【課題】集積回路間の縮小化の要求に応えた、安定した接合強度を有する純銅にＰｄを被覆したボンディングワイヤを提供する。
【解決手段】集積回路素子電極ａと回路配線基板導体配線ｃをボールボンディング法によって接続するための線径Ｌ５０.８μｍ以下のボンディングワイヤＷである。芯材１が純銅及び不可避不純物からなり、その芯材１の外周全面に、Ｐｄによる厚みｔ_２：０．０１０〜０．０９０μｍの被覆層２を形成し、その表面に０．０００１〜０．０００５μｍ厚ｔ_３の炭素濃縮層３を形成する。また、調質熱処理の炉温度：４００℃以上８００℃以下、同処理時間は０．３３〜１秒で行なって、室温での引張試験による引張強さＴＳ_Ｒと２５０℃での引張試験による引張強さＴＳ_Ｈの比（ＨＲ＝ＴＳ_H／ＴＳ_R×１００）を５０〜７０％とする。その炭素濃縮層３は、伸線時の潤滑剤の洗浄度合によって形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、脱脂対象であるボンディングワイヤにキズを発生させず、かつ十分な脱脂効果が得られるボンデシィングワイヤの脱脂方法及びこれを用いた被覆ボンディングワイヤの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】電気泳動を用いてボンディングワイヤ５を脱脂するボンディングワイヤの脱脂方法であって、
第１のアルカリ溶液３０が収容され、該第１のアルカリ溶液内に前記電気泳動を行うための陽極５０が設けられた第１の槽１０内に前記ボンディングワイヤを浸漬させて通過させる第１の脱脂工程と、
第２のアルカリ溶液４０が収容され、該第２のアルカリ溶液内に前記電気泳動を行うための陰極が設けられた第２の槽２０内に、前記第１の槽内を通過した前記ボンディングワイヤを浸漬させて通過させる第２の脱脂工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】硬さが低く、かつ、伸びが高く、さらに加工性に優れたボンディングワイヤ用銅素線及びボンディングワイヤ用銅素線の製造方法を提供する。
【解決手段】線径１８０μｍ以下のボンディングワイヤを形成するための銅素線であって、素線径が０．１５ｍｍ以上３．０ｍｍ以下であり、Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｒａ，Ｚｒ，Ｔｉ，及び希土類元素から選択される１種以上の添加元素を合計で０．０００１質量％以上０．０１質量％以下の範囲で含有し、残部が銅及び不可避不純物である組成を有し、ＥＢＳＤ法にて測定された全ての結晶粒界の長さＬに対する特殊粒界の長さＬσの比率である特殊粒界比率（Ｌσ／Ｌ）が５０％以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】デンドライトなどの発生が抑制された、絶縁信頼性に優れた半導体素子用のボンディングワイヤ、および、ボンディングワイヤを用いたプリント回路板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】銅または銅合金のワイヤ２０と、ワイヤ表面上を被覆する１，２，３−トリアゾールおよび／または１，２，４−トリアゾールを含む銅イオン拡散抑制層と、を備える半導体素子１６用のボンディングワイヤ。 （もっと読む）

【課題】高温、高湿度環境で使用される半導体用ボンディングワイヤにおいて、アルミパッドとの接合信頼性を向上する。
【解決手段】純度９９．９９９質量％以上の金：４〜１０質量％、純度９９．９９質量％以上のパラジウム：２〜５質量％、残部が純度９９．９９９質量％以上の銀からなる三元合金系ボンディングワイヤであって、酸化性非貴金属ｊ元素が１５〜７０質量ｐｐｍ含有し、連続ダイス伸線前に焼きなまし熱処理がされ、連続ダイス伸線後に調質熱処理がされ、窒素雰囲気中でボールボンディングされる半導体用ボンディングワイヤ。Ag-Au-Pd三元合金ワイヤとアルミニウムパッドの接合界面でＡｇ_２Ａｌ金属間化合物層とワイヤとの間の腐食がＡｕ_２ＡｌとＰｄ濃化層によって抑制される。 （もっと読む）

【課題】マルチチップモジュール構造を有する回路装置の低背化、機能向上、小型化、システム化が可能なワイヤボンディング方法、回路装置及び回路装置パッケイジ方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜被覆ワイヤを用いたボンディング方法は、絶縁膜被覆ワイヤの自由端である始端に対して、ボール２２０を形成するステップ（ａ）と、この形成されたボールを用いて第１ボンディングを行うステップ（ｂ）と、絶縁膜被覆ワイヤの第１ボンディングを行った部分の被覆の除去を行うとともに絶縁膜被覆ワイヤの終端に対する第２ボンディングを行う部分の被覆の除去を行うステップ（ｃ）と、第２ボンディングを行うステップ（ｄ）とを備える。本発明の回路装置はこのような絶縁膜被覆ワイヤを用いたボンディング方法を利用して作製されたものである。第２ボンディングについても、ボールの形成および被覆の除去を行ってもよい。 （もっと読む）

