【課題】
半導体基板の一主面側にＲＩＥ工程でムラができるという問題があった。
【解決手段】
半導体基板の表面を反応性イオンエッチング法で粗面状にする半導体基板の粗面化法において、前記半導基板の表面に酸化膜を形成した後、反応性イオンエッチング法で粗面状にする。 （もっと読む）

【課題】向上したデバイス効率を有する光応答性デバイスを提供すること。
【解決手段】第１電極と第２電極との間に設置された光応答性領域を備え、電荷キャリアが光応答性領域と電極との間を移動できるようになっている光電子デバイスであって、前記光応答性領域は、それぞれ異なる電子親和力を有する第１の光応答性材料と第２の光応答性材料とのブレンドを含む少なくとも第１と第２のブレンド層を備え、前記第１および第２のブレンド層は異なる割合の第１および第２の光応答性材料を含む光電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】太陽電池の表面あるいは裏面に散乱光を発生させる構造がなくても変換効率が高い太陽電池を提供するとともにその製造方法を提供する。
【解決手段】第１導電型の半導体層１と第２導電型の半導体層２とが積層され、前記第１導電型の半導体層１および前記第２導電型の半導体層２の少なくとも一方の半導体層が屈折率分布構造を有する。屈折率分布構造にて入射光が散乱させられて光路長が増加する。実効的な吸収係数が増加し、変換効率が改善される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、多孔質部材の孔部を形成する壁部の表面に金属酸化物膜が成膜された多孔質体であって、種々のデバイス、例えば太陽電池部材、燃料電池部材、ガス改質器等に利用可能な多孔質体を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】 本発明は、多孔質部材と金属酸化物膜とを備えた多孔質体であって、上記多孔質部材の孔部を形成する壁部の表面に上記金属酸化物膜が成膜されてなることを特徴とする多孔質体を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 低コストで製造可能な結晶半導体粒子を用いた、高い光電変換効率を有する太陽電池等の光電変換装置を提供すること。
【解決手段】 導電性基板１の一主面に、一方導電型の結晶半導体粒子としての結晶シリコン粒子３が多数個、下部を導電性基板１に接合され、隣接するもの同士の間に絶縁物質２を介在させるとともに上部を絶縁物質２から露出させて配置されて、これら結晶シリコン粒子３に他方導電型の半導体部（シリコン層４）および透光性導体層５が設けられた光電変換装置において、透光性導体層５上に、上面の結晶シリコン粒子３の間に位置する部位に凹部が形成された第１の光透過層６ａと、第１の光透過層６ａを覆う第２の光透過層６ｂとが積層されている。 （もっと読む）

