【課題】ガス吐出部分が金属とセラミックスの２層構造のシャワープレートを有するシャワーヘッドを用い、均一な処理を行うことが可能な基板処理装置を提供すること。
【解決手段】シャワーヘッド１８は、ガス導入孔６１ａが形成された金属製の上部プレート６１と、複数のガス通過孔６６が形成された金属製の下部プレート６２と、上部プレート６１と下部プレート６２との間に設けられたガス拡散空間Ｓと、下部プレート６２の下側全面を覆うように設けられ、ガス通過孔６６に対応して複数のガス吐出孔６７が形成されたセラミックス製のカバー部材６４と、ガス拡散空間Ｓ内に上部プレート６１と下部プレート６２との間を接続するように設けられ、処理にともなって発生する熱を上方へ伝熱する複数の伝熱部材７０ａ，７０ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の生産性が低下することを抑制しつつ、ウェハの裏面に、ステージに起因した傷が発生することを抑制する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ステージが加熱されている状態で、半導体ウェハは、ステージ上に載置される（ステップＳ１０）。そして第１の時間が経過した後、制御部は、真空容器内の圧力Ｐ_１を、第１の圧力よりも高い第２の圧力に上げる（ステップＳ４０）。半導体ウェハをステージ上に載置したあと、真空容器内の圧力Ｐ_１と、吸着口内の圧力Ｐ_２の差圧は、半導体ウェハが凸部上でスライドしない最小の値に設定される。またステップＳ４０においても、差圧は、半導体ウェハが凸部上でスライドしない最小の値に維持される。 （もっと読む）

【課題】処理対象である複数の基板が多段に配置される熱処理装置であって、プロセスガスの温度の差を基板間で低減することにより処理の均一性を改善することができ、基板到達前にプロセスガスが分解するのを抑制することが可能な熱処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板を多段に支持する支持体；前記支持体を内部に収容可能な反応管であって、該反応管の側部に設けられ前記反応管の内部にガスを供給する複数のガス供給管と、該複数のガス供給管の対向位置からずれて設けられ前記ガスを排気する排気部とを有する当該反応管；及び前記反応管の内部に収容された前記基板を加熱する第１の加熱部であって、該第１の加熱部の下端から上端まで延び、前記複数のガス供給管が通り抜けられるスリットを有し、該スリット以外の内面が前記反応管の側部に面する第１の加熱部；を備える熱処理装置が開示される。 （もっと読む）

【課題】クリーニングガスを用いて縦型反応炉内をクリーニングする際あるいは成膜中に粉末状の粒子が発生することを防止する半導体製造装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、モータ６の回転軸に固定される下部接続部５と、下部接続部５上に固定される上部接続部４と、上部接続部４上に固定されて被処理基板１０を支持するボート２とを有する上下移動可能な回転構造と、回転構造を収容する反応室を形成する反応管１と、を備え、上部接続部４を下部接続部５の熱膨張率とボート２の熱膨張率との中間の熱膨張率を有する材料で構成する半導体製造装置である。上部接続部４は、反応室で使用するクリーニングガスおよび反応ガスに対し耐腐食性を有するコーティング膜によってコーティングされている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、第III族−Ｎ（窒素）化合物半導体ウエハを製造するために、特にＧａＮウエハを製造するために最適化された方法及び装置に関する。
【解決手段】
具体的には、この方法は、化学気相成長（ＣＶＤ）反応器内の隔離弁取付具上の不要な材料の形成を実質的に防止することに関する。特に、本発明は、システムで使用される隔離弁上のＧａＣｌ₃及び反応副生成物の堆積／凝縮を抑制する装置及び方法と、１つの反応物質としてのある量の気体状第III族前駆体と別の反応物質としてのある量の気体状第Ｖ族成分とを反応チャンバ内で反応させることによって、単結晶第III−Ｖ族半導体材料を形成する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板外周部であって、サセプタの裏面側の上段座ぐり部に対応する位置の温度を下げ、基板裏面における外周部と内周部との熱的条件を一定にし、基板裏面における裏面デポの発生を抑制できるサセプタ及びそのサセプタを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することで問題の解決を試みた。
【解決手段】 エピタキシャル層の気相成長を行う際に半導体基板を支持するサセプタであって、サセプタの上面には、内部に半導体基板が配置される座ぐりが形成され、該座ぐりは、半導体基板の外周縁部を支持する上段座ぐり部と、該上段座ぐり部よりも下段でかつ中心側に形成された下段座ぐり部とを有する二段構造を成し、下段座ぐり部には、前記サセプタの裏面まで貫通し、気相成長を行う際にも開放状態となる貫通孔が形成されており、サセプタの裏面側には、上段座ぐり部に対応する位置に溝が設けられたものであることを特徴とするサセプタ。 （もっと読む）

