【課題】本発明は、エピタキシャル構造体の製造方法に関する。
【解決手段】本発明のエピタキシャル構造体の製造方法は、少なくとも一つの結晶面を有する基板を提供する第一ステップと、前記基板の結晶面に複数の空隙を含むカーボンナノチューブ層を配置し、前記基板の結晶面の一部を前記カーボンナノチューブ層の複数の空隙によって露出させる第二ステップと、前記基板の結晶面にエピタキシャル層を成長させ、前記カーボンナノチューブ層を覆う第三ステップと、前記基板及び前記カーボンナノチューブ層を除去する第四ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】横方向結晶成長における横方向成長速度が縦方向成長速度と同等の成長速度を維持することにより、等方的に立方晶炭化珪素を成長させることができ、より広い低欠陥領域を有する立方晶炭化珪素膜を形成させることのできる立方晶炭化珪素膜の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板２の表面２ａに立方晶炭化珪素層１１を形成する工程と、立方晶炭化珪素層１１を選択除去し、結晶成長領域の結晶方位面が｛１００｝面となる所望のパターンの立方晶炭化珪素シード層１１ａを形成する工程と、この立方晶炭化珪素シード層１１ａ上に立方晶炭化珪素を成長させる工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】表面処理された基板上に膜を成膜する際に膜が変質せず、表面処理の際にパーティクルが発生せず、また、予め基板表面の終端状態を調整するための工程数を削減できる表面処理方法及び成膜方法を提供する。
【解決手段】処理容器６０内に搬入されている基板の表面を、密着促進剤を気化させた密着促進剤ガスにより処理する表面処理方法において、基板を加熱するとともに、処理容器６０内に密着促進剤ガスを供給し、供給された密着促進剤ガスと、加熱されている基板とを、水分を含まない雰囲気中で反応させることによって、基板の表面を処理する表面処理工程を有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ窒化ゲート誘電層における窒素プロファイルを改善する為の方法を提供する。
【解決手段】基板を処理する方法において：基板が、あるシステム１０の窒化用チャンバ２０Ｂ内に置かれている間に、前記基板上に形成されたゲート誘電層に窒素（Ｎ）を導入するステップと；前記システム１０から前記基板を外に搬送することなく、前記基板を前記システム１０のアニール用チャンバ２０Ｃに搬送するステップと；前記窒化用チャンバ２０Ｂ内の前記基板の温度を超える温度まで、前記アニール用チャンバ２０Ｃ内で前記基板を加熱することにより、前記ゲート誘電層をアニールするステップと；を備え、前記アニールの間、前記アニール用チャンバ２０Ｃ内の圧力は、少なくとも５０トルであり、前記基板を、前記窒素が導入された後、５分以内にアニールする、前記方法。 （もっと読む）

【課題】強い酸化力で基板上に均一な酸化膜を形成することができる。
【解決手段】基板に酸素含有ガスを供給する工程と、前記酸素含有ガスに対して触媒作用を有する反応促進ガスを供給する工程と、を交互に複数回繰り返して、基板を酸化することにより基板に酸化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥の少ない高品質な単結晶炭化シリコン膜を形成することが可能な半導体基板及び半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶シリコン１１と、単結晶シリコン１１の表面に形成された、開口部１２ｈを有するマスク材１２と、単結晶シリコン１１の開口部１２ｈから露出した部分に形成された炭化シリコン膜１３と、炭化シリコン膜１３及びマスク材１２を覆って形成された単結晶炭化シリコン膜１４と、を含み、マスク材１２の粘度が９５０℃以上１４００℃以下の温度範囲において１０^５Ｐａ・ｓ以上１０^１４．５Ｐａ・ｓ以下である。 （もっと読む）

【課題】処理対象である複数の基板が多段に配置される熱処理装置であって、プロセスガスの温度の差を基板間で低減することにより処理の均一性を改善することができ、基板到達前にプロセスガスが分解するのを抑制することが可能な熱処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板を多段に支持する支持体；前記支持体を内部に収容可能な反応管であって、該反応管の側部に設けられ前記反応管の内部にガスを供給する複数のガス供給管と、該複数のガス供給管の対向位置からずれて設けられ前記ガスを排気する排気部とを有する当該反応管；及び前記反応管の内部に収容された前記基板を加熱する第１の加熱部であって、該第１の加熱部の下端から上端まで延び、前記複数のガス供給管が通り抜けられるスリットを有し、該スリット以外の内面が前記反応管の側部に面する第１の加熱部；を備える熱処理装置が開示される。 （もっと読む）

