弁６５は、「閉」の状態である。
【００５５】そして、開閉弁６２を「開」の状態にしつつ、制御部８５からの指令にしたがって開閉弁６８及び開閉弁７１を「開」の状態から「閉」の状態へ切り換えるとともに、制御部８５からの指令にしたがって開閉弁６５を「閉」の状態から「開」の状態へ切り換える。これにより、フッ酸供給源６４から供給配管３０を介して処理槽５１にフッ酸（純水も含んでいる）が供給されると同時に、処理槽５１に貯溜されていた塩酸過水が処理槽５１の上面から溢れ出て外槽５２へ回収される。外槽５２へ回収された塩酸過水は、排出配管５３を介して外槽５２から排出される。
【００５６】上述した第１の方法、または第２の方法による処理槽５１の洗浄が終了すると、処理槽５１は、フッ酸（ＨＦ）が貯溜された状態となっている。
【００５７】次に、複数枚（５０枚）のウエハＷを鏡面対向にした状態で図示しない搬送機構に保持し、図２の矢印Ａ２に示すように搬送機構により処理槽５１に貯溜されたフッ酸中へ浸漬させ、ウエハＷに対する薬液による洗浄が行われる。
【００５８】そして、制御部８５からの指令に基づいて開閉弁６５を「開」状態から「閉」状態へ切り換える。これにより、純水供給源６１から供給配管６０を介して処理槽５１に純水が供給されると同時に、処理槽５１に貯溜されていたフッ酸が処理槽５１の上面から溢れ出て外槽５２へ回収される。外槽５２へ回収された塩酸過水は、排出配管５３を介して外槽５２から排出される。
【００５９】処理槽５１がフッ酸から純水に置換されると、処理槽５１に貯溜された純水により、ウエハＷに対して洗浄処理（純水処理）が行われる。
【００６０】ウエハＷに対する純水処理が終了すると、図２の矢印Ｃ２に示すように、図示しないリフタ機構によりウエハＷは純水から引き上げられ、それとともに制御部８５からの指令にしたがって開閉弁８４を「開」の状態にして、ＩＰＡ供給ノズル８１からウエハＷに供給されるＩＰＡにより、ウエハＷの乾燥処理が行われる。以上により、第２の実施の形態の基板処理が終了する。
【００６１】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係る基板処理方法によれば、薬液を貯溜した第１処理槽に基板を浸漬させつつ薬液により基板に薬液処理を行った後、塩酸を含む液体を第２処理槽へ供給し、一旦前記第２処理槽を塩酸を含む液体により第２処理槽を洗浄し、さらに、第２処理槽へ純水を供給し、薬液処理工程で薬液処理された基板を第２処理槽に貯溜された純水に浸漬させつつ純水により基板に純水処理を行っているので、薬液よる基板の薬液処理後の純水処理時における基板表面へのパーティクルの転写を抑制できるという効果がある。
【００６２】また、本発明に係る基板処理方法によれば、塩酸を含む液体を処理槽へ供給し、一旦処理槽を塩酸を含む液体により洗浄した後、塩酸を含む液体により洗浄された処理槽へ薬液を供給し、薬液を貯溜した処理槽に基板を浸漬させつつ薬液により基板に薬液処理を行い、さらに処理槽へ純水を供給し、薬液処理工程で薬液処理された基板処理槽に貯溜された純水に浸漬させつつ純水により基板に純水処理を行う純水処理を行っているので、薬液よる基板の薬液処理後の純水処理時における基板表面へのパーティクルの転写を抑制できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施の形態の基板処理方法に用いる基板処理装置を示す概略構成図である。
【図２】第２の実施の形態の基板処理方法に用いる基板処理装置を示す概略構成図である。
【図３】従来の基板処理方法を実施するための基板処理装置を示す概略構成図である。
【符号の説明】
１０ 第１処理部
１１ 第１処理槽
１３ フッ酸用供給配管
１４ フッ酸供給源
１５ 開閉弁
２０ 第２処理部
２１ 第２処理槽
３０ 供給配管
３１ 純水供給源
３２ 開閉弁
３３ 過酸化水素用供給配管
３４ 過酸化水素供給源
３５ 開閉弁
３６ 塩酸用供給配管
３７ 塩酸供給源
３８ 開閉弁
４５ 制御部
５０ 処理部
５１ 処理槽
６０ 供給配管
６１ 純水供給源
６２ 開閉弁
６３ フッ酸用供給配管
６４ フッ酸供給源
６５ 開閉弁
６６ 塩酸用供給配管
６７ 塩酸供給源
６８ 開閉弁
６９ 過酸化水素水用供給配管
７０ 過酸化水素水供給源
７１ 開閉弁
８５ 制御部
Ａ１ ウエハＷの移動
Ｂ１ ウエハＷの移動
Ｃ１ ウエハＷの移動
Ａ２ ウエハＷの移動
Ｃ２ ウエハＷの移動
Ｗ ウエハ