【課題】集積回路用のボンドワイヤを提示する。
【解決手段】集積回路内で使用する複合ボンドワイヤ１１０を生産するため、導電材料を溶解し、１００ミクロン未満の粒度の粒子材料と混合して混合物を生成する。この混合物を用いて複合ボンドワイヤ１１０を作製する。内部コア、及びこの内部コアより高い導電率を有する外層を有する複合ワイヤも提供される。この外層は、交流信号を搬送するための動作周波数における表皮深度よりも厚く設計する。 （もっと読む）

【課題】低コストであり、また、高い導電性、軟質特性、及び優れた疲労特性を有する銅ボンディングワイヤ及び銅ボンディングワイヤの製造方法を提供する。
【解決手段】銅ボンディングワイヤは、銅とＴｉ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｃａ、Ｖ、Ｎｉ、Ｍｎ、及びＣｒからなる群から選択された添加元素とを含み、残部が不可避的不純物である銅ボンディングワイヤであって、銅ボンディングワイヤは、加工前の結晶組織がその表面から内部に向けて５０μｍの深さまでの平均結晶粒サイズが２０μｍ以下である表層を有する。 （もっと読む）

【課題】高温半導体素子用銀クラッド銅リボンにおけるパッド電極界面との接合信頼性の向上、クラッド界面のクラッド層剥がれの抑制。
【解決手段】高純度の銀クラッド層と高純度の銅芯材テープからなる銀クラッド銅リボンにおいて、クラッド加工後に４５０〜７５０℃で熱処理してクラッド層の加工組織を解消しておくことにより、ボンディング時にパッド界面に形成されるクラッド層の高歪の微細な結晶組織からなる加工組織の発達を抑制して、クラッド層の他の領域との硬さの差を小さくしてクラック発生を防止すると共に高温使用環境下で微細な粒状結晶組織を形成して、パッド層からのＡｌなどの拡散を抑制し、パッド界面及びクラッド界面の金属間化合物の生成を抑制し、接合強度と信頼性向上する。 （もっと読む）

【課題】細くても曲げおよび破損に対する強度の向上したワイヤーを提供する。
【解決手段】電流を導電することができるワイヤーは、ポリマーコアとコアを取り囲むコーティング層とを有する。コーティング層は、たとえば金または銅であってもよく、電流を導き、コアは曲げおよび破損に耐えうるような強度を備える。とりわけ、ポリマー・コア・ワイヤーは、集積回路をリードフレームや基板に接続する場合に有用である。 （もっと読む）

【課題】
低電気抵抗で高い信頼性を有するワイヤボンディングを有するパワー半導体素子上面の配線接続技術を提供する。
【解決手段】
半導体装置の半導体素子上面の配線接続に、電気抵抗値は低いが線膨張係数が大きい金属（例えばCuあるいはCu合金）の導体を、編み線状にして導電性接合材により接続する。これによって、電気抵抗小・線膨張係数大の導体の線膨張による導電性接合材のひずみを抑え、低電気抵抗化と高い接続信頼性が両立できる。 （もっと読む）

【課題】ボンディングワイヤのような金属極細線の先端の直線性を維持したまま、先端形状を線径以下の細い切断幅のままにして切断できるワイヤ切断ツールを提供する。
【解決手段】直線状の金属極細線Ｗを同一平面内で一対のクランパ６、７により挟持する２つの開閉式クランパ２、３と、少なくとも片方のクランパ６、７に設置され、金属極細線Ｗの線径よりも低い高さの切断刃４と、２つの開閉式クランパ２、３を金属極細線Ｗの軸線方向にそって移動させる移動手段５と、を具備し、２つの開閉式クランパ２、３により金属極細線Ｗを直線状として挟持すると共に、金属極細線Ｗに切断刃４により切り込みを形成し、移動手段５によりクランパ間距離Ｄを拡大し、金属極細線Ｗを伸張して加工硬化させ、切断刃４による切り込み部分のくびれを破断起点として金属極細線Ｗを切断し、金属極細線Ｗの先端に加工硬化した直線部分を形成する。 （もっと読む）

【課題】金合金線からなるボンディングワイヤにおいて、所要の伸びと破断強度の組み合わせを得る。
【解決手段】高純度金（Au）に銅（Cu）、銀（Ag）、パラジウム（Pd）または白金（Pt）の内の少なくとも一種以上を０．５〜３０質量％含有することによって、ワイヤ伸線加工の熱処理温度において、４５０〜６５０℃の範囲で、伸び率変化の平坦な領域が出現する。この温度範囲において、ワイヤの破断強度は低下するが、なお高純度金線の標準とされる伸び率４％の熱処理温度に対応する強度以上の強度を維持する。
従って、この平坦領域で熱処理することにより、温度変化によらず一定以上の強度の合金ワイヤが得られ、また温度域を適宜に選択することによってこれらの伸び率に対して強度の異なる性質のワイヤが得られる。 （もっと読む）