【課題】 シリコン膜の結晶成長の速度を速くする技術を提供する。
【解決手段】 気相成長装置１０は、気相成長室３６と、加熱室８と、混合室３８と、トリクロロシランガスを貯蔵する第１貯蔵庫４２と、塩酸ガスと反応するシラン系ガスを貯蔵する第２貯蔵庫４０を備えている。加熱室８は、第１貯蔵庫４２と混合室３８に連通しており、トリクロロシランガスを加熱した後に混合室３８に供給している。混合室３８は、第２貯蔵庫４０と気相成長室３６に連通しており、加熱室８から供給されたガスとシラン系ガスを混合させて、その混合ガス３４を気相成長室３６に供給している。加熱室８の室内温度は、混合室３８の室内温度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】オン電流を確保しつつ、オフ電流を低減した薄膜トランジスタを有する表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ゲート電極ＧＴと、ゲート電極ＧＴの上側に形成される結晶化された第１の半導体層ＭＳと、第１の半導体層ＭＳの上側に形成される、ソース電極ＳＴおよびドレイン電極ＤＴと、第１の半導体層ＭＳの側方から延伸して、ソース電極ＳＴ及びドレイン電極ＤＴのうちの一方と第１の半導体層ＭＳとの間に介在する第２の半導体層ＳＬと、を有する表示装置であって、第２の半導体層ＳＬは、第１の半導体層ＭＳと接触して結晶化されて形成される第１部分ＳＬａと、第１部分ＳＬａよりも結晶性が低い第２部分ＳＬｂを有する、ことを特徴とする表示装置。 （もっと読む）

【課題】天井断熱材のクラックの発生を少なくし、天井断熱材の破損、落下のおそれを低減することができる基板処理装置、半導体装置の製造方法及び天井断熱材を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板を処理する反応容器の外側に設けられたヒータ２０６を有する。このヒータ２０６は、環状の側壁断熱材１２と、側壁断熱材１２に載置される天井断熱材１６と、側壁断熱材１２の内側に設けられる発熱体１４とを有する。ヒータ２０６の天井断熱材１６には、応力緩和部が天井断熱材１６の中心側から周縁側に向かって複数設けられている。 （もっと読む）

【課題】基板におけるプラズマ処理の面内分布が均一となる真空処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｓが設置される基板設置部及びプラズマを形成するプラズマ形成部を備えた真空チャンバ１１を備える真空処理装置１において、基板設置部には、基板Ｓが載置される基板載置台１３と、真空チャンバ１１に設けられると共に排気手段に接続される排気口３４と、基板載置台３１の周囲を囲むシールド部材５０とが設けられ、シールド部材５０は、その周方向に複数の開口が離間して形成されており、排気手段側に形成された開口の総面積が、排気手段とは逆側に形成された開口の総面積よりも狭い。 （もっと読む）

【課題】 表面ラフネスの精度をさらに改善でき、進展するコンタクトホールやラインなどの微細化に対応可能なアモルファスシリコンの成膜方法を提供すること。
【解決手段】 下地２を加熱し、加熱した下地２にアミノシラン系ガスを流し、下地２の表面にシード層３を形成する工程と、下地２を加熱し、加熱した下地２の表面のシード層３にアミノ基を含まないシラン系ガスを供給し、アミノ基を含まないシラン系ガスを熱分解させることで、シード層３上にアモルファスシリコン膜を形成する工程と、を備え、シード層３を形成する工程における下地の加熱温度を、アモルファスシリコン膜を形成する工程における前記下地の加熱温度よりも低くする。 （もっと読む）

