【課題】 配線パターンのパターン間隔が広い部分と狭い部分とでの、サイドエッチングの進行の速さのばらつきを抑えつつ、オーバーエッチングを行って、配線パターンのさらなる微細化を、精度よく安定的に実現する。
【解決手段】 絶縁性材料からなるフィルム基板１上に形成された銅層２（金属材料層）の表面に、レジストパターン６を形成する工程と、レジストパターン６をマスクとして用いたエッチングプロセスにより銅層２を加工して疎密のパターン間隔１９が混在する配線パターン７を形成する工程とを含む半導体装置用テープキャリアの製造方法であって、レジストパターン６における各位置ごとでのエッチング代（しろ）１１の寸法を、配線パターン７のパターン間隔が広いほど、大きい寸法に設定する。 （もっと読む）

【課題】高い放熱性を有するＣＯＦ用配線基板を提供する。
【解決手段】絶縁フィルム１の片側の面に、搭載される半導体素子７の表面に設けられた電極パッドと接合するためのインナーリード１１と、ＣＯＦを搭載する外部基板の端子と接合するためのアウターリード１２とを有する配線１３が設けられたＣＯＦ用配線基板の、半導体チップ７が搭載される予定の領域１４内で、インナーリード１１が存在しない部分に、放熱板１５が配置されている。 （もっと読む）

【課題】 ウィスカの発生や不純物付着に起因した電気的短絡の発生を抑止して、さらに高い信頼性を備えた半導体装置用テープキャリアを製造することができる半導体装置用テープキャリアの製造方法および半導体装置用テープキャリアの製造装置を提供する。
【解決手段】 ロールツーロール法により半導体装置用テープキャリアをインラインで製造する、半導体装置用テープキャリアの製造方法であって、テープキャリア１に、Ｓｎめっき層１４を無電解Ｓｎめっきにより形成した後、炉内温度を１５０℃以上〜２００℃以下の範囲内のうちの所定の温度に制御したインライン熱処理炉１１内にて、１０秒〜５分間の範囲内のうちの所定の時間に亘って、熱処理を行う工程を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 配線パターンで覆われておらず露出している部分のフィルム基材のポリイミド表面に、部分的な剥れやシワが散発的に発生することを防いで、配線パターン間の耐マイグレーション性を確保する。また、工程管理の煩雑化を解消する。
【解決手段】 ポリイミド樹脂からなるフィルム基材１上にシード層２を形成してなる基板の表面に配線パターン６を形成する工程と、前記配線パターン６の表面にめっき層７を形成する工程とを有する半導体装置用テープキャリアの製造方法であって、前記配線パターン６を形成した後、当該配線パターン６で覆われておらず露出している部分の前記ポリイミド樹脂からなるフィルム基材１のポリイミド表面にプラズマドライエッチング表面処理を施す工程を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】異物の移動を抑え、高感度でプリント配線上の導電性異物を検出することができ、半導体装置出荷後の不良率の増大を抑えることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップと、この半導体チップが載置される基板１２と、この基板１２上に形成され、一端が半導体チップと接続され、他端が外部配線と接続されるための複数の配線１３と、それぞれ基板１２上に配線１３と並列に配置され、隣接する複数の配線１３と電気的に分離された複数の副配線１５を備える。 （もっと読む）

【課題】工程数の増加および材料の無駄を抑制しつつソルダレジストのスクリーン印刷を高い精度で行うことが可能なＴＡＢ用テープキャリアの製造方法を提供することである。
【解決手段】ＴＡＢ用テープキャリア１上の各印刷ブロック１３の両側方に位置決めマークＰＭ１，ＰＭ２が形成される。スクリーン印刷時に、ロール・トゥー・ロール方式により長尺状回路基板１０が搬送される。光学センサが位置決めマークＰＭ１を検出したときに、長尺状回路基板１０の搬送を停止する。その後、スクリーン印刷装置１００により長尺状回路基板１０の印刷ブロック１３にソルダレジストのスクリーン印刷が行われる。 （もっと読む）

【課題】外観上の不具合及び曲げる際の不具合の両方を改善できるようにしたテープキャリア及び半導体装置の製造方法、半導体装置を提供する。
【解決手段】製品領域を画定するカットライン５１に沿って切断されることによって個々の製品に分割されるテープキャリア１００であって、絶縁性のベースフィルム１と、ＩＣ素子を取り付けるための取付領域５３からその外側へ延びるようにベースフィルム１上に設けられたリード３と、リード３を覆うようにベースフィルム１上に設けられたソルダーレジスト５と、を備え、ソルダーレジスト５は製品領域の内側から外側へはみ出している。 （もっと読む）

