【課題】検査用の端子を痛めることなく、また、ダイシング時の半導体チップの耐湿性を低下させることのない半導体ウエハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板２と、半導体基板２の上側に形成された多層配線層４とを少なくとも具備してなり、多層配線層４が素子領域Ａとダイシング領域Ｂとに渡って形成されてなる半導体ウエハ１において、多層配線層４が、相互に積層された比誘電率が３．９未満の複数のｌｏｗ−ｋ層間膜２１〜２４と、ｌｏｗ−ｋ層間膜２１〜２３を積層方向に貫通する複数の金属配線部２８とから少なくとも構成され、素子領域Ａに位置する多層配線層４の上には、金属配線部２８に接続されてボンディングパッド及び検査用端子を兼ねる電極層３１が積層される一方、ダイシング領域Ｂに位置する多層配線層４には、金属配線部が除去されることによってクラックストップとなる溝部４１が設けられている半導体ウエハ１を採用する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ又はＣｕ合金とＭｏ又はＭｏ合金を含んだ積層金属層のエッチングにおいて、従来技術では困難であったサイドエッチが入らずに好ましいテーパー角のエッチング断面形状を得ることが可能なエッチング組成物を提供する。
【解決手段】必須成分として、水溶液がアルカリ性のリン酸塩及び水溶液がアルカリ性のカルボン酸塩からなる群から選択された少なくとも一種の塩と過酸化水素と水を含有してなる、Ｃｕ又はＣｕ合金の１層又は複数層とＭｏ又はＭｏ合金の１層又は複数層とからなる多層積層金属層のＣｕ又はＣｕ合金及びＭｏ又はＭｏ合金を一度にエッチングするためのエッチング組成物。 （もっと読む）

【課題】遮断板を使用せずに薬液処理を可能とする裏面洗浄方法であり、容易な装置構成にて、ベベル部および基板裏面に付着したルテニウムのエッチングを行う。
【解決手段】上ノズル１と下ノズル２から基板３の上面および下面に次亜塩素酸ナトリウム水溶液を供給し、下面のルテニウム膜を除去すると同時に、上面のルテニウム膜６をパターンニングする工程と、前記ノズル１，２から基板３の上面および下面に純水を供給して次亜塩素酸ナトリウム水溶液を除去する工程と、この工程の後に、前記ノズル１，２から基板３の上面および下面に弗酸を供給して不純物を除去する工程と、この工程の後に、前記ノズル１，２から基板３の上面および下面に純水を供給して弗酸を除去する工程と、この工程の後に、スピンベース５により基板３を回転させて乾燥させる工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板の両面を洗浄するに際して、加工時間を短くすることができるとともに、工程欠陥が少なく、有効に基板洗浄を行うことが可能な枚葉式洗浄装置を提供すること。
【解決手段】それぞれに注入口１１Ａ及び放出口１１Ｂを備えた複数の搬送通路１１が内部に形成された注入軸１０を固定台１７上に立設し、該注入軸１０の上部に前記放出口１１Ｂのそれぞれに連通する配置で下部ノズル１４を装備し、前記注入軸１０の外周側に、前記注入軸１０に対して回動自在にして、モーター２を有する中空軸３を配置し、少なくとも前記中空軸３の回転数を制御可能な制御手段７を前記中空軸３に連結し、前記中空軸３の上方に、基板を装着可能な基板チャック４を連結し、前記基板チャック４の上方に上部ノズル８を配置した、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】洗浄薬液の混合比を正確に求め、必要量の薬液補充を行うことにより薬液濃度を制御して、被エッチング膜に対するエッチング量を容易に制御する。
【解決手段】薬液交換時において、薬液槽１に供給される薬液２１，２２，２３の供給流量を、それぞれの薬液流量計３１，３２，３３により測定する。測定された流量にて演算部７において供給時間が計算され、供給流量と供給時間の積分値から各薬液の総投入量を算出する。各薬液の総投入量から混合比を求めて薬液濃度を算出する。このとき算出された濃度が設定濃度と異なる場合、所望する薬液濃度となるように各薬液の補充量を演算部７で算出し、補充量を供給時間を可変させることにより調整する。演算部７で算出された供給時間にわたり、補充する薬液のみミキシングバルブ４を開いて薬液槽１に薬液を供給し、薬液濃度を調整する。 （もっと読む）