【課題】 基板表面や対向面の状態によらず、形成するシリコン膜の表面の平坦性を向上させる。
【解決手段】 基板が収容される処理室と、処理室内に少なくともシリコン含有ガスを供給するシリコン含有ガス供給系と、処理室内に少なくともホウ素含有ガスを供給するホウ素含有ガス供給系と、基板が収容された処理室内にホウ素含有ガス供給系からホウ素含有ガスを供給させ、基板の表面を、ホウ素元素が堆積された表面或いはホウ素元素により終端された表面に改質させた後、シリコン含有ガス供給系からシリコン含有ガスを供給させると共に、ホウ素含有ガス供給系からホウ素含有ガスを供給させ、改質された基板の表面上にシリコン膜を形成するよう制御する制御部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】シリコンなどの基板上に形成した高品質な結晶を有するウェーハ、結晶成長方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、基板と、ベース層と、下地層と、中間層と、機能部と、を備えたウェーハが提供される。前記ベース層は、前記基板の主面上に設けられシリコン化合物を含む。前記下地層は、前記ベース層の上に設けられＧａＮを含む。前記中間層は、前記下地層の上に設けられＡｌＮを含む層を含む。前記機能部は、前記中間層の上に設けられ窒化物半導体を含む。前記下地層の前記ベース層の側の第１領域におけるシリコン原子の濃度は、前記下地層のうちの前記中間層の側の第２領域におけるシリコン原子の濃度よりも高い。前記下地層は、前記第１領域に設けられた複数の空隙を有する。 （もっと読む）

【課題】得られる膜の品質を向上できると共にプラズマ処理が基板に及ぼす影響を低減できるプラズマ処理方法、膜形成方法、半導体デバイスの製造方法及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本実施形態のプラズマ処理方法は、基板Ｗ上に吸着された第１層Ａ１に対して、第１圧力Ｐ１下で第１プラズマ処理を施す工程と、第１プラズマ処理を施された第１層Ｌ１上に吸着された第２層Ａ２に対して、第１圧力Ｐ１より低い第２圧力Ｐ２下で第２プラズマ処理を施す工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板外周部であって、サセプタの裏面側の上段座ぐり部に対応する位置の温度を下げ、基板裏面における外周部と内周部との熱的条件を一定にし、基板裏面における裏面デポの発生を抑制できるサセプタ及びそのサセプタを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することで問題の解決を試みた。
【解決手段】 エピタキシャル層の気相成長を行う際に半導体基板を支持するサセプタであって、サセプタの上面には、内部に半導体基板が配置される座ぐりが形成され、該座ぐりは、半導体基板の外周縁部を支持する上段座ぐり部と、該上段座ぐり部よりも下段でかつ中心側に形成された下段座ぐり部とを有する二段構造を成し、下段座ぐり部には、前記サセプタの裏面まで貫通し、気相成長を行う際にも開放状態となる貫通孔が形成されており、サセプタの裏面側には、上段座ぐり部に対応する位置に溝が設けられたものであることを特徴とするサセプタ。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板を下地基板とし、基板サイズに比して問題ない程度に反りが抑制され、半導体素子の作製に好適なエピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】エピタキシャル基板が、シリコン単結晶からなる下地基板と、下地基板の上に形成された複数のIII族窒化物層からなるIII族窒化物層群と、を備えており、下地基板が、所定のｎ型ドーパントが添加されてなることでｎ型の導電性を有し、かつ、比抵抗が０．１Ω・ｃｍ以下であり、複数のIII族窒化物層がそれぞれ、少なくともＡｌまたはＧａを含み、エピタキシャル基板の反り量をＳＲ（単位：μｍ）、窒化物層群の総膜厚をｔｅ（単位：μｍ）、下地基板の膜厚をｔｓ（単位：ｍｍ）、下地基板の直径をｄｓ（単位：ｍｍ）とするときに、規格化反り指数ＫがＫ＝｛（ＳＲ／ｔｅ）×（ｔｓ／ｄｓ）²｝≦１×１０^-3なる関係式をみたすようにする。 （もっと読む）

【課題】バッファ層からキャリア層への不純物拡散による悪影響を排除することができる。
【解決手段】このバッファ層２０における最下部には超格子層（第１の領域）２１が配され、その上には拡散防止下部層２２、拡散防止層（第２の領域）２３、拡散防止上部層２４が順次形成されている。基板１１上に形成されたバッファ層２０、キャリア層３０中においては、バッファ層２０中の超格子層２１のみに意図的に不純物がドーピングされ、他の層はノンドープである。そのｃ軸方向が膜厚方向であり、ａ軸は成長層の面内方向（膜厚方向と垂直な方向）となる。ａ軸格子定数は膜厚方向にわたりほぼ一定となるのに対し、ｃ軸格子定数は拡散防止層２３で極大値をとる。 （もっと読む）