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、液晶表示用ガラス基板等の基板を薬液、純水等の処理液に浸漬させて基板に洗浄処理、エッチング処理等の所定の処理を行う基板処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ等の半導体デバイスの製造工程における洗浄処理を例にとると、従来から半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」とする。）表面に付着されたパーティクル、有機物汚染、金属不純物等のコンタミネーションを除去するためには、基板洗浄装置が用いられており、その中でもウエット洗浄装置は、上述したコンターミネーションを効果的に除去でき、しかも複数の基板を一括して処理するバッチ処理が可能でスループットも良好であるため、かかる洗浄装置は幅広く普及している。
【０００３】図３は、従来の基板処理方法を実施するための基板処理装置を示す概略構成図である。この基板処理装置は、大きくわけて、ウエハに対して薬液処理を行うための第１処理部１００と、ウエハに対して純水処理、及び乾燥処理を行うための第２処理部２００とを備えている。
【０００４】第１処理部１００は、フッ酸（ＨＦ）等の薬液により複数のウエハＷに対して洗浄処理を行うための第１処理槽１０１を備えており、この第１処理槽１０１の上面の外周には、第１処理槽１０１の上面から溢れ出たフッ酸を回収するための外槽１０２が形成されている。また、この第１処理槽１０１は、フッ酸用供給配管１０３を介してフッ酸供給源１０４と連通接続されている。フッ酸用供給配管１０３の途中には、開閉弁１０５が設けられており、後述する制御部３００からの指令にしたがって開閉弁１０５を「開」の状態にすることにより、フッ酸供給源１０４から供給配管１０３を介して第１処理槽１０１へフッ酸が供給される。なお、図３には示していないが、このフッ酸（ＨＦ）には純水（Ｈ２Ｏ）が含まれている。
【０００５】第２処理部２００は、純水により複数のウエハＷに対して洗浄処理を行うための第２処理槽２０１を備えており、この第２処理槽２０１の上面の外周には、第２処理槽２０１の上面から溢れ出た純水を回収するための外槽２０２が形成されている。また、この第２処理槽２０１は、純水用供給配管２０３を介して純水供給源２０４と連通接続されている。純水用供給配管２０３の途中には、開閉弁２０５が設けられており、後述する制御部３００からの指令にしたがって開閉弁２０５を「開」の状態にすることにより、純水供給源２０４から純水用供給配管２０３を介して第２処理槽２０１へ純水が供給される。
【０００６】また、第２処理部２００においては、純水処理の終了したウエハＷを図３に示していないリフタ機構により第２処理槽２０１から引き上げた際に、ウエハＷを乾燥させるための乾燥機構２１０が設けられている。この乾燥機構２１０は、第２処理槽２０１から引き上げられたウエハＷにイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を供給するためのＩＰＡ供給ノズル２１１を備えている。
【０００７】このノズル２１１は、ＩＰＡ用供給配管２１２を介してＩＰＡ供給源２１３と連通接続されている。ＩＰＡ用供給配管２１２の途中には、開閉弁２１４が設けられており、開閉弁２１４を「開」の状態にすることにより、ＩＰＡ供給源２１３からＩＰＡ用供給配管２１２を介して第２処理槽２０１の上方にあるウエハＷへＩＰＡが供給される。
【０００８】なお、各開閉弁１０５，２０５，２１４は、制御部３００に電気的に接続されており、各開閉弁１０５，２０５，２１４の開閉制御は、制御部３００からの指令にしたがって行われている。
【０００９】上述した基板処理装置を用いた従来の基板処理方法は次のようにして行われる。
【００１０】まず、ウエハＷは、図３の矢印Ａ３に示すように、図示しない搬送機構により搬送されて第１処理槽１０１に貯溜されたフッ酸中へ浸漬され、ウエハＷに対して薬液による洗浄処理（薬液処理）が行われる。そして、薬液による洗浄処理が終了したウエハＷは、図３の矢印Ｂ３に示すように、図示しない搬送機構により、第１処理槽１０１のフッ酸内から第２処理槽２０１の純水内へ搬送されて、第２処理槽２０１の純水中へ浸漬され、ウエハＷに対する純水による洗浄処理（純水処理）が行われる。ウエハＷに対する純水による洗浄処理が終了すると、図３の矢印Ｃ３に示すように、図示しないリフタ機構によりウエハＷは純水から引き上げられ、それとともにＩＰＡ供給ノズル２１１からウエハＷへ供給されるＩＰＡにより、ウエハＷの乾燥処理が行われる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の基板処理方法によると、矢印Ｂ３に示すように、ウエハＷを搬送して、ウエハＷを第２処理槽２０１の純水中に浸漬する際に、ウエハＷが気液界面を通過時に、ウエハＷの表面にパーティクルが転写するという問題がある。特に、複数のウエハＷが酸化膜ウエハとベアウエハとが鏡面対向に配置されている場合に、かかるパーティクルの転写が顕著にあらわれる。