【課題】半導体チップと外部基板との実装方向の制約がなく、かつ狭ピッチの半導体チップとの接合を可能にするテープ配線基板を提供する。
【解決手段】可撓性の絶縁性基材２ａと、絶縁性基材２ａ上に形成された導体配線４ａとを備える。導体配線４ａの断面形状が三角形である部分５ａと四角形である部分６ａとを有し、導体配線４ａの断面形状が三角形である部分５ａには、導体配線４ａの半導体チップが実装可能に形成された部分３に形成されたインナーリード部が含まれる。 （もっと読む）

【課題】吸湿や加熱による配線パターンの寸法変化を抑制し、ＩＣなどの半導体装置の実装時の不具合を低減できる半導体装置用テープキャリアを提供する。
【解決手段】絶縁性フィルム（３）上に外部接続端子部（６ａ，６ｂ）を有する配線パターン（６）が形成された半導体装置用テープキャリア（１）において、前記配線パターン（６）が形成された前記絶縁性フィルム（３）面上にあって、前記配線パターン（６）の外周部に、前記配線パターン（６）と同一金属からなる変形防止用パターン（８Ａ）が形成されている。 （もっと読む）

【課題】実装時の位置ズレを無くし、３０μｍピッチ程度の微細接続が安定してできるような製造方法を提供する。これにより、ＩＣの小型化に伴うコストダウンにより安価な装置を実現する。
【解決手段】フィルム１基板に金属薄膜を形成し、フィルム基板に含まれる水分の量を０．１Ｗｔ％以下にして絶乾させた後、金属薄膜をパターニングして配線を形成し、配線が形成されたフィルム基板を一定の温湿度の環境下に一定時間以上放置した後、ＩＣチップ３に設けられたバンプを配線にフェイスダウンで接合する。又は、フィルム基板に金属薄膜を形成し、フィルムを一定の温湿度の環境下に一定時間以上放置して調湿した後、金属薄膜をパターニングして配線を形成し、配線が形成されたフィルム基板を一定の温湿度の環境下に一定時間以上放置した後、ＩＣチップに設けられたバンプを前記配線にフェイスダウンで接合する。 （もっと読む）

【課題】金属箔からなる配線パターン上に形成しためっき層のウイスカ発生を防止する電子部品搭載用基材の製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂フィルム１上に並設された配線パターン芯体２ａの各表面にめっき層２２ａを形成する被膜形成ステップと、めっき層２２ａを形成直後から常温で保持した場合と比べて、めっき層２２ａにおける内部応力の増加が少なくなる温度域でめっき層２２ａを保持し、めっき層２２ａを改質する改質ステップと、改質が行われためっき層２２ａの一部を覆うようにソルダーレジスト３を形成するソルダーレジスト形成ステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】現行の接合条件を変更せずに、信頼性あるファインピッチＩＬＢを確立できるフレキシブル配線基材並びに半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基材１１と、絶縁基材１１の一方面に形成された銅を含む導電体層をパターニングした配線パターンと、配線パターンの端子部を除く表面を被覆するソルダーレジスト層１７とを具備し、配線パターンの端子部は、配線ベース層２１上にスズめっき層２６を施したものであり且つ各端子のピッチが２０μｍより大きく３０μｍより小さいフレキシブル配線基材において、端子部の配線ベース層２１上のスズめっき層２６は、スズめっき層２６中に配線ベース層２１の銅が拡散した拡散層２６ａと純スズ層２６ｂとからなり、総厚が０．２６μｍ〜０．５μｍの範囲であり、純スズ層の厚さが０．０８μｍ〜０．１８μｍであり且つ総厚をｔとしたときの（０．５３−０．８４６ｔ）μｍの値を超えない範囲にある。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージ（例えば、ＣＯＦパッケージ）において、ベースフィルムの歪みによる封止樹脂の未充填不良を防止する。
【解決手段】ＣＯＦパッケージは、フレキシブルなベースフィルム２０と、このベースフィルム２０上における半導体チップ搭載予定箇所２１の周縁に配置され、半導体チップ搭載予定箇所内へ突設された金属製の厚さｄ１の複数のインナリード２２と、半導体チップ搭載予定箇所内の所定の位置に配設された金属製の厚さｄ２（＜（ｄ１＋ｄ３）、但し、ｄ３；バンプ電極の厚さ）のダミーパターン２６と、半導体チップ３０と、封止樹脂３２とを備えている。半導体チップ３０は、主表面に突設された厚さｄ３の複数のバンプ電極３１を有し、このバンプ電極３１がインナリード２２に接合されている。更に、封止樹脂３２は、半導体チップ搭載予定箇所２１と半導体チップ主表面との間に充填されている。 （もっと読む）

【課題】リード部材が樹脂フィルムに接着されてなる電子部品搭載用基材において、リード部材における表面をスズなどの金属層で覆うときに、銅などの溶解が発生することを抑制するとともに、リード部材が樹脂フィルムから剥離することのない電子部品搭載用基材とその製造方法を提供する。
【解決手段】金属からなる本体部分２１の表面領域の一部に、当該本体部分２１を構成する金属元素と同種の金属元素を含む合金層２２が存在するリード部材２が、前記合金層２２が存在しない表面領域で樹脂フィルム１に接着されてなる電子部品搭載用基材１００とする。 （もっと読む）

