【課題】モデルベースで補正を行ったエリアとルールベースで補正を行ったエリアの境界で発生する不要パターンを除去することができる設計パターン補正装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る設計パターン補正装置は、半導体装置内部の設計パターンを分割して形成される複数のエリア毎に、ルールベース及びモデルベースのいずれで光近接効果の補正処理を行うかを定義するデータを保持する補正定義保持部２ａと、補正定義保持部２ａが保持するデータに従って、複数のエリアそれぞれ毎に、ルールベース又はモデルベースで光近接効果の補正処理を行う第１の補正処理部２と、ルールベースで補正処理が行われたエリアと、モデルベースで補正処理が行われたエリアの境界を認識し、該境界で生じる不要パターンを除去する第２の補正処理部８とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 転写されたパターンの破損を防止しつつ高速で離型を行うことができるようにした転写装置を提供する。
【解決手段】 転写装置は、パターンが形成されたモールド１０１を被転写物に接触させることにより、該被転写物にパターンを転写する。該装置には、被転写物から該モールドを離脱させるための変形をモールドに生じさせる変形手段２０１が設けられている。また、光硬化樹脂におけるパターンの転写領域外の非転写領域に、該転写領域とは異なる光照射強度を与える光学手段５０１を有してもよい。
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【課題】リソグラフィ装置における画像パラメータを調整する方法、リソグラフィ装置を使用したデバイス製造方法、複数のリソグラフィ装置間の近接整合を提供する方法及びリソグラフィ装置を提供すること。
【解決手段】リソグラフィ装置は、放射の投影ビームを提供するようになされたイルミネータと、投影ビームの好ましい偏光状態の強度を制御するようになされた偏光コントローラとを備えている。リソグラフィ装置は、さらに、パターン化装置を保持するようになされた支持部を備えている。パターン化装置は、所望のパターンに従って投影ビームをパターン化するようになされている。リソグラフィ装置は、さらに、基板を保持するようになされた基板テーブルと、パターン化されたビームを基板の目標部分に投射するようになされた、パターン化された画像を基板上に形成するための投影システムとを備えている。 （もっと読む）

【課題】非液体対応部への浸入を防ぐことができ、露光処理ミスを発生させることなく運用することができる液浸露光装置を提供すること。
【解決手段】基板の搬送ステージが構成される液浸露光装置において、前記搬送ステージに排水手段、排水量検知手段、漏水検知手段の少なくとも１つを設けて投影光学系と基板間を液材で満たすことを特徴とする。又、基板の搬送ステージが粗動ステージと微動ステージにより構成される液浸露光装置において、微動ステージの液材と基板吸着手段間に第１の漏水検知手段を、液材と位置計測手段間に第２の漏水検知手段を、粗動ステージ外周部に第３の漏水検知手段を少なくとも１つ配置したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】金型を傷めることが少なくナノオーダーの微細な構造のパターンを基材上に安定して形成することができる注型インプリント法を提供することを目的としている。
【解決手段】樹脂を溶媒で溶解させて得られる樹脂溶液を金型１の型面に沿うように展開するとともに、溶媒を揮発させて樹脂を固化させパターン転写層２を金型上に形成するパターン転写層形成工程と、前記パターン転写層に接着層３１を介して基材４を接着したのち、パターン転写層を基材とともに金型から離型する工程とを備えることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】製造問題を発生する可能性のある、マスクレイアウト内の領域を好適に識別する方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態は、名目上の（たとえば最適な）プロセス条件下における半導体製造プロセスをモデル化する、目標とするプロセスモデルと、１つ以上の任意の（たとえば、最適でない）プロセス条件下における半導体製造プロセスをモデル化する、１つ以上の目標としないプロセスモデルとを作成し（２０２、２０４）、目標であるプロセスモデルと、目標でないプロセスモデルとを用いて、多次元関数によって表され得るプロセス感度モデルを計算する（２０６）。また、プロセス感度モデルを用いてマスクレイアウト内の問題領域を識別することによって、問題領域の訂正が可能となり、マスクレイアウトの製造可能性が改善される。さらに、問題領域の識別にプロセス感度モデルを用いることによって、問題領域の識別に必要な計算時間が短縮される。 （もっと読む）

