【課題】ある方向に沿って延在する容器を冷却する際に、電力消費量を増加させることなく、延在する方向に沿って容器の冷却速度に差が発生することを抑制できる熱処理装置を提供する。
【解決手段】処理容器６５と、処理容器６５内で、一の方向に沿って基板を所定の間隔で複数保持可能な基板保持部４４と、処理容器６５を加熱する加熱部６３と、気体を供給する供給部９１と、一の方向に沿って各々が互いに異なる位置に設けられた複数の供給口９２ａとを含み、供給部９１が供給口９２ａの各々を介して処理容器６５に気体を供給することによって処理容器６５を冷却する冷却部９０とを有する。冷却部９０は、供給口９２ａの各々を介して気体を供給する供給流量が独立に制御可能に設けられたものである。 （もっと読む）

【課題】形成した絶縁膜のリーク電流を抑制することができる半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を収容した処理室にそれ単独で固体となる第１の元素を含む第１の処理ガスをＣＶＤ反応が生じる温度条件下で供給することで、前記基板上に前記第１の元素を含む第１の層を形成する工程と、前記処理室にそれ単独では固体とならない第２の元素を含む第２の処理ガスを供給することで、前記第２の処理ガスと前記第１の層を反応させ前記第１の元素および前記第２の元素を含む第２の層を形成する工程と、を１回ずつ含むサイクルを１サイクルとして、このサイクルを１回以上行うことで、所定膜厚の前記第１の元素および前記第２の元素を含む薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】捕集効率の向上と閉塞の低減とを両立可能な排気トラップを提供する。
【解決手段】処理装置からの排ガスを流入させる流入口と、前記流入口から流入した前記排ガスを流出させる流出口と、第１の開口寸法を有する一又は複数の第１の開口部、及び前記第１の開口寸法よりも小さい第２の開口寸法を有する複数の第２の開口部を有し、前記流入口と前記流出口との間において前記流入口から前記流出口へ流れる前記排ガスの流れの方向と交差するように配置される複数のバッフル板とを備え、前記複数のバッフル板のうちの一つのバッフル板の前記第１の開口部と、隣のバッフル板の前記第１の開口部とが前記流れの方向に対して互いにずれており、前記複数のバッフル板のうちの隣り合う２つのバッフル板の間隔が、前記第２の開口寸法の０．５から２倍の範囲にある排気トラップにより上述の課題が達成される。 （もっと読む）

【課題】ガス種による排気性のばらつきを解消し、ボックス内における処理ガスの対流を防止する基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数のウエハに対して処理ガスにより熱処理を施すための処理炉を収容する装置本体１００と、前記処理ガスの供給を制御するガス制御ユニットを収容するガスボックス３００と、を有し、前記ガスボックス３００の上方に設けられた吸気口３０５から外気を取り込み、前記ガスボックスの下部に設けられた排気口３０３から該ガスボックス内部の雰囲気を排気する。 （もっと読む）

【課題】意図しない不純物の混入を抑制した金属塩化物ガス発生装置、ハイドライド気相成長装置、及び窒化物半導体テンプレートを提供する。
【解決手段】金属塩化物ガス発生装置としてのＨＶＰＥ装置１は、Ｇａ（金属）７ａを収容するタンク（収容部）７を上流側に有し、成長用の基板１１が配置される成長部３ｂを下流側に有する筒状の反応炉２と、ガス導入口６４ａを有する上流側端部６４からタンク７を経由して成長部３ｂに至るように配置され、上流側端部６４からガスを導入してタンク７に供給し、ガスとタンク７内のＧａとが反応して生成された金属塩化物ガスを成長部３ｂに供給する透光性のガス導入管６０と、反応炉２内に配置され、ガス導入管６０の上流側端部６４を成長部３ｂから熱的に遮断する熱遮蔽板９Ａ、９Ｂとを備え、ガス導入管６０は、上流側端部６４と熱遮蔽板９Ｂとの間で屈曲された構造を有する。 （もっと読む）

【課題】ガスクリーニングの際に供給されるＯ₂に起因するノズル内壁、ならびにノズル孔のエッチングを解決し、ＳｉＣ成膜における膜厚均一性悪化や結晶欠陥の発生などを防止する。
【解決手段】反応室内２２内のクリーニングを行う場合、石英からなるプレートを装填したボート１５を反応室２２に搬入し、反応室２２内を所望の圧力（真空度）、および所望の温度にする。その後、マスフローコントローラ４２，４５、およびバルブ４６，４９を制御し、クリーニングガス（Ｃｌ₂、Ａｒ）を供給する。このとき、プレートとクリーニングガスとの混合で起きる化学反応によってＯ₂ガスが発生する。この発生したＯ₂ガスが、ＳｉＣ膜ガスクリーニングの反応エッチングガスとなり、反応室内２２内のクリーニングが行われる。 （もっと読む）

