ＺｎＯベースの単一及び多接合光電池を製造するための装置及び方法を開示する。ＺｎＯベースの単一及び多接合光電池、及びその他の光電子装置は、Ｚｎ_xＡ_1-xＯ_yＢ_1-yのｐ型、ｎ型、及び非ドープ物質を含み、この場合、それぞれｘ及びｙで表わされる合金組成Ａ及びＢは０と１との間で変動する。合金元素Ａは、Ｍｇ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｃｄ、及びＩｎを含む同族元素から選択され、合金元素Ｂは、Ｔｅ及びＳｅを含む同族元素から選択される。Ａ、Ｂ、ｘ及びｙの選択により、物質のバンドギャップを調整できるようになる。物質のバンドギャップは、約１．４ｅＶと約６．０ｅＶとの間の範囲となるように選択することができる。Ｚｎ_xＡ_1-xＯ_yＢ_1-yベースのトンネルダイオードを形成し、Ｚｎ_xＡ_1-xＯ_yＢ_1-yベースの多接合太陽光発電装置に使用することができる。また、Ｚｎ_xＡ_1-xＯ_yＢ_1-yベースの単一及び多接合太陽光発電装置は、透明の伝導性ヘテロ構造及びＺｎＯベースの基板への高濃度ドープ接触部を含むこともできる。 （もっと読む）

【課題】高いエネルギ変換効率の太陽電池を製造する。
【解決手段】ｐ型層となる多結晶シリコン基板Ｓｐ上に形成されたｎ型層となる多結晶シリコン層Ｓｎの表層を、プラズマを用いて酸化処理し、その後ＣＶＤ処理によりシリコン窒化膜を堆積することにより、多結晶シリコン層Ｓｎの表層にパッシベーション膜Ａ１、Ａ２を形成する。かかるプラズマ酸化処理は、１０ｅＶ以下のシース電位のプラズマを用いて、圧力が６．６７Ｐａ〜６．６７×１０^２Ｐａの範囲で、温度が２００℃〜６００℃の範囲となる条件下で行う。プラズマを励起するマイクロ波は、スロットアンテナを通じて処理容器内に供給され、マイクロ波の表面波によってプラズマが生成される。 （もっと読む）