【課題】 シリコン膜の結晶成長の速度を速くする技術を提供する。
【解決手段】 気相成長装置１０は、気相成長室３６と、加熱室８と、混合室３８と、トリクロロシランガスを貯蔵する第１貯蔵庫４２と、塩酸ガスと反応するシラン系ガスを貯蔵する第２貯蔵庫４０を備えている。加熱室８は、第１貯蔵庫４２と混合室３８に連通しており、トリクロロシランガスを加熱した後に混合室３８に供給している。混合室３８は、第２貯蔵庫４０と気相成長室３６に連通しており、加熱室８から供給されたガスとシラン系ガスを混合させて、その混合ガス３４を気相成長室３６に供給している。加熱室８の室内温度は、混合室３８の室内温度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】基板支持体のために耐久性があり、かつ、寸法的に正確な支持体アームを提供する。
【解決手段】基板支持組立体１００であって、基板のためのポケット１２４を画し、複数のアパーチャ１２２を画すプラットフォーム１２０と、複数の上方延伸アーム１１４を有し、前記アーム１１４のそれぞれは、前記アパーチャ１２２の対応する一つに位置合わせされ、貫通して可動である基板キャリア１１０と、複数のスリーブ１３０が、対応する前記アーム１１４の各々に固定され、前記アーム１１４の各々が、中央に位置するハブ１０４に接続され、前記スリーブ１３０の各々が、前記ハブ１０４に向いている第１の側と、前記ハブ１０４から離れるように向いている第２の側と、前記第１の側に隣接する棚と前記第２の側に隣接する上方延伸部分を有する頂部端とを有し、前記棚は、前記第１の側に向かって傾斜している。 （もっと読む）

【課題】オン電流を確保しつつ、オフ電流を低減した薄膜トランジスタを有する表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ゲート電極ＧＴと、ゲート電極ＧＴの上側に形成される結晶化された第１の半導体層ＭＳと、第１の半導体層ＭＳの上側に形成される、ソース電極ＳＴおよびドレイン電極ＤＴと、第１の半導体層ＭＳの側方から延伸して、ソース電極ＳＴ及びドレイン電極ＤＴのうちの一方と第１の半導体層ＭＳとの間に介在する第２の半導体層ＳＬと、を有する表示装置であって、第２の半導体層ＳＬは、第１の半導体層ＭＳと接触して結晶化されて形成される第１部分ＳＬａと、第１部分ＳＬａよりも結晶性が低い第２部分ＳＬｂを有する、ことを特徴とする表示装置。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上にIII族窒化物材料を成長させるための新規な方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、ポーラス状の最上層を有するシリコン基板を含む基板と、
上記最上層上の、Ｇｅ材料からなる第２層と、
上記第２層上の、III族窒化物材料からなる別の層とを有する装置に関する。
さらに、本発明は、高品質のIII族窒化物層のエピタキシャル成長に非常に適した方法、中間層若しくはテンプレートデバイスに関する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＭＯＣＶＤ法により化合物半導体膜が形成された基板に残存する反りを十分に低減することの可能な気相成長方法、及び気相成長方法により形成された化合物半導体膜を提供することを課題とする。
【解決手段】化合物半導体膜１２を成膜後に、基板１１の温度を下げる降温工程、及び／又は化合物半導体膜１２を気相成長後に基板１１の温度を上げる昇温工程と、を有し、降温工程及び／又は昇温工程では、反応炉１６内への気相成長原料（原料ガス）の導入を停止すると共に、反応炉１６内への不活性ガスの導入を段階的に減少させる。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板上のＡｌＮ下地層の上面における凹凸をマスクするように平滑な上面を有する高Ａｌ組成比のＡｌＧａＮ層形成し、ＡｌＮ下地層の表面凹凸に起因するＶ字欠陥を上面に含まない窒化物半導体デバイス用エピタキシャルウエハを提供する。
【解決手段】窒化物半導体デバイス用エピタキシャルウエハ（１０）は、Ｓｉ基板上（１）にＭＯＣＶＤで順次積層されたＡｌＮ下地層（２）、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０．６≦ｘ＜１）のモフォロジー改善層（３）、ＡｌＧａＮバッファ層（４）を含み、そのモフォロジー改善層（３）は熱拡散を利用して平滑化された上面を有することと特徴としている。 （もっと読む）

【課題】成長する金属薄膜の成膜速度や膜質のバラツキが生じるとの課題があった。
【解決手段】液体原料又は固体原料を貯留する液体原料タンク３１５と、液体原料又は固体原料をガス状態にするガス化機構３１５、３１０と、ガス化機構３１５、３１０と処理室２０１との間に設けられたＭＦＣ３１８とを有し、コントローラ２８０は、液体原料又は固体原料をガス状態にして供給する際、ガス化機構３１５、３１０及びＭＦＣ３１８を制御して原料ガスの流量を制御する。 （もっと読む）