【課題】電子機器や電子部品に搭載される電子デバイスを実装した実装基板であって、薄厚化を実現するとともにフレキシブル性を有して曲げに対する耐性も強い実装基板を提供する。
【解決手段】本発明の回路基板１０ＦＤは、一面側がパッド７を具備した端子形成面２ａとされた半導体チップ２をフレキシブル基板１上に実装してなる実装基板であって、前記パッド７が、前記フレキシブル基板１上に形成された金属配線４に対して電気的に接続されており、前記半導体チップ２の端子形成面２ａが、当該実装基板１０ＦＤの厚さ方向における中立面ｎｐに略一致して配置されている。 （もっと読む）

【課題】ボンディング工程時に搭載部品にかかる熱負荷を軽減する。接続部へのストレスの軽減。実装コストの削減。ＬＳＩチップのスタンドオフを一定に確保する。
【解決手段】ＬＳＩチップ１は、基板２上に搭載されている。基板２上には配線（図示なし）と該配線に連なるパッド３が形成されている外、配線とは接続されていないダミーパッド３ａが、ＬＳＩチップ１の四隅に対応する位置に形成されている。ＬＳＩチップ１の電極パッド（図示なし）と基板上のパッド３とは導電性接着剤４を介して接続されている。ダミーパッド３ａ上には、ボールスペーサ５と導電性接着剤４とが形成されており、ボールスペーサ５によりＬＳＩチップ１と基板２との距離が一定に保持されている。 （もっと読む）

【課題】超音波の印加、加熱などを行わなくても、小さい圧力のみで基板同士を接続できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、複数の第１の電極を備えた第１の基板と、複数の第２の電極を備えた第２の基板とを準備し、前記第１の電極に第１のバンプをワイヤボンディング法で形成し、前記第２の電極に第２のバンプをめっき法で形成し、前記第１のバンプの弾性率と前記第２のバンプの弾性率との差が、５００ｋｇｆ／ｍｍ²以下となるように弾性率の調整を行い、前記第１の基板と前記第２の基板とを、前記第１のバンプと前記第２のバンプとが対向して接するように配置し、前記第１のバンプと前記第２のバンプとが電気的に接続されるように、加圧を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】実装基板と電子部品との間の空間部が樹脂で充填される電子装置を製造するに際し、樹脂の充填時にボイドの巻き込みを低減させるとともに、充填時に樹脂内に巻き込まれたボイドを上方に向けて抜け易くすることが可能な樹脂充填装置、充填方法および該電子装置の製造方法を提供することを目的とする。また、それにより、巻き込みボイドを著しく低減させた電子装置を製造し、該電子装置の不良品率を低下させて、品質を高度に保つことを目的とする。
【解決手段】本発明に係る樹脂充填装置は、基板と、該基板に実装された電子部品との間の空間部に樹脂を充填する樹脂充填装置において、前記基板を傾斜状態で保持するステージと、該基板の傾斜下側から前記空間部に樹脂を充填する塗布ヘッドとを備える。 （もっと読む）

【課題】はんだ付け不良を低減する。
【解決手段】絶縁性基板１上に耐熱性及び電気絶縁性を有するフィルム４を、絶縁性基板１のパッド２を避けるように形成し、パッド２上にはんだバンプ３を形成して電子部品の実装基板を得る。実装基板上に電子部品を載せて、この電子部品の電極をはんだバンプ上に重ね合わせ、はんだバンプを溶融させてパッドと電子部品の電極とをはんだによって接合する。 （もっと読む）

【課題】半田からなる金属バンプを有する半導体チップを配線基板上にフリップチップ実装して、半導体チップと配線基板との間隙にアンダーフィル樹脂を充填する際に、アンダーフィル樹脂内に発生する気泡を抑制することができる半導体チップの電極構造を提供する。
【解決手段】半導体チップ１１の表面の電極パッド１３の近傍部分と金属バンプ１７の根元部分とがなす角度θを鈍角にする。 （もっと読む）

過酷な環境のための発光ダイオードは、実質的に透光性の基板と、基板の底面上に配置されている半導体層と、半導体層に結合され、基板の底面上に形成されている数個の接合パッドと、各接合パッド上に形成され、発光ダイオードをプリント回路ボードに電気的に接続するマイクロ・ポストとを含む。基板の底面とプリント回路ボードの上面との間に、発光ダイオード基板下における水浸透を低減するために、アンダーフィル層を設けてもよい。加えて、上面を通って放出される光を拡散させるために、発光ダイオードの上面にディフューザを取り付けてもよい。 （もっと読む）

