【課題】半導体チップの接続パッド等への良好な接合性を維持でき、且つ金めっき層の薄膜化が図れる半導体装置用テープキャリア及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性のフィルム１上に銅配線２が形成され、前記銅配線２は半導体チップの接続パッドへと押し曲げられて接合されるインナーリードを有する半導体装置用テープキャリアにおいて、前記銅配線２の表面に金めっき層３が形成され、前記金めっき層３の表面に銅よりも耐酸化性に優れた被覆めっき層４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 特にインナーリードにおけるトップ幅の細りやそれに起因した接合不良等の発生を解消して、パターン不良や短絡不良や絶縁信頼性の低下のような別の新たな不都合を生じることなしに、実装される半導体装置の電極パッドに対して確実な接合を得ることができるような十分に広いトップ幅を確保した、ファインパターンのインナーリードを備えた半導体装置用ＴＡＢテープおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体装置用ＴＡＢテープでは、インナーリード６および配線パターン５が、有機化合物または無機化合物からなるインヒビタを添加したエッチャントを用いたウェットエッチングプロセスによって導体箔１１をパターン加工することにより形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＩＣチップの電極と放熱用パターンの間を導体接続できない場合であっても、ＩＣチップと放熱用パターンの間の熱抵抗を下げ、放熱効果を高める構造を提供する。
【解決手段】配線基板の主面上に形成される導電パターンは、引き出し配線パターン及び放熱用パターン１５を含む。引き出し配線パターンは、ＩＣチップ１１の外部装置に接続される電極又は外部装置に接続されない電極に導体を介して接続される。放熱用パターン１５は、ＩＣチップ１１、パターンのいずれとも物理的に離間されており、引き出し配線パターンに比べて大きな表面積を有する。配線パターンおよび放熱パターン１５が互いに対向する部分の形状はともに凹凸形状を有し、互いの凹凸形状が間隙１６を介して噛み合うように配置されている。 （もっと読む）

【課題】バンプ電極によって半導体チップ間あるいは半導体チップと配線基板とを電気的に接続する半導体装置において、特に、接続部の高密度化や狭ピッチ化が進んでも、接続不良の発生を低減できる技術を提供する。
【解決手段】接続部ＣＮＴにバンプ電極ＢＭＰ１を押し付けることにより、接続部ＣＮＴを構成する梁ＢＭが曲がる（たわむ）。そして、さらに、バンプ電極ＢＭＰ１を接続部ＣＮＴに押し付けると、バンプ電極ＢＭＰ１の先端部が空洞部ＣＡの底面に到達する。このとき、押し曲げられた梁ＢＭには復元力が働き、空洞部ＣＡの底面にまで挿入されたバンプ電極ＢＭＰ１を左右から挟む。このため、空洞部ＣＡに挿入されたバンプ電極ＢＭＰ１は、左右から梁ＢＭの復元力により固定される。 （もっと読む）

【課題】耐折性の優れた配線を有するプリント配線基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基材１０の表面に、下地層２３と、この上にセミアディティブ法により形成された銅めっき層２４とを含む配線パターンを有するプリント配線基板であって、前記銅めっき層２４が、多層構造を有し、双晶粒径が５μｍ未満である。 （もっと読む）

【課題】電子部品の接続端子と配線パターンとが十分に接続される電子部品モジュール及び製造方法を提供する。
【解決手段】フレキシブル基板１１の一方の主面に表面実装用の電子部品１３の接続端子１２側を当接させた後、加熱・加圧することで電子部品１３をフレキシブル基板１１内に埋め込み、フレキシブル基板１１の他方の主面から接続端子１２まで貫通孔１４を形成し、接続端子１２から貫通孔１４を経てフレキシブル基板１１の他方の主面に導電性ペースト１５を塗布することで配線パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】 曲げ加工性の低下や反りの発生を回避しつつ放熱性の向上を達成することを可能とした半導体装置用テープキャリアおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体装置用テープキャリアは、絶縁性フィルム基材の片面に銅（Ｃｕ）または銅合金からなる配線パターンを有する半導体装置用テープキャリアであって、前記片面とは反対側の面に、蒸着により形成された金属膜を備えたことを特徴としている。また、その製造方法は、絶縁性フィルム基材の片面に銅（Ｃｕ）または銅合金からなる配線パターンを形成する工程を有する半導体装置用テープキャリアの製造方法であって、前記片面とは反対側の面に、蒸着法によって金属膜からなる放熱層を形成する工程を含むことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】機能試験の安定的に行うことができるテープキャリアパッケージを提供する。
【解決手段】テープキャリアパッケージは、テープキャリア３に半導体集積回路５を実装して構成されており、テープキャリア３の一端には、研磨シート６が貼り付けられたダミーテープ４が設けられている。半導体集積回路５の機能試験時、テープキャリアパッケージ試験装置にセットされたまま、研磨シート６はプローブ９に圧接してプローブ９の先端を研磨する。その後、プローブ９は、半導体集積回路５のテスト用パッドに良好に接触することができる。 （もっと読む）