【課題】プログラムされた情報のセキリュティが高く、半導体チップ毎に異なる情報をプログラムすることを簡単に可能とすること。
【解決手段】本発明は、半導体ウエハ内に配列された複数の半導体チップとなるべき領域１２内にそれぞれ設けられたＯＴＰ−ＲＯＭセル配列２１に対応するプログラムドット配列を有するプログラムヘッド８０を、複数の半導体チップとなるべき領域１２のうち１つの領域内のＯＴＰ−ＲＯＭセル配列２１に合わせる工程と、プログラムヘッド８０を用いＯＴＰ−ＲＯＭセル配列２１を、複数の半導体チップとなるべき領域１２ごとに異なるパターンでプログラムする工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】エッチング特性が優れており、安定した導電性を有する高微細精度の導電膜パターンを与える導電膜用エッチング液および導電膜パターンの製造方法を提供すること。
【解決手段】少なくとも硝酸第二セリウムアンモニウムを含有する導電膜用エッチング剤と、界面活性剤とを水中に含有してなり、上記界面活性剤が直鎖のフッ化炭素基を有するパーフルオロアルキルスルホン酸塩６０質量％〜８２質量％と分岐鎖のフッ化炭素基を有するパーフルオロアルキルスルホン酸塩１８質量％〜４０質量％との混合物（Ｗ）であることを特徴とする導電膜用エッチング液、および該エッチング液を使用する導電膜パターンの製造方法。 （もっと読む）

【課題】複数の層にそれぞれ異なるパターンを与えること。
【解決手段】パターニング方法が、第１の層と第２の層とを有した多層構造のうちの前記第１の層に、浅い部分と深い部分とを有した凹パターンが与えられるように、少なくとも２つの異なる高さの部分を有したエンボスツールを用いて前記第１の層にエンボス処理を施す工程（ａ）と、前記深い部分の底部で、前記第２の層の下地表面が露出するように、前記第１の層を介して前記第２の層をエッチングする工程（ｂ）と、前記浅い部分の底部で前記第２の層の表面が露出するように、前記第１の層をエッチングする工程（ｃ）と、を包含している。 （もっと読む）

【課題】 基板の局所に所望の大きさの液体を形成させ、高精度なエッチング、メッキやコーティング等を、微小な局所においても高精度に行いうる局所表面処理方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 マイクロプローブ１１にメッキ液やエッチング液等の液体２１を付着させて、基板１２の所定の局所に付着させた後、マイクロプローブ１１と基板１２に電流を流し、基板１２界面での電気化学的反応を利用して、液体２１の接触角を変化させて接触面積を所望の大きさに制御する。所望の大きさに制御した液体２１を用いてメッキ、エッチングやコーティング等の局所表面処理を行う。 （もっと読む）

【課題】処理液の取り替えサイクルを長くしたり、基板処理効率の低下を防止したり、基板処理コストを抑えることができる基板処理装置などを提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、貯留槽１１と基板処理機構１２と間で処理液を循環させる第１処理液循環機構２０と、基板処理機構１２における基板処理によって処理液中に含まれるようになった金属イオンを吸着する２つの吸着塔３２，３３と、貯留槽１１内の処理液を吸着塔３２，３３のいずれか一方に選択的に供給して循環させる第２処理液循環機構３４と、処理液の供給される吸着塔３２，３３が所定時間間隔で交互に切り換わるように第２処理液循環機構３４の作動を制御する制御装置２８とを備える。 （もっと読む）

【課題】レジストの硬化やヒビ割れ、開口幅の拡大および下地酸化の少なくとも一つを抑制しつつ、微細パターンのメッキやウエットエッチングを実現する新規な技術を提供する。
【解決手段】下地上にレジスト膜を形成し、その上から選択的に露光および現像を行い、その後メッキ処理またはウエットエッチング処理することを含んでなるパターン形成方法において、メッキ処理またはウエットエッチング処理前に、下地表面を水溶性ポリマーおよび水を少なくとも含んでなる表面処理剤を用いて処理する。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の配線膜のエッチング加工において、溶け残り不良を抑制する。
【解決手段】酢酸濃度を５％以上含有する燐酸を主成分とするエッチング液、または、ヘキサン酸等の脂肪酸を含有するエッチング液により、レジスト上でのエッチング液の接触角を低減することができ、濡れ性を改善できる。このエッチング液を用いることによって、エッチング残りが生じ易いパターンにおいても、エッチング残りがないパターンを形成することができ、歩留まりよく液晶表示装置を製造できる。 （もっと読む）

【課題】超臨界流体を媒体として被処理基体を処理する処理方法において、薬液を混合した超臨界流体を処理槽に導入したときの、処理槽の圧力変動を防止する。
【解決手段】本発明の基体処理方法は、超臨界流体を処理槽２２に直接供給して処理槽２２を所定の処理圧力とした後、混合部２５から薬液を混合した超臨界流体を処理槽２２に導入するようになす。 （もっと読む）

