【課題】 ３次元実装のプロセスに親和性のある、高精度のアライメントを提供すること。
【解決手段】 複数のシリコンチップ間においてはんだバンプが溶融した場合に、複数のシリコンチップ同士の横方向の相対的な動きを規制する複数のスタッド（４０）の組合わせであって、複数のシリコンチップ間に配置される複数のはんだバンプ（１０）のピッチに従い、これらの横方向の位置をリファレンスにして横方向位置が決定されていて、複数のシリコンチップが横方向に相対的に移動した場合に相対的に動きが規制されて、複数のシリコンチップのそれぞれに設定された複数のはんだバンプ同士の横方向位置が（高さ方向において）整列するように、一方のシリコンチップおよび他方のシリコンチップにおいて複数のスタッド（４０）が設けられる。 （もっと読む）

【課題】吸着ツールに対する半導体チップの位置ずれを補正して被搭載体に搭載可能となり、被搭載体に対する半導体チップの位置精度の向上が図れる半導体装置の製造方法、および、製造装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ２を吸着ツール１２で吸着する工程と、吸着ツールに吸着された半導体チップの裏面から赤外線カメラ１３で赤外線画像を撮影することにより半導体チップの表面にあるアライメントマークの位置を検出する工程と、赤外線カメラによって検出されたアライメントマークの位置に基づいて吸着ツールに対する半導体チップの位置ズレを補正して半導体チップを被搭載体３に搭載する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】薄型化，狭ピッチ端子化された半導体素子であっても、生産性を維持しながら、はんだ接合の際の反りを抑制することを目的とする。
【解決手段】半導体素子を搭載する毎に加圧状態で加熱して仮接合を行い、全ての半導体素子を仮接合した後、一括して加圧状態で加熱して本接合を行うことにより、薄型化，狭ピッチ端子化された半導体素子であっても、生産性を維持しながら、はんだ接合の際の反りを抑制して積層することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの製造のスループットをさらに向上できるとともに、製造される半導体デバイスの品質の低下を防止できる三次元実装装置を提供する。
【解決手段】三次元実装装置１１において、搬送トレイ１６は配置面１６ａａをそれぞれ含む８つの内側トレイ１６ａを有し且つ各配置面１６ａａに配置された８つの積層チップ２１を搬送し、チャンバ２７は全ての内側トレイ１６ａを収容し、複数の下部ステージ２８の各々はチャンバ２７内において複数の内側トレイ１６ａの各々を載置し、複数のチャック２９の各々は、チャンバ２７内において、配置面１６ａａに配置された積層チップ２１の各々と一対一で対応して配設され、各下部ステージ２８及び各複数のチャック２９が各下部ステージ２８及び各複数のチャック２９の間を詰めるように移動する。 （もっと読む）

【課題】３次元実装された半導体素子間の空間の充填を容易かつ確実に行うことができる積層フィルムを提供する。
【解決手段】積層フィルムは、接続用部材４１ｂを介して電気的に接続された半導体素子間の空間を充填するための積層フィルムであって、基材１上に粘着剤層２が積層されたダイシングシートと、粘着剤層上に積層された硬化性フィルム３とを備え、硬化性フィルムの５０〜２００℃における最低溶融粘度は、１×１０^２Ｐａ・ｓ以上１×１０^４Ｐａ・ｓ以下である。 （もっと読む）

【課題】チップ積層体の外部接続用電極として機能する第１のバンプ電極間がショートしないように、第１のバンプ電極に精度よくはんだを形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ボンディングツール３４によりはんだ搭載用基板５０の他面を保持すると共に、第２のバンプ電極５５に形成されたはんだ５７を加熱により溶融させ、はんだ搭載用基板の第２のバンプ電極をチップ積層体４０の第１のバンプ電極１７と対向配置させる工程と、第２のバンプ電極に形成され、かつ溶融したはんだを、チップ積層体の第１のバンプ電極に接触させた後、チップ積層体からはんだ搭載用基板を離間させることで、第１のバンプ電極にはんだを転写させる工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ及び基板間や２つの半導体チップ間の接続性を良好にでき、且つ、保存安定性を確保できる半導体封止用接着剤を提供すること。
【解決手段】半導体チップ１０及び配線回路基板２０のそれぞれの接続部１５、３２が互いに電気的に接続された半導体装置１００、又は、複数の半導体チップのそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置において、接続部を封止する半導体封止用接着剤４０であって、（ａ）第一級又は第二級窒素原子含有化合物と、（ｂ）エステルと、（ｃ）エポキシ樹脂と、を含有する、半導体封止用接着剤。 （もっと読む）

