【課題】一度に処理する基板の枚数を増大させ、ＧａＮのエピタキシャル膜の生産性を向上させることができる膜の形成方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理室内に搬入する搬入工程と、前記処理室内にガリウム塩化物ガスを供給する第１ステップと、前記処理室から前記ガリウム塩化物ガスをパージする第１パージステップと、前記第１パージステップの後に前記処理室内にアンモニアガスを供給する第２ステップと、前記処理室から前記アンモニアガスをパージする第２パージステップとを有する初期膜形成工程と、前記初期膜形成工程の後に、前記処理室内に前記ガリウム塩化物ガスと前記アンモニアガスを同時に供給し、エピタキシャル膜を形成するエピ膜形成工程とによりＧａＮ膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長用のシリコンウェーハに施すＲＴＡ熱処理の低温化を図り、シリコンウェーハのスリップの発生を抑制すると共に、ウェーハ内部に良好な酸素析出を生じさせて、十分に高いＢＭＤ密度を有し、スリップのない高品質なエピタキシャルシリコンウェーハを製造することができる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】シリコンウェーハを準備する工程と、準備したシリコンウェーハに雰囲気ガス中でＲＴＡ熱処理を施す工程と、ＲＴＡ熱処理が施されたシリコンウェーハの表面にエピタキシャル層を成長させる工程とを有するエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法であって、シリコンウェーハを準備する工程において、初期酸素濃度が１６〜２０ｐｐｍａで、炭素濃度が１ｐｐｍａより大きいシリコンウェーハを準備して、ＲＴＡ熱処理工程において、１２００℃未満の温度で熱処理を施すエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板加熱用ヒータと電極部品との接続部へのプロセスガスの回り込みによる劣化を抑制し、半導体装置の高性能化や信頼性の向上、低コスト化を図ることが可能な半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。
【解決手段】反応室１１にプロセスガスを供給するプロセスガス供給機構１２と、前記反応室より前記プロセスガスを排出するガス排出機構１３と、前記反応室にウェーハＷを載置するウェーハ支持部材１５と、該ウェーハ支持部材を載置するリング１６と、該リングと接続され、前記ウェーハを回転させるための回転駆動制御機構１７と、前記リング内に設置され、前記ウェーハを所定の温度に加熱するために設けられ、平面度０〜０．０１ｍｍの電極接触面１８ｃを有するヒータ１８ａと、該ヒータの前記電極接触面と、平面度０〜０．０１ｍｍの接触面１９ａで接続され、前記ヒータに電力を供給する電極部品１９と、を備える半導体製造装置とする。 （もっと読む）

【課題】 高品質なシリコン膜を高速で結晶成長させる技術を提供する。
【解決手段】 １２００℃〜１４００℃に加熱されているとともに１５００ｒｐｍ〜３５００ｒｐｍで回転している基板６に向けて、基板の表面に直交する方向から、塩化シランガス１８を供給する。このときの塩化シランガス１８の供給量を、基板６の表面１ｃｍ^２当たり２００μｍｏｌ／分以上とする。 （もっと読む）

【課題】急峻なヘテロ界面が形成され、高い移動度を有する窒化物半導体からなる半導体装置を得る。
【解決手段】まず、第１成長工程においては、電子走行層（ＧａＮ層）を成長させるため、ＭＯＣＶＤ装置のチャンバ内に、ＮＨ_３とＴＭＧがオン（供給）され、ＴＭＡはオフ（停止）とされる。次に、バリア層を成長させる前に、ＴＭＧ、ＴＭＡを共にオフとする成長中断工程を行う。次に、ＴＭＡのみをオンとし、ＴＭＧをオフのままとしたプリフロー工程を行う。プリフロー工程において、ＴＭＡの流量は、第２の流量ｆ_２に設定される。ｆ_２は、電子走行層１２とバリア層１３との間に急峻な界面が形成されるように設定される。次に、ＴＭＧと共にＴＭＡをオンとし、バリア層（ＡｌＧａＮ層）を成長させる第２成長工程を行う。 （もっと読む）