【００１２】本発明は、かかる事情を鑑みてなされたものであって、薬液よる基板の薬液処理後、純水処理時における基板表面へのパーティクルの転写を抑制する基板処理方法を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決するために、請求項1に記載の基板処理方法は、基板に所定の処理を行う基板処理方法において、薬液を貯溜した第１処理槽に基板を浸漬させつつ薬液により基板に薬液処理を行う薬液処理工程と、塩酸を含む液体を第２処理槽へ供給し、前記第２処理槽を塩酸を含む液体により洗浄する処理槽洗浄工程と、前記第２処理槽へ純水を供給し、前記薬液処理工程で薬液処理された基板を前記第２処理槽の純水に浸漬させつつ純水により基板に純水処理を行う純水処理工程と、を有することを特徴とするものである。
【００１４】なお、請求項１でいう「薬液処理」とは、薬液による基板の洗浄処理、またはエッチング処理が考えられ、「純水処理」とは、純水による基板の洗浄処理が考えられる。また、基板処理においては、複数の基板を一列の配列させて、第１処理槽、及び第２処理槽へ浸漬させるものが考えられる。
【００１５】また、請求項２に記載の基板処理方法は、請求項１に記載の基板処理方法において、前記処理槽洗浄工程の後に、前記第１処理槽の薬液内から前記第２処理槽の純水内へ基板を搬送する搬送工程をさらに有することを特徴とするものである。
【００１６】また、請求項３に記載の基板処理方法は、請求項１または請求項２に記載の基板処理方法において、前記処理槽洗浄工程が、前記第２処理槽に貯溜された塩酸（ＨＣｌ）を含む流体を前記第２処理槽から排出する工程を含むことを特徴とするものである。
【００１７】また、請求項４に記載の基板処理方法は、基板に所定の処理を行う基板処理方法において、塩酸を含む液体を処理槽へ供給し、前記処理槽を塩酸を含む液体により洗浄する処理槽洗浄工程と、塩酸を含む液体により洗浄された前記処理槽へ薬液を供給し、前記処理槽に貯溜された薬液に基板を浸漬させつつ薬液により基板に薬液処理を行う薬液処理工程と、前記処理槽へ純水を供給し、前記薬液処理工程で薬液処理された基板を前記処理槽に貯溜された純水に浸漬させつつ純水により基板に純水処理を行う純水処理工程と、を有することを特徴とするものである。
【００１８】なお、請求項４でいう「薬液処理」とは、薬液による基板の洗浄処理、またはエッチング処理が考えられ、「純水処理」とは、純水による基板の洗浄処理が考えられる。基板処理においては、複数の基板を一列の配列させて、処理槽へ浸漬させるものが考えられる。
【００１９】また、請求項５に記載の基板処理方法は、請求項４に記載の基板処理方法において、前記処理槽洗浄工程が、前記処理槽に貯溜された塩酸（ＨＣｌ）を含む流体を前記処理槽から排出する排出工程を含むことを特徴とするものである。
【００２０】また、請求項６に記載の基板処理方法は、請求項４または請求項５に記載の基板処理方法において、前記薬液処理工程が、前記処理槽に貯溜された薬液を前記処理槽から排出する排出工程を含むことを特徴とするものである。
【００２１】また、請求項７に記載の基板処理方法は、請求項１乃至請求項６に記載の基板処理方法において、前記薬液処理工程で使用される薬液が、フッ酸（ＨＦ）を含む薬液であることを特徴とするものである。
【００２２】さらに、請求項８に記載の基板処理方法は、請求項１乃至請求項７に記載の基板処理方法において、前記処理槽洗浄工程で使用される塩酸を含む液体が、塩酸過水（ＨＣｌ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ）であることを特徴とするものである。
【００２３】
【発明の実施の形態】＜第１の実施の形態＞以下、図面に基づいて本発明に係る基板処理方法の第１の実施の形態について説明する。図１は、第１の実施の形態の基板処理方法に用いる基板処理装置を示す概略構成図である。この基板処理装置は、基板の一種であるウエハＷの洗浄を行う洗浄装置である。そして、この基板処理装置は、大きくわけて、ウエハに対して薬液処理を行うための第１処理部１０と、ウエハに対して純水処理、及び乾燥処理を行うための第２処理部２０とを備えている。
【００２４】第１処理部１０は、複数のウエハＷに対してフッ酸（ＨＦ）等の薬液による洗浄処理（薬液処理）を行うための第１処理槽１１を備えており、第１処理槽１１にフッ酸を貯溜し、フッ酸にウエハＷが浸漬される。この第１処理槽１１の上面の外周には、第１処理槽１１の上面から溢れ出たフッ酸を回収するための外槽１２が形成されている。
