説明

Fターム[5F044RR19]の内容

ボンディング (23,044) | ワイヤレスボンディング関連事項 (2,154) | 容器・封止 (1,675) | 封止方法 (545)

Fターム[5F044RR19]に分類される特許

261 - 280 / 545


【課題】半導体チップと基板との電気的接続状態を安定化することを目的とするものである。
【解決手段】基板1に半導体チップ2をフリップチップ実装して半導体装置を製造する際に、半導体チップ2の多重の環状に形成されたパッド4の最内周パッド以外のパッド4間に突出部9を設け、基板1上の最内周パッドの内側に対応する部分に固定用樹脂体3を載置し、加圧,加温することにより基板1と半導体チップ2との間全面に固定用樹脂体3を広げ、基板1と半導体チップ2とを固定用樹脂体3により固定することにより、最内周パッドの外側にボイド等が形成されることを抑制し、半導体チップ2と基板1との電気的接続状態を安定化することができる。 (もっと読む)


【課題】全面にわたって均一な条件で、効率よく安全に基板を接合する。
【解決手段】一対の基板を接合する接合装置であって、一方の基板の位置を検出して、検出した位置に基づいて、前記一方の基板が他方の基板に近接する方向及び前記一方の基板が前記他方の基板から離反する方向への前記一方の基板の移動を制御する位置制御部と、前記一対の基板が所定の大きさの間隔以下の大きさの間隔で互いに近接していること、または、前記一対の基板が互いに接触していることを検出する近接検知部と、近接検知部が前記一対の基板の近接または接触を検知した後に、前記一対の基板の間で作用する圧力を検出し、当該圧力が所与の目標圧力に到達するまで、前記一方の基板を前記他方の基板に向けて加圧する圧力制御部とを備える。 (もっと読む)


【課題】複数のバンプ接合部の周辺のみを封止し得る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】フィルム部材70は、複数の絶縁用フィルム部材71とこれら各絶縁用フィルム部材71の周縁の一部がそれぞれミシン目73を介して分断容易に連結される把持用フィルム部材72とを有する。各絶縁用フィルム部材71にそれぞれ貫通させた各バンプ60と、各電極52とが当接するようにセンサチップ20と配線基板50とを近接させる。そして、各バンプ60と各電極52とを電気的に接続する。そして、把持用フィルム部材72を把持して各絶縁用フィルム部材71から離間させることにより当該把持用フィルム部材72と各絶縁用フィルム部材71とをミシン目73により形成される分断線に沿って分断する。そして、分断後の各絶縁用フィルム部材71により各バンプ60および各電極23,52との接合部であるバンプ接合部の周囲を封止する。 (もっと読む)


【課題】良好な導通接続状態を実現し、端子間の電気的接続性を向上させる端子間の接続方法、および半導体素子の実装方法を提供する。
【解決手段】導電性粒子と、該導電性粒子の融点で硬化が完了しないバインダーと、還元剤とを含む導電性ペーストを介して、端子同士を対向させて配置させる端子配置工程と、50℃以上、前記導電性粒子の融点以下の温度領域、10〜300秒の処理時間、かつ−5〜5℃/秒の単位時間当たりの温度変化で前記導電性ペーストを加熱処理する第一の加熱処理工程と、前記導電性粒子の融点よりも高く、かつ前記バインダーの硬化が完了しない温度で前記導電性ペーストを加熱処理する第二の加熱処理工程と、前記バインダーを硬化させる硬化工程とを含むことを特徴とする端子間の接続方法。 (もっと読む)


【課題】アンダーフィル剤の流出を確実に防止することのできる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板1と、前記基板上にフリップチップ実装された半導体チップと、前記基板と前記半導体チップとの間を埋めるアンダーフィルと、を具備し、前記基板上には、前記半導体チップの搭載されるチップ搭載領域20と、前記チップ搭載領域の外部に配置され、電極パッド12の設けられた電極パッド領域30と、前記チップ搭載領域と前記電極パッド領域との間に設けられたダム領域40とが設けられ、前記ダム領域には、複数のダム用突起が、複数列に配置されている。 (もっと読む)


【課題】回路基板と半導体素子との隙間に充填されたアンダーフィル樹脂内のボイドの発生を防止して、半田バンプの接続信頼性を高める。
【解決手段】まず、回路基板101の表面に半導体素子102が実装される。次に、回路基板101と半導体素子102との隙間に、流動性を有するアンダーフィル樹脂が充填される。次に、回路基板101と半導体素子102との隙間に充填されたアンダーフィル樹脂が硬化される。ここで、上記のアンダーフィル樹脂が回路基板101と半導体素子102との隙間に充填される際には、半導体素子102の側面に対向する複数の位置から回路基板101と半導体素子102との隙間にアンダーフィル樹脂が供給される。 (もっと読む)