【課題】フルチップ層に関する照明の最適化を提供すること。
【解決手段】フルチップ層のピッチ周波数が求められて、フルチップ層のピッチ周波数ヒストグラムを生成する。ピッチ周波数は、フルチップ層内で所与のピッチがどれほど頻繁に生じるかを示す。ピッチ周波数ヒストグラムは、変換交差係数のコヒーレント・システムの合計表現からの第１の固有関数となるように均一化される。変換交差係数の第１の固有関数に関する積分式を解いて、フルチップ層を像形成するための最適な照明を定義する。 （もっと読む）

【課題】ナノインプリントにおいて、スタンパに形成された凹凸パターンを被成形品に高精度に転写する。
【解決手段】ナノインプリター１において、支持台１５に支持された被成形品１３と、微細な凹凸パターンを形成した型４１の転写面との平行度を維持するために、可動体１９と支持プレート４３との間に少なくとも３個以上の微調整用アクチュエータ４７Ａ，４７Ｂ，４７Ｃを備え、さらにアクチュエータに対応した複数の距離測定装置４９Ａ，４９Ｂ，４９Ｃを備える。 （もっと読む）

【課題】 データの所在、内容、関連等の知識が不十分なオペレータでも容易に必要な時系列情報を表示させることができる情報表示方法、情報表示プログラム、情報表示装置及びデバイス製造システム、並びに基板処理装置を提供する。
【解決手段】 露光装置等の基板処理装置から所定の時間間隔で時系列に得られる時系列情報（例えば、レチクルとウェハとの同期精度を示すデータ）の各々を代表する特徴量の時間変化を示すサマリーを表示し、このサマリーに含まれる特徴量の何れか（例えば、符号Ｐ１を付した箇所に表示されている特徴量）がオペレータにより特定された場合に、特定された特徴量に代表される関連した時系列情報をウィンドウＷＤ１に設けられた表示領域Ｒ１に表示する。 （もっと読む）

【課題】液浸露光プロセス、中でもリソグラフィー露光光がレジスト膜に到達する経路の
少なくとも前記レジスト膜上に空気より屈折率が高くかつ前記レジスト膜よりも屈折率が
低い所定厚さの液体を介在させた状態で露光することによってレジストパターンの解像度
を向上させる液浸露光プロセスにおいて、液浸露光中のレジスト膜の変質および使用液体
の変質を同時に防止し、液浸露光を用いた高解像性レジストパターンの形成を可能とする
。
【解決手段】パーフルオロアルキルポリエーテルとして環式パーフルオロアルキルポリエ
ーテルを含有する組成物を用いて、使用するレジスト膜の表面に、露光光に透明で、レジ
スト膜を浸漬させる液体に対して実質的に相溶性を持たず、かつレジスト膜との間でミキ
シングを生じない特性を有する保護膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体デバイスの製造工程におけるフォトリソグラフィでの露光量およびフォーカス等の露光条件の最適化を個別かつ簡便に実現することができる技術を提供する。
【解決手段】 半導体ウェハのパターンに光を照射し、その反射による散乱光を用いてパターンの形状情報を検出する光学系により、予め作成した複数の形状変形パターンを有するＦＥＭサンプルウェハの波形を検出・保存する。パターンの変形に伴って生じるスペクトル波形上での１つ以上の特徴点を記録し、特徴点の変動モデルを求める。被測定パターンでは、上記と同様にしてスペクトル波形を検出し、波形上の特徴点の変位から、変動モデルを用いて、作成条件の変位（露光量ずれ、フォーカスずれ）を推定する。これにより、露光量とフォーカスを独立にフィードバックすることができ、高精度なプロセス制御が実現できる。 （もっと読む）

【課題】解像度を大幅に改善したインプリントリソグラフィを提供する。
【解決手段】インプリント方法は、媒体にインプリントを形成するために、テンプレートにインプリント力を加えて、テンプレートをして、基板の第一表面の目標領域にインプリント可能媒体を接触させることと、インプリント力を加える間に、インプリント力を加えることによって引き起こされる基板の変形を軽減するように、第一表面に対して反対にある基板の第二表面に補償力を加えることと、インプリントした媒体からテンプレートを分離することとを含む。 （もっと読む）

【課題】 半導体デバイス等の微細なパターンを有するデバイスの製造等に用いて好適な、露光雰囲気汚染の影響を抑制する技術を提供すること。
【解決手段】 パルス光を発光する光源１７と、この光源１７からの光を集光し、レチクル１２などの原版を照明する照明光学系１８と、前記原版からの光を被露光体であるウエハ２２に導く投影光学系１９と、前記被露光体を載置するウエハステージ２１と、光が通過する空間内に、少なくとも１枚の羽根５１を有する回転体５４と冷却手段４１を備え、回転体５４は、光源１７のパルスタイミングと同期して羽根５１を回転させる。 （もっと読む）