【００２５】また、第１処理槽１１は、フッ酸用供給配管１３を介してフッ酸供給源１４と連通接続されている。フッ酸用供給配管１３の途中には、開閉弁１５が設けられており、後述する制御部４５からの指令にしたがって開閉弁１５を「開」の状態にすることにより、フッ酸供給源１４からフッ酸用供給配管１３を介して第１処理槽１１へフッ酸が供給される。なお、図３には示していないが、このフッ酸（ＨＦ）には純水（Ｈ２Ｏ）が含まれている。
【００２６】第２処理部２０は、複数のウエハＷに対して純水による洗浄処理（純水処理）を行うための第２処理槽２１を備えており、第２処理槽２１に純水を貯溜し、純水にウエハＷが浸漬される。この第２処理槽２１の上面の外周には、第２処理槽２１の上面から溢れ出た純水、塩酸、及び塩酸過水を回収するための外槽２２が形成されている。
【００２７】また、この第２処理槽２１は、供給配管３０を介して純水供給源３１と連通接続されている。供給配管３０の途中には、開閉弁３２が設けられており、後述する制御部４５からの指令にしたがって開閉弁３２を「開」の状態にすることにより、純水供給源３１から供給配管３０を介して第２処理槽２０へ純水が供給される。
【００２８】また、供給配管３０に対して過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）用供給配管３３を介して過酸化水素水供給源３４が連通接続されている。過酸化水素水用供給配管３３の途中には、開閉弁３５が設けられており、後述する制御部４５からの指令にしたがって開閉弁３５を「開」の状態にすることにより、過酸化水素水供給源３４から過酸化水素水用供給配管３３を介して供給配管３０へ過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）が供給される。
【００２９】さらに、供給配管３０に対して塩酸用供給配管３６を介して塩酸供給源３７が連通接続されている。塩酸用供給配管３６の途中には、開閉弁３８が設けられており、後述する制御部４５からの指令にしたがって開閉弁３８を「開」の状態にすることにより、塩酸供給源３７から塩酸用供給配管３６を介して供給配管３０へ塩酸（ＨＣＬ）が供給される。
【００３０】第２処理部２０においては、純水処理の終了したウエハＷを図示しないリフタ機構により、第２処理槽２１から引き上げた際に、ウエハＷを乾燥させるための乾燥機構４０が設けられている。この乾燥機構４０は、第２処理槽２１から引き上げられたウエハＷにイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を供給するためのＩＰＡ供給ノズル４１を備えている。このＩＰＡ供給ノズル４１は、ＩＰＡ用供給配管４２を介してＩＰＡ供給源４３と連通接続されている。ＩＰＡ用供給配管４２の途中には、開閉弁４４が設けられており、後述する制御部４５からの指令にしたがって開閉弁４４を「開」の状態にすることにより、ＩＰＡ供給源４３からＩＰＡ用供給配管４２を介して第２処理槽２１の上方にあるウエハＷへＩＰＡが供給され、ウエハＷの乾燥処理が行われる。
【００３１】なお、各開閉弁１５，３２，３５，３８，４４は、制御部４５に電気的に接続されており、各開閉弁１５，３２，３５，３８，４４の開閉制御は、制御部４５からの指令により行われている。
【００３２】次に、第１の実施の形態の基板処理方法について説明する。
【００３３】まず、複数枚（５０枚）のウエハＷを鏡面対向にした状態で図示しない搬送機構に保持しつつ、図１R>１の矢印Ａ１に示すように搬送機構により第１処理槽１１に貯溜されたフッ酸中へ浸漬させ、ウエハＷに対する薬液による洗浄処理（薬液処理）が行われる。なお、第１処理槽１１には、制御部４５からの指令にしたがって開閉弁１５を「開」の状態にして、予め第１処理槽１１にフッ酸を貯溜させておく。
【００３４】次に、第２処理部２０の第２処理槽２１においてウエハＷの処理を行う前に、第２処理槽２１を予め洗浄しておく。第２処理槽２１を洗浄する方法としては、以下の２つの方法がある。
【００３５】まず、第１の方法として、制御部４５からの指令にしたがって開閉弁３８、及び開閉弁３２を「開」の状態にして、供給配管３０において塩酸（ＨＣＬ）と純水（Ｈ２Ｏ）を混合させ、混合のより生成された液体（以下、単に「塩酸」とする）を第２処理槽２１に供給し、第２処理槽２１に一旦貯溜させる。なお、このとき開閉弁３２は「閉」の状態である。
【００３６】そして、開閉弁３２を「開」の状態にしたままで、制御部４５からの指令にしたがって開閉弁３８を「開」の状態から「閉」の状態へ切り換える。これにより、純水供給源３１から供給配管３０を介して第２処理槽２１へ純水が供給されると同時に、第２処理槽２１に貯溜されていた塩酸（ＨＣｌ）が第２処理槽２１の上面から溢れ出て外槽２２へ回収される。外槽２２へ回収された塩酸は、排出配管２３を介して外槽２３から排出される。
