【課題】近接センサ及び照度センサを１チップ化する場合、チップ面積を削減することができる光検出装置を提供することを目的としている。
【解決手段】受光部は、第１の受光素子５０と第２の受光素子５１が半導体を用いて一体的形成されている。第１の受光素子５０と第２の受光素子５１に共通なｐ型基板１を備えている。第１の受光素子５０では、第１のフォトダイオードＰＤ１、第２のフォトダイオードＰＤ２、第３のフォトダイオードＰＤ３が受光面から異なる深さに形成されている。第２の受光素子５１は赤外線透過フィルタ２０を備え、第４のフォトダイオードＰＤ１１、第５のフォトダイオードＰＤ１２、第６のフォトダイオードＰＤ１３が受光面から異なる深さに形成される。可視光領域に感度ピークを有する第１の受光素子５０から出力される光電流と赤外線領域に感度ピークを有する第２の受光素子から出力される光電流から周囲光の照度を測定する。 （もっと読む）

【課題】センサ部での光の利用効率の低下を防止することができる電磁波検出素子を提供する。
【解決手段】互いに交差して配設された複数の走査配線及び複数の信号配線の各交差部と、２次元状に配列された複数のセンサ部であって、各々が、検出対象とする画像を示す電磁波が照射されることにより電荷が発生する半導体層、半導体層の電磁波が照射される照射面側に電磁波に対して透過性を有する導電性部材により形成され、半導体層に対してバイアス電圧を印加する第１電極、及び半導体層の電磁波に対する非照射面側に形成され、半導体層に発生した電荷を収集する第２電極を備えた複数のセンサ部と、センサ部よりも電磁波の下流側に形成され、各々コンタクトホールを介して第１電極に接続されてバイアス電圧を供給する共通電極配線と、走査配線と、信号配線及び共通電極配線との間に形成されている第１の絶縁膜と、を備え、信号配線及び共通電極配線は同層に形成。 （もっと読む）

【課題】光学的な干渉を抑制することが可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基体３１と、半導体基体３１の第１主面上に形成された、Ｇｅを含む第１半導体層３２とを備える固体撮像素子３０を構成する。この固体撮像素子３０は、半導体基体３１の第２主面に形成された転送トランジスタＴｒ１と、第１半導体層３２を含む領域に形成されたフォトダイオード３３とを備える。 （もっと読む）

【課題】色再現性に優れる多層型撮像素子を提供する。
【解決手段】第１透明電極に積層される第１層間絶縁膜と、第１層間絶縁膜の上に配設される第２の信号読み出し部と、第２の信号読み出し部の上に配設され、光の３原色のうち第２の波長の光に感度を有する第２光電変換膜と、第２光電変換膜に積層される第２透明電極と、第２透明電極に積層される第２層間絶縁膜と、第２層間絶縁膜の上に配設される第３の信号読み出し部と、第３の信号読み出し部の上に配設され、光の３原色のうち第３の波長の光に感度を有する第３光電変換膜と、第３光電変換膜に積層される第３透明電極と、第１光電変換膜、第２光電変換膜、及び第３光電変換膜を画素毎に隔離する第１隔壁とを備え、前記第１の信号読み出し部、前記第２の信号読み出し部、及び前記第３の信号読み出し部は、それぞれ複数の画素が２次元方向に配置された画素アレイの各画素の信号読み出し部を形成している。 （もっと読む）