【課題】パッケージ支持面にクリップを利用する高電圧III族窒化物整流器パッケージの典型的な実施形態を提供する。
【解決手段】パッケージ支持面２６０に取り付け、III族窒化物トランジスタ２３０のソースにスタックされたダイオード２２０のアノードを有するIII族窒化物トランジスタ２３０と、III族窒化物トランジスタ２３０のゲートおよびダイオード２２０のアノードに結合した第１の導電性クリップ２１２ｂと、III族窒化物トランジスタ２３０のドレインに結合した第２の導電性クリップ２１２ａとを含む。導電性クリップ２１２ａ、２１２ｂはパッケージ支持面２６０に結合され、表面実装性の平担部を露出する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを基板にフェイスダウン実装してなるフェイスダウン型実装構造において、半導体チップと基板電極との接続状態を適切に視認できるようにする。
【解決手段】一方の主面１１に主面電極１４を有する半導体チップ１０と、一面２１上に基板電極２２を有する基板２０とを備え、一方の主面１１を基板２０の一面２１に対向させた状態で、半導体チップ１０が基板２０の一面２１上に搭載されてなるフェイスダウン実装型の実装構造において、半導体チップ１０の一方の主面１１の外郭に位置する側面１３には、主面電極１４と導通し一方の主面１１から側面１３に亘って延設された導体部１５が設けられており、半導体チップ１０の側面１３にて、導体部１５と基板電極２２とが導電性接合材３０を介して接続されている。 （もっと読む）

【課題】２枚のシリコン基板を重ね合わせて接着し、２枚のシリコン基板のそれぞれに形成されたバンプ電極同士を電気的に接続する半導体装置において、樹脂によるバンプ保護性能の低下を防ぎ、また、バンプ電極間の接続性の低下を防ぐ。
【解決手段】第１シリコン基板１００上および第２シリコン基板１０１上のそれぞれに、上面の高さが揃ったバンプ電極２３０、ダミーバンプ２４０および耐熱性樹脂膜３００を形成した後、第１シリコン基板１００と第２シリコン基板１０１とをそれぞれの基板に形成されたバンプ電極同士が電気的に接続されるように接着させる。その際、ダミーバンプ２４０を対向するシリコン基板上の耐熱性樹脂膜３００に接着するように配置することで、バンプ電極同士の良好な電気的接続と、耐熱性が高くボイドがない樹脂膜によるバンプ保護性能を併せ持った半導体装置を実現できる。 （もっと読む）

【課題】異方性導電材料を用いた半導体デバイスウエーハ同士の接合方法を提供する。
【解決手段】複数の突起電極１７を有する半導体デバイスが複数形成された第１半導体デバイスウエーハ１１の該突起電極側を絶縁体１０で被覆する絶縁体被覆ステップと、該絶縁体１０が被覆された第１半導体デバイスウエーハ１１の該突起電極側を平坦化するとともに該突起電極１７の端面を露出させる突起電極端面露出ステップと、該突起電極１７に対応した電極を有する第２半導体デバイスウエーハ２４の該電極と第１半導体デバイスウエーハ１１の該突起電極１７とを異方性導電体２８で接合し、該電極と該突起電極１７とを接続する接合ステップと、を具備する。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子間の接続不良の発生を低減可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】 下部構造体１１０ｃと第１半導体素子１１０ａとを連結する第１連結構造体１４０ａは、複数の連結部１４１および複数の補助部１４２を有する。また、第１半導体素子１１０ａと第２半導体素子１１０ｂとを連結する第２連結構造体１４０ｂは、複数の連結部１４１を有する。第１連結構造体１４０ａの連結部１４１および補助部１４２の数に比べて、第２連結構造体１４０ｂの連結部１４１の数は小さい。これにより、第１半導体素子１１０ａを下部構造体１１０ｃに連結するときのボンディング力に比べて、小さいボンディング力で第２半導体素子１１０ｂを第１半導体素子１１０ａに連結することができる。したがって、第１連結構造体１４０ａが変形または変性することなく、半導体素子間の接続不良の発生を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの組立工程におけるハンドリング性を向上し、しかも、半導体チップの損傷を回避する半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】ダイシングライン１６によって区画された複数の半導体チップ４を含む半導体ウエハ２を準備する第１の工程と、半導体ウエハ２に支持板１３を付着する第２の工程と、半導体ウエハ２および支持板１３をダイシングライン１６に沿って切断し、半導体チップ４および分割された支持板１３からなる積層体３を形成する第３の工程と、積層体３を配線基板１８に搭載し、積層体３の半導体チップ４および配線基板１８を電気的に接続する第４の工程とを有する半導体装置１の製造方法。 （もっと読む）