【００３７】第２の方法として、制御部４５からの指令にしたがって開閉弁３２、開閉弁３４、及び開閉弁３８を「開」の状態にして、供給配管３０において塩酸（ＨＣＬ）と過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）と純水を混合させて、塩酸過水（ＨＣｌ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ）を生成し、生成された塩酸過水を第２処理槽２１へ供給して、塩酸過水を一旦貯溜させる。
【００３８】そして、開閉弁３２を「開」の状態にしたままで、制御部４５からの指令にしたがって開閉弁３４及び開閉弁３８を「開」の状態から「閉」の状態へ切り換える。これにより、純水供給源３１から供給配管３０を介して第２処理槽２１に純水が供給されると同時に、第２処理槽２１に貯溜されていた塩酸過水が第２処理槽２１の上面から溢れ出て外槽２２へ回収され、第２処理槽２１内が塩酸過水から純水へ置換される。外槽２２へ回収された塩酸過水は、排出配管２３を介して外槽２２から排出される。
【００３９】上述した第１の方法、または第２の方法による第２処理槽２１の洗浄が終了すると、第２処理槽２１は、純水が貯溜された状態となっている。
【００４０】次に、第１処理槽１１においてフッ酸による洗浄処理（薬液処理）の終了した複数枚のウエハＷを図示しない搬送機構に保持し、図１の矢印Ｂ１に示すように、搬送機構により第１処理槽１１のフッ酸中から第２処理槽２１へ搬送し、第２処理槽２１に貯溜された純水中へ浸漬させ、ウエハＷに対する純水による洗浄処理（純水処理）が行われる。
【００４１】ウエハＷに対する純水処理が終了すると、図１の矢印Ｃ１に示すように、図示しないリフタ機構によりウエハＷは純水から引き上げられ、それとともに制御部４５からの指令にしたがって開閉弁４５を「開」の状態にして、ＩＰＡ供給ノズル４１からウエハＷに供給されるＩＰＡにより、ウエハＷの乾燥処理が行われる。以上により、第１の実施の形態の基板処理が終了する。
【００４２】＜第２の実施の形態＞以下、図面に基づいて本発明に係る基板処理方法の第２の実施の形態について説明する。図２は、第２の実施の形態の基板処理方法に用いる基板処理装置を示す概略構成図である。この基板処理装置は、基板の一種であるウエハＷの洗浄を行う洗浄装置である。そして、この基板処理装置は、ウエハＷに対して、薬液処理、純水処理、及び乾燥処理という一連の基板処理を行うための処理部５０を備えている。
【００４３】この処理部５０は、フッ酸（ＨＦ）等の薬液、及び純水（Ｈ２Ｏ）により複数のウエハＷに対して洗浄処理（薬液処理、及び純水処理）を行うための処理槽５１を備えている。この処理槽５１にフッ酸を貯溜し、フッ酸にウエハＷが浸漬され、あるいは、この処理槽５１に純水を貯溜し、純水にウエハＷが浸漬される。この処理槽５１の外周には、処理槽５１の上面から溢れ出たフッ酸、純水、塩酸（ＨＣｌ）、または塩酸過水（ＨＣｌ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ）を回収するための外槽５２が形成されている。
【００４４】この処理槽２１は、供給配管６０を介して純水供給源６１と連通接続されている。供給配管６０の途中には、開閉弁６２が設けられており、後述する制御部８５からの指令にしたがって開閉弁６２を「開」の状態にすることにより、純水供給源６１から供給配管６０を介して処理槽５０へ純水が供給される。
【００４５】また、供給配管６０に対してフッ酸用供給配管６３を介してフッ酸供給源６４が連通接続されている。フッ酸用供給配管６３の途中には、開閉弁６５が設けられており、後述する制御部８５からの指令にしたがって開閉弁６５を「開」の状態にすることにより、フッ酸供給源６５からフッ酸用供給配管６３を通して供給配管６０へフッ酸（ＨＦ）が供給される。
【００４６】また、供給配管３０に対して塩酸用供給配管６６を介して塩酸供給源６７が連通接続されている。塩酸用供給配管６６の途中には、開閉弁６８が設けられており、後述する制御部８５からの指令にしたがって開閉弁６８を「開」の状態にすることにより、塩酸供給源６７から塩酸用供給配管６６を通して供給配管３０へ塩酸（ＨＣＬ）が供給される。
【００４７】さらに、供給配管３０に対して過酸化水素水用供給配管６９を介して過酸化水素水供給源７０が連通接続されている。過酸化水素水用供給配管６９の途中には、開閉弁７１が設けられており、後述する制御部８５からの指令にしたがって開閉弁７１を「開」の状態にすることにより、過酸化水素水供給源７０から過酸化水素水用供給配管６９を介して供給配管３０へ過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）が供給される。
