【課題】リーク電流が増加することなく、オン抵抗を低くすることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】基板の上に形成されたバッファ層２１と、バッファ層２１の上に形成された遷移金属がドープされている高抵抗層２２と、高抵抗層２２の一部または高抵抗層上に形成された低抵抗となる不純物元素がドープされた低抵抗領域１２２と、低抵抗領域１２２を含む領域上に形成された電子走行層２３と、電子走行層２３の上に形成された電子供給層２５と、電子供給層２５の上に形成されたゲート電極３１、ソース電極３２及びドレイン電極３３を有する。 （もっと読む）

【課題】逆方向漏れ電流が抑制されてなるとともに二次元電子ガスの移動度が高い半導体素子を提供する。
【解決手段】下地基板１の上にIII族窒化物層群を（０００１）結晶面が基板面に対し略平行となるよう積層形成したエピタキシャル基板１０と、ショットキー性電極９と、を備える半導体素子２０において、エピタキシャル基板１０が、Ｉｎ_x1Ａｌ_y1Ｇａ_z1Ｎ（ｘ１＋ｙ１＋ｚ１＝１、ｚ１＞０）なる組成の第１のIII族窒化物からなるチャネル層３と、Ｉｎ_x2Ａｌ_y2Ｎ（ｘ２＋ｙ２＝１、ｘ２＞０、ｙ２＞０）なる組成の第２のIII族窒化物からなる障壁層５と、ＧａＮからなり障壁層５に隣接する中間層６ａと、ＡｌＮからなり中間層に隣接するキャップ６ｂ層と、を備え、ショットキー性電極９がキャップ層６ｂに接合されてなるようにする。 （もっと読む）

【課題】リーク電流が小さく、かつ、ノーマリオフ動作をするデバイスに適した半導体基板を提供する。
【解決手段】ベース基板と、ベース基板上に設けられた、ＩＩＩａ族元素を含む窒化物の第１結晶からなる第１エピタキシャル結晶層と、第１エピタキシャル結晶層上に設けられ、第１結晶よりも大きなバンドギャップを有し、かつ、ＩＩＩａ族元素及びＩＩＩａ族元素の一部を置換したＩＩＩｂ族元素を含む窒化物の第２結晶からなる第２エピタキシャル結晶層とを備える半導体基板を提供する。上記の半導体基板において、第２エピタキシャル結晶層は、第１エピタキシャル結晶層に格子整合又は疑格子整合してもよい。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板直上の窒化アルミニウム層の平坦性が低いことに起因する信頼性の低下が抑制された半導体装置を提供する。
【解決手段】シリコン基板１０と、シリコン基板上に配置された、不純物としてシリコンがドープされた領域を有する窒化アルミニウム層２０と、窒化アルミニウム層上に配置された、複数の窒化物半導体膜が積層された構造のバッファ層３０と、バッファ層上に配置された、窒化物半導体からなる半導体機能層４０とを備える。 （もっと読む）

【課題】耐圧特性を十分に維持しながら放熱特性を向上させることが可能な埋め込みヘテロ構造半導体レーザの製造方法等を提供する。
【解決手段】埋め込みヘテロ構造半導体レーザの製造方法は、半導体基板１上に半導体積層９とマスク層１１を形成する工程と、マスク層１１を用いて半導体構造物１０をエッチングすることにより、第１方向に沿って延びる半導体メサ１５であって、第１方向と直交する第２方向において被エッチング領域１７と隣接する半導体メサ１５を形成する工程と、マスク層１１を半導体メサ１５上に残した状態で、被エッチング領域１７の第１領域１７Ａ１のみに埋め込み層１９Ａを形成する工程と、上部電極２５を形成する工程と、を備える。上部電極２５は、半導体メサ１５の上面１５Ｔから被エッチング領域１７の第２領域１７Ａ２に亘って形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて緻密な金属酸化膜を形成することができる、プラズマを用いた原子層成長方法及び原子層成長装置を提供する。
【解決手段】 有機金属のガスを原料ガスとして用いて基板に金属酸化膜を形成するとき、成膜空間内に配置された基板の上方に有機金属のガスを原料ガスとして流すことにより、基板に前記有機金属を吸着させ、前記有機金属に対して化学反応しない第１ガスを用いて前記成膜空間でプラズマを発生させ、前記第１ガスを排気した後、酸化ガスを第２ガスとして前記成膜空間に導入して酸化ガスを用いて前記成膜空間でプラズマを発生させることで、前記基板に前記有機金属の金属成分が酸化し金属酸化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】高周波数動作が可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、成長炉内に配置した基板１０上に、ＧａＮ電子走行層１６を成長する工程と、成長炉に導入する混合ガス中の窒素原料ガスの分圧比を０．１５以上０．３５以下として、ＧａＮ電子走行層１６上に、ＩｎＡｌＮ電子供給層１８を成長する工程と、ＩｎＡｌＮ電子供給層１８上に、ゲート電極２６と、ゲート電極２６を挟むソース電極２８およびドレイン電極３０と、を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】１枚のウェハからより多くのチップを取得することができる高性能な発光素子用エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】加熱したｎ型基板１００上にIII族原料ガス及びＶ族原料ガスを供給し、ｎ型基板１００上に少なくともｎ型クラッド層５、活性層７、ｐ型クラッド層９，１１及びコンタクト層１３からなるIII−Ｖ族半導体層２を積層する発光素子用エピタキシャルウェハ１において、III−Ｖ族半導体層２のいずれかの層に不可避不純物として混入するＳ（硫黄）の濃度を１．０×１０¹⁵ｃｍ^-3以下にすべく、その層の成長時の基板温度を６２０℃以上とし、かつＶ族原料ガスとIII族原料ガスの実流量比を１３０以上とした。 （もっと読む）