【課題】レーザパルス光の照射に応じて半導体デバイスにて発生する電磁波パルスの強度を非接触状態で向上させる技術を提供すること。
【解決手段】半導体デバイスを検査する半導体検査装置１００である。半導体検査装置１００は、半導体デバイスが形成されている基板１に対してレーザパルス光２を出射するレーザパルス光源１４と、レーザパルス光２が照射される照射位置１０に対して逆方向バイアスをかけるための逆バイアス用電磁波パルス４を照射する電磁波パルス照射部１８と、
レーザパルス光２の照射に応じて照射位置１０から放射される電磁波パルス３を検出する検出部１７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】暗電流の原因となるプラズマ損傷や感光膜除去工程による重金属汚染を防止する
ことのできるＣＭＯＳイメージセンサのフォトダイオードの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のＣＭＯＳイメージセンサの製造方法は、所定の工程が完了した基板
を用意するステップと、該基板のフォトダイオードの形成される領域の上部にパターニン
グされたブロック層を形成するステップと、該パターニングされたブロック層を残した状
態で、前記フォトダイオードの形成される領域を除く残りの領域に対して、マスクを用い
たイオン注入を行うステップと、前記マスクを除去するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】シリコンフォトダイオード及びシリコンフォトダイオードアレイであって、近赤外の波長帯域に十分な分光感度特性を有しているフォトダイオード及びフォトダイオードアレイを提供すること。
【解決手段】フォトダイオードＰＤ５は、Ｐ⁻型半導体基板２０を備え、裏面入射型である。Ｐ⁻型半導体基板２０は、互いに対向する第１及び第２主面０ａ，２０ｂを有し、光感応領域２１を含む。光感応領域２１は、Ｎ^＋型不純物領域２３と、Ｐ^＋型不純物領域２５と、Ｐ⁻型半導体基板２０においてバイアス電圧を印加した際に空乏化する領域とからなる。Ｐ⁻型半導体基板２０の第２主面２０ｂには、不規則な凹凸１０が形成されている。Ｐ⁻型半導体基板２０の第２主面２０ｂ側には、アキュムレーション層３７が形成されており、アキュムレーション層３７における、光感応領域２１に対向している領域は光学的に露出している。 （もっと読む）

【課題】二色性フォトダイオードおよび二色性光検出のための方法を提供する。
【解決手段】広バンドギャップ接合は、第１光スペクトルを検出するよう動作可能な格子整合接合を含む。狭バンドギャップ接合は、広バンドギャップ接合に結合されており、かつ、フォトダイオード構造を含む。狭バンドギャップ接合は、第２光スペクトルを検出するよう動作可能である。 （もっと読む）

【課題】 暗電流の抑制や受光部の入射光量の増大により、得られる画像データ画質を改善した固体撮像素子を提供する。
【解決手段】 固体撮像素子１は、半導体から成る基板１０と、基板１０中に形成され光電変換によって生じた電荷を蓄積する基板とは逆の導電型の半導体から成る受光部１１と、基板１０上に設けられる絶縁層１２と、絶縁層１２上に設けられ受光部１１が蓄積する電荷と同じ極性の固定電荷を有する固定電荷層１３と、固定電荷層１３上に設けられる反射防止層１４と、基板１０中の受光部１１と隣接する位置に設けられ受光部１１から読み出された電荷が一時的に蓄積される電荷転送部１５と、少なくとも電荷転送部１５の直上に設けられる転送電極１６と、を備える。反射防止層１４は、受光部１１の直上の領域内に設けられる。 （もっと読む）

【課題】有機材料を含む受光層を有する光電変換素子において、受光層の材料の選択幅を狭めることなく、光電変換素子の耐熱性を向上させること。
【解決手段】基板１０１上に酸化膜で構成された絶縁膜１０２が形成され、当該絶縁膜１０２上に並べて形成された複数の画素電極１０４と、複数の画素電極１０４の上にこれらを覆って形成された有機材料を含む受光層１０７と、受光層１０７上に形成された対向電極１０８とを有する固体撮像素子であって、画素電極１０４が、酸化窒化チタンで構成され、受光層１０７を形成する直前における画素電極１０４の組成が、（１）画素電極１０４全体に含まれる酸素量がチタン量の７５ａｔｍ％以上、又は、（２）画素電極１０４の基板１０１側から１０ｎｍまでの範囲或いは画素電極１０４の基板１０１側から画素電極１０４厚みの２／３までの範囲において、酸素量がチタン量の４０ａｔｍ％以上の条件を満たしている。 （もっと読む）

【課題】有機材料を含む受光層を有する光電変換素子において、受光層の材料の選択幅を狭めることなく、光電変換素子の耐熱性を向上させること。
【解決手段】絶縁層１０２上に複数の画素電極１０４を形成する第一の工程と、複数の画素電極１０４の上に有機材料を含む受光層１０７を形成する第二の工程と、受光層１０７上に対向電極１０８を形成する第三の工程とを備え、第一の工程は、絶縁層１０２上に画素電極材料を成膜する工程と、成膜した前記画素電極材料の膜をパターニングする工程と、前記パターニング後の前記基板を２７０℃以上で加熱する工程とで構成される。 （もっと読む）