【課題】高温高湿下で生じるマイグレーションによる絶縁性の低下が抑制されたCOF構造の半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基材フィルム3a上に半導体チップ搭載領域3cを有する回路が形成されているFPC3の該半導体チップ搭載領域3cに、半導体チップ2を搭載する工程と、前記FPC3と前記半導体チップ2との間に形成される隙間に、液状エポキシ樹脂組成物を注入する工程と、前記隙間に注入した液状エポキシ樹脂組成物を硬化させる工程とを備え、前記液状エポキシ樹脂組成物が、エポキシ樹脂、酸無水物系硬化剤、及び硬化促進剤を含有し、液状エポキシ樹脂組成物を前記隙間に注入する前に、前記基材フィルム3aを膨潤可能な有機溶媒を前記FPC3に塗布することを特徴とするCOF構造の半導体装置の製造方法を用いる。 (もっと読む)


【課題】接着剤後入れ工法における接着剤未充填の電子装置搬送時に接合部が破損し易いという課題と、接着剤先入れ工法における実装基板と電子部品との空間部に充填される接着剤に未充填部が発生し易いという課題とを同時に解決する。
【解決手段】実装基板に第1の接着剤を塗布する塗布工程と、接続パッドとバンプとが接触するように実装部に電子部品を載置した後、電子部品の反実装面に加熱ヘッドを押し付けて電子部品を加熱し、第1の接着剤を硬化させて実装基板と電子部品とを接着する第1の加熱工程と、減圧下で実装基板と電子部品との間の空間部に第2の接着剤を充填する充填工程と、その実装基板および電子部品を減圧下から大気圧下に戻した後、電子部品の反実装面に加熱ヘッドを押し付けて電子部品を加熱し、第2の接着剤を硬化させると共に、接続パッドとバンプとを接合させる第2の加熱工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】優れたフラックス残渣の溶解または拡散作用を有する液状封止樹脂組成物を提供し、かつフラックス剤を用いる工程を経て製造される半導体装置の信頼性を向上すること。
【解決手段】半田リフローをする際にフラックス剤を使用して、半導体素子と相手体とを半田バンプで接続した後、前記半導体素子と前記相手体との間を封止するために用いる液状封止樹脂組成物であって、前記液状封止樹脂組成物に用いるエポキシ樹脂とアミン硬化剤との150℃におけるゲルタイムが、1000秒以上10000秒未満であることを特徴とする液状封止樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】接着シートに擦り傷や汚染が発生せず、半導体素子のアライメントマーク認識を損なうことのない半導体用接着シートを提供する。
【解決手段】(a)有機溶剤可溶性ポリイミド、(b)エポキシ化合物および(c)硬化促進剤を含有し、(b)エポキシ化合物100重量部に対し、(a)有機溶剤可溶性ポリイミドの含有量が15〜90重量部、(c)硬化促進剤の含有量が0.1〜10重量部からなる組成の半導体用接着シート。 (もっと読む)


【課題】半導体素子と基板との隙間に充填される充填剤への気泡又は異物の混入を防止し、かつ、前記半導体素子と基板との接合部分を十分に補強することにより信頼性の高い半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体チップ10は、半導体チップ10と基板20との隙間を所定の距離に保持する突起部12・12・12・12を具備し、基板20は、半導体チップ10に対応した形状に形成され、半導体チップ10が嵌合される掘り込み部21と、掘り込み部21と外部とを連通する第一開口部22および第二開口部23と、を具備し、第一開口部22において、半導体チップ10と、基板20と、アンダーフィル剤31を充填するノズル32と、を密着させた状態で、半導体チップ10と基板20との隙間に、アンダーフィル剤31を第二開口部23から空気を放出しながら所定量充填することにより、半導体チップ10と基板20との接合を補強する。 (もっと読む)


【課題】半導体チップと基板との間の隙間に充填されるアンダーフィルが不所望領域へ広がりにくい半導体モジュールの製造方法を提供すること。
【解決手段】フリップチップ実装された半導体チップ5と対向する基板1上の銅箔パターン2(電極20群やグラウンド電極21)がビア導体3を介して基板1の底面側の銅箔パターン2(電極22群やグラウンド電極23)と導通されており、この底面側の銅箔パターン2に熱源8を接触させた状態で、半導体チップ5と基板1との間の隙間に液状のアンダーフィル6を注入して充填させる。また、基板1上には予め所定領域に半田レジスト膜4を形成しておき、半導体チップ5と対向する方形状領域Aに形成された半田レジスト膜4の外周部で基板面露出部10に隣接する枠状部分4aが、銅箔パターン2と重なり合わずに半導体チップ5の実装領域を全周に亘って包囲するようにしておく。 (もっと読む)


【課題】電子部品の外周まで樹脂を確実に充填し、配線基板と電子部品との接続信頼性を向上できる実装構造体とその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも第1の面1Aに電子部品4が実装された配線基板1と、少なくとも電子部品4と配線基板1間に設けられた樹脂3と、配線基板1の電子部品4の実装位置に対応する領域に設けられた貫通孔2と、を備え、電子部品4の実装位置に対応する領域の周辺で、少なくとも電子部品4と重なるように配線基板1に凸部20を設けた構成を有する。 (もっと読む)


