【課題】 デバイスホールに突出するように設けられるフライングリードに寸法誤差や形状歪みや変形が発生することを抑制ないしは解消し、かつ電解めっき用の給電線が実装完成品に残存することに起因した電気的不良等の発生を抑制ないしは解消しつつ必要な部位にのみ選択的にめっきを施すことを可能とする。
【解決手段】 デバイスホール４が、少なくともフライングリード３の先端を含むように設けられた第１のデバイスホール５（５ａ、５ｂ、５ｃ）と、その第１のデバイスホール５よりも大きな面積を有し、かつその第１のデバイスホール５に対して少なくとも部分的に連続するように設けられた第２のデバイスホール６とからなり、かつ配線２および／またはフライングリード３におけるカバーレイ７で覆われていない部分にのみ選択的に、金（Ａｕ）めっきのようなめっきが施されており、カバーレイ７で覆われた部分には、めっきは施されていない。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを搭載後の樹脂封止工程において、半導体チップを確実に封止する。
【解決手段】基材１上にＣｕ箔２を用いて導電性パターン４を形成する。この際に、チップ搭載部１１に第１のベタパターン４Ａを形成し、基材１の外周の押さえ部１２にも第２のベタパターン４Ｂを角形状に形成する。この後に、ベタパターン４Ａ，４Ｂをレジスト層６で覆って基板１０を形成する。基板１０のチップ搭載部１１に半導体チップ２１を搭載させたら、トランスファモールド装置３１で半導体チップ２１をモールドする。上型３３で押さえ部１２を押さえ付けることで型締めを行う。押さえ部１２におけるレジスト層６の盛り上がりによって、半導体チップ２１と上型３３との間の距離として、モールド樹脂の流動に十分な距離が確保される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、工程数及び薬品コストを大きく増加させることなく、良好な配線パターンを形成することができるＣＯＦ基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】チップ実装用のフィルム状の基板であるＣＯＦ基板の製造方法であって、
絶縁性フィルム１１の表面上に、クロムを含む下地金属層１２が形成され、該下地金属層の表面上に銅層１３が形成された金属積層基板１０を用意する金属積層基板用意工程と、
塩化第二鉄又は塩化第二銅の少なくともいずれか１つと、アゾールと、グリコールエーテル、グリコール又はカチオン界面活性剤の少なくともいずれか１つと、塩酸とを含有する第１エッチング液で前記銅層をハーフエッチングする第１エッチング工程と、
銅イオンと錯体を形成する化合物を実質的に含まず、塩化第二銅と、塩酸と、過酸化水素水とを含有する第２エッチング液で前記銅層の残りと、前記下地金属層とを溶解除去する第２エッチング工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来のウェットエッチングプロセスでは、エッチングが等方的に進行するので、アンダカットが生じて、配線パターンのトップ幅がボトム幅よりも細ってしまい、有効なボンディングを行うことが困難であった。また、アンダカットに起因したトップ幅の細りはリードの強度を不足させ、配線がデバイスホールに中空に形成された状態では、半導体チップとの接合が困難となる。
【解決手段】デバイスホールを有する絶縁性基板の片面に張り合わされた導体箔を、インヒビタを添加したエッチャントを用いたウェットエッチングによってパターン加工することで、ボトム幅よりもトップ幅の方が広くなり、電極パッドに突き刺さるよう作用させ、デバイスホール内の絶縁性基板側で半導体チップの電極パッドに対して確実な接合を得ることができる。また、半導体チップを搭載する場合、デバイスホール内に半導体チップが格納されるように配置するため、パッケージの薄型化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】 配線ピッチＰの微細化を達成することを可能とすると共に、配線パターン２における上面４の平坦性を確保し、かつその配線パターン２を高能率に形成することを可能とした、半導体装置用ＴＡＢテープおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 絶縁性基板１と、前記絶縁性基板１の片面または両面に形成された導体箔５をパターン加工して形成された配線パターン２とを有する半導体装置用ＴＡＢテープであって、前記配線パターン２の上面４における最大高低差ΔＴが０．５μｍ以下であり、かつ前記配線パターン２の厚さＴが、隣り合う前記配線パターン２同士の間のスペースである配線パターン間スペース３のうちの、最も狭い配線パターン間スペースの値Ｓ以上であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】テープキャリア基板における導体配線の断線を防止できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、テープキャリア基板１における一方の端部上に形成され、複数の端子からなる出力端子部４と、テープキャリア基板における他方の端部の上に形成され、複数の端子からなる入力端子部３と、テープキャリア基板の上に形成され、出力端子部と接続された導体配線８ｂと、テープキャリア基板の上に形成され、入力端子部と接続された導体配線８ａと、テープキャリア基板の上に固着され、各導体配線と電気的に接続された半導体素子１５と、半導体素子を覆うように配置され、テープキャリア基板と接着された放熱材１０とを有している。テープキャリア基板は、出力端子部から半導体素子の接続部を含まない放熱材の接着領域までの少なくとも一部の厚さが、入力端子部から半導体素子の接続部を含む放熱材の接着領域までの厚さと比べて薄く形成されている。 （もっと読む）