【課題】加熱処理を行った場合にも優れた高光電変換効率および低暗電流性を示し、高い生産性で製造することができる光電変換素子を提供する。
【解決手段】透明導電性膜１５と、導電性膜１１と、透明導電性膜１５と導電性膜１１との間に配置された光電変換層１２および電子ブロッキング層１６Ａとを有する光電変換素子１０ａであって、光電変換層１２が、ベンゼン環を少なくとも５個以上含み、総環数が７個以上であり、カルボニル基を含まない縮合多環炭化水素を含有し、電子ブロッキング層が、化合物からＲａ₁〜Ｒａ₉の少なくとも１つの基を取り除いた残基を有し、ガラス転移点（Ｔｇ）が２００℃以上である化合物Ａを含有する。 （もっと読む）

【課題】十分な感度を有し、かつ低いコストで実現することが可能な構成の光電変換素子を提供する。
【解決手段】チオインジゴ誘導体を含んで成る光電変換層１２を有する、光電変換素子１０を構成する。 （もっと読む）

【課題】光センサにおいて、複数種類の光センサを併用する場合と比べて、製造コストを低減し、取付け対象の電気機器のデザイン性を損ない難くする。
【解決手段】光センサ１は、分光感度が異なる受光素子２ｖ、２ｉと、受光素子２ｖ、２ｉによる検出信号をそれぞれ増幅する増幅回路３ｖ、３ｉと、増幅回路３ｖ、３ｉによりそれぞれ増幅された検出信号の和又は差を演算する演算回路４とを備える。増幅回路３ｖ、３ｉは増幅率が調整可能であり、演算回路４は演算内容が変更可能である。上記増幅率の調整と上記演算内容の変更とにより、検出対象の光の波長領域を２つの波長領域に切り替えることができる。従って、２種類の光センサを併用する場合と比べて、光センサの数を減らし、各種構成部品を共通化できる。そのため、製造コストを低減でき、また、電気機器に取り付けた状態で、占有面積が少なくて済み、電気機器のデザイン性を損ない難くすることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、曲面上に有機検出器を有する有機イメージング装置を対象としている。
【解決手段】本装置は、写真撮影、軽量カメラシステム、超高解像度イメージング、軽量“暗視”、ロボット視覚等のイメージング応用において使用可能である。可変レンズを備えた凹状のハウジングが提供される。可変レンズによって、視野及び焦点距離に幅が出る。本発明は、一定範囲の電磁放射を検出するように構成され得る。そして、コンピュータ、ディスプレイまたは他の処理用装置に対する入力が提供され、または、検出された放射が画像として表示される。 （もっと読む）

【課題】電磁放射検知回路の成長基板を除去する方法を提供する。
【解決手段】赤外または可視範囲での電磁放射検知回路の成長基板を除去する方法であって、検知回路が、液相または気相エピタキシによって、または分子ビームエピタキシによって得られたＨｇ_{（１−ｘ）}Ｃｄ_ｘＴｅで作られた、放射の検知層を含み、検知回路がリード回路上にハイブリッド化された方法。この方法は、以下の段階を含む。検知回路の材料と成長基板と間の界面領域まで、その厚みを低減するために成長基板に機械研磨または化学機械研磨ステップまたは化学エッチングステップを施す段階、そのように得られた界面にヨウ素処理を施す段階。 （もっと読む）

【課題】ノイズ光の影響を軽減することが可能な光電変換素子および光電変換装置を提供する。
【解決手段】フォトダイオードは、基板上に、第１導電型（例えばｐ型）半導体層、ｉ型半導体層および第２導電型（例えばｎ型）半導体層をこの順に備え、基板と第１導電型半導体層との間に遮光層を有している。第２導電型半導体層側から入射する光に基づいて信号電荷が取り出される（光電変換がなされる）。基板と第１導電型半導体層との間に遮光層が設けられていることにより、第２導電型半導体層側から入射した光のうち、吸収されずに第１導電型半導体層を透過して基板側へ出射した光が遮断されると共に、基板側から第１導電型半導体層へ向かう光が遮断される。 （もっと読む）

【課題】各画素の受光部に対応して設けられるレンズ同士の境界部分に遮光部を設けるに際し、遮光部をセルフアラインで形成することができ、レンズと遮光部とのパターン合わせ精度を向上することができ、微細化や画素数の増大に容易に対応することができる固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本開示の固体撮像素子の製造方法は、半導体基板上の撮像領域に配列される複数の画素の各画素の前記受光部に対応して設けられ、前記受光部に対して光を集光するレンズを形成する工程と、前記レンズ上に、遮光性を有する材料により成膜することで、遮光層を形成する工程と、互いに隣り合う前記レンズの境界部分に前記遮光性を有する材料を残すように前記遮光層をエッチングすることで、前記レンズの境界部分に、前記遮光性を有する材料からなる遮光部を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）