【課題】ワイヤ等超音波ボンディング接合性を向上させることができるリードフレーム及びそれを用いた信頼性の高い半導体装置を提供すること。
【解決手段】アウターリード３１から段差形成されたステッチ部３２を有し、ステッチ部３２の一部がアウターリード３１側へ延在した、ステッチ部延在部３２ａを有するリードフレーム３０及びそれを用いた半導体装置である。 （もっと読む）

本発明は、第１電気コンタクト面と第２コンタクト面との間の電気的なボンディング接続構造であって、少なくとも１つの第１ボンディング接続部によって前記コンタクト面の少なくとも１つの上にボンディングされている少なくとも１つの第１電気導体を備えたボンディング接続構造に関する。ここでは、前記第１電気導体（８）の上に、少なくとも１つの第２ボンディング接続部（１０，１３）によってボンディングされている少なくとも１つの別の第２電気導体（９）が設けられており、前記２つのボンディング接続部（１０）は互いにずらされて位置している。本発明はさらに、第１電気コンタクト面と第２電気コンタクト面の間に存在する電気的なボンディング接続構造を形成するための方法に関する。
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【課題】 ワイヤボンディングを用いながら、半導体スイッチング素子の小型化および大電流化の利点を受けることができる給配電経路を有するパワーモジュールを提供する。
【解決手段】 直流電力又は交流電力の供給用のバスバー１５、電極３１ａ，３２ａを有する半導体スイッチング素子３１，３２およびバスバーと電極とを電気接続するための長尺導体とを備えるパワーモジュールにおいて、ワイヤ３の中間部分が半導体スイッチング素子の電極に電気接続され、かつ、ワイヤの中間部分を挟む両側の部分がともに、同じバスバー１５に電気接続されている。 （もっと読む）

【課題】他の装置との接続構造を簡素化し、且つ、ボンディングワイヤ同士の接触が抑制された半導体装置を提供する。
【解決手段】縦型素子を有する複数の半導体チップが基材上に並んで固定され、固定面の裏面側に形成された表面電極のパッドが、ボンディングワイヤを介して対応する外部接続用端子と電気的に接続され、ボンディングワイヤを含む半導体チップと外部接続用端子との接続部が射出成形による封止樹脂部によって被覆された半導体装置であって、外部接続用端子は、対応する電極との接続部位が互いに近い位置とされ、複数の半導体チップの一部における少なくとも１つの表面電極のパッドが、他の半導体チップにおける対応する表面電極のパッドを経由して、対応する外部接続用端子と間接的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ上の電極と基板上の電極との間で複数本のワイヤを接続する場合に、１組の電極間にて複数本のワイヤを重ねるにあたって適切なワイヤ形状を形成できるようにする。
【解決手段】半導体チップ１０の電極１１と基板２０の電極２１との間でワイヤ接続工程を複数回行って両電極１１、２１上にワイヤ３０を複数本重ねて形成するものであって、重ねられた複数本のワイヤ３０のうち最上部に位置するワイヤ３０よりも下側に位置するワイヤ３０を形成する接続工程では、１次ボンディング後のワイヤ３０の引き出しを、当該ワイヤ３０における１次ボンディング部３０ａ側の根元部から中間部までが２次ボンディング側のランド２１に向かって水平面Ｈから斜め上方の方向に延びる形状となるように行う。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ上の同一の電極に複数本のワイヤを接続する構造において、電極面積を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】まず、図３（ａ）〜図３（ｄ）に示すように、半導体チップ１上の電極３にボールボンディングを行って接続部７ａを形成した後、図３（ｅ）〜図３（ｇ）に示すように、インナーリード４ａにウェッジボンディングを行う。続いて、図３（ｈ）、図３（ｉ）に示すように、ボール１１ｂを接続部７ａに直上から圧着するボールボンディングを行って接続部７ｂを形成した後、図３（ｊ）〜図３（ｌ）に示すように、インナーリード４ａにウェッジボンディングを行う。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ上に配置する電源配線のレイアウトを工夫し、アセンブリ歩留まりの低下や組み立てコストの増大などの問題を生じることなく、簡易にＩＲ−Ｄｒｏｐを抑制することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ１２と、前記半導体チップ１２上に積層され、互いに電気的に接続された複数の電源配線と、前記半導体チップ１２上において、前記半導体チップ１２のコア１２Ａ周辺に設けられた電源パッド１５とを具え、前記複数の電源配線の内、最上層に位置する電源配線１３及び１４はリング状の電源配線パターンを呈し、前記リング状の電源配線パターン１３及び１４と前記電源パッド１５とがワイヤーボンディングされるようにして半導体装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】メモリチップを複数積層する際の実装面積の増加を抑制する。
【解決手段】実装基板１０１の一方の面にこの順に搭載された第一メモリチップ１０３ａおよび第二メモリチップ１０３ｂは、矩形の平面形状を有し、矩形の一辺に沿って一列にのみ配置された複数の電極パッドを含む。第二メモリチップ１０３ｂの電極パッド列は、第一メモリチップ１０３ａの電極パッド列に平行に配置される。電極パッド列の一方の端部にチップセレクトパッドが配置される。第一メモリチップ１０３ａのコントロール、アドレスまたはデータパッド１１３ａが、矩形の一辺に沿って一列に配置された第一ステッチ１０９にワイヤボンディングされ、チップセレクトパッド１２１ａおよびチップセレクトパッド１２１ｂは、チップセレクトパッド１２１ａの側の隣接辺に沿って一列に配置された第二ステッチ１１１にワイヤボンディングされる。 （もっと読む）