【課題】ガスノズルのガス供給口を閉塞させること無く、歩留まりを良くする。
【解決手段】複数積層されたウェーハ１４を処理（熱処理）する反応管４２（マニホールド３６）と、反応管４２内を加熱する加熱体４８と、反応管４２内に設けられ、各ウェーハ１４の積層方向に延びる第１ガス供給ノズル６０と、第１ガス供給ノズル６０の基端部６０ａから先端部６０ｂに向けて複数並んで設けられ、各ウェーハ１４に向けてＳｉ原子含有ガス（成膜ガス）およびＣｌ原子含有ガス（エッチングガス）を供給する第１ガス供給口６８と、第１ガス供給ノズル６０の先端部６０ｂに設けられ、ガス供給方向に向けて延びる整流板６１とを備えている。これにより、最上段の第１ガス供給口６８の周辺におけるエッチングガスの濃度低下を抑えることができ、第１ガス供給口６８を閉塞させることが無いので、歩留まりを良くすることができる。 （もっと読む）

【課題】表面欠陥の発生を低減できて積層欠陥の発生を抑制でき、オン電圧ドリフトを抑制できるＳｉＣバイポーラ半導体素子を提供する。
【解決手段】このＳｉＣ ｐｉｎダイオード２０は、六方晶構造の炭化珪素半導体で作製され、メサ状の半導体層３１が六角柱形状で６つの側面(メサ面)３１Ａをすべて{０ｍ−ｍ０}面(ｍ,ｎは整数)とした。これにより、メサ面３１Ａに対する〈１１−２０〉方向のバーガーズベクトルＢＶ１,ＢＶ２の角度θ１,θ２(図４)が、{１１−２０}面の素子表面(メサ面)に対するバーガーズベクトルＢＶ１０１,ＢＶ１０２の角度θ１０１,θ１０２(図１２)に比べて小さくなると共に表面欠陥が発生するのに必要なバーガーズベクトルＢＶ１,ＢＶ２の長さが長くなる。これにより、メサ面３１Ａに表面欠陥ＳＤが入り難くなり、メサ状の半導体層３１の各メサ面３１Ａでの表面欠陥を低減できて、積層欠陥の発生を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】誘導加熱を用いて分解温度の高い成膜ガスを安定に分解し、成膜を行うことが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】内部が減圧空間とされる処理容器と、前記減圧空間に成膜ガスを供給するガス供給手段と、カーボンを主成分とする材料により構成さるとともに、前記減圧空間に設置されて被処理基板を保持する基板保持部と、前記処理容器の外側に設置される、前記基板保持部を誘導加熱するコイルと、前記基板保持部を覆うと共に、前記処理容器から離間させて設置される断熱材と、を有し、前記減圧空間は、前記成膜ガスが供給される成膜ガス供給空間と、前記基板保持部と前記処理容器との間に画成される断熱空間とに分離され、前記断熱空間に冷却媒体が介在されるように構成されていることを特徴とする成膜装置。 （もっと読む）

【課題】成膜精度に悪影響を及ぼさず、かつ高温に耐え得るウェーハの積層構造を有する基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウェーハ１４を内周側で保持するホルダベース１１０と、ホルダベース１１０の外周側を保持するホルダ保持部ＨＳを有する各ボート柱３１ａ〜３１ｃとを備え、ホルダベース１１０の外径寸法をウェーハ１４の外径寸法よりも大きくし、かつホルダベース１１０をホルダ保持部ＨＳから取り外せるようにした。ホルダベース１１０と各ボート柱３１ａ〜３１ｃとを溶接等により固着しなくて済み、ホルダベース１１０および各ボート柱３１ａ〜３１ｃをＳｉＣ等で形成して、容易に高温に耐え得るウェーハの積層構造を実現できる。また、ホルダベース１１０によって、各ボート柱３１ａ〜３１ｃからウェーハ１４を離間させることができるので、成膜精度に悪影響を及ぼすのを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】高温条件下で行なわれるＳｉＣエピタキシャル膜の成膜処理において、複数枚の基板上にわたって均一なＳｉＣエピタキシャル膜を成膜することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】本実施の形態では、異なる第１のガス供給系と第２のガス供給系を設け、第１のガス供給系からアルゴン（Ａｒ）ガス、四塩化珪素（ＳｉＣｌ_４）ガス、プロパン（Ｃ_３Ｈ_８）ガスの一部および塩化水素（ＨＣｌ）ガスを供給し、第２のガス供給系から残りのプロパン（Ｃ_３Ｈ_８）ガスと水素（Ｈ_２）ガスを供給している。 （もっと読む）