【課題】 薄膜の光変換層を結晶性の高い単結晶シリコンとした単結晶シリコン太陽電池を、シースルー型太陽電池として提供する。
【解決手段】 単結晶シリコン基板に水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一方を注入する工程と、透明絶縁性基板に集電電極パターンを形成する工程と、前記集電電極パターンを埋め込むように透明樹脂層を形成する工程と、前記集電電極パターンを露出させ、前記単結晶シリコン基板のイオン注入面と前記透明絶縁性基板上の前記透明樹脂層の表面とを、前記集電電極パターンが前記単結晶シリコン基板と接触するようにして密着させる工程と、前記透明樹脂層を硬化させて両基板を貼り合わせる工程と、前記イオン注入層に衝撃を与えて前記単結晶シリコン基板を機械的に剥離して、単結晶シリコン層とする工程と、前記単結晶シリコン層にｐｎ接合を形成する工程とを含む単結晶シリコン太陽電池の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高いキャリア濃度を保ちつつ、スズ添加酸化インジウムの結晶性を向上させ、高い導電性を有する透明導電膜を備えた透明導電性基板を提供すること。
【解決手段】本発明の透明導電性基板は、透明基材と、該透明基材の一面上にスズ添加酸化インジウムからなる透明導電膜を配してなる透明導電性基板であって、前記透明導電膜は、透明基材側から離れるにつれて、スズの添加濃度が高くなるように濃度勾配を有していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 シリコン太陽電池において、その原料となる珪素の有効活用を図るために光変換層を薄膜とするとともに、変換特性に優れ、更に光照射による劣化の少ない単結晶シリコン太陽電池を、家屋等の採光用窓材料としても使用可能な、シースルー型太陽電池として提供する。
【解決手段】 単結晶シリコン基板に水素イオンまたは希ガスイオンを注入する工程と、透明絶縁性基板の表面に透明導電性膜を形成する工程と、前記単結晶シリコン基板のイオン注入面及び／または前記透明絶縁性基板上の前記透明導電性膜の表面に表面活性化処理を行う工程と、前記単結晶シリコン基板のイオン注入面と前記透明絶縁性基板上の前記透明導電性膜の表面とを貼り合わせる工程と、前記イオン注入層に衝撃を与えて前記単結晶シリコン基板を機械的に剥離して、単結晶シリコン層とする工程と、前記単結晶シリコン層にｐｎ接合を形成する工程とを含む単結晶シリコン太陽電池の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 シリコン太陽電池において、その原料となる珪素の有効活用を図るために光変換層を薄膜とするとともに、変換特性に優れ、更に光照射による劣化の少ない単結晶シリコン太陽電池を、家屋等の採光用窓材料としても使用可能な、シースルー型太陽電池として提供する。
【解決手段】 単結晶シリコン基板に水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一方を注入する工程と、前記イオン注入面を貼り合わせ面として、前記単結晶シリコン基板を、透明導電性接着剤を介して透明絶縁性基板と密着させる工程と、前記透明導電性接着剤を硬化させて透明導電性膜とすると共に、前記単結晶シリコン基板と前記透明絶縁性基板とを貼り合わせる工程と、前記イオン注入層に衝撃を与えて前記単結晶シリコン基板を機械的に剥離して、単結晶シリコン層とする工程と、前記単結晶シリコン層にｐｎ接合を形成する工程とを含む単結晶シリコン太陽電池の製造方法。 （もっと読む）

第1の端部及び第2の端部を有する基板であって、該基板の少なくとも一部が硬質且つ非平面である基板を有する太陽電池ユニットを提供する。太陽電池ユニットは、基板に直線的に配置され、第1の光電池及び第2の光電池を含む複数の光電池を有する。複数の光電池における各光電池は、基板に円周方向に配置された背面電極、背面電極に円周方向に配置された半導体接合層、及び半導体接合部に円周方向に配置された透明導電層を含む。複数の光電池における第1の光電池の透明導電層は、複数の光電池における第2の光電池の背面電極と直列電気接続する。 （もっと読む）

【課題】噴霧する液体材料を構成する原料や溶媒の種類に制限されること無く、溶媒に原料が溶ける割合を広く設定することが可能な、ＳＰＤ法による透明導電性基板の製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の製造装置２０は、被処理体１１を載置する支持手段２１と、透明導電膜の原料溶液を構成する成分ごとに、それぞれの成分からなるミストを個別に作製する第一生成手段２８及び第二生成手段２９と、前記第一生成手段と個別に繋がり、前記被処理体の一面１１ａに向けて、それぞれの成分からなる第一ミスト２３Ａを噴霧する第一吐出手段２４Ａ及び、前記第二生成手段と個別に繋がり、前記被処理体の一面に向けて、それぞれの成分からなる第二ミスト２３Ｂを噴霧する第二吐出手段２４Ｂと、前記被処理体の温度を調整する温度制御手段２２と、を少なくとも備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 集光型の光電変換装置に凸レンズ形状を形成する際に、レンズの十分な厚みを確保しつつ、集光レンズの曲面形状を、より多くの入射光が集光できる所望の形状に成形することが困難であった。
【解決手段】本発明の光電変換装置は、一方の面に、複数の光電変換素子３をそれぞれ覆うための複数の凹部１７が予め形成された集光板１３であって、各凹部１７が各光電変換素子３にそれぞれ嵌合するように導電性基板１上に配設された集光板１３を具備することから、集光板１３を別体形成するため、十分なレンズの厚みと所望の形状を有する集光レンズを作製することができる。その結果、集光効率の高い集光レンズを作製することが可能となり、半導体の使用量を少なくすることができ、軽量化、低コスト化された光電変換装置を提供することができる。 （もっと読む）