【課題】 低純度シリコンを主要な原料とし従来の多結晶シリコン基板よりはるかに低コスト化が可能ながら、太陽電池を作り込んだ場合に従来の多結晶シリコン基板と同等以上の変換効率が得ることが可能な太陽電池用多結晶シリコン基板を提供する。
【解決手段】 金属シリコンを原料として、溶融・凝固して作製した多結晶シリコン基体１０１を用いた太陽電池用多結晶シリコン基板の作製方法であって、不純物元素が表面の一部に局在して露出している多結晶シリコン基体１０１上に、非晶質シリコン層を形成する工程と、前記非晶質シリコン層を水素雰囲気中で加熱し、前記多結晶シリコン基体の結晶方位に結晶化させたシリコン層１０３を形成する工程と、前記結晶化させたシリコン層上に液相法で太陽電池級のシリコン層１０５を形成する工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】蒸着法やスパッタリング法に比較して、大型化が容易な電解めっきを利用して安価にｐ型半導体層を形成できる太陽電池モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０の一面側に形成した電極膜１２を給電層とする電解めっきを利用して、基板面が底面に露出する所定幅の第1溝１４によって分割された複数個のｐ型半導体層１６を形成した後、ｐ型半導体層１６の各表面及び第1溝１４の底面に露出する基板１０の露出面を覆う全面ｎ型半導体層１８ａを形成し、次いで、第1溝１４を介して互いに隣接するｐ型半導体層１６，１６の一方の第1溝１４近傍に形成された電極膜１２が底面に露出する第２溝２０を形成して、全面ｎ型半導体層１８ａを所定形状のｎ型半導体層１８にパターンニングした後、第２溝２０を充填すると共に、ｎ型半導体層１８の全表面を覆う全面透明電極２２ａを形成し、その後、第２溝２０が上面側に形成された電極膜１２であって、第２溝２０よりも内方に位置する電極層１２の表面が底面に露出する第３溝２４を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】応力補償デバイスをロールツーロール法で作製することができる方法及び構造を提供の提供。
【解決手段】薄膜半導体デバイス、例えば、光起電力デバイスが超軽量基板材料上に作製され、この基板材料は、キャリヤによって支持された材料層に取り付けられている。デバイスの作製に続き、キャリヤを例えばエッチングプロセスで除去し、後には材料層が基板に付着したままになる。付着した層は、釣り合わせ力を基板の後側に加え、この釣り合わせ力は、基板の反対側で支持された半導体デバイスが基板をカールさせる傾向を最小限に抑え又は無くす。また、この方法によって作られるデバイス及び構造体が開示される。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つの電子供与性材料と、電子受容性材料として少なくとも１つのフラーレン誘導体とを含む光活性層を有するフォトダイオードに関する。本発明は、さらに、フォトダイオードを作製するための方法、光活性層およびフラーレン誘導体に関する。
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本発明は、太陽電池用光吸収層に使用されるＣｕＩｎＳｅ_２、ＣｕＧａＳｅ_２及びＣｕＩｎ_１−ｘＧａ_ｘＳｅ_２薄膜を多層に積層して太陽光の吸収能力を向上させることができる太陽電池用光吸収層及びその製造方法に関するもので、本発明は、基板上にＩｎ及びＳｅを含む単一前駆体を使用した有機金属化学気相蒸着法によってＩｎＳｅ薄膜を形成する段階；前記ＩｎＳｅ薄膜上にＣｕ前駆体を利用した有機金属化学気相蒸着法によってＣｕ_２Ｓｅ薄膜を形成する段階；前記Ｃｕ_２Ｓｅ薄膜上にＧａ及びＳｅを含む単一前駆体を利用した有機金属化学気相蒸着法によってＣｕＧａＳｅ_２薄膜を形成する段階；及び前記ＣｕＧａＳｅ_２薄膜上にＩｎ及びＳｅを含む単一前駆体とＣｕ前駆体を利用した有機金属化学気相蒸着法によってＣｕＧａＳｅ_２／ＣｕＩｎＳｅ_２構造の多層薄膜を形成する段階とを含むことを特徴とする。
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光起電性デバイスを含む固体感光性デバイスが提供され、前記デバイスは重ねられた関係にある第１電極及び第２電極；及び、前記電極の間に少なくとも一つの隔離された集光性複合体（ＬＨＣ）を含む。好ましい感光性デバイスは、第１電極とＬＨＣとの間に配置されＬＨＣに隣接した第１の光伝導性有機半導体材料で形成された電子輸送層；及び、第２電極とＬＨＣとの間に配置されＬＨＣに隣接した第２の光伝導性有機半導体材料で形成された正孔輸送層を含む。本発明の固体感光性デバイスは第１電極と電子輸送層との間に配置された少なくとも１つの光伝導性有機半導体材料の追加層；及び、第２電極と正孔輸送層との間に配置された少なくとも１つの光伝導性有機半導体材料の追加層を含んでよい。光電流を発生させる方法が提供され、前記方法は本発明の光起電性デバイスの光への露出を含む。本発明の固体感光性デバイスを含む電子デバイスが提供される。
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本発明は、光起電力活性半導体材料を有する光起電力セルであって、光起電力活性半導体材料が、式（Ｉ）の二元化合物又は式（ＩＩ）の三元化合物：ＺｎＴｅ（Ｉ）Ｚｎ_1-xＭｎ_xＴｅ（ＩＩ）［式中、ｘは０．０１〜０．９９の数である］を有するｐドープ又はｎドープ半導体材料であり、その際、この光起電力活性半導体材料中ではテルルイオンが所定の割合までハロゲンイオン及び窒素イオンで置換されており、かつこのハロゲンイオンは、フッ化物、塩化物及び臭化物又はこれらの混合物からなる群から選択されることを特徴とする光起電力セルに関する。 （もっと読む）

本発明は、光起電力活性半導体材料を有する光起電力セルであって、光起電力活性半導体材料が、式（Ｉ）（Ｚｎ_1-xＭｎ_xＴｅ）_1-y（Ｓｉ_aＴｅ_b）_y （Ｉ）［式中、ｘは、０．０１〜０．９９の数であり、ｙは、０．０１〜０．２の数であり、ａは、１〜２の数であり、かつｂは、１〜３の数である］の混合化合物を有するｐドープ又はｎドープ半導体材料である光起電力セルに関する。 （もっと読む）