【課題】基板表面の面内温度分布を解消し、基板表面に形成する薄膜の面内均一性を向上させて歩留まりを改善することができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】基板保持部材２０に設けた基板保持凹部２３に基板２２を保持し、加熱手段によって加熱される基板保持部材を介して基板を加熱するとともに、基板上に原料ガスを供給して基板表面に薄膜を形成する気相成長装置において、基板保持凹部は、基板の裏面に平行な平面部２６と、平面部から上方に突出して上端に基板載置部２７ａが設けられた基板支持凸部２７と、基板支持凸部に隣接する平面部に設けられた凹溝部２８とを備えている。 （もっと読む）

【課題】気化器の液体原料流路内からの有機金属液体原料の除去を促進させ、液体原料流路内の閉塞を抑制する。
【解決手段】基板を収容した処理室内に反応物質を供給することにより基板を処理する工程を有し、反応物質は液体原料を気化部で気化させた原料ガスを含み、基板を処理する工程では、気化部に液体原料を溶解することのできる溶媒と液体原料を供給して気化させる気化動作を間欠的に行い、液体原料の気化動作時以外の時であって、液体原料の気化動作を所定回数行う毎に、気化部に溶媒を、液体原料の気化動作時に供給する溶媒の流量よりも大流量で流す。 （もっと読む）

【課題】反応室内に堆積した反応生成物をエッチングにより除去する際、エッチング終点を正確に検出し、反応室内のダメージを抑え、歩留り、生産性を向上させることが可能な気相成長方法及び気相成長装置を提供する。
【解決手段】反応室内にウェーハを導入して、支持部上に載置し、支持部の下方に設けられたヒータにより加熱し、ウェーハが所定温度となるようにヒータの出力を制御し、ウェーハを回転させ、ウェーハ上にプロセスガスを供給することにより、ウェーハ上に成膜し、反応室よりウェーハを搬出し、反応室内にエッチングガスを供給して、反応室内に堆積した反応生成物をエッチングにより除去し、ヒータの出力が所定量に制御されるときの支持部上の温度である第１の温度の変動、又は第１の温度が所定温度となるように制御されるヒータの出力の変動に基づき、エッチング終点を検出する。 （もっと読む）

【課題】処理室へ供給されるガスを充分に加熱することにより、ヘイズやスリップに起因する成膜不良を抑制することができる技術を提供する。
【解決手段】本発明における特徴は、例えば、図２に示すように、処理室２０９の外壁２０５とインナーチューブ２０６の間にガス導入空間２１０を設け、このガス導入空間２１０内に誘導加熱するための加熱体２０７を設けている点にある。これにより、ガス供給部２１１から供給される原料ガスは、まず、処理室２０９の内部に導入される前に先立って、ガス導入空間２１０内に導入され、このガス導入空間２１０に設けられている加熱体２０７によって加熱される。 （もっと読む）

【課題】成膜時の温度制御が可能となり、ウェーハ上に成膜された膜厚のバラツキを極めて少なくし、生産性を高めた半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。
【解決手段】サセプタ１１は、ウェーハｗの径より小さく、表面に凸部１２ｂ（温度制御板となる）を有するインナーサセプタ１２と、中心部に開口部を有し、インナーサセプタを開口部が遮蔽されるように載置するための第１の段部と、この第１の段部の上段に設けられ、ウェーハを載置するための第２の段部を有するアウターサセプタ１３を備える。 （もっと読む）

【課題】排気口の周辺に生成物が付着し難い成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置は、反応ガスが供給されて成膜処理が行われる反応室と、反応室を構成するベースプレート１０１と、ベースプレート１０１の上に設置されてベースプレート１０１の全面を被覆するベースプレートカバー１０３とを有する。ベースプレート１０１には、反応室から余剰の反応ガスを排出する排気口６が設けられており、ベースプレートカバー１０３には、排気口６に勘合する形状と大きさを備えた貫通孔１０７が設けられている。反応ガスの下流側における貫通孔１０７の端面１０９は、排気口６の端面１１０より突出している。ベースプレートカバー１０３は、ベースプレート１０１と対向する面に突起部１０８を有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】処理室へ供給されるガスを充分に加熱することにより、ヘイズやスリップに起因する成膜不良を抑制することができる技術を提供する。
【解決手段】本発明によれば、ガスノズルに比べて遥かに表面積の大きなガス導入空間２０５を設けているので、表面積の大きなガス導入空間２０５の内部で予めガスを充分に加熱することができる。このため、処理室２０３に導入されるガスを加熱することができ、この結果、処理室２０３の内部に配置されているウェハＷＦとの温度差を小さくすることができる。したがって、本発明によれば、処理室２０３に導入されるガスと、処理室２０３の内部に配置されているウェハＷＦとの温度差に起因するヘイズやスリップを抑制することができ、ウェハＷＦ上に形成される膜の品質を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】成膜処理の過程で形成される薄膜の処理方法を提供する。
【解決手段】反応室に配置されたサセプタ８の座ぐり部８ａに基板７を載置し、反応室に反応ガスを導入して基板７の上にＳｉＣ膜３０１を形成する（第１の工程）。反応室にエッチングガスを導入し、基板７が取り除かれたサセプタ８を回転させながら、サセプタ８の上方からエッチングガスを流下させて、サセプタ８の座ぐり部８ａからその周縁部８ｂに至る段差部８ｃに形成された反応ガスに起因するＳｉＣ膜３０１を除去する（第２の工程）。反応室にエッチングガスを導入し、サセプタ８の上に形成された反応ガスに起因するＳｉＣ膜３０１を除去する（第３の工程）。第１の工程と第２の工程を繰り返した後に第３の工程を行う。 （もっと読む）

