【課題】半導体製造工程技術を用いて、高価の装備を使用することなく簡単且つ容易にナノギャップおよびナノギャップセンサを量産することが可能なナノギャップおよびナノギャップセンサの製造方法の提供。
【解決手段】基板に対して異方性エッチングを行うことを含む、ナノギャップ製造方法を提供する。
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【課題】化学的機械的研磨（ＣＭＰ）を用いずに半導体ウエーハ表面を電気研磨する装置および方法、および電気めっきする装置、方法を提供する。
【解決手段】電気研磨の場合、ａ）ウェーハ上の金属薄膜の所望の厚さを決定すること、ｂ）ウェーハ上の金属薄膜の一部分を除去すること、ｃ）金属薄膜の厚さを反射率によって測定すること、ｄ）金属薄膜の厚さが所望の厚さよりも大きい場合に、所望の厚さが測定されるまで、ｂ）、ｃ）、ｄ）を繰り返す。 （もっと読む）

【課題】 埋込銅配線を有する半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】 絶縁膜１４，１５に配線溝を形成し、その配線溝の底面および側面上を含む絶縁膜１５上に導電性バリア膜１８と銅の主導体膜１９を形成し、ＣＭＰ法により不要な部分を除去して配線２０を形成する。そして、主導体膜１９上にタングステンからなる金属キャップ膜２２を選択成長させてから、配線２０を埋込んだ絶縁膜１５上に絶縁膜２３〜２６を形成し、ビア３０が金属キャップ膜２２を貫通して主導体膜１９を露出するようにビア３０及び配線溝３１を形成し、ビア３０の底部で露出した主導体膜１９上にタングステンからなる金属キャップ膜３２を選択成長させた後に、ビア３０および配線溝３１の内部を含む絶縁膜２６上に導電性バリア膜３３と銅の主導体膜３４を形成し、ＣＭＰ法により不要な部分を除去して配線３５を形成する。 （もっと読む）

マスクを清浄するための方法および装置が、説明される。一実施形態において、本発明は、マスクを清浄する方法である。その方法は、マスクを清浄溶液の中に配置することを含む。また、この方法は、予め定められた攪拌レベルで予め定められた時間だけ清浄溶液を攪拌することを含む。 （もっと読む）

フッ化水素、有機溶媒及び水を含み、フッ化水素：有機溶媒：水の重量比が０．００１〜１０重量％：７０〜９９．９９８重量％：０．００１〜２０重量％である、導電性金属上に形成された金属変質層を除去するための除去液。
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【課題】 ＴｉＷ膜を選択的にエッチングし、そのエッチング速度を向上させる。
【解決手段】 半導体装置１００の製造において、過酸化水素と遷移金属イオンとを含むエッチング液を用いて第二のＴｉＷ膜１１５および第一のＴｉＷ膜１１１を選択的に除去する。 （もっと読む）

【課題】物体を修正する機器および方法
【解決手段】方法および機器は、表面上の特定の場所に反応物質を位置決めすることと、次いで、表面を修正して材料を除去するかまたは材料を加えるように、エネルギ源を装置から反応物質へ方向付けることと、を含む。 （もっと読む）

熱交換器に使用されるマイクロ構造を作成する構造及び方法を開示する。熱交換器は、マニホルド層及びマイクロ構造領域を備える。マニホルド層は、マイクロ構造領域に流体を供給する構造を有する。マイクロ構造領域は、ウェットエッチングプロセスによって複数のマイクロスケールアパーチャが開設された熱伝導層から形成される複数の窓化された層から形成される。そして、複数の窓化された層を連結して、複合マイクロ構造を形成する。
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【課題】 基板を回転させながら所定の処理を施す基板処理装置において、基板表面を外部雰囲気から確実に遮断しつつ、基板の破損を防止する。
【解決手段】 遮断板５の基板対向面５４には、複数の羽５５が遮断板５の径方向に対して遮断板５の回転方向に傾斜して伸びるように形成されている。このため、遮断板５の回転に伴って回転軸Ｊ側に向けて気体（窒素ガス）が掻き込まれ、基板Ｗと遮断板５との間に形成される空間ＳＰの内部圧力を高めることができる。その結果、基板Ｗと遮断板５とを高速回転させた場合であっても、空間ＳＰの内部圧力の低下を抑制して該空間ＳＰが負圧となるのが防止される。したがって、基板表面Ｗｆと遮断板５とを十分に近接させて対向配置することで基板表面Ｗｆを外部雰囲気から確実に遮断しつつ、基板Ｗと遮断板５とが接触して基板Ｗが破損するのを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】 未反応の高融点金属膜等を確実にエッチング除去することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 ソース／ドレイン用の拡散層３４ｎ、３４ｐを有する被処理基板を用意する工程と、被処理基板上に高融点金属膜を形成する工程と、拡散層と高融点金属膜との反応によってシリサイド膜５２ｎ、５２ｐを形成する工程と、シリサイド膜を形成する工程において拡散層と反応せずに残った未反応の高融点金属膜５１ａを除去する工程とを備え、未反応の高融点金属膜を除去する工程は、硫酸液中にバブリングによってオゾンが導入されたエッチング液を用いて行われる。 （もっと読む）