【００４８】処理部５０においては、純水処理の終了したウエハＷを図示しないリフタ機構により処理槽５１から引き上げた際に、ウエハＷを乾燥させるための乾燥機構８０が設けられている。この乾燥機構８０は、処理槽５１から引き上げられたウエハＷにイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を供給するためのＩＰＡ供給ノズル８１を備えている。このＩＰＡ供給ノズル８１は、ＩＰＡ用供給配管８２を介してＩＰＡ供給源８３と連通接続されている。ＩＰＡ用供給配管８２の途中には、開閉弁８４が設けられており、後述する制御部８５からの指令にしたがって開閉弁８４を「開」の状態にすることにより、ＩＰＡ供給源８３からＩＰＡ用供給配管８２を介して処理槽５１の上方にあるウエハＷへＩＰＡが供給される。
【００４９】なお、各開閉弁６２，６５，６８，７１，８４は、制御部８５に電気的に接続されており、各開閉弁６２，６５，６８，７１，８４の開閉制御は、制御部８５からの指令により行われている。
【００５０】次に、第２の実施の形態の基板処理方法について説明する。
【００５１】まず、処理槽５１においてウエハＷの洗浄を行う前に、処理槽５１を予め洗浄しておく。処理槽５１を洗浄する方法としては、以下の２つの方法がある。
【００５２】まず、第１の方法として、制御部８５からの指令にしたがって開閉弁６２、及び開閉弁６８を「開」状態にして、供給配管６０において塩酸（ＨＣＬ）と純水（Ｈ２Ｏ）を混合させ、混合により生成された液体（以下、単に「塩酸」とする）を処理槽５１へ供給させ、塩酸を処理槽５１に一旦貯溜させる。なお、このとき開閉弁６５、及び開閉弁７１は「閉」の状態である。
【００５３】そして、開閉弁６２を「開」の状態にしつつ、制御部４５からの指令にしたがって開閉弁６８を「開」の状態から「閉」の状態へ切り換えるとともに、制御部４５からの指令にしたがって開閉弁６５を「閉」の状態から「開」の状態へ切り換える。これにより、フッ酸供給源６４からフッ酸用供給配管６６、及び供給配管６０を介して処理槽５１にフッ酸（純水も含んでいる）が供給されると同時に、処理槽５１に貯溜されていた塩酸が処理槽５１の上面から溢れ出て外槽５２へ回収される。外槽５２へ回収された塩酸は、排出配管５３を介して外槽５２から排出される。
【００５４】第２の方法として、制御部８５からの指令に基づいて開閉弁６２、開閉弁６８、及び開閉弁７１を「開」の状態にして、供給配管６０において塩酸（ＨＣＬ）とと過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）と純水（Ｈ２Ｏ）を混合させて、塩酸過水（ＨＣｌ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ）を生成し、生成された塩酸過水を第２処理槽２１へ供給して、塩酸過水を一旦貯溜させる。なお、このとき開閉弁６５は、「閉」の状態である。
【００５５】そして、開閉弁６２を「開」の状態にしつつ、制御部８５からの指令にしたがって開閉弁６８及び開閉弁７１を「開」の状態から「閉」の状態へ切り換えるとともに、制御部８５からの指令にしたがって開閉弁６５を「閉」の状態から「開」の状態へ切り換える。これにより、フッ酸供給源６４から供給配管３０を介して処理槽５１にフッ酸（純水も含んでいる）が供給されると同時に、処理槽５１に貯溜されていた塩酸過水が処理槽５１の上面から溢れ出て外槽５２へ回収される。外槽５２へ回収された塩酸過水は、排出配管５３を介して外槽５２から排出される。
【００５６】上述した第１の方法、または第２の方法による処理槽５１の洗浄が終了すると、処理槽５１は、フッ酸（ＨＦ）が貯溜された状態となっている。
【００５７】次に、複数枚（５０枚）のウエハＷを鏡面対向にした状態で図示しない搬送機構に保持し、図２の矢印Ａ２に示すように搬送機構により処理槽５１に貯溜されたフッ酸中へ浸漬させ、ウエハＷに対する薬液による洗浄が行われる。
【００５８】そして、制御部８５からの指令に基づいて開閉弁６５を「開」状態から「閉」状態へ切り換える。これにより、純水供給源６１から供給配管６０を介して処理槽５１に純水が供給されると同時に、処理槽５１に貯溜されていたフッ酸が処理槽５１の上面から溢れ出て外槽５２へ回収される。外槽５２へ回収された塩酸過水は、排出配管５３を介して外槽５２から排出される。
【００５９】処理槽５１がフッ酸から純水に置換されると、処理槽５１に貯溜された純水により、ウエハＷに対して洗浄処理（純水処理）が行われる。