【課題】耐折曲げ性に優れ、特に、液晶画面駆動用半導体を実装するための半導体実装用として、耐折曲げ性に優れる銅被覆ポリイミド基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】ポリイミドフィルムの少なくとも片面に、スパッタリング法又は蒸着法によって金属シード層及びその上に銅層を形成し、さらにその上に電気めっき法、又は電気めっき法と無電解めっき法を併用する方法で銅めっき皮膜を形成してなる銅被覆ポリイミド基板であって、該銅めっき皮膜は、ダイナミックＳＩＭＳ法によるイオウの相対二次イオン強度が１０００カウント以下であることを特徴とする。また、電気めっき法で、不溶解性陽極を用い、かつ全量に対して鉄イオンを０．１〜１０ｇ／Ｌを含有する銅めっき液を用いるとともに、さらに、分解分の補充として添加する光沢剤の添加量を、そのイオウ量で、銅めっき液１ｍ^３かつ１時間当たり０．００５〜０．１ｍｇに制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】開口ヘの銅めっき充填を従来よりも高い電流密度で行いつつも、めっき厚さ分布を良好にすることにより、テープキャリアの生産性を向上させ、接続信頼性を高める半導体装置用テープキャリアの製造方法および半導体装置用テープキャリアを提供する。
【解決手段】絶縁フィルムを厚さ方向に貫通する開口を設ける工程と、前記絶縁フィルムの下面に前記開口越しにて前記銅箔を露出させる工程と、前記開口の深さを小とするめっき充填工程と、前記めっき充填工程の後に、導体パターンを形成する工程と、前記導体パターンに表面めっき処理層を形成する工程と、を有する半導体装置用テープキャリアの製造方法であって、前記めっき充填工程時に使用する銅めっき液は硫酸銅系の電解銅めっき液であり、添加剤成分として平滑化剤を含む。 （もっと読む）

【課題】従来よりも高い電流密度での開口ヘの銅めっき充填を可能とすることにより、テープキャリアの生産性を向上させ、接続信頼性を高める半導体装置用テープキャリアの製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁フィルム２１を厚さ方向に貫通する開口２３を設ける工程と、絶縁フィルムの上面に銅箔２４を貼り合わせることにより、絶縁フィルムの下面に開口越しにて銅箔を露出させる工程と、銅箔の上面にマスキング２６を施した後に、銅箔の下面における前記開口越しに露出した部分に対して銅めっき２７を行うことにより、開口の深さを小とするめっき充填工程と、めっき充填工程の後に、マスキングが除去された銅箔を上面側からフォトエッチングすることにより、導体パターン２８を形成する工程と、導体パターンに表面めっき処理層２９を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ＴＣＰ型半導体装置の製造コストを削減すること。
【解決手段】ＴＣＰ型半導体装置１は、ベースフィルム１０と、ベースフィルム１０上に搭載された半導体チップ２０と、ベースフィルム１０上に形成され半導体チップ２０と電気的に接続された複数のリード３０と、を備える。複数のリード３０の各々は、その両端以外の位置にテストパッド部３３を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置用テープキャリアにおける、配線パターンをはじめとする各種の導体パターンを、高精度に、かつ安定的に均一に形成することを可能とする半導体装置用テープキャリアおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性基板１上に設けられた金属材料層をサブトラクティブ法によりパターン加工して形成された配線パターンを含む導体パターン３を有する半導体装置用テープキャリアであって、当該半導体装置用テープキャリアにおける全ての導体パターン３のパターン間スペース４の寸法を、前記導体パターン３のパターン設計上の最小スペースの寸法Ｗｓと同一に設定する。 （もっと読む）

【課題】配線の微細化と配線全体の均一なエッチングにより、そのばらつきが非常に少ない高寸法精度の微細配線を安定して形成できる半導体装置用テープキャリアの製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性フィルム基板１上に金属導体層２を形成したテープキャリア基材３の金属導体層２の表面にレジストコートを形成し、パターンマスクを用いてレジストコートを露光、現像することによりレジストパターン５を形成し、レジストパターン５をエッチングマスクとして金属導体層２をエッチングし所望の配線６を備えた配線パターンを形成する半導体装置用テープキャリアの製造方法であって、レジストパターン５の形状を、配線パターンの配線６に対しその幅方向の寸法に夫々一律にエッチング代を加えた形状とすると共に、配線パターンの配線密度が粗な領域の配線６に対しその空白領域にダミー配線７を形成するためのダミーレジストパターン８を付加した形状とする。 （もっと読む）