【課題】ガス導入管や噴出孔への副生成物の堆積を抑制しながらチューブ内の温度不均一を解消することができ、ウェハ面内の反応均一性が高い熱処理装置を提供する。
【解決手段】本発明による横型拡散炉は、キャリアガスをプロセス温度付近まで昇温させる昇温管路９と、原料ガス導入管７の噴出孔１０近傍に設けられ、昇温管路９において昇温されたキャリアガスと常温のプロセスガスを混合する混合機構１１を有している。これにより、原料ガスを石英チューブ１の内部に導入する直前にプロセス温度に昇温させることができるため、原料ガス導入管７や噴出孔１０への副生成物の堆積が抑制される。また、プロセス温度に昇温された原料ガスを石英チューブ１に導入することにより、石英チューブ１内の温度不均一を解消することができ、ウェハ面内の反応均一性が高くなる。 （もっと読む）

【課題】オフ電流を低減した優れた特性を有する薄膜トランジスタを作製する。
【解決手段】ｐ型の逆スタガ型の薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁膜側から、微結晶半導体領域、非晶質半導体領域、及び不純物半導体領域が積層される半導体膜と、一対の配線とが接する領域が、ゲート絶縁膜を介してゲート電極と重畳し、一対の配線の仕事関数と、微結晶半導体領域を構成する微結晶半導体の電子親和力の差である電子のショットキーバリアφＢｎは０．６５ｅＶ以上である。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長層の結晶品質を向上させることができ、厚膜のエピタキシャル成長層を形成する場合においてもキャリア移動度の低下が生じず、素子抵抗の低い炭化珪素エピタキシャルウエハおよび炭化珪素半導体素子を提供する。
【解決手段】炭化珪素半導体素子は、ドーピングにより格子定数が減少するドーパントを濃度Ａでドーピングした基板と、ドーパントを基板よりも小さい濃度Ｂでドーピングしたエピタキシャル成長層と、基板とエピタキシャル層との間に、ドーパントをドーピングした２層以上積層した多層構造で形成されたバッファ層とを有し、多層構造の各層のドーパントのドーピング濃度Ｃが、バッファ層の厚さをｄ、エピタキシャル成長層からの各層までの平均距離をｘ、所定の割合をＰとして、［Ｂ＋（Ａ−Ｂ）×ｘ／ｄ］×（１−Ｐ）≦Ｃ≦［Ｂ＋（Ａ−Ｂ）×ｘ／ｄ］×（１＋Ｐ）とした。 （もっと読む）

【課題】低誘電率化、ウェットエッチング耐性の向上及びリーク電流の低減化が達成されたＳｉＢＣＮ膜を形成することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗが収容されて真空引き可能になされた処理容器４内に、ボロン含有ガスと窒化ガスとシラン含有ガスと炭化水素ガスとを供給して被処理体の表面にボロンと窒素とシリコンと炭素を含む薄膜を形成する成膜方法において、ボロン含有ガスと窒化ガスとを交互に間欠的に供給するサイクルを１回以上行ってＢＮ膜を形成する第１の工程と、シラン系ガスと炭化水素ガスと窒化ガスとを間欠的に供給するサイクルを１回以上行ってＳｉＣＮ膜を形成する第２の工程とを有する。これにより、低誘電率化、ウェットエッチング耐性の向上及びリーク電流の低減化が達成されたボロンと窒素とシリコンと炭素とを含む薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。
【解決手段】酸化物半導体膜を不活性ガス雰囲気化で加熱し、その後、酸化物半導体膜を酸素雰囲気化で加熱する。本工程によって、水素、水分、水酸基又は水素化物などの不純物を酸化物半導体膜より意図的に排除し、酸化物半導体膜を高純度化することができる。不純物を排除する際、酸化物半導体を構成する主成分材料である酸素が欠損する場合があるが、酸素雰囲気化で加熱することによって、酸素を供給することができる。 （もっと読む）