【課題】狭ピッチ化、細線化、長ワイヤ化において高強度で、高曲げ剛性であること、高いボール部接合性およびウェッジ接合性を有すること、工業的な量産性、高速ボンディング使用性にも優れていることを兼備する半導体素子用ボンディングワイヤを提供する。
【解決手段】導電性を有する第１の金属としてPｄ，Cu，Ni，Fe，から選ばれる１種または該第１の金属を主成分とする合金からなる芯線と、前記芯線の第１の金属とは異なる導電性を有する第２の金属としてAu，Pt，Pd，Ag，Alから選ばれる１種または該第２の金属を主成分とする合金からなる中層と、前記中層の第２の金属とは異なる導電性の金属またはその合金からなる外周部から構成され、さらに、その芯線と中層との間、および、中層と外周部との間には、拡散層または金属間化合物層の少なくとも１種以上を有することを特徴とする半導体用ボンディングワイヤ。 （もっと読む）

【課題】ボール形成時の雰囲気ガスを１００％窒素ガスとした場合でも銅ボールが酸化しにくく、アルミニウム電極と銅ボールとの接合信頼性を損なわず、銅ワイヤ表面も酸化し難くスティッチボンディング性が非常に良好な銅ボンディングワイヤを提供する。
【解決手段】Ｃｌの含有量が２質量ｐｐｍ以下である、２質量％以上７．５質量％以下のＡｕを含み、残部Ｃｕと不可避不純物からなることを特徴とするＣｕボンディングワイヤ。 （もっと読む）

【課題】ボンディングワイヤの表面に界面活性剤や油脂などの有機物を被覆することなく、巻きほぐしの円滑性を長期間良好に保持しうるボンディングワイヤを提供する。
【解決手段】硼素の添加量を所定範囲内に収めた金合金を溶解鋳造してインゴットを得た後、このインゴットに対し、圧延加工および伸線加工を施し、その後、酸化雰囲気中での熱処理を施すことによって、表面に硼素酸化物皮膜が形成されているボンディングワイヤを得る。 （もっと読む）

【課題】作業ステージ温度：１５０℃程の低温度においても、作業の高速化に伴う接合強度の向上を図る。
【解決手段】集積回路素子の電極ａと回路配線基板の導体配線ｃをボールボンディング法によって接続するためのボンディングワイヤＰである。９９．９９質量％以上の銅からなる芯材１の外周全面に金、白金、パラジウム、銀の１種以上からなる被覆層２を形成し、その被覆線に拡散熱処理を施して芯材１と被覆層２の密着性を高めた後、線径Ｌ：１２μｍ以上５０．８μｍ以下まで伸線し、さらに、引張伸びが８％以上となるように調質熱処理を行って、前記被覆層２の厚み０．０４〜０．０９μｍのボンディングワイヤとする。この構成のボンディングワイヤは、電極と導体配線に十分な接合強度をもって接続され、低温度の高速作業の下でも、その作業がストップすることがない。 （もっと読む）

【課題】 特別な検査や選別を追加することなく、得られたボンディング用極細線が安定してワイヤー曲がりやリーニングが抑制され、６０μｍ以下の電極パッド間隔ボンディングが可能となる極細線を提供する。
【解決手段】 Ｃｕを０．０１〜２．０質量％、Ｐｄを０．０１〜１．０質量％、Ｚｎ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌ，Ｇｅ，Ｓｎからなる元素群から少なくとも１種以上を０．０００１〜０．００２質量％、及びＣａ，Ｂｅ，Ｍｇ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄからなる元素群から少なくとも１種以上を０．０００１〜０．０１質量％とをそれぞれ含有し、残部が純度９９．９９質量％以上のＡｕ及び不可避的不純物からなるボンディング用金合金細線。製造方法は、溶湯と凝固部分の界面相対移動速度を２０ｍｍ／分以上の条件下で連続鋳造する。 （もっと読む）

【課題】金、銀およびパラジウムの三種の金属から製造され、純金金線と同様の効果を有し、コストを下げる合金線およびその製造方法を提供する。
【解決手段】工程１００において、金および銀の成分を含んだ主要金属材料が提供される。工程１０２ｃにおいて、主要金属材料が真空溶炉内に入れられ、真空溶炉内にパラジウムを含んだ副次的原料金属材料が混入されると、金銀パラジウム合金溶解液が作り出される。工程１０２ｄにおいて、金銀パラジウム合金溶解液が連続して鋳造され、引き伸ばされて金銀パラジウム合金線材が形成される。工程１０４において、金銀パラジウム合金線材が引き伸ばされて所定の線径の金銀パラジウム合金線に加工される。 （もっと読む）