【課題】面取り部の形状を再成形するとともに、裏面クラウンを完全に除去し、平坦性に優れた、パーティクルのほとんど無いエピタキシャルウェーハを製造することができる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】表裏の主面と該主面の外周の面取り部とからなるシリコン単結晶基板上にエピタキシャル層を成長させることによりエピタキシャルウェーハを製造する方法において、前記シリコン単結晶基板の前記裏面側の主面全面と前記裏面側の面取り部に裏面酸化膜を形成する工程と、該裏面酸化膜を形成したシリコン単結晶基板の表面側の主面上に、４０μｍ以上の膜厚のエピタキシャル層を成長させる工程と、該エピタキシャル層表面に保護酸化膜を形成する工程と、該保護酸化膜を形成したシリコン単結晶基板の面取り部を研削及び研磨する工程と、その後、前記保護酸化膜を除去して、仕上げの洗浄を行う工程とを含むエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥の少ない高品質な３Ｃ−ＳｉＣ層を形成することが可能な立方晶炭化珪素半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１１の上面１１ａに炭化層１２を形成する第１の工程と、シリコン基板１１の温度を第２の温度範囲の温度まで下降させる第２の工程と、シリコン基板１１の温度が第２の温度範囲の温度となったところで、シリコン原料ガスを導入し、シリコン基板１１と炭化層１２の間の界面に形成された空孔１１ｈにシリコンをエピタキシャル成長させて空孔１１ｈを埋める第３の工程と、シリコン原料ガスの導入を止め、炭素原料ガスを導入しつつシリコン基板１１の温度を第３の温度範囲の温度まで上昇させる第４の工程と、シリコン基板１１の温度が第３の温度範囲の温度となったところで、シリコン原料ガス及び炭素原料ガスを導入し、炭化層１２上に立方晶炭化珪素をエピタキシャル成長させる第５の工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】縦型チューブ処理装置において、ガス供給ノズルの最上部にあるガス供給口から噴出された反応ガスがウェハボートの上面より上の空間にも流れてしまい処理室内で反応ガスの流速や流量が変わってしまうことを抑制する。
【解決手段】複数の基板１４を処理する反応室４４と、反応室４４を囲むように設けられる加熱部４８と、複数の基板１４を保持して反応室４４内に載置されるボート３０と、反応室４４内に設置され、複数の基板１４に向かって成膜ガスを供給する複数のガス供給口を有するガス供給ノズル６０，７０と、反応室４４内の雰囲気を排気する排気口９０，３９０と、ボート３０の側面を挟むように設けられた整流壁と、ガス供給ノズル６０，７０の上端より上方に設けられ、前記複数のガス供給口からボート３０の上端より上方の空間を通って排気口９０へ向かう流路に設けられたガス流抑止部３１０と、を具備する装置とする。 （もっと読む）

【課題】 基板を降温させる際の放熱を促進させて基板処理の生産性を向上させたり、成膜時における処理室内での異物の発生を抑制して基板処理の品質を向上させたりする。
【解決手段】 基板を処理する処理室と、処理室内に収容され、複数枚の基板を鉛直方向にそれぞれが間隔を成すように保持する基板保持体と、処理室内で基板保持体を下方側から支持する断熱部と、処理室内で基板の収容領域を囲うように設けられる加熱部と、加熱部を加熱する加熱部と、少なくとも処理室内の断熱部の収容領域に所定のガスを供給するガス供給系と、を備える。 （もっと読む）