【課題】処理容器の内壁等に付着した不要な膜の膜割れを検出してパーティクルの発生の可能性をリアルタイムで認識することが可能な膜割れ検出装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗを収容する処理容器４を有すると共に被処理体の表面に薄膜を形成する成膜装置２に設けられて膜割れ検出操作を行う膜割れ検出装置４０において、成膜装置に取り付けられて弾性波を検出する弾性波検出手段４２と、弾性波検出手段の検出結果に基づいて処理容器４のクリーニングの要否を判断する判断手段４４とを備える。これにより、処理容器の内壁等に付着した不要な膜の膜割れを検出してパーティクルの発生の可能性をリアルタイムで認識する。 （もっと読む）

【課題】高周波電力の印加に伴って発生するノイズを低減することができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハが搬入される処理室と、この処理室内にガスを供給するガス供給部と、処理室内を排気する排気部と、処理室内に高周波電力を印加する高周波印加部と、高周波印加部から発生するノイズを検出するノイズ検出部と、ノイズ検出部の検出結果に基づいて、前記高周波印加部から発生するノイズの逆位相の高周波を出力する逆位相出力部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】反応ガスが滞留する空間を低減した成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、反応ガス４が供給されて成膜処理が行われるチャンバ１と、チャンバ１の内部に設けられた中空筒状のライナ２と、ライナ２の上方に設けられて反応ガスが透過するシャワープレート１５とを有する。シャワープレート１５がライナ２の上部開口部５２を塞ぐ位置から上方に移動することにより、チャンバ１の壁に設けられた基板搬出入口４７を介してチャンバ１の外部とライナ２の内部とが連通する。また、成膜装置１００は、ライナ２の内部に設けられ、成膜処理が行われる基板７を支持して鉛直方向に移動させる基板支持部５０と、基板搬出入口４７を通じて反応室に出入するロボットハンド４８とを有する。基板支持部５０とロボットハンド４８との間で基板７の受け渡しが行われる。 （もっと読む）

【課題】ライナの割れを抑制しつつ、基板を効率よくかつ細かい温度制御で加熱することのできる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、チャンバ１と、チャンバ１の内壁１ａと空間Ａを仕切るライナ２と、基板７を下方から加熱する主ヒータ９と、ライナ２と内壁１ａの間に配置されて、基板７を上方から加熱する補助ヒータ１８とを有する。主ヒータ９と補助ヒータ１８は、いずれも抵抗加熱型のヒータである。補助ヒータ１８は、第１の補助ヒータ１８ａと、第２の補助ヒータ１８ｂと、第３の補助ヒータ１８ｃとを有する。第１の補助ヒータ１８ａは、主ヒータ９と共同して基板７を加熱する。第２の補助ヒータ１８ｂと第３の補助ヒータ１８ｃは、第１の補助ヒータ１８ａより低い出力でライナ２を加熱する。 （もっと読む）

【課題】 大きな直径を有する複数枚の基板（４インチ基板、６インチ基板）の表面に、１０００℃以上の温度で窒化ガリウムの気相成長を行なっても、基板が割れず高品質の結晶成長が可能な気相成長方法を提供する。
【解決手段】 前記のような基板を保持するためのサセプタ、該サセプタの対面、該基板を加熱するためのヒータ、該サセプタと該サセプタの対面の間隙からなる反応炉、原料ガス導入部、及び反応ガス排出部を有する気相成長装置を用いた窒化ガリウムの気相成長方法であって、基板表面の温度、基板表面と該基板の対面表面との温度差を適切な範囲内に設定し、かつ基板の位置における原料ガスの線速を適切な範囲内となるように原料ガスの供給を調整して基板表面に窒化ガリウム層の形成を行なう気相成長方法とする。 （もっと読む）

【課題】シリコン系ガスとアミン系ガスとを使用してＳｉＣ等のＳｉＣ系の膜を低温で成膜できる半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラムを提供する。
【解決手段】基板２００を処理室２０１内に収容する工程と、加熱された処理室２０１内へシリコン系ガスとアミン系ガスとを供給して基板２００上にシリコンおよび炭素を含む膜を形成する工程と、を有し、シリコンおよび炭素を含む膜を形成する工程は、処理室２０１内へシリコン系ガスとアミン系ガスとを供給して、シリコン系ガスとアミン系ガスとを処理室２０１内に封じ込める工程と、シリコン系ガスとアミン系ガスとを処理室２０１内に封じ込めた状態を維持する工程と、処理室２０１内を排気する工程と、を有する。 （もっと読む）