【課題】ＩＧＢＴ等のパワー半導体装置においてチップ面内の発熱による温度分布を均一化し、パワーサイクル寿命の向上を企図した半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体装置１０は、半導体チップ（ＩＧＢＴ素子１１等）の表裏のチップ面に電極を備え、オン動作時に一方のチップ面の電極と他方のチップ面の電極の間で電流が流れる半導体装置であり、半導体チップの一方のチップ面の電極（エミッタ電極２２−１〜２２−６）には複数のワイヤ１５が不均一な配置分布で接続され、かつ、所定の基準に基づいて、一方のチップ面の周辺部に接続されるワイヤの本数は一方のチップ面の中央部に接続されるワイヤの本数よりも多くされるように構成される。 （もっと読む）

【課題】密集して配置される金属細線のレイアウトが工夫された半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、リード１６と一体で設けられたアイランド１４と、アイランド１４の上面に固着された半導体素子１８と、アイランド１４に一端が接近して他端が外部に露出するリード１６と、半導体素子１８の上面に設けられたボンディングパッドとリード１６とを接続する金属細線２０と、これらの構成要素を被覆して一体的に支持する封止樹脂１２とを概略的に具備する構成となっている。そして、半導体素子１８の上面のボンディングパッド２４は、複数の金属細線２０を経由してリードの接続領域３０と接続され、線長が長い金属細線２０を、他の金属細線よりも半導体素子１８の側辺に対して直角に近い角度で引き出している。 （もっと読む）

【課題】金属細線の垂れ下がりに起因したショートの発生を防ぐ半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施の形態の半導体装置の製造方法は、アイランド１４に半導体素子１８を実装する工程と、半導体素子１８の上面に設けたボンディングパッドとリード１６とを金属細線２０により接続する工程とを具備する。更に、本実施の形態では、金属細線２０を形成する工程に於いて、アイランド１４とリード１６との間で、保持部５０により金属細線２０の中間部を保持している。このことにより、ワイヤボンディングの工程における金属細線２０の垂れ下がりを防止して、金属細線２０と半導体素子１８とのショートを防止できる効果が得られる。 （もっと読む）

【課題】ワイヤ数及び長を低減し、接合信頼性を実現することを目的とする。
【解決手段】一方の端部が第１ボンディング点にボールボンディングされ、他方の端部が第２ボンディング点にボンディングされてなる第１のワイヤループを有する半導体装置であって、前記第１のワイヤループのボール部の上面は、頂上部分がワイヤの一部を含めて潰された状態であり、前記ボール部の上面と第３のボンディング点とを架橋する第２のワイヤループを有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】隣接ワイヤ間での接触を防止し、ワイヤ結線の自由度が高く、小型で高性能な半導体装置及びその効率的な製造方法の提供。
【解決手段】本発明の半導体装置は、表面に電極２１が配設された基板１０と、表面に電極２２が配設され前記基板１０に支持された第１の半導体素子１１Ａとを具備する半導体装置であって、
前記基板１０上及び前記第１の半導体素子１１Ａ上の少なくともいずれかに配設された少なくとも一つの電極（電極２１及び電極２２の少なくともいずれか）に、第１のバンプ３１を介して第１のワイヤ４１が接続され、当該第１のワイヤ４１の被接続部に、第２のバンプ３２を介して第２のワイヤ４２が接続されてなる。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、ボンディング領域の省スペース化が図れるワイヤボンディング構造及びその製造方法、並びにそのワイヤボンディング構造を備えた半導体リレー及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】
本発明の半導体リレー２０１は、ＦＥＴチップ１０３ａのソース電極パッドＳ１とＦＥＴチップ１０３ｂのソース電極パッドＳ２とは、３本のＡｕワイヤ２１１ａ〜２１１ｃによりボンディング接続されており、３本のＡｕワイヤ２１１ａ〜２１１ｃのワイヤループ形状は、所謂、Ｍ字状となっており、ワイヤループのほぼ中央で共通リード１０６ｃに導電性接着剤３１１ａ〜３１１ｃにより導電的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ２００の外形の厚さを薄くし、かつエジェクタピン跡２２が存在しても、電流破壊耐量を向上させたり、オン電圧を低減させる態様でボンディングワイヤ４による結線を可能とする。
【解決手段】トランジスタ２００は樹脂パッケージ２０内に半導体チップ１を備える。樹脂パッケージ２０の第１の側面２３には外部ドレイン電極として機能する外部リード４１〜４４が配列される。リードフレーム５は外部リード４１〜４４と面状部５１とを有する。面状部５１は半導体チップ１のドレイン電極が設けられる第１面１ａに接続される。樹脂パッケージ２０の第２の側面２４には外部ソース電極として機能する外部リード４５〜４８が配列される。外部リード４５〜４８はワイヤ４によって、半導体チップ１のソース電極が設けられる第２面１ｂに接続される。樹脂パッケージ２０の上面２１上に残されるエジェクタピン跡２２は、第１の側面２３側に位置する。 （もっと読む）