【課題】 太陽電池に関し、太陽電池に於ける光検知層がエネルギ・バンド・ギャップＥ０よりも小さいエネルギの光も吸収できるようにして、光起電力に寄与するキャリアの生成量を大きくする、即ち、変換効率を向上しようとする。
【解決手段】 ｐｉｎ構造で構成され、光検知層であるｉ層３に３次元量子閉じ込め作用をもつ量子ドットＤを含み、量子ドットＤ及びそれを囲むバリア層のエネルギ・バンド構造がｔｙｐｅ II を成している。 （もっと読む）

【課題】 高品質な結晶シリコン粒子を安定して作製でき、量産性や低コスト性に優れた光電変換装置や光発電装置を提供すること。
【解決手段】 上面に多数個の半導体粒子101を載置した台板102を加熱炉内に導入し、半導体粒子101を加熱して溶融させる工程と、この溶融した半導体粒子101を台板102側から上方に向けて固化させる工程とを、２回以上繰り返すことによって結晶半導体粒子101とする結晶半導体粒子の製造方法である。光電変換装置に用いる場合に変換効率特性に優れた高品質な結晶シリコン粒子101を製造することができる。 （もっと読む）

本発明は、半導体層の再結晶化及びドーピングを同時に行うための方法、詳細には結晶性シリコン薄層太陽電池を製造するための方法に関する。この方法では、第１の工程において、基板ベース層１が形成され、それに続く工程において、その基板ベース層上に、少なくとも１つのドープされた部分層を有する中間層構造２が堆積され、それに続く工程において、中間層構造２上に、ドープされないか、又は同様にドープされる吸収体層３が堆積され、再結晶化工程において、吸収体層３が加熱され、溶融され、冷却され、焼き戻される。有利な方法の変更形態では、ドープされないキャッピング層の代わりに、少なくとも１つの部分層を有するキャッピング層構造４を、吸収体層３の上に被着被着することもできる。 （もっと読む）

【課題】合成、そして薄膜等への成形が容易で、高い機能を有し、発光材料や触媒材料、電子材料等に有用な、新しいデンドリマー物質を提供する。
【解決手段】電子供与性の結合または原子を含むデンドリマーもしくはデンドロンに、有機化合物および有機金属化合物の１種以上のカチオンもしくはカチオンラジカルが内包あるいは複合化されている有機・有機金属化合物内包デンドリマーとする。 （もっと読む）

慣用的な硫化カドミウム（ＣｄＳ）析出させる化学浴析出（ＣＢＤ）は、半導体基板、例えば黄銅鉱薄膜太陽電池上へのバッファ層の施与に非常に好適な方法であることが判明している。カドミウムは極めて有毒な重金属であるので、代替法が既に探索されている。硫酸亜鉛（０．０５〜０．５モル／ｌ）とチオ尿素（０．２〜１．５モル／ｌ）とを蒸留水中に７０〜９０℃の温度で溶解させて、そしてアンモニア（約２５％）添加後にこの溶液が澄明になった後に半導体基板をこの溶液中に約１０分にわたって浸漬させ、この温度をこの時間内で実質的に一定に維持することを目下提供する。ＺｎＳ層を用いることにより、今までのところ有毒なカドミウム化合物を用いてのみ可能である効率と比べて比肩しうるかもしくはより大きい効率を達成することが初めて可能になる。従って本方法は同じ結果をもたらす際に顕著に無公害である。
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【課題】 分子光起電技術、製造方法及びこれに派生する物品に関する。
【解決手段】 本明細書で開示するのは、電磁放射を吸収することができる吸収材と、第１の導電性表面を含む第１の基材と、概第１の基材の第１の導電性表面に対向し且つ第１の導電性表面に面する第２の導電性表面を含む第２の基材と、第２の基材の第２の導電性表面に電気的に導通するが、第１の基材から電気的に絶縁されている電子トランスポータと、第１の基材の第１の導電性表面に電気的に導通するが、第２の基材に電気的に絶縁されている正孔トランスポータとを備え、正孔トランスポータ及び／又は電子トランスポータが電気絶縁シースに化学結合され、正孔トランスポータ及び／又は電子トランスポータが吸収材に化学結合された光起電電池である。 （もっと読む）

【課題】 太陽電池セルの反りが抑制される半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 まず、ｎ型半導体層３および半導体基板２を含む太陽電池セル１が形成される。その太陽電池セル１の太陽光線を受光する側の表面に、たとえば印刷法、蒸着法またはスパッタ法等によって主面電極４が形成される。その主面電極４に対し、発電した電力を取り出すためのインタコネクタ６が接続される。次に、太陽電池セル１において太陽光線が入射する側とは反対側の面に、たとえば印刷法、蒸着法またはメッキ法等によって裏面電極５が形成される。このようにしてＣＩＣ型の太陽電池セルを備えた半導体装置が完成する。 （もっと読む）