光放射を吸収して電気エネルギーに変換するために、任意の可動および/または静止支持体の外表面に取りつけられる多層光起電化合物であって、順に、
-支持体(T)の表面(S)に付着させられる少なくとも一つの第一の層(1)、
-電極を定める導電性材料の少なくとも一つの第二の層(2)、
-フォトンを吸収してそれを電気エネルギーに変換するようになっている少なくとも一つの第三の光電活性層(3)、
-対向電極を定める導電性材料の少なくとも一つの第四の層(4)、
から成る。
前記第一の層(1)は、実質的に均一で連続の基材から成り、この基材が、他の層(2、3、4)に対して、化学的および機械的に不活性で、任意の形状と寸法の表面に適合する汎用固定基底を定める。
光透過性で電子的に不活性な材料の第五の層(5)を、下にある層(1、2、3、4)上に、これらの層を密閉保護するために、付着させて、単一の気密密閉されたユニットを形成させることができる。 （もっと読む）

【課題】可燃性ガスや毒性ガスを用いる必要がなく環境負荷を十分に低減することができるとともに、高熱を印加する必要がなく投入するエネルギーを十分に少なくすることができ、シリコンを効率よく形成することが可能なシリコンの形成方法を提供すること。
【解決手段】３０〜９９．９原子％の珪素と、０．１〜５０原子％の還元性金属元素とを含有する珪素含有材料に、酸素分圧が１０^−２Ｐａ以下の真空雰囲気下で、波長１９２〜１０６４ｎｍ、パルス幅１００ナノ秒〜１０フェムト秒、照射強度１０^８〜１０^１５Ｗ／ｃｍ^２のレーザー光を照射し、シリコンを得ることを特徴とするシリコンの形成方法。 （もっと読む）

【課題】シリコン又はシリコン-ゲルマニウムの太陽電池を製造するための新規で従来に無い方法及びシステムを提供する。
【解決手段】シリコン(又はシリコン-ゲルマニウム)の高純度のガス及び／又は液体の中間化合物は、熱プラズマ化学堆積法又は熱プラズマ吹付技術によって多結晶膜に直接に変換される。シリコン(又はシリコン-ゲルマニウム)の中間化合物は、２０００乃至約２００００Ｋの温度である熱プラズマ源の中に注入される。化合物が解離して、シリコン(又はシリコン-ゲルマニウム)が基板上に堆積される。バルク値に近い密度を有する多結晶の膜が、冷却時に得られる。PN接合の太陽電池が吹付により直接に準備されるか、熱処理後のドープされた膜が、高性能で低コストの存立可能な太陽電池に高い生産性で変換される。ロールからロールへのあるいはクラスタツール型の自動化された連続システムが提供される。
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【課題】オプトエレクトロニックデバイスを作製する方法及びそのようなデバイスの提供。
【解決手段】基板上に蒸着された第１電極、少なくとも３０ｎｍの二乗平均粗さ及び少なくとも２００ｎｍの高さ変化量を有する第１電極の露出された表面を含み、第１電極は透明であるようなオプトエレクトロニックデバイス及びオプトエレクトロニックデバイスを作製する方法。第１有機半導体材料のコンフォーマル層は有機気相蒸着法により第１電極上部へ蒸着され、第１有機半導体材料は低分子材料である。第２有機半導体材料層は、コンフォーマル相を覆って蒸着される。第２有機半導体材料層の少なくともいくらかは前記コンフォーマル層と直接接触する。第２電極が第２有機半導体材料層を覆って蒸着される。第１有機半導体材料は、反対のタイプの材料である第２有機半導体材料に関連してドナータイプまたはアクセプタータイプである。 （もっと読む）