【課題】導電性に優れた銀（Ａｇ）を含有する導電性接着剤を用いて配線基板の電極と半導体素子の外部接続端子とを接合して半導体素子を配線基板にフリップチップ実装すると共に、前記銀（Ａｇ）のイオンマイグレーションを防止することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子１２の外部接続端子１３と配線基板１１の電極１４とが導電性接着剤２０を介して接合された半導体装置は、前記導電性接着剤２０は、第１導電性接着剤２０−１と、前記第１導電性接着剤２０−１を被覆する第２導電性接着剤２０−２とを含み、前記第１導電性接着剤２０−１は、銀（Ａｇ）を含む導電性フィラーを含有し、前記第２導電性接着剤２０−２は、錫（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）、パラジウム（Ｐｄ）、及び白金（Ｐｔ）から構成される群から選択される金属を含む導電性フィラーを含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕを主体とする金属層と絶縁性樹脂層との密着性に優れた、実装信頼性の高い半導体パッケージ基板とその製造方法を提供すること。
【解決手段】外部部品と電気的に接続される突起状電極部６を有する、Ｃｕを主体とする金属層４ｂと、金属層４ｂ上の、突起状電極部６の外部部品との接続面を除いた領域に形成され、且つ、突起状電極部の側面を覆う絶縁性樹脂層２と、金属層４ｂと絶縁性樹脂層２との間に形成されたＮｉ合金層４ａと、金属層４ｂの、Ｎｉ合金層４ａが形成された面と反対の面上に形成され、半導体素子が接着される接着層とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明はアンダーフィル剤が配設される電子部品に対する観察装置及び電子装置の製造方法に関し、チップを実装する工程におけるアンダーフィル剤の流動状態、即ちボイドの挙動の可視化を可能とすることを課題とする。
【解決手段】ガラス基板５にガラスチップ４をアンダーフィル剤１２を介在させてフリップチップ実装する際に、アンダーフィル剤１２に発生するボイド１３の発生を観察する観察装置であって、ガラスチップ４をガラス基板５に実装するための実装手段（吸着ヘッド８、搭載ステージ１０、ヘッド移動機構２７、加圧力調整機構３０、及びステージ移動装置４０）と、実装処理中におけるアンダーフィル剤１２の挙動を観察する観察手段（撮像カメラ２３，レンズユニット２４）とを有する。 （もっと読む）

【課題】コアレス基板を用いた半導体装置の信頼性を損なうことなく、より簡便に半導体装置を製造する。
【解決手段】ベースとなる金属基板１００の上に多層配線基板２０を構築し、多層配線基板２０の複数の領域上にそれぞれ半導体チップ３０をフリップチップ実装する。複数の半導体チップ３０を封止樹脂層４０を用いて封止した後、金属基板１００を除去する。この後、多層配線基板２０の下面にはんだボール等を搭載し、半導体装置を個片化する。 （もっと読む）

【課題】アンダーフィル樹脂内のボイドの発生を抑制することができる半導体装置及びその製造方法並びに半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】基板１２上に溶融した樹脂３２を配置する工程と、溶融した樹脂３２上に半導体チップ２０を配置する工程と、半導体チップ２０に圧力を加え、半導体チップ２０を基板１２にフリップチップ実装する工程と、溶融した樹脂３２に流体圧力を加えた状態で溶融した樹脂３２を硬化させ、アンダーフィル樹脂を形成する工程と、を有する半導体装置及びその製造方法並びに半導体装置の製造装置。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ搭載装置を用いた加熱押圧により、半導体チップを半導体チップ実装部材に接合剤層を介して接合する際に、溶融した接合剤の半導体チップ搭載装置への付着を防止することでき、かつ半導体チップの汚染や損傷を抑制し得る半導体装置の製造方法、及び該半導体装置の製造方法に用いられる半導体装置加工用耐熱シートを提供する。
【解決手段】半導体チップ搭載装置２１を用いた半導体装置の製造方法であって、半導体チップ１１の上面１１ａと、半導体チップ搭載装置２１との間に、耐熱性基材シート層２と、半導体保護シート層３とを有する半導体装置加工用耐熱シート１を介在させて、半導体チップ１１の上面１１ａを半導体チップ搭載装置２１により加熱し、押圧することにより、接合剤１４を溶融し、半導体チップ１１を基板１２に接合する工程を備える、半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】使用材料の種類や部品点数が増加してコストアップを招くことなく、製造工程数を増加することなく、しかも絶縁基板の熱収縮を小さく保持して接続精度を確保しながら、半導体の放熱効果を高めた半導体装置、および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】可撓性絶縁基板２６の表面に、プリント配線技術によって形成した導体パターン３０に接続し、フリップチップ実装して絶縁基板上に半導体４２を搭載する半導体装置４７である。そのような半導体装置において、半導体の搭載位置における絶縁基板の裏面に、熱伝導性ペーストを塗布して硬化させることにより放熱体３７を形成してなり、半導体の搭載位置に絶縁基板の表裏を貫通する貫通孔３８を有し、その貫通孔に注入して、半導体を封止するとともに、その半導体を放熱体に連結する高熱伝導性の封止樹脂４６を設けてなる。 （もっと読む）