【課題】第１のウェーハを第２のウェーハに直接ボンディングする新規な方法を提供する。
【解決手段】本発明の方法は、固有湾曲を有する第１のウェーハ（１００）を固有湾曲を有する第２のウェーハ（２００）に直接ボンディングする方法であり、２枚のウェーハのうちの少なくとも一方（１００）が少なくとも一組のマイクロコンポーネント（１１０）を備える。本方法は、２枚のウェーハ間でのボンディング波の伝搬を開始させるように、２枚のウェーハ（１００、２００）を互いに接触させる少なくとも１つのステップを含む。接触させるステップ中に、回転放物面の形態の所定のボンディング湾曲（ＫＢ）が、ウェーハ（１００）のボンディング前の固有湾曲に依存して２枚のウェーハのうちの一方に与えられ、他方のウェーハが所定のボンディング湾曲（ＫＢ）と一致するように自由である。 （もっと読む）

【課題】第１の被着体と第２の被着体とを接合する際、容易に、第１の被着体と第２の被着体との位置合わせを行うことができる樹脂組成物を提供すること、および、このような樹脂組成物を用いた接着フィルム、半導体装置、多層回路基板および電子部品を提供すること。
【解決手段】本発明の樹脂組成物は、第１の被着体と第２の被着体とを接合する際に用いられ、前記第１の被着体上に設けられる樹脂組成物層１を構成するものであり、前記樹脂組成物層１を平均厚さｔ［μｍ］で設け、前記樹脂組成物層１の波長８００ｎｍの光における吸収係数をα［１／μｍ］としたとき、下記（１）式および（２）式を満たすよう構成されている。
α×ｔ≦−ｌｏｇ_１０（０．０５） ・・・（１）
１≦ｔ≦２００ ・・・（２） （もっと読む）

【課題】注入された接着剤に、基板内部に残留するガスによるボイドが形成されることを防止する。
【解決手段】基板Ｗの周側面には、接着剤注入口１０１ａと排気口１０１ｂを有するシール材１０１が形成されている。シール材１０１の接着剤注入口１０１ａを接着剤１０２中に浸漬し、排気口１０１ｂを排気用ノズル１１０で覆う。真空ポンプＰ１に接続されたポンプ側継手１２２が嵌合されたノズル用継手１２１を、排気用ノズル１１０に接続する。真空ポンプＰ1により、排気口１０１ｂを介して基板Ｗ内部の空隙に残留するガスを吸気し、接着剤１０２を注入する。 （もっと読む）

【課題】積層する基板の電極端子同士の間での接合不良を防止できる３次元集積化技術を提供する。
【解決手段】基板１上にトランジスタ６と多層配線２、絶縁膜３を形成する。絶縁膜３に配線が露出するように開口部４を形成する。開口部内を含む絶縁膜上に、銅などからなる複数の導電体微粒子５を含む有機溶剤を回転塗布する。第１の熱処理により溶剤と有機成分を除去した後、ＣＭＰ法で外側部分の導電体微粒子を除去する。開口部内に導電体微粒子から構成された電極端子９が形成される。第２の基板５１の貫通電極５２を開口部に合わせ、加圧して押し合わせる。第１の熱処理より高温の第２の熱処理を行い、導電体微粒子を部分的に溶融させ、貫通電極と接合する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の破損を抑制すること。
【解決手段】上面に凹部１８を備える基板１０の前記凹部１８内に第１半導体素子３０を実装する工程と、前記第１半導体素子３０の上面上に弾性体４０を配置する工程と、第２半導体素子５０の下面が前記弾性体４０の上面に接するように前記第２半導体素子５０の上面に荷重をかけて前記第２半導体素子５０を前記基板１０に接合する工程と、を含む半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体素子を積層させる半導体装置を低コストで製造する手段を提供する。
【解決手段】半導体装置３１は、回路基板１上に第１の半導体素子１０が実装されており、第１の半導体素子１０の第１の電極パッド１４上のハンダバンプ１７に第２の半導体素子２０の接続端子２６が接合されている。第１の半導体素子１０の第２、第３の電極パッド１５，１６はワイヤ１８で回路基板１に電気的に接続されている。第１の半導体素子１０と第２の半導体素子２０の間の距離Ｈ０は、背高の接続端子２６によって、ワイヤ１８のループ高さＨ１以上になっている。 （もっと読む）

【課題】透明性が高く、半導体チップボンディング時のパターン又は位置表示の認識を容易なものとする半導体接合用接着剤を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂、無機フィラー及び硬化剤を含有する半導体接合用接着剤であって、前記無機フィラーは、半導体接合用接着剤中の含有量が３０〜７０重量％であり、かつ、平均粒子径が０．１μｍ未満のフィラーＡと、平均粒子径が０．１μｍ以上１μｍ未満のフィラーＢとを含有し、前記フィラーＡは、前記フィラーＢに対する重量比が１／９〜６／４である半導体接合用接着剤である。 （もっと読む）