【課題】高寸法安定性と共に適度な弾性率を有し、更に優れた易滑性と折り曲げ性を有する自動光学検査システム（ＡＯＩ）に適応可能なチップオンフィルムを提供する。
【解決手段】ポリイミドフィルム１の少なくとも片面に、ＩＣチップが搭載可能なように配線２を形成してなるチップオンフィルムであって、ポリイミドフィルム１が、ジアミン成分としてＰＰＤ及びＯＤＡを、酸二無水物成分としてピロメリット酸二無水物及びＢＰＤＡを用いて主として構成されてなるものであり、かつ、ポリイミドフィルム１中に、粒子径０．０１〜１．５μｍで平均粒子径０．０５〜０．７μｍであって、かつ、粒子径０．１５〜０．６０μｍの粒子が全粒子中８０体積％以上の割合を占める粒度分布を有する無機粒子が、フィルム樹脂重量当たり０．１〜０．９重量％の割合で分散・含有させたものである。 （もっと読む）

【課題】 超微細配線パターンを有するＬＣＤ用ＴＡＢテープのような半導体装置用テープキャリアを、材料資源的および時間的な無駄を削減して、安定的に（確実かつ迅速に）製造することが可能な製造方法を提供する。
【解決手段】 この製造方法は、絶縁性フィルム基板１上に形成された銅層２上にドライフィルムレジストを貼着してレジスト膜６を形成する工程と、前記レジスト膜６を露光・現像して、配線パターン形成用の配線レジストパターン７を形成すると共に、前記ドライフィルムレジストの解像限界のパターン寸法を有する検査用レジストパターン８を形成する工程と、前記検査用レジストパターン８を用いて前記配線レジストパターン７の解像度検査を行う工程と、前記配線レジストパターン７をパターン形成用レジストとして用いて配線パターン１３を形成する工程とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】長尺な絶縁フィルムテープ上に配線パターンが、長さ方向に繰り返し形成されるＣＯＦキャリアテープにあって、配線パターンの間隔をなくすか減少するかして、最終的に長尺な絶縁フィルムテープから配線パターンごとに打ち抜いて半導体装置が製造されるとき、絶縁フィルムテープの長さの有効率を高めて無駄をなくし、コストの低減を図る。
【解決手段】長尺な絶縁フィルムテープ１上に、配線パターン３が、長さ方向に繰り返し形成されており、半導体チップ搭載後に、搬送ローラなどを用いて長さ方向に所定搬送長さ搬送されて順次位置決めされ、配線パターンごとに打ち抜かれる。そのようなＣＯＦキャリアテープ１２において、打ち抜き時に同様に搬送ローラなどを用いて所定搬送長さ搬送されたとき、例えば光学式のパターン認識装置により認識される認識パターン４が、所定搬送長さごとに、打ち抜き領域外に形成されている。 （もっと読む）

【課題】配線パターンにおけるエレクトロマイグレーションの発生を抑制できるようにした半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】ポリイミド等からなるフィルム１上に形成され、その表面がメッキ層で覆われているインナーリード２の接合位置にＩＣチップ２０のバンプ２２を重ね合わせて接合する際に、インナーリード２の表面を覆うメッキ層５を接合時の熱で溶融し、溶融したメッキをインナーリード２の（フィルム１から剥がれた）先端部２ａの剥離面へ回り込ませる。これにより、先端部２ａの剥離面にもメッキ層が形成される。 （もっと読む）

【課題】銅の過剰溶解を効果的に回避しつつ、スズメッキ処理に係る製造コストの低減と製造効率の向上を図ることが可能な電子部品搭載用基材とその製造方法を提供する。
【解決手段】電子部品搭載用基材１において、リード本体２０に複合メッキ層２３を積層するとともに、これを部分的に覆うようにソルダーレジスト層３０を形成する。複合メッキ層２３を構成するスズ銅合金メッキ層２１とスズメッキ層２２を、一度のメッキ処理で形成された前駆スズメッキ層２１Xを加熱処理することで形成する。これにより、ソルダーレジスト層３０の形成後のメッキ処理を省略し、製造効率を向上させ、リード本体２０の銅の過剰溶解を回避する。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージに用いられるテープ及びそのカット方法を提供する。
【解決手段】複数の分断領域を有する基材１０と、基材１０上の各分断領域に形成されたリード線１、及び相応のリード線１に連結する細線２と、を備える半導体パッケージに用いられるテープに関し、少なくとも１つの分断領域において、細線２がリード線１の中心線１１から離れているオフセット細線配列構造を有する。 （もっと読む）