【課題】蓋体部を備えた貫通孔を有するベアチップをフリップチップ接続によって実装する際に、ベアチップ内部の貫通孔にアンダーフィルを容易に充填することができる実装構造を提供する。
【解決手段】回路基板６上に半導体回路を形成したベアチップ１をはんだバンプ５を介して搭載し、前記回路基板とベアチップ間にアンダーフィル７を充填してなるフリップチップ実装構造において、前記ベアチップは、半導体基板の表面に形成した半導体回路と前記半導体基板の裏面に形成した電極パッド間をその内面に形成した導電層を介して接続する貫通孔２と、該貫通孔の前記基板表面側開口部に形成した導電層からなる蓋体部３と、前記基板の裏面に形成した電極パッド上に形成したはんだバンプを備え、前記蓋体部には前記アンダーフィル充填時におけるガスを排出するガス排出用の貫通孔８を設けた。 （もっと読む）

【課題】電極面積を小さくした場合であっても、導電性粒子を増やすことなく、電極同士で安定した電気的接続を可能とする電極接続装置及び電極接続方法を提供する。
【解決手段】圧着ヘッド４２またはＬＳＩ配置ツール（図示せず。）には、ＬＳＩ３が保持される部位に、ＬＳＩ３の電極（ＬＳＩバンプ）を磁化させるバンプ磁化手段４２１が設けられ、バンプ磁化手段４２１が、ＬＳＩ３を熱圧着させる前に、ＬＳＩバンプが位置する領域に水平方向（パネル搭載面に対し水平方向の）の磁場または電場を発生させることによって、ＬＳＩバンプを磁化させる。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ実装タイプの半導体装置において、良好な接続信頼性を保ちつつ、ソルダーレジストのクラック故障のない半導体装置を提供する。
【解決手段】封止樹脂５の端面の配線基板１側の端部５ａ〜５ｄと第１の樹脂層（ソルダーレジスト）６との間に、第１の樹脂層６よりも柔らかい材質の第２の樹脂層７を介在させる。 （もっと読む）

【課題】従来のＣＯＦ型の半導体装置用のテープキャリアと比較して、エッチング後の配線パターンの形状を良好にすることができると共に、配線パターンと半導体素子との接続状態を良好にすることができ、非接続部の配線パターンの機械的強度をも従来と比較して同等に向上させることが可能となるフレキシブル配線基板、及びそれを用いた半導体装置および電子機器を提供する。
【解決手段】絶縁テープ６と、絶縁テープ６上に形成された配線パターン５７とを備えたフレキシブル配線基板において、配線パターン５７は、所定のパターンに形成されていると共に、半導体素子２を接続および搭載する搭載領域内に、半導体素子２と接続するための接続部を有しており、上記接続部のみの配線パターン５７の厚さだけが、非接続部における配線層の厚さよりも薄い。 （もっと読む）

【課題】積層型半導体装置において、半導体装置の反りを抑制し、信頼性に優れた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板１１上にフリップチップ接続された半導体素子１２を有し、基板１１と半導体素子１２の間にはアンダーフィル樹脂１３が充填されている。半導体素子の外周部には接合ランド１４が設けられ、基板１１全域が樹脂１５により封止されている。また、樹脂１５上面から接合ランド１４に至る開口部１６か形成されている。 （もっと読む）

【課題】ノーフローアンダーフィルによるフリップチップ実装方法において、基板のパッド電極にバンプを確実に接触させ、信頼性高くリフローはんだ付けできるようにする。
【解決手段】基板５２へ樹脂５４を先塗りし、その後に、バンプ付き半導体５０を基板５２へ搭載して、基板５２のパッド電極５３とバンプ５１とを接合するノーフローアンダーフィルによるフリップチップ実装方法において、リフロー治具１０の基台１１上面に基板５２を載置し、基板５２へフィラー５５が高充填されている樹脂５４を塗布し、基板５２の所定位置にバンプ付き半導体５０を搭載するとともに、半導体５０の上部に基板５２の製品外形寸法よりも大きい押さえ板２１を載置し、かつ、押さえ板２１の下面と基台１１上面との間にスペーサ１３を介装して押さえ板２１の押圧量を規制するとともに、基台１１上面に立設された位置決め用のガイドピン１５にて押さえ板２１の水平移動を規制する。 （もっと読む）