【課題】電源端子及びグランド端子をより少なくして、信号端子をより多く備えることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】複数の第１電極パッド１１を第１面に有する半導体チップ１０と、第１面上で、複数の第１電極パッド１１の各々と接触し、複数の第１電極パッド１１の各々を電気的に接続する第１配線テープ２０とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 構造が煩雑で製造が難しく、また保守や使用環境の整備・制御等も煩雑で、極めて高価でコスト高となる傾向にある投射光学系やその他の特殊な光学系を用いることなく、レジスト破片等の異物がフォトマスク上に転移することに起因した転写欠陥の発生を抑制ないしは解消することを可能とした、半導体装置用テープキャリアの製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体装置用テープキャリアの製造方法は、フォトレジスト層３の上に所定の間隙を設けてフォトマスク６を非接触に配置した状態で、前記フォトレジスト層３に対する露光を行って、前記間隙の大きさに対応して生じる光の回折により、前記フォトマスク３のマスクパターン５のパターン寸法Ｗｍとは異なったパターン寸法Ｗｒに変化させたレジストパターン７を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】スプロケットホールのピッチの整数倍でテープキャリアの搬送を行うことができ、かつ、材料コストを低減できる半導体装置用テープキャリアを実現することにある。
【解決手段】本発明に係るテープキャリア１０は、複数の半導体素子１１を搭載してなるテープキャリア型半導体装置１に用いられ、長尺の絶縁テープ１２からなり、複数の半導体素子１１に対応する複数の配線パターン１３を備えるものであって、搬送のためのスプロケットホール１６がテープキャリア１０の長尺方向に並んで形成されており、複数の配線パターン１３は、所定数の配線パターン１３毎に配線パターンセットを形成し、テープキャリア１０の長尺方向に並ぶ配線パターン１０の配置ピッチは、スプロケットホール１６のピッチの非整数倍であり、テープキャリア１０の長尺方向に並ぶ配線パターンセットの配置ピッチは、スプロケットホール１６のピッチの整数倍である。 （もっと読む）