【課題】１つのアンテナ電極から大きなプラズマを発生させることができるプラズマ用アンテナ電極及びプラズマ発生装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、マイクロ波を受信してプラズマを発生させるプラズマ用アンテナ電極であって、マイクロ波を受信する主受信部２１と、主受信部２１の一端から延びる第一電極部２２と、主受信部２１の他端から延び、先端が第一電極部２２の先端と離間且つ近接している第二電極部２３と、を備える導体からなり、導体のうち主受信部がマイクロ波を受信して、定常波を発生させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】石英製の反応炉の損傷を抑制することができ、副生成物の生成を抑制できるＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法、ＩＩＩ族窒化物テンプレートの製造方法、ＩＩＩ族窒化物結晶及びＩＩＩ族窒化物テンプレートを提供する。
【解決手段】本発明に係るＩＩＩ族窒化物結晶は、ＩＩＩ族窒化物結晶中に１×１０^１６ｃｍ^−３以上１×１０^２０ｃｍ^−３未満の炭素を含み、前記炭素がＶ族サイトを置換しており、かつ、前記ＩＩＩ族窒化物結晶内でアクセプタとして働く他の不純物を含まないものである。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハとエピタキシャル層との界面におけるボロン量を抑えるのに好適なエピタキシャル成長方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶をスライス１１して得られたスライスウェーハをラッピング又は研削１１し化学エッチング１２し鏡面研磨１３し洗浄１４した後保管１６されたボロンがウェーハに付着したシリコンウェーハ上にエピタキシャル成長する方法において、保管１６されたシリコンウェーハをＨ₂Ｏ−Ｈ₂Ｏ₂−ＮＨ₄ＯＨの混合液で洗浄１７し、洗浄１７したシリコンウェーハをエピタキシャル成長装置内に搬入１８し、搬入１８したシリコンウェーハの表面に１０００〜１２００℃の温度で塩化水素ガスを流して、エッチング取り代が０．１〜０．５μｍとなるようにウェーハ表面の気相エッチング１９を行い、続いて成長装置内に原料ガスをキャリアガスとともに流して気相エッチングされたウェーハ表面にエピタキシャル層を形成２０する。 （もっと読む）

【課題】シリコンおよび炭化ケイ素基板上に堆積されたＧａＮフィルムにおける応力の制御方法、およびこれによって生成されたＧａＮフィルムを提供する。
【解決手段】典型的な方法は、基板を供給すること、および供給の中断をまったく伴なわず、成長チャンバへの少なくとも１つの先駆物質の供給によって形成された、当初組成物から最終組成物までの実質的に連続したグレードの様々な組成物を有する基板上にグレーデッド窒化ガリウム層を堆積させることを含む。典型的な半導体フィルムは、基板と、供給の中断をまったく伴なわず、成長チャンバへの少なくとも１つの先駆物質の供給によって形成された、当初組成物から最終組成物までの実質的に連続したグレードの様々な組成物を有する基板上に堆積されたグレーデッド窒化ガリウム層とを含む。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ電子走行層の厚さを広い範囲で選択することができ、デバイス設計の自由度を高めることができる窒化物半導体素子、および耐圧および信頼性に優れる窒化物半導体素子パッケージを提供すること。
【解決手段】基板４１上に、ＡｌＮ層４７、第１ＡｌＧａＮ層４８（平均Ａｌ組成５０％）および第２ＡｌＧａＮ層４９（平均Ａｌ組成２０％）からなるバッファ層４４を形成する。バッファ層４４上には、ＧａＮ電子走行層４５およびＡｌＧａＮ電子供給層４６からなる素子動作層を形成する。これにより、ＨＥＭＴ素子３を構成する。 （もっと読む）

【課題】形成される薄膜中に残留する副生成物や中間体の濃度を制御して基板処理することができる半導体製造方法や基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理室内へ搬入する搬入工程と、前記基板が搬入された処理室内へ、メチル基を含む有機シリコンガス及び酸素含有ガスを供給するガス供給工程と、前記ガス供給工程に続けて、前記基板が搬入された処理室内へ、メチル基を含む有機シリコンガス及び酸素含有ガスを供給しつつ、前記供給されたガスに紫外光を照射して励起する第１のガス励起工程とから、半導体製造方法を構成する。 （もっと読む）

【課題】メインコントローラの起動後に必要に応じて破損ファイルの発生を操作画面に表示し、警告を促すことで安全性を向上した基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１のメインコントローラ２４０は、立ち上げ時にレシピ実行時に使用されるパラメータファイルの破損を発見した場合、起動後に破損ファイル一覧ダイアログを操作端末２４１に表示するとともにレシピを実行させないように構成される。もし、レシピ開始ボタンが押されたとしても、アラームメッセージが表示されるだけであり、レシピ開始ボタンは無効となる。 （もっと読む）

【課題】リーク電流が低減された、耐圧性が高い窒化物系化合物半導体素子の製造方法および窒化物系化合物半導体素子を提供すること。
【解決手段】基板上に少なくともガリウム原子を含むＩＩＩ族原子と窒素原子とからなる窒化物系化合物半導体層をエピタキシャル成長する成長工程と、素子構造形成前に、前記窒化物系化合物半導体層にレーザ光または電離放射線を照射し、前記窒化物系化合物半導体層中のＩＩＩ族空孔と水素原子との複合体を分解する分解工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】Ｉｎを含む窒化物化合物半導体結晶で、より容易にｐ型の電気的特性が得られるようにする。
【解決手段】まず、基板１０１を加熱する。次に、少なくともＩｎ原料、アンモニア、窒素以外のＶ族の原料、およびｐ型ドーパントの原料を基板１０１の上に供給する。ただし、窒素以外のＶ族は、Ａｓ，Ｐ，およびＳｂの中より選択したものである。なお、Ｉｎ原料の他に、Ｇａ原料、Ａｌ原料などを加えるようにしてもよい。これにより、基板１０１の上に、Ｉｎを含むｐ型窒化物化合物半導体結晶の層１０２が形成できる。 （もっと読む）