【課題】複数のワイヤループと１本の隣接するワイヤループとの間のクリアランスを広く取りワイヤ間ショートを防止する。
【解決手段】第１，第２のワイヤループ１２，１３が上部から見ると重なる構造に形成して、これにより第１，第２のワイヤループ１２，１３と１本の隣接するワイヤループ１４との間でクリアランスが広く取れ、封止時において樹脂によるワイヤ流れによって生じるワイヤ間ショートを防止することができる。さらに、パッド１０においてボンディング部分を重ねることでパッド１０のサイズを変えることなく、また、１つのパッド１０と１つのリード端子１１に第１，第２のワイヤループ１２，１３をボンディングすることで、半導体素子８の縮小を可能とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の小型化を図る。
【解決手段】 複数の増幅手段が形成された半導体チップ５を配線基板１の一主面側に搭載し、半導体チップの電極と配線基板の電極とをワイヤで電気的に接続する半導体装置であって、基準電位に電位固定されるワイヤ７Ｃが接続された基板側ボンディング用電極２Ｃは、出力用ワイヤ７Ｂが接続された基板側出力用電極２Ｂよりも前記半導体チップ５の一辺５Ｘから遠く離れた位置に配置されている。入力用ワイヤ７Ａが接続された基板側入力用電極２Ａは、前記半導体チップ５の一辺５Ｘからの距離が前記基板側出力用電極２Ｂとほぼ同一となる位置、又は前記基板側ボンディング用電極２Ｃよりも前記半導体チップ５の一辺５Ｘから遠く離れた位置に配置されている。 （もっと読む）

【課題】 パワーデバイスなどに好適に用いられるワイヤボンディング方法において、リボンを用いたボンディングと同等以上の電流容量および生産性を有し、所望の接合強度および安定したボンダビリティを実現し、さらに生産コストを低減することができるワイヤボンディング方法、およびこれを実施する装置を提供することを課題とする。
【解決手段】 １本のボンディングツールを使用して半導体デバイス上の２つの電極を接続するワイヤボンディング方法であって、第１の電極４の上面に複数のワイヤ６を同時に超音波ボンディングする過程と、ボンディングツール７が第２の電極５の上面へ移動しながら複数のワイヤにループを形成する過程と、第２の電極５の上面に、ループを形成した複数のワイヤ６を同時に超音波ボンディングする過程とを有するワイヤボンディング方法、およびこれを実施するワイヤボンディング装置を提供する。 （もっと読む）

デバイスパッケージは、細長い長さの少なくとも１つの電極を有する、少なくとも１つの半導体デバイスを含んでいる。デバイスパッケージはまた、電極の細長い長さに平行に延びる、少なくとも１つの導電性パッドも含んでいる。端子リードは、導電性パッドと一体であるのがよい。複数の大体同じ長さのワイヤボンドにより、導電性パッドおよび半導体デバイスの細長い電極に電気的に接続するのがよい。別の案として、第２半導体デバイスを、導電性パッドに取り付け、複数のワイヤボンドを、この第２デバイスおよび第１半導体デバイスの細長い電極に電気的に接続するのがよい。 （もっと読む）

【課題】接続信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】受光素子４に設けられた電極パッド１０と、制御素子５に設けられた電極パッド１０とを導通接続する２本のワイヤ８であって、第１のワイヤ１１は、ファーストボンド１１ａが受光素子４の電極パッド１０に接続され、かつセカンドボンド１１ｂが制御素子５の電極パッド１０に接続され、第２のワイヤ１２は、第１のワイヤ１１のセカンドボンド１１ｂとした位置にセキュリティボンドとしたファーストボンド１２ａが接続され、かつ第１のワイヤ１１のファーストボンド１１ａが接続された位置とは異なる位置にセカンドボンド１２ｂが接続されている。 （もっと読む）