【課題】半田バンプの位置決めが容易であり、ボイドが無く信頼性の高いアンダーフィルを形成することができる方法を提供する。
【解決手段】シリコンウエハの表面上に塗付するアンダーフィル剤を2層構成とし、半田バンプ側面部を囲む第1アンダーフィル剤に高濃度の充填剤を配合し、B−ステージ化し、半田バンプの高さの0.5〜1.0倍の厚さに形成し、その上に、フラックス成分を含む第2アンダーフィル剤を塗付し、B−ステージ化して、第1アンダーフィル剤の層との合計の厚みが、半田バンプの高さの1.0〜1.3倍となるる層を形成する。 (もっと読む)


【課題】マザー基板の一面側に電子部品を搭載してなる電子装置において、マザー基板の一面側の全面ではなく、電子部品の実装部位に限定したマザー基板の多層化を図る。
【解決手段】マザー基板10と、マザー基板10の一面11側に搭載された電子部品30とを備える電子装置において、マザー基板10の一面11側の一部には、層状をなす配線部材20が搭載されており、電子部品30は配線部材20を介してマザー基板10に電気的・機械的に接続されている。 (もっと読む)


【課題】従来の金属ナノペースト材料を用いた接合方法及び接合部構造では、加熱によ り接合部に発生したボイドによりポーラス状の接合部構造となるため、接合強度低下及 び熱ストレス等による接合部破壊に伴う信頼性低下が生じやすい。
【解決手段】回路形成体の電極上に金属ナノペースト材料により形成した接合材料積層 体を配置し、電子部品或いは回路形成体の電極間に予め接合強度補強用の樹脂を配置し て、一括して加熱処理することで、接合材料積層体内部に発生したボイド部へ樹脂を浸 透させるとともに電子部品全面に対しても樹脂を溶融・硬化して構成することで接合強 度の向上を図ることができる。 (もっと読む)


【課題】チップ外周部に接続バンプを配列したLSIチップを異方導電性接着剤で接続基板に接続した接続構造体に関して、良好な電気的接続性、および接着信頼性を実現する接続構造体、および、その製造方法を提供すること。
【解決手段】チップ外周部に接続バンプを配列したLSIチップ1と接続基板6とを、少なくとも硬化剤、硬化性の絶縁性樹脂、導電性粒子7を含む異方導電性接着剤2で接続した接続構造体において、接続バンプ3と接続基板6の接続電極5との間にマイクロバブル4を有し、接続基板6に相対する接続バンプ面への該マイクロバブル4の投影面積が、接続基板6に相対する接続バンプ面の面積に対して3〜60%であることを特徴とする接続構造体を用いる。 (もっと読む)


【課題】300℃以上の加熱温度で半導体チップと基板とを接続する場合に、発泡やボイドの発生を抑制し、配線間における十分な絶縁信頼性を実現でき、且つ、優れた作業性を有する半導体封止用フィルム状接着剤を提供すること。
【解決手段】(a)ポリイミド樹脂と、(b)エポキシ樹脂と、(c)硬化剤と、を含有する半導体封止用フィルム状接着剤3。 (もっと読む)


【課題】300℃以上の高温で半導体チップと基板とを接続する場合のボイドの発生を抑制でき、配線間の十分な絶縁信頼性と、半導体チップと基板との間の十分な導通性とが得られる半導体封止用フィルム状接着剤を提供する。
【解決手段】(a)ポリイミド樹脂と、(b)エポキシ樹脂と、(c)フェノール樹脂と、(d)硬化促進剤と、を含有する半導体封止用フィルム状接着剤4であって、350℃での溶融粘度が2000Pa・s以下であり、且つ、350℃で10秒間加熱した後の硬化反応率が50%以上である、半導体封止用フィルム状接着剤。 (もっと読む)


【課題】基板と電子素子との電気的接続の信頼性を高めた電子装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】電子装置1は、少なくとも1つのパッド3を有する基板2と、基板2の少なくとも1つのパッド3に電気的に接続されるバンプ8を有し、基板2にフリップチップ実装された電子素子6と、パッド3とバンプ8とを電気的に接続する導電性樹脂4と、基板2と電子素子6との間に介在する絶縁性のシート5と、を備える。基板2は、電子素子6と対向する面に、パッド3毎に凹部2aを有する。パッド3は、凹部2aの少なくとも底部に形成される。導電性樹脂4は、パッド3上かつ凹部2a内に充填される。シート5は、バンプ8毎に、開口面積が凹部2aの開口面積より狭い貫通孔5aを有する。バンプ8は、貫通孔5aの内壁に接触して貫通孔5aに挿通されると共に、パッド3と直接接触せずに導電性樹脂4を介して電気的に接続される。 (もっと読む)


261 - 280 / 545