【課題】結晶欠陥の少ない高品質な３Ｃ−ＳｉＣ層を形成することが可能な立方晶炭化珪素半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１１の上面１１ａに炭化層１２を形成する第１の工程と、シリコン基板１１の温度を第２の温度範囲の温度まで下降させる第２の工程と、シリコン基板１１の温度が第２の温度範囲の温度となったところで、シリコン原料ガスを導入し、シリコン基板１１と炭化層１２の間の界面に形成された空孔１１ｈにシリコンをエピタキシャル成長させて空孔１１ｈを埋める第３の工程と、シリコン原料ガスの導入を止め、炭素原料ガスを導入しつつシリコン基板１１の温度を第３の温度範囲の温度まで上昇させる第４の工程と、シリコン基板１１の温度が第３の温度範囲の温度となったところで、シリコン原料ガス及び炭素原料ガスを導入し、炭化層１２上に立方晶炭化珪素をエピタキシャル成長させる第５の工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】処理ガスを大量に活性化させ、かつ失活させずに供給することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗを支持する基板支持体３と、触媒板５と、触媒板５に接触させて活性化させる第１処理ガスを供給する第１処理ガス供給部７０aと、触媒板５を誘導加熱する誘導加熱コイル６とを備え、基板支持体３は、触媒板５の一面側に配され、誘導加熱コイル６は、触媒板５の他面側に配され、触媒板５は、処理室１を、誘導加熱コイル６側の第１空間及び基板支持体３側の第２空間に隔てる。 （もっと読む）

【課題】低温で高品質な生成膜の生成を可能とし、デバイスの性能の向上を図ると共に歩留りの向上を図る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】処理室に基板を搬入する工程と、処理室及び基板を所定の温度に加熱する工程と、処理室に所定のガスを給排するガス給排工程とを含み、ガス給排工程は、シラン系のガスと水素ガスとを処理室に供給する第１の供給工程と、少なくともシラン系のガスを処理室から除去する第１の除去工程と、塩素ガスと水素ガスとを処理室に供給する第２の供給工程と、少なくとも塩素ガスを処理室から除去する第２の除去工程とを、所定回数繰返して実行させる。 （もっと読む）

【課題】基板を基板保持具に搭載して縦型熱処理炉に搬入し、熱処理を行う熱処理装置において、縦型熱処理炉からアンロードされた基板保持具に搭載された基板を速やかに降温させること。
【解決手段】前面から、当該前面に対向する後面の気流形成用の排気口６３ａに向って横方向の気流が形成されたローディングエリアＳ２内にて、熱処理炉２の下方側のアンロード位置におけるウエハボート３Ａと前記排気口６３ａとの間に、アンロードにより高温に加熱された雰囲気を吸引排気するための熱排気用の排気口７１が形成された排気ダクト７Ｂ，７Ｃを設ける。アンロードされた高温状態のウエハボート３Ａ近傍の雰囲気は排気ダクト７Ｂ，７Ｃから排気されるので、上方側への熱拡散が抑えられ、横方向の気流がウエハボート３Ａ及びウエハ群に供給されて、熱処理後のウエハを速やかに降温させることができる。 （もっと読む）

【課題】所望の不純物濃度と、高い結晶性とを有するドリフト層を有する炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】バッファ層３１は、基板３０上に設けられ、不純物を含有する炭化珪素から作られ、１μｍより大きく７μｍより小さい厚さを有する。ドリフト層３２は、バッファ層３１上に設けられ、バッファ層３１の不純物濃度よりも小さい不純物濃度を有する炭化珪素から作られている。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内の雰囲気を安定化することができる気相処理装置を提供する。
【解決手段】チャンバ５には、間隔を空けてサセプタ３を取り囲む穴部ＨＬが設けられている。サセプタガイド２１は、チャンバ５の外部に配置されており、サセプタ３を回転可能に保持しており、第１の外周面を有する。第１のリング部３１は、穴部ＨＬを取り囲むようにチャンバ５に取り付けられており、第１の内周面を有する。第２のリング部３２は、第１の内周面に対向する第２の外周面と、第１の外周面に対向する第２の内周面とを有し、サセプタガイド２１に取り付けられており、金属多孔体から作られている。 （もっと読む）