【００６０】ウエハＷに対する純水処理が終了すると、図２の矢印Ｃ２に示すように、図示しないリフタ機構によりウエハＷは純水から引き上げられ、それとともに制御部８５からの指令にしたがって開閉弁８４を「開」の状態にして、ＩＰＡ供給ノズル８１からウエハＷに供給されるＩＰＡにより、ウエハＷの乾燥処理が行われる。以上により、第２の実施の形態の基板処理が終了する。
【００６１】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係る基板処理方法によれば、薬液を貯溜した第１処理槽に基板を浸漬させつつ薬液により基板に薬液処理を行った後、塩酸を含む液体を第２処理槽へ供給し、一旦前記第２処理槽を塩酸を含む液体により第２処理槽を洗浄し、さらに、第２処理槽へ純水を供給し、薬液処理工程で薬液処理された基板を第２処理槽に貯溜された純水に浸漬させつつ純水により基板に純水処理を行っているので、薬液よる基板の薬液処理後の純水処理時における基板表面へのパーティクルの転写を抑制できるという効果がある。
【００６２】また、本発明に係る基板処理方法によれば、塩酸を含む液体を処理槽へ供給し、一旦処理槽を塩酸を含む液体により洗浄した後、塩酸を含む液体により洗浄された処理槽へ薬液を供給し、薬液を貯溜した処理槽に基板を浸漬させつつ薬液により基板に薬液処理を行い、さらに処理槽へ純水を供給し、薬液処理工程で薬液処理された基板処理槽に貯溜された純水に浸漬させつつ純水により基板に純水処理を行う純水処理を行っているので、薬液よる基板の薬液処理後の純水処理時における基板表面へのパーティクルの転写を抑制できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施の形態の基板処理方法に用いる基板処理装置を示す概略構成図である。
【図２】第２の実施の形態の基板処理方法に用いる基板処理装置を示す概略構成図である。
【図３】従来の基板処理方法を実施するための基板処理装置を示す概略構成図である。
【符号の説明】
１０ 第１処理部
１１ 第１処理槽
１３ フッ酸用供給配管
１４ フッ酸供給源
１５ 開閉弁
２０ 第２処理部
２１ 第２処理槽
３０ 供給配管
３１ 純水供給源
３２ 開閉弁
３３ 過酸化水素用供給配管
３４ 過酸化水素供給源
３５ 開閉弁
３６ 塩酸用供給配管
３７ 塩酸供給源
３８ 開閉弁
４５ 制御部
５０ 処理部
５１ 処理槽
６０ 供給配管
６１ 純水供給源
６２ 開閉弁
６３ フッ酸用供給配管
６４ フッ酸供給源
６５ 開閉弁
６６ 塩酸用供給配管
６７ 塩酸供給源
６８ 開閉弁
６９ 過酸化水素水用供給配管
７０ 過酸化水素水供給源
７１ 開閉弁
８５ 制御部
Ａ１ ウエハＷの移動
Ｂ１ ウエハＷの移動
Ｃ１ ウエハＷの移動
Ａ２ ウエハＷの移動
Ｃ２ ウエハＷの移動
Ｗ ウエハ
【特許請求の範囲】
【請求項１】基板に所定の処理を行う基板処理方法において、薬液を貯溜した第１処理槽に基板を浸漬させつつ薬液により基板に薬液処理を行う薬液処理工程と、塩酸を含む液体を第２処理槽へ供給し、前記第２処理槽を塩酸を含む液体により洗浄する処理槽洗浄工程と、前記第２処理槽へ純水を供給し、前記薬液処理工程で薬液処理された基板を前記第２処理槽に貯溜された純水に浸漬させつつ純水により基板に純水処理を行う純水処理工程と、を有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】請求項１に記載の基板処理方法において、前記処理槽洗浄工程の後に、前記第１処理槽の薬液内から前記第２処理槽の純水内へ基板を搬送する搬送工程をさらに有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項３】請求項１または請求項２に記載の基板処理方法において、前記処理槽洗浄工程は、前記第２処理槽に貯溜された塩酸を含む流体を前記第２処理槽から排出する工程を含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項４】基板に所定の処理を行う基板処理方法において、塩酸を含む液体を処理槽へ供給し、前記処理槽を塩酸を含む液体により洗浄する処理槽洗浄工程と、塩酸を含む液体により洗浄された前記処理槽へ薬液を供給し、前記処理槽に貯溜された薬液に基板を浸漬させつつ薬液により基板に薬液処理を行う薬液処理工程と、前記処理槽へ純水を供給し、前記薬液処理工程で薬液処理された基板を前記処理槽に貯溜された純水に浸漬させつつ純水により基板に純水処理を行う純水処理工程と、を有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