【課題】 ナノインプリント用モールドとして使用可能な構造体を容易に製造する方法を提供する。
【解決手段】 無電解めっき反応の触媒１３を含む樹脂１２に構造体１４を圧着し剥離して該樹脂１２に該構造体１４の構造を転写する工程と、該樹脂１２の転写された構造１５にめっきを行いめっき物１６を形成する工程と、該めっき物１６と該樹脂１２を分離する工程とを有する構造体の製造方法。前記触媒の主成分がイオンであり、樹脂に構造体を圧着した後からめっきを行なう間にイオンを還元させて金属としてもよい。前記触媒の主要元素がＰｄであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 高解像度と高品位な露光を達成するための投影光学系及びそれを利用した露光装置を提供する。
【解決手段】 第一の物体に形成されたパターンを第二の物体に投影する投影光学系において、当該投影光学系の前記第二の物体に最も近い光学素子に設けられ、前記投影時に前記第二の物体の前記パターンが投影される領域の外部を遮蔽するための視野絞りを有することを特徴とする投影光学系を提供する。 （もっと読む）

この露光装置は、投影光学系と基板との間を液体で満たし、前記投影光学系と前記液体とを介して前記基板上にパターン像を投影することによって前記基板を露光する露光装置であって、前記投影光学系は、前記液体と接する光学部材を含む第１群と、その第１群とは異なる第２群とを含み、前記第１群は、第１支持部材に支持され、前記第２群は、前記第１支持部材とは異なる第２支持部材に分離して支持される。
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【課題】レジストパターン異常を抑制し得るレジストパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】潜像が形成された化学増幅型レジスト膜を第１の温度Ｔ₁に昇温する工程であって、前記第１の温度は前記化学増幅型レジスト膜内で酸触媒反応が生じる反応開始温度Ｔ₀である。前記化学増幅型レジスト膜の温度を第１の温度Ｔ₁に所定時間維持する。所定時間経過後、化学増幅型レジスト膜を前記反応開始温度Ｔ₀よりも高い第２の温度Ｔ₂に昇温する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面、特に感光性が低い基板表面、あるいは撥液剤、カップリング剤、プラズマ処理等で表面処理を行なった基板表面にパターニングを行うに際して、より短時間での露光パターニングを可能とし、併せて露光パターニングの精度も向上させることができるパターニング方法を提案する。
【解決手段】露光パターニングしようとする基板１の表面にオゾン水２を接触させながら、紫外線３を露光マスク３０を介して基材１の表面に照射して、基材１の表面をパターニングする。 （もっと読む）

【課題】スルーピッチにおいても最大性能を引き出し得る、最適化された露光光の光強度分布を設定するための光強度分布設定方法を提供する。
【解決手段】光強度分布設定方法は、露光光源から射出される光を所定の位置に位置する４つの点光源のそれぞれから射出されると想定した光が、露光用マスクに形成されたＱ種類の所定のピッチＰ_qを有するパターンで回折されて、結像したときの光強度分布を計算により求め、該光強度分布からＮＩＬＳ値である値Ｓ_qを算出し、各ピッチＰ_qにおいて設定された重率ＷＴ_qと値Ｓ_qとの積の和の平均値Ｓ_OPTのマップを算出し、平均値Ｓ_OPTのマップが得られるように露光光源から射出され、露光用マスクへ入射する光の角度に対する光源強度分布を設計する工程から成る。 （もっと読む）

【課題】液浸リソグラフィにおいて、バリア膜を除去する際の溶解性（除去容易性）を向上して、良好な形状を有する微細パターンを形成できるようにする。
【解決手段】まず、基板１０１の上にレジスト膜１０２を形成する。その後、形成したレジスト膜１０２の上に、溶媒が水性である第１のバリア膜１０３を形成し、続いて、第１のバリア膜１０３の上に、溶媒がアルコールである第２のバリア膜１０４を形成する。続いて、第２のバリア膜１０４の上に液体１０５を配した状態で、第１のバリア膜１０３及び第２のバリア膜１０４を介してレジスト膜１０２に露光光１０６を選択的に照射することによりパターン露光を行なう。続いて、第１のバリア膜１０３及び第２のバリア膜１０４を除去した後、パターン露光が行なわれたレジスト膜１０２に対して現像を行なうことにより、レジスト膜１０２からレジストパターン１０２ａを形成する。 （もっと読む）