【課題】 エピタキシャル成長中における基板からエピタキシャル層へのオートドープ量を抑制し、抵抗分布及び膜厚分布の良好なエピタキシャルウェーハを得ることができるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 シリコン単結晶基板上にシリコン単結晶をエピタキシャル成長させて、エピタキシャル層を積層するシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法において、抵抗率が０．５ｍΩ・ｃｍ以上１０．０ｍΩ・ｃｍ以下であり、リンまたはヒ素がドープされている前記シリコン単結晶基板上に、成長速度を３μｍ／分以上１５μｍ／分以下として、抵抗率が０．５Ω・ｃｍ以上２０００Ω・ｃｍ以下である前記エピタキシャル層を成長させることを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】貫通らせん転位が少ない、もしくは存在しない炭化珪素単結晶層を製造することができる炭化珪素単結晶の製造方法、当該製造方法で製造された炭化珪素単結晶ウェハ、当該炭化珪素単結晶ウェハを用いた炭化珪素半導体素子の製造方法、当該製造方法で製造された炭化珪素半導体素子を提供する。
【解決手段】結晶成長面５からの傾斜面６の角度が４０度以上９０度以下であり頂面３Ｔを有する六角錐状の凸部３を有する種基板２の表面に炭化珪素単結晶層４を成長させることで、種基板２の貫通らせん転位を、炭化珪素単結晶層４で基底面内欠陥９に変換すると共に、貫通らせん転位を凸部３の頂面３Ｔに制限する。 （もっと読む）

【課題】誘導加熱を用いて基板を熱処理する熱処理装置において、基板の温度均一性を高くし、かつ効率を高くすること。
【解決手段】複数の基板Ｓに熱処理を施す熱処理装置１は、熱処理が施される複数の基板を収容する誘電体からなる処理容器２２と、複数の基板Ｓを上下に配列した状態で保持し、処理容器２２内へ挿脱される基板保持部材２４と、処理容器２２の外周に巻回される誘導加熱コイル１０４と、誘導加熱コイル１０４に高周波電力を印加する高周波電源１１０と、処理容器内２２で、複数の基板Ｓにそれぞれ重ね合うように設けられ、誘導加熱コイル１０４に高周波電力を印加することにより発生した誘導電流が流れて発熱する、スパイラル状部を有する誘導発熱体Ｎとを具備する。 （もっと読む）

【課題】相対的に高い変換効率を持つ新規なカルコゲナイト系化合物半導体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】以下の構成を備えたカルコゲナイト系化合物半導体及びその製造方法。（１）カルコゲナイト系化合物半導体は、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、元素Ｘ₃（＝Ｓ及び／又はＳｅ）、及び、Ｏを必須元素として含む。（２）カルコゲナイト系化合物半導体は、（ａ）Ｃｕ、Ｚｎ及びＳｎを含み、（ｂ）Ｃｕ、Ｚｎ及びＳｎから選ばれるいずれか１以上の元素を含む、１種又は２種以上の非結晶の酸化物及び／又は水酸化物を含む前駆体を硫化及び／又はセレン化することにより得られる。前駆体は、大気開放型ＣＶＤ装置にＣｕ源、Ｚｎ源及びＳｎ源を含むＣＶＤ原料を供給し、ＣＶＤ原料を同時に気化させることにより形成するのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ装置を用いて基板にエピタキシャル膜を形成する際に生じる裏面が粗くなることを抑制することにより、炭化珪素単結晶ウエハの裏面の研磨によって生じる炭化珪素単結晶ウエハの品質の低下を抑制するとともに、工数を減少させることができる炭化珪素単結晶ウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る炭化珪素単結晶ウエハの製造方法は、炭化珪素からなる主面３０ａを有するプレート３０の主面３０ａ上に基板１０を載置し、基板１０上にエピタキシャル膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】表面ラフネスの精度をさらに改善でき、進展するコンタクトホールやラインなどの微細化に対応可能なアモルファスシリコンを成膜できる成膜装置を提供すること。
【解決手段】下地を有した被処理体１を収容する処理室１０１と、処理ガス供給機構１１４と、加熱装置１３３と、排気機構１３２と、コントローラ１５０とを具備し、コントローラ１５０が、加熱した下地にアミノシラン系ガスを流し、下地の表面にシード層を形成する工程と、加熱した下地の表面のシード層にアミノ基を含まないシラン系ガスを供給し、アミノ基を含まないシラン系ガスを熱分解させることで、シード層上にアモルファスシリコン膜を形成する工程とが実施されるように処理ガス供給機構１１４、加熱装置１３３及び排気機構１３２を制御し、シード層を形成する工程における下地の加熱温度及び処理時間を、アモルファスシリコン膜を形成する工程におけるそれらよりも低く及び短くする。 （もっと読む）