【課題】導体パターン間の耐マイグレーション性の低下や電気的短絡の発生を抑止して、高い信頼性を達成可能とした半導体装置用テープキャリアおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体装置用テープキャリアでは、シード層２が、導体パターン３の下面の外形寸法よりも小さな外形寸法を有して、当該シード層２の側壁が前記導体パターン３の下面で前記導体パターン３の外形からその内側へと所定の距離に亘って奥まったアンダーカット構造を成すように形成されており、かつ錫めっき層４が、前記導体パターン３の表面および前記シード層２の側壁を覆うように施されている。 （もっと読む）

【課題】配線パターンの不良の誤検出が十分に低減された配線回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】金属製の長尺状基板１上にベース絶縁層２を形成する。ベース絶縁層２上に金属薄膜３１および導体層３３からなる配線パターン３を形成する。露出する配線パターン３の表面をエッチングにより粗面化処理する。その後、無電解錫めっきにより露出する配線パターン３の表面を覆うように錫めっき層３４を形成する。これにより、キャリアテープ１２が完成する。完成されたキャリアテープ１２について、配線パターン３に光を照射し、配線パターン３からの反射光に基づいて配線パターン３の不良検査を行う。 （もっと読む）

【課題】パターンの検査装置において、パターンの上部の形状の検出と、下部の形状の検出を、同時に行なえるようにすること。
【解決手段】ＴＡＢテープ５に対して、配線パターンが形成されている側から斜めに照明光を照射する第１の照明手段１ａと、配線パターンが形成されている側とは反対側から斜めに照明光を照射する第２の照明手段１ｂと、配線パターンが形成されている側とは反対側から検査領域に対して直交して入射するように照明光を照射する第３の照明手段１ｃを設け、３方向から同時に照明して、配線パターンの画像を撮像手段１１で撮像する。このように照明することにより、１回の測定で、配線パターンの上部の形状と下部の形状を同時に検出することができ、上部の一部に欠けが生じているなどの欠陥を検出することができる。 （もっと読む）

【課題】ボールマウント方法及び同ボールマウント方法を利用したボールマウントシステムを提供する。
【解決手段】半田ボール２２を基板プレート２０上に塗布されたフラックスにマウントした後、当該基板プレート２０に所定の力である振動外力を印加することにより、基板プレート２０のボールパッド２０４の位置に合致していない半田ボール２２が、振動外力の作用により、基板プレート２０上に被覆されたソルダーマスク層２０３に形成された、基板プレート２０のボールパッド２０４を露出させるための開口に搭載されて、次いで、リフローが行われることで、基板プレート２０上のボールマウント工程が完了する。この方法により、半田ボール２２を基板プレート２０上のボールパッド２０４の位置に合致させることができるため、ミッシングボールの問題を効果的に解決することができ、リワークする必要を回避でき、製品の信頼性が向上する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、インナーリード長さの長短や先細り形状の発生を抑制することができる電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方法及びフォトレジストパターンの設計方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るフォトレジストパターンの設計方法は、インナーリード６ａを形成するためのフォトレジストパターン２ａを設計する方法において、フォトレジストパターン２ａは、インナーリード６ａと同じ形状からなるパターンを幅方向に広げたインナーリードパターンと、インナーリードパターンの先端に形成された補正領域パターンとを有しており、補正領域パターンには穴１が形成されており、穴１とインナーリードパターンの先端との間には所定の距離Ｓが形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、露光位置確認用マークの形成によって露光精度の向上を可能とする電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方法は、基材１上に導電体層及びフォトレジストを塗布する。フォトレジストの上方に配置した露光用マスクを用いてフォトレジストを露光し現像することで、導電体層上に配線用レジストパターン４ｂ及び露光位置確認マーク用レジストパターン４ａを形成する。露光位置確認マーク用レジストパターン４ａの形成位置を確認し、ウェットエッチングにて配線パターン３ｂを形成する。また、露光位置確認マーク用レジストパターン３ａのパターン幅Ｗは導電体層の厚さ以下であり、導電体層をウェットエッチングした際に、露光位置確認マーク用レジストパターン４ａの下に位置する導電体層３ａが除去されることを特徴とする。 （もっと読む）