項５】請求項４に記載の基板処理方法において、前記処理槽洗浄工程は、前記処理槽に貯溜された塩酸を含む流体を前記処理槽から排出する排出工程を含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項６】請求項４または請求項５に記載の基板処理方法において、前記薬液処理工程は、前記処理槽に貯溜された薬液を前記処理槽から排出する排出工程を含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項７】請求項１乃至請求項６に記載の基板処理方法において、前記薬液処理工程で使用される薬液は、フッ酸を含む薬液であることを特徴とする基板処理方法。
【請求項８】請求項１乃至請求項７に記載の基板処理方法において、前記処理槽洗浄工程で使用される塩酸を含む液体は、塩酸過水であることを特徴とする基板処理方法。
【請求項１】基板に所定の処理を行う基板処理方法において、薬液を貯溜した第１処理槽に基板を浸漬させつつ薬液により基板に薬液処理を行う薬液処理工程と、塩酸を含む液体を第２処理槽へ供給し、前記第２処理槽を塩酸を含む液体により洗浄する処理槽洗浄工程と、前記第２処理槽へ純水を供給し、前記薬液処理工程で薬液処理された基板を前記第２処理槽に貯溜された純水に浸漬させつつ純水により基板に純水処理を行う純水処理工程と、を有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】請求項１に記載の基板処理方法において、前記処理槽洗浄工程の後に、前記第１処理槽の薬液内から前記第２処理槽の純水内へ基板を搬送する搬送工程をさらに有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項３】請求項１または請求項２に記載の基板処理方法において、前記処理槽洗浄工程は、前記第２処理槽に貯溜された塩酸を含む流体を前記第２処理槽から排出する工程を含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項４】基板に所定の処理を行う基板処理方法において、塩酸を含む液体を処理槽へ供給し、前記処理槽を塩酸を含む液体により洗浄する処理槽洗浄工程と、塩酸を含む液体により洗浄された前記処理槽へ薬液を供給し、前記処理槽に貯溜された薬液に基板を浸漬させつつ薬液により基板に薬液処理を行う薬液処理工程と、前記処理槽へ純水を供給し、前記薬液処理工程で薬液処理された基板を前記処理槽に貯溜された純水に浸漬させつつ純水により基板に純水処理を行う純水処理工程と、を有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項５】請求項４に記載の基板処理方法において、前記処理槽洗浄工程は、前記処理槽に貯溜された塩酸を含む流体を前記処理槽から排出する排出工程を含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項６】請求項４または請求項５に記載の基板処理方法において、前記薬液処理工程は、前記処理槽に貯溜された薬液を前記処理槽から排出する排出工程を含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項７】請求項１乃至請求項６に記載の基板処理方法において、前記薬液処理工程で使用される薬液は、フッ酸を含む薬液であることを特徴とする基板処理方法。
【請求項８】請求項１乃至請求項７に記載の基板処理方法において、前記処理槽洗浄工程で使用される塩酸を含む液体は、塩酸過水であることを特徴とする基板処理方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図２】
【図３】
【公開番号】特開２００２−２５２１９７（Ｐ２００２−２５２１９７Ａ）
【公開日】平成１４年９月６日（２００２．９．６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００１−５０７１５（Ｐ２００１−５０７１５）
【出願日】平成１３年２月２６日（２００１．２．２６）
【出願人】（０００２０７５５１）大日本スクリーン製造株式会社 (2,640)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１４年９月６日（２００２．９．６）
【国際特許分類】
【出願日】平成１３年２月２６日（２００１．２．２６）
【出願人】（０００２０７５５１）大日本スクリーン製造株式会社 (2,640)
【Ｆターム（参考）】
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