【課題】縦型の半導体素子の形成が可能で、かつ高品質な単結晶ＳｉＣ基板の使用量を減らすことが可能であるＳｉＣ半導体基板を提供する。
【解決手段】支持基板１と、支持基板１の表面に接合されることにより支持基板１と一体化された単結晶ＳｉＣ層２と、を有するＳｉＣ半導体基板において、支持基板１を、単結晶ＳｉＣより比抵抗が低い材料を用いて構成された基板１ａと、当該基板１ａを被覆するＳｉＣ組成薄膜１ｂとを備えたものとする。 （もっと読む）

【課題】化学気相堆積により、基板上にＧｅの連続した層を堆積する方法を提供する。
【解決手段】非反応性キャリアガスと、高次のゲルマニウム前駆体ガス、即ちゲルマン（ＧｅＨ_４）より高次のゲルマニウム前駆体ガスとの混合物が適用される。好適には、約２７５℃と約５００℃との間の堆積温度で堆積が行われ、混合物中の前駆体ガスの分圧は、約２７５℃と約２８５℃との間の温度で少なくとも２０ｍＴｏｒｒであり、約２８５℃と約５００℃との間の温度で少なくとも１０ｍＴｏｒｒである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エピタキシャル構造体及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明のエピタキシャル構造体の製造方法は、少なくとも一つの結晶面を有する基板を提供する第一ステップと、前記基板の結晶面に複数の空隙を含むカーボンナノチューブ層を配置する第二ステップと、前記基板の結晶面にエピタキシャル層を成長させる第三ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】ウェハの全面にステップバンチングがない、ステップバンチングフリーのＳｉＣエピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＳｉＣエピタキシャルウェハは、０．４°〜５°のオフ角で傾斜させた４Ｈ−ＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣのエピタキシャル層を形成したＳｉＣエピタキシャルウェハであって、短いステップバンチングがないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高いゲート絶縁膜を備えたＳｉＣ半導体装置を提供する。
【解決手段】８度以下のオフ角度を有する炭化珪素基板（１）と、この基板上に形成された第１導電型の第１炭化珪素領域（２）と、この領域の表面に形成された第２導電型の第２炭化珪素領域（３）と、この領域の表面に形成され、不純物濃度が第２の炭化珪素領域と同程度に調整された第１導電型の第３炭化珪素領域（４）と、この領域の表面に選択的に形成された第１導電型の第４炭化珪素領域（５）と、第２炭化珪素領域の表面に形成された第２導電型の第５炭化珪素領域（６）と、第１炭化珪素領域から第３炭化珪素領域の少なくとも端部までを覆うように形成されたゲート絶縁膜（７）と、この上に形成されたゲート電極（８）とを具備し、第３炭化珪素領域の表面における、第３と第４炭化珪素領域の境界面は、オフ角度方向と９０°以外の角度で交差するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル層の形成時のオートドープを確実に抑制することで、エピタキシャルウェーハの抵抗率均一性を向上させ、周縁部まで効率的にデバイスの形成が可能なエピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハを提供する。
【解決手段】一面１０ａ側に第一のエピタキシャル層１１を形成したシリコン単結晶基板１０は、次に、堆積物除去工程を行う。この堆積物除去工程では、シリコン単結晶基板１０の面取り部１０ｃを、例えば鏡面研磨することによって、第一の成長工程Ｓ１で生じた堆積物Ｐを除去する。 （もっと読む）

【課題】爆発の危険性が高いＳｉＨ_４を用いずとも、安全、比較的低温度で、しかも低廉なコストでＳｉ系膜を提供できる技術を提供することである。
【解決手段】Ｓｉ系膜を形成する為の膜形成材料であって、前記膜形成材料が、ｔ−Ｃ_４Ｈ_９ＳｉＸ_３（Ｘは任意の基）と、前記ｔ−Ｃ_４Ｈ_９ＳｉＸ_３と反応する反応性化合物とを有する。 （もっと読む）

【課題】工程システムの運用能力と生産性の向上とともに、半導体層の結晶性を向上させる製造方法を提供する。
【解決手段】第１反応チャンバにおいて、基板１０１上に第１導電型窒化物半導体層１０２及びアンドープの窒化物半導体層１０３を順次に成長させる段階と、前記第１導電型窒化物半導体層及びアンドープの窒化物半導体層が成長した状態の前記基板を第２反応チャンバに移送する段階と、前記第２反応チャンバにおいて、前記アンドープの窒化物半導体層上に追加の第１導電型窒化物半導体層を成長させる段階と、前記追加の第１導電型窒化物半導体層上に活性層１０５を成長させる段階と、前記活性層上に第２導電型窒化物半導体層１０６を成長させる段階とを含む発光ダイオードの製造方法を提供する。 （もっと読む）