【課題】基板上に化合物半導体層を厚く形成することができ、バッファ領域内に生じる寄生容量を低減することができる半導体ウエーハを提供する。
【解決手段】基板２と、バッファ領域３と、主半導体領域４とを有する半導体ウエーハであって、前記バッファ領域は、第１の層６と第２の層７とが交互に複数配置された複数の多層構造バッファ領域５と、該複数の多層構造バッファ領域の相互間に配置された中間バッファ領域８とから成り、前記第１の層は、前記基板を構成する材料の格子定数よりも小さい格子定数を有する化合物半導体から成り、前記第２の層は、前記基板を構成する材料の格子定数と前記第１の層の格子定数との間の格子定数を有する化合物半導体から成り、前記中間バッファ領域は、前記第１及び第２の層よりも厚く形成され、且つ前記第１の層を構成する材料の格子定数と前記第２の層の格子定数との間の格子定数を有する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池の薄膜蒸着装置、システム、それを利用した太陽電池の製造方法及び異種接合の太陽電池の製造方法、並びにこれによって製造された異種接合の太陽電池を提供する。
【解決手段】太陽電池の薄膜蒸着装置は、基板Ｗを境界として区分される複数個の単位チャンバー１１０ａ，１１０ｂと、複数個の単位チャンバーに蒸着ガスＧ１，Ｇ２を独立的に注入させるための蒸着ガス注入部１２０ａ，１２０ｂと、前記単位チャンバー内にそれぞれ備えられ、前記注入された蒸着ガスを分解するための分解手段１３０ａ，１３０ｂと、を備え、前記基板の両面それぞれは、前記複数個の単位チャンバーに露出され、太陽電池の薄膜蒸着装置及びそれを利用した製造方法は、基板の回転なしに固定された状態で基板の両面蒸着を可能にする。したがって、一面に対して一層のみが積層される従来の技術に比べて、要求される設備の数が画期的に減ることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は光電素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による光電素子であって、表面及び表面と垂直する法線方向を有する基板と、基板の表面に位置して表面と接触する第一半導体層と、第一半導体層と基板の表面の間に位置する少なくとも一つの空洞構造とを有し、少なくとも一つの空洞構造は幅と高さを有し、幅は空洞構造における表面に平行する方向の最大寸法であり、高さは空洞構造における法線方向に平行する方向の最大寸法であり、高さは幅より小さい。 （もっと読む）

【課題】基板上に成長されるＧａＮ層は歪みを受ける可能性があり、歪みのレベルがある閾値を超えると、ＧａＮ層に亀裂が入る恐れがある。
【解決手段】半導体構造は、基板、前記基板上の核生成層、前記核生成層上の組成傾斜層、及び前記組成傾斜層上の窒化物半導体材料の層を含む。前記窒化物半導体材料の層は、前記窒化物半導体材料の層の中に間隔をおいて配置された複数の実質的に緩和された窒化物中間層を含む。前記実質的に緩和された窒化物中間層は、アルミニウム及びガリウムを含み、ｎ型ドーパントで導電的にドープされ、また前記複数の窒化物中間層を含む前記窒化物半導体材料の層は、少なくとも約２．０μｍの全厚を有する。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム層を有する多層構造基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】まず、キャリア基板上に複数の開口を有するメッシュ層を形成するとともに、該開口内のキャリア基板上に緩衝層、アルミニウム濃度が異なる３層の窒化アルミニウムガリウム層及び窒化ガリウム層を順次に形成する。本発明に係るアルミニウム濃度が異なる３層の窒化アルミニウムガリウム層によれば、応力を効果的に解放し、窒化ガリウム層表面クラックを減少し、内部欠陥を制御することが可能となるため、面積が大きく、厚さが大きく、クラックがなく、且つ高品質の窒化ガリウム層を形成することができ、高効率電子素子の製造に有利となる。 （もっと読む）

【課題】 ＣＶＤ法によるシリコン酸化膜の成膜方法であって、シリコン酸化膜成膜後に熱処理または塩素処理などの別の改質工程を行わずとも、ＯＨ基の含有量が抑えられたシリコン酸化膜を成膜することができるシリコン酸化膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】 エピタキシャル成長用のシリコンウエーハに対してＣＶＤ法を用いてシリコン酸化膜を成膜する方法であって、少なくとも、前記シリコンウエーハとして表面にエピタキシャル層を成長する前のシリコンウエーハに対して、シリコン原料ガスの他に塩素ガスを含有する反応ガス雰囲気下で、前記ＣＶＤ法によりシリコン酸化膜を成膜することを特徴とするシリコン酸化膜の成膜方法。 （もっと読む）