光電デバイス及び関連する方法。デバイスは、電子収集電極及びホール収集電極間に配置されたナノ構造物質を有する。電子輸送／ホール遮断材料は、電子収集電極とナノ構造物質との間に配置される。特定の実施例においては、ナノ構造物質における光吸収により生成される負電荷キャリアは、電子輸送／ホール遮断材料に選択的に分離される。特定の実施例においては、ナノ構造物質は、波長が約４００ｎｍ〜７００ｎｍに及ぶ光に対し、少なくとも１０^３ｃｍ^−１の光吸収係数を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ガラス板とステンレス板の間に気泡が残らず、基板に可とう性を持たすことができる基板とこれを用いた太陽電池を提供する。
【解決手段】本発明の基板は、厚みが０．０１〜０．５ｍｍであり、一つ以上の穴(14)が開いた金属層(11)と、厚さが０．０１〜０．３ｍｍのガラス層(12)とが接着してなる。基材(11)と、ガラス層(12)を融着して接着させる時、基材(11)に穴(14)を開けることにより、基材(11)とガラス層(12)の間から気体が抜けるため、基材(11)とガラス層(12)の間に気泡が残らない。また、基材(11)に穴(14)を開けることにより可とう性を付与できる。 （もっと読む）

【課題】シンプルな原理でありながら各種電子装置の基板として汎用性の著しく高いSi基体上に光機能素子などを構築するために、Si基体上にβ-FeSi₂単相膜を容易に形成する方法等を提供する。
【解決手段】Fe元素を含有する溶融塩２３をSi基体２２と接触させることによってβ-FeSi₂をSi 基体２２上に形成するβ-FeSi₂形成方法。この1例として、下記の(1)式で示される反応によってβ-FeSi2を形成するβ-FeSi2形成方法を挙げる。5Si＋2 FeCl₂＝2β-FeSi₂＋SiCl₄ (1) （もっと読む）

【課題】 安定して高効率に結晶化するとともに、高い結晶性を持ち低コストで製造できる高品質な粒状シリコン結晶を得ることができる粒状結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】 結晶材料から成る多数個の粒子を載置した台板を加熱炉内に導入し、前記粒子を加熱して昇温し溶融させた後、この溶融した粒子を降温して固化させることによって粒状結晶とする際に、前記溶融した粒子を固化温度以下に下げて過冷却状態とした後、再度固化温度以上かつ溶融温度以下に昇温してから徐冷して固化する。 （もっと読む）

【課題】 多数個の結晶シリコン粒子を導電性基板上に変換効率が高く高性能で高信頼性の光電変換装置を提供すること。
【解決手段】 光電変換装置は、導電性基板１０７の一主面に多数個の結晶シリコン粒子１０１が接合され、結晶シリコン粒子１０１の隣接するもの同士の間に絶縁体１０９を介在させるとともに結晶シリコン粒子１０１の上部を絶縁体１０９から露出させて配置し、これら結晶シリコン粒子１０１に透光性導体層１１１が設けられた光電変換装置であって、結晶シリコン粒子１０１は、表面が研磨加工によって滑らかな面とされている。 （もっと読む）

【課題】光−電力変換効率の大きい、表面モフォロジーの優れた太陽電池のバッファー層作成方法を提供する。
【解決手段】太陽電池の光吸収層の上部にＣＢＤ法を用いて透明で極めて薄い高抵抗な混晶化合物半導体薄膜であるバッファー層薄膜を形成するにあたって、まず、光吸収層４の上部に核となる粒子８を付与し、これを起点として、または触媒としてバッファー層５を成長、成膜する。 （もっと読む）

【課題】複雑な処理工程を要することなく、簡単な処理方法によってCu₂O膜上に金属層を形成することが可能な、新規な方法を提供する。
【解決手段】Cu₂O膜を形成した被処理物を、還元剤を含有する水溶液に接触させることを特徴とするCu₂O膜表面に金属Cu層を形成する方法。 （もっと読む）