【課題】
高周波信号遮断後の回復が早く、素子分離特性のよい化合物半導体エピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】
半導体エピタキシャル基板は、単結晶基板と、単結晶基板上にエピタキシャル成長されたＡｌＮ層と、ＡｌＮ層の上にエピタキシャル成長された窒化物半導体層とを有し、単結晶基板とＡｌＮ層間界面より、ＡｌＮ層と窒化物半導体層間界面の方が凹凸が大きい、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】特定の一部の領域にのみ加工歪みが存在する場合であっても、短時間で容易に歪みを評価することのできる方法による評価の結果合格した窒化ガリウム基板、その窒化ガリウム基板を含む発光素子もしくは電界効果トランジスタ、及びそのガリウム基板上に結晶を成長させるエピタキシャル膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様によれば、窒化ガリウム基板１のバンドギャップに対応する波長のフォトルミネッセンスピーク強度を、窒化ガリウム基板１の表面の測定範囲３内において１ｍｍ×１ｍｍの正方形の測定領域２ごとに測定したときの、全測定領域２におけるフォトルミネッセンスピーク強度の最小値が平均値の４５％以上であり、測定領域２は測定範囲３内に隙間無く連続する、窒化ガリウム基板１が提供される。 （もっと読む）

【課題】より高いしきい値電圧と電流コラプス改善を両立できる、ノーマリーオフ型の高耐圧デバイスに好適な窒化物半導体基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１と、前記基板１の一主面上に形成されるバッファー層２と、前記バッファー層２上に形成される中間層３と、前記中間層３上に形成される電子走行層４と、前記電子走行層４上に形成される電子供給層５とを含む窒化物半導体基板１０において、前記中間層３を厚さ２００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下、炭素濃度５×１０¹⁶ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以上１×１０¹⁸ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下のＡｌ_xＧａ_1-xＮ（０．０５≦ｘ≦０．２４）とし、前記電子走行層４が厚さ５ｎｍ以上２００ｎｍ以下のＡｌ_yＧａ_1-yＮ（０≦ｙ≦０．０４）とする。 （もっと読む）

【課題】結晶質シリコン光電変換層を含む薄膜光電変換装置の開放電圧、短絡電流密度を増加して光電変換効率を改善した薄膜光電変換装置を提供する。
【解決手段】結晶質シリコン光電変換ユニット４の一導電型層４１と光電変換層４２との間に、実質的に真性なシリコン複合層からなる界面層４４を配置し、実質的に真性なシリコン複合層からなる界面層４４は非晶質酸素化シリコン母相中に結晶シリコン相が分散している層で形成されている。 （もっと読む）

【課題】大きなチャネル移動度を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板は、ポリタイプ４Ｈの六方晶の単結晶構造を有する半導体からなる表面ＳＲを有する。基板の表面ＳＲは、面方位（０−３３−８）を有する第１の面Ｓ１と、第１の面Ｓ１につながりかつ第１の面Ｓ１の面方位と異なる面方位を有する第２の面Ｓ２とが交互に設けられることによって構成されている。ゲート絶縁膜は基板の表面ＳＲ上に設けられている。ゲート電極はゲート絶縁膜上に設けられている。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体装置の、ソース・ドレイン間のオン抵抗を低減する。
【解決手段】ソース・ドレイン間を走行する窒化物半導体層と下地となる窒化物半導体層の間に、両窒化物半導体層より電子親和力が大きく、下地となる窒化物半導体よりも格子定数の大きい材料を形成する。その結果、ゲート電圧の印加によりゲート絶縁膜の下方に形成されるチャネルと、ゲート部以外で形成される二次元電子ガスを、深さ方向において近づけることができ、オン抵抗の低減が可能となる。 （もっと読む）

【課題】絶縁破壊耐性に優れた化合物半導体積層構造を備えて基板の絶縁破壊の十分な抑止を実現し、ピンチオフ状態とする際にもリーク電流が極めて少ない信頼性の高い化合物半導体装置を実現する。
【解決手段】Ｓｉ基板１上に形成された化合物半導体積層構造２は、その厚みが１０μｍ以下であって、ＡｌＮからなる厚い第１のバッファ層を有しており、ＩＩＩ族元素（Ｇａ，Ａｌ）の総原子数のうち、Ａｌ原子の比率が５０％以上とされ、換言すれば、Ｖ族元素のＮとの化学結合（Ｇａ−Ｎ，Ａｌ−Ｎ）の総数のうち、Ａｌ−Ｎが５０％以上とされる。 （もっと読む）