【課題】基板の表面周縁領域のうち処理領域に薬液を供給して当該処理領域の不要物をエッチング除去する基板処理方法および基板処理装置において、当該エッチング除去により表面周縁領域に形成される処理領域と非処理領域の界面を良好なものとする。
【解決手段】基板Ｗの表面周縁領域（＝ＮＴＲ２＋ＴＲ）のうち非処理領域ＮＴＲ２にリンス液を供給して表面周縁領域をリンス液で覆った状態で処理領域ＴＲに薬液が供給されて当該処理領域ＴＲの不要物（薄膜ＴＦ）がエッチング除去されて当該表面周縁領域に処理領域ＴＲと非処理領域ＮＴＲ２の界面が形成される。このように表面周縁領域全体をリンス液で覆いながらエッチング除去を行っているので、非処理領域ＮＴＲ２側への薬液付着やリンス不良を防止することができ、表面周縁領域に処理領域とＴＲ非処理領域ＮＴＲ２の界面を良好に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】基板処理工程の一部を、純水、好ましくは超純水等を用いた電解加工に置き換え、更に高効率で平坦性の高い加工を行うことができるようにする。
【解決手段】イオン交換体４８ｄまたは４８ｅを用いた電解加工で基板表面の導電性配線材料の除去加工を行い、しかる後、イオン交換体４８ｄまたは４８ｅとは異なるイオン交換体４８ｆを用いた電解加工、または電解液を用いた電解加工で基板表面のバリア層の除去加工を行う。 （もっと読む）

対象物の表面の少なくとも一部を処理するための流体メニスカスを利用する湿式処理装置および方法である。対象物の表面の１つが処理された後に、対象物の他の側面または表面が同様に処理されうる。いくつかの例を挙げれば、この処理はコーティング、エッチング、めっきでありうる。この装置と方法の用途は、半導体処理産業、特にウェハおよび基板の処理にある。この方法と装置は、電子構成部品の多数の表面の処理をも可能にする。 （もっと読む）

【課題】等方性エッチングを用いた微細パターン形成方法を提供する。
【解決手段】この方法は、半導体基板に被エッチング層を形成し、この被エッチング層の上部にフォトレジスト層をコーティングする段階と、該フォトレジスト層のコーティングされた被エッチング層にリソグラフィを行い、リソグラフィにより生成されたフォトレジストパターンを含む被エッチング層に第１等方性エッチングを行なう段階と、このフォトレジストパターンを含む被エッチング層の上部にパシベーション層を溶着する段階と、溶着されたパシベーション層のうち、第１等方性エッチングされた所定の部分のパシベーション層を除去する段階と、パシベーション層の除去された所定の部分に第２等方性エッチングを行なう段階と、を含む。ここで、パシベーション層の所定の部分を除去する段階を省略し、直接第２等方性エッチングを行なう段階に移行しても良い。 （もっと読む）

【課題】化学機械研磨による被加工面の平坦化工程において十分な研磨速度で研磨進行し、ディッシング等の表面欠陥が抑えられ、現実の使用においてもコストを十分に抑えることが出来る、半導体デバイス製造工程における被加工体の化学的機械的研磨方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイス製造工程における被加工体の化学的機械的研磨方法であって、研磨定盤上の研磨パッドに、分子内に窒素原子を有する水溶性高分子と、カルボキシル基を有する有機酸と、を含む金属用研磨液を、研磨液流量が０．０３５〜０．２５ｍｌ／ｍｉｎ・ｃｍ²の範囲で供給しながら、該研磨パッドを被加工体の被加工面と接触させ相対運動させて研磨することを特徴とする化学的機械的研磨方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄膜トランジスタ液晶表示装置用エッチング組成物に関する。
【解決手段】本発明のエッチング組成物は、同一組成物を使用して、薄膜トランジスタ液晶表示装置の画素電極を構成する非晶質ＩＴＯ及びＴＦＴを構成するゲート配線材料であるＭｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜を単一工程によって、下部膜であるＡｌ−Ｎｄのアンダーカット現象なしにエッチングして、優れたテーパーを得ることができると同時に、ソース/ドレイン配線材料であるＭｏ単一膜でも優れたプロファイルが形成できる効果がある。 （もっと読む）

【課題】薄い感光性層による利点が得られると共に、一般的な感光性層とバッファ／エッチストップ層を使用した場合においても現像／エッチングに要する工程を減らす。
【解決手段】基板上に感光性層を形成する工程と、所定のパターンを使用して前記感光性層をパターン化する工程と、前記感光性層を現像して前記所定のパターンに相当するパターンを有するシード層を形成する工程と、前記シード層の上にのみ複数の長鎖分子からなり、かつ実質的に前記シード層に垂直な厚層を形成する工程と、を含む、半導体デバイス製造におけるフォトリソグラフィ法を提供する。 （もっと読む）