【課題】ＴＡＢの長手方向の両側に予めＡＣＦを貼り付けても、一側を本圧着しているときに他側のＡＣＦが硬化することを防ぐＦＰＤモジュールの組立装置および組立方法を提供する。
【解決手段】ＦＰＤモジュール組立ラインは、ＡＣＦ貼付け部と、圧着ヘッド３３０と、ＴＡＢ側遮熱機構３４０Ａとを備える。ＡＣＦ貼付け部は、ＴＡＢ２の長手方向の一側に第１のＡＣＦ層３ａ_１を貼り付けるとともに、ＴＡＢ２の長手方向の他側に第２のＡＣＦ層３ａ_２を貼り付ける。圧着ヘッド３３０は、第１のＡＣＦ層３ａ_１を介してＴＡＢ２を表示基板１に熱圧着する。ＴＡＢ側遮熱機構３４０Ａは、ＴＡＢ２を表示基板１に熱圧着するときに、ＴＡＢ２の第２のＡＣＦ層３ａ_２を熱影響から保護する。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置用テープキャリアにおけるバンプ高さの全数検査を、実用的な作業能率を以て行うことを可能とするバンプ高さ計測工程を含んだ半導体装置用テープキャリアの製造方法を提供する。
【解決手段】 この半導体装置用テープキャリアの製造方法は、絶縁性フィルム基材３の表面上に、少なくとも配線パターン１を形成する工程と、バンプ２を形成する工程とを含んだ半導体装置用テープキャリア５の製造方法であって、バンプ２の形成後、半導体装置用テープキャリア５の表面上におけるバンプ２を含んだ所定の計測対象領域４に参照光１１ａを照射し、その参照光１１ａを計測対象領域４におけるバンプ２を含んだ半導体装置用テープキャリア５の表面上で反射させて得られる反射光１１ｂを検出し、その反射光１１ｂの位相がバンプ２のバンプ高さｈに対応して変化することによって生じる位相変位量に基づいて、バンプ２のバンプ高さｈを計測する工程を、さらに含んでいる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子搭載時の加熱による外部接続端子の累積ピッチの変化が小さく、外部機器との接続性を向上させることができると共に、導電性異物の発生を抑制することができ、また、電気信号を取り扱う配線パターンにおいてその信号に対して不適切な挙動が起きないようにこれを抑制することができる、半導体装置用テープキャリア及びそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】基材２上に微細な配線パターン３を形成してなると共に搭載すべき半導体素子４を位置させるためのデバイスホールを有しない構造の半導体装置用テープキャリアであって、配線パターン３は、その一端に半導体素子４の電極端子１６と接続される内部接続端子６を有し、他端に外部機器と接続される外部接続端子７ａ，７ｂを有する配線５を備えており、基材２の裏面に、外部機器を構成すると共に外部接続端子７ａ，７ｂと接続される配線５を備えた配線基板と同等の熱膨張係数を有する非導電性部材１１が設けられている、半導体装置用テープキャリア。 （もっと読む）

【課題】製品エリアの切断ラインに沿って導体装置用配線基板を切断する際に、同時に切断される配線の切断端から金属バリや金属異物が発生するのを抑制することができ、これにより隣接する配線間で短絡が発生するのを抑制することができる、半導体装置用配線基板及びそれを用いた半導体装置を提供すること。
【解決手段】基板２上に、半導体素子３の電極端子と接続される接続端子と液晶表示装置等の外部機器と接続される接続端子４とを備えた配線５を形成してなる、半導体装置用配線基板１であって、その切断ライン８に沿って切断することにより個別の半導体装置を得るように区画された製品エリア６を有し、製品エリア６の外側のエリアまで配線５を引き出してテストパッド７を形成すると共に、製品エリア６の切断ライン８と交差する部分１０の配線５上に、有機材料からなる皮膜１１を形成してなる、半導体装置用配線基板。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージング用途において有用なインターポーザフィルム、および、これに関連する方法を提供する。
【解決手段】ＩＣパッケージング用のインターポーザフィルム３０が開示されている。インターポーザフィルム３０は、複数の導電性ドメイン５０、５５を支持する基板を備える。基板は、剛性ロッドタイプポリイミドおよび約５〜６０重量％充填材を含有する。充填材は（平均で）約８００ナノメートル未満である少なくとも１つの寸法を有すると共に、充填材はまた、約３：１を超える平均アスペクト比を有する。 （もっと読む）