【課題】装置の立上げに際して搬送系統の位置決めが必要でなく、装置の設置面積の減少可能な基板洗浄処理装置を提供する。
【解決手段】ベース一体型の１つのフレームに、基板を搬送する搬送ロボット２と、基板の処理を行なう基板処理ユニット３、３と、基板収納カセット４、４を載置する基板ロードポート５、５と、基板処理ユニット３、３へ処理液を供給する処理液供給装置６を搭載した。基板処理ユニット３、３を基板収納カセット４、４に対して平行に配置し、乾燥した基板を搬送ロボット２で基板処理ユニット３、３と基板収納カセット４、４の間を搬送するようにした。 （もっと読む）

半導体ウエハ上に形成された金属層を適応的に研磨する。金属層の一部分が電解研磨され、金属層のその他の部分が別個に電解研磨される。電解研磨の前に、金属層の研磨部分の厚さの測定値が決定される。電解研磨量は厚さの測定値に基づいて調整される。半導体ウエハ上に形成される金属層が研磨され、その金属層は障壁層上に形成されており、障壁層は凹部領域と非凹部領域を有する誘電体層上に形成され、さらに金属層は凹部領域と非凹部領域をカバーする。非凹部領域をカバーする金属層を取り除くために金属層が研磨される。凹部領域中の金属層を非凹部領域以下の高さにまで研磨するが、この高さは障壁層の厚さと等しくあるいはそれよりも大きい。
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【課題】 基板の周縁エッチング幅を正確に、しかも基板全周にわたって均一に制御することのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 モータ１２Ａの作動により、処理ヘッド１１Ａに配設されたローラ群ＲＧが基板Ｗの周端面に当接するとともに処理液ノズル１１３，１１４が基板表面Ｗｆの周縁部と対向する。ローラ群ＲＧは基板Ｗの回転中心Ａ０と処理ベース１１１の回動軸Ａ１とを結ぶ線分ＬＳを中心として略対称位置に配置されたローラ対１１７−１１７，１１８−１１８から構成されている。処理ヘッド１１Ａは回動軸Ａ１回りに回動自在となっており、これら２つのローラ対１１７−１１７，１１８−１１８を回転する基板Ｗの周端面に当接させることで基板Ｗの周端面の位置を基準として処理液ノズル１１３，１１４の位置が合わされ、基板Ｗの周端面と処理液ノズル１１３，１１４との相対距離が一定に保たれる。 （もっと読む）

【課題】リフトオフ処理時間を大にすることなく、寸法精度に優れた微細パターンを容易に形成することのできる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】表面レジスト層１５は、前述のパターン露光領域外のみ通常のポジ型レジストとして現像される。そして、下層のレジスト層１３はネガ型に反転した表面レジスト層１５のパターン露光領域下部も現像されるため、下層のレジスト層１３は表面レジスト層１５に対し、アンダーカットされた断面形状となる。なお、表面レジスト層１５は、下層のレジスト層１３との相互拡散の影響により逆テーパ形状を有する。 （もっと読む）

【課題】 接触部材の各部位を通過するイオン電流の流れを制限し、例えば一つの加工電極及び／または給電電極にあたかも複数の加工電極及び／または給電電極が存在するように作用させることで、被加工物の被加工表面をより均一な加工速度で加工し、品質の高い加工表面を得ることができるようにする。
【解決手段】 被加工物Ｗに近接自在な加工電極７０と、被加工物Ｗに給電する給電電極７２と、被加工物と加工電極または給電電極の少なくとも一方との間に配置され、電解質を有する電解質部７４ｂと電解質を有しない非電解質部７４ａをそれぞれ１つ以上有する接触部材７４と、加工電極と給電電極との間に電圧を印加する電源４６と、被加工物と加工電極または給電電極の少なくとも一方とを相対運動させる駆動部と、被加工物と加工電極または給電電極の少なくとも一方との間に流体を供給する流体供給部を有する。 （もっと読む）

本発明は、金属ワークピースを研磨および／または平坦化するための膜式電解研磨用装置を提供するものである。ワークピースを低導電率流体で濡らす。濡れたワークピースを電荷選択性イオン伝導膜の第１の側面と接触させ、第２の側面は電極と接触した導電性電解質溶液に接する。電極とワークピースとの間の電流の流れによって、ワークピースから金属を電解研磨する。また、本発明は、十分またはある程度は周囲を囲まれた容積部分と、周囲を囲まれた容積部分をある程度または原則的に満たす導電性電解質と、電解質と接した電極と、前記膜の内側の面が電解質溶液またはゲルと接触し、外側の面がワークピースと接触させるのに利用可能なように、周囲を囲まれた容積部分、キャビティまたは容器の一表面と密着する電荷選択性イオン伝導膜と、を含む膜式電解研磨に利用できるよう構成された半電池を提供するものである。
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ワークピースを流体処理する方法及び装置を記載する。本システムは、処理モジュールと、前記ワークピースの処理中に流体の流れ、及び／又は、電界分布を制御するための流体処理要素を有する。或る部材を使用してフィルムの蒸着中に流体を攪拌する（例えば、振動によって）。プレートを使用してワークピースの表面に入射する電界を成形する。流体の流れと電界分布を制御することにより、ワークピース表面へのフィルムの蒸着を改善する。また、垂直構成、及び／又は、モジュールアーキテクチャを使用して、処理能力を向上させ、生産性を増加させ、コストを低減する。 （もっと読む）