ＩＣパッケージング用インターポーザーフィルムが開示される。インターポーザーフィルムは、複数の導電性領域を支持する基板を含んでなる。この基板は、ポリイミドおよびサブミクロン充填材から構成される。ポリイミドは、剛性ロッド二無水物、非剛性ロッド二無水物およびそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１つの芳香族二無水物成分と、剛性ロッドジアミン、非剛性ロッドジアミンおよびそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１つの芳香族ジアミン成分とから誘導される。二無水物のジアミンに対するモル比は、４８〜５２：５２〜４８であり、そしてＸを剛性ロッド二無水物および剛性ロッドジアミンのモルパーセント、Ｙを非剛性ロッド二無水物および非剛性ロッドジアミンのモルパーセントとした場合のＸ：Ｙ比率は、２０〜８０：８０〜２０である。サブミクロン充填材は、少なくとも１つの寸法で５５０ナノメートル未満であり、３：１を超えるアスペクト比を有し、全ての寸法でフィルムの厚さ未満である。
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【課題】チップキャリアを安価に製造できる手段を提供する。
【解決手段】キャリアフィルム１１を準備する工程と、キャリアフィルムから分離して別個に、導電性を有する複数のコネクションストランド１２、１３を準備する工程と、コネクションストランドを、キャリアフィルム上に平行に延在するストライプ状に装着し、単一平面上に、キャリアフィルムの長手方向全域にわたり延設する工程と、コンタクトメタライゼーション１５、１６を有する複数のチップ１４を準備する工程と、複数のチップを裏返した状態で、複数のチップのコンタクトメタライゼーションとコネクションストランドとを接触する工程と、コネクションストランド及びチップが装着されたキャリアフィルムを複数の基板に分割する工程であって、長手方向に対して横断するように分割すると共に、複数の基板のそれぞれに１つずつチップが配置されるように分割する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】テープキャリア基板の撓みにより発生する応力を分散させ、テープキャリア基板の導体配線の破断を防止することができるテープキャリア基板を提供する。
【解決手段】テープキャリア基材と、その幅方向に直線状に形成された第１及び第２の端子部と、テープキャリア基材の一方の辺に、第１及び第２の端子部と平行に形成された第１の切り欠き部と、その他方の辺に形成された第２の切り欠き部と、第１及び第２の端子部間に形成されたデバイスホールと、第１の端子部とデバイスホールとを接続する第１の導体配線と、第２の端子部とデバイスホールとを接続する第２の導体配線とを備え、第１の切り欠き部と第２の切り欠き部とは、互いに平行に形成されており、第１の切り欠き部の長さは、一方の辺から第２の切り欠き部の先端までの長さより長く、かつ、第２の切り欠き部の長さは、他方の辺から第１の切り欠き部の先端までの長さより長い。 （もっと読む）

【課題】ドライブＩＣまたはチップ／ドライブＩＣとパネルとのアセンブリ進行時に、駆動ローラにより摩擦が発生するスプロケットホールの部位にＣｕまたは金属パターン層が存在せず、Ｃｕパーティクルなどの異物の発生を防止することによって、半導体パッケージの製造工程において信頼性を向上させることができるＴＡＢテープ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＴＡＢテープは、ベースフィルム上に形成される配線パターンと金属メッキ層とを含むＴＡＢテープであって、ベースフィルムの両側にスプロケットホールを含む移送領域を有し、該移送領域に、ベースフィルムが露出される露出領域を含む構成とした。 （もっと読む）

【課題】例えば半導体装置用両面テープキャリアのようなプリント配線板のブラインドビアホールにおける銅めっきの異常析出やボイド等を生じることなく、均一な膜厚の銅めっきのような導体膜を形成して、両面の導体パターン間の良好な電気的導通を確保する。
【解決手段】絶縁性基材１の片面に第１の金属材料層３ａを張り合わせてなる銅張基板における、第１の金属材料層３ａが張り合わされた面とは反対側の面に、絶縁性基材１の溶融物および／または分解物が生じる温度で当該溶融物および／または分解物に対して融着可能な材質の有機材料からなるバリ除去用シート４を張り合わせておき、レーザ照射５によって第１の金属材料層３ａおよび絶縁性基材１を貫通してさらにバリ除去用シート４にまで達するようにスルーホール７を形成すると共にそのときのレーザ照射５によって不可避的に生じるバリ８をバリ除去用シート４に融着させておき、その後、そのバリ除去用シート４と共にバリ８を剥離除去する。 （もっと読む）

【課題】ＴＣＰ型半導体装置の製造コストを削減する方法を提供する。
【解決手段】ＴＣＰ型半導体装置は、ベースフィルムと、ベースフィルム上に搭載された半導体チップと、ベースフィルム上に形成され、半導体チップと電気的に接続された複数のリード３０と、を備える。複数のリード３０の各々は、外部に露出した外部端子部４０を有する。各リード３０の外部端子部４０は、厚さが第１厚さである第１部分４１と、厚さが第１厚さよりも小さい第２厚さである第２部分４２と、を含む。複数のリード３０のうち隣り合うリード間で、第１部分４１と第２部分４２とは互